JP2015195238A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015195238A5
JP2015195238A5 JP2014071301A JP2014071301A JP2015195238A5 JP 2015195238 A5 JP2015195238 A5 JP 2015195238A5 JP 2014071301 A JP2014071301 A JP 2014071301A JP 2014071301 A JP2014071301 A JP 2014071301A JP 2015195238 A5 JP2015195238 A5 JP 2015195238A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating layer
electrode
semiconductor device
forming
photocurable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014071301A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015195238A (ja
JP6031059B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2014071301A external-priority patent/JP6031059B2/ja
Priority to JP2014071301A priority Critical patent/JP6031059B2/ja
Priority to PCT/JP2015/001433 priority patent/WO2015151426A1/ja
Priority to US15/126,116 priority patent/US10141272B2/en
Priority to EP15772875.9A priority patent/EP3128548B1/en
Priority to CN201580018117.5A priority patent/CN106415823B/zh
Priority to KR1020167027165A priority patent/KR102263433B1/ko
Priority to TW104110257A priority patent/TWI648438B/zh
Publication of JP2015195238A publication Critical patent/JP2015195238A/ja
Publication of JP2015195238A5 publication Critical patent/JP2015195238A5/ja
Publication of JP6031059B2 publication Critical patent/JP6031059B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014071301A 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法 Active JP6031059B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014071301A JP6031059B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法
CN201580018117.5A CN106415823B (zh) 2014-03-31 2015-03-16 半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置以及这些装置的制造方法
US15/126,116 US10141272B2 (en) 2014-03-31 2015-03-16 Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus and encapsulated stacked-semiconductor apparatus each having photo-curable resin layer
EP15772875.9A EP3128548B1 (en) 2014-03-31 2015-03-16 Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus; encapsulated stacked-semiconductor, and method for manufacturing same
PCT/JP2015/001433 WO2015151426A1 (ja) 2014-03-31 2015-03-16 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法
KR1020167027165A KR102263433B1 (ko) 2014-03-31 2015-03-16 반도체장치, 적층형 반도체장치, 봉지후 적층형 반도체장치, 및 이들의 제조방법
TW104110257A TWI648438B (zh) 2014-03-31 2015-03-30 Semiconductor device, laminated semiconductor device, packaged laminated semiconductor device, and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014071301A JP6031059B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015195238A JP2015195238A (ja) 2015-11-05
JP2015195238A5 true JP2015195238A5 (enExample) 2016-10-27
JP6031059B2 JP6031059B2 (ja) 2016-11-24

Family

ID=54239777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014071301A Active JP6031059B2 (ja) 2014-03-31 2014-03-31 半導体装置、積層型半導体装置、封止後積層型半導体装置、及びこれらの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10141272B2 (enExample)
EP (1) EP3128548B1 (enExample)
JP (1) JP6031059B2 (enExample)
KR (1) KR102263433B1 (enExample)
CN (1) CN106415823B (enExample)
TW (1) TWI648438B (enExample)
WO (1) WO2015151426A1 (enExample)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6444269B2 (ja) * 2015-06-19 2018-12-26 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
JP6042956B1 (ja) * 2015-09-30 2016-12-14 オリジン電気株式会社 半田付け製品の製造方法
JP6534948B2 (ja) 2016-02-26 2019-06-26 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法、フリップチップ型半導体装置の製造方法、半導体装置及びフリップチップ型半導体装置
US20170365567A1 (en) * 2016-06-20 2017-12-21 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fan-out semiconductor package
CN110402491B (zh) * 2017-03-14 2022-11-18 株式会社村田制作所 电路模块及其制造方法
FR3070091B1 (fr) * 2017-08-08 2020-02-07 3Dis Technologies Systeme electronique comprenant une couche de redistribution inferieure et procede de fabrication d'un tel systeme electronique
FR3070090B1 (fr) * 2017-08-08 2020-02-07 3Dis Technologies Systeme electronique et procede de fabrication d'un systeme electronique par utilisation d'un element sacrificiel
JP6866802B2 (ja) * 2017-08-09 2021-04-28 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性ドライフィルム、積層体、及びパターン形成方法
US10818578B2 (en) 2017-10-12 2020-10-27 Stmicroelectronics S.R.L. Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding device and circuit
US10651126B2 (en) * 2017-12-08 2020-05-12 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for wafer-level die bridge
CN114050113A (zh) * 2018-08-06 2022-02-15 中芯集成电路（宁波）有限公司 封装方法
CN109545757A (zh) * 2018-11-20 2019-03-29 苏州晶方半导体科技股份有限公司 芯片的封装结构以及封装方法
CN109494163A (zh) * 2018-11-20 2019-03-19 苏州晶方半导体科技股份有限公司 芯片的封装结构以及封装方法
JP7225754B2 (ja) * 2018-12-13 2023-02-21 Tdk株式会社 半導体ｉｃ内蔵回路基板及びその製造方法
CN109817769B (zh) * 2019-01-15 2020-10-30 申广 一种新型led芯片封装制作方法
TWI803738B (zh) * 2019-03-11 2023-06-01 美商羅門哈斯電子材料有限公司 製造印刷線路板的方法
CN112020199B (zh) * 2019-05-29 2022-03-08 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 内埋式电路板及其制作方法
DE102019130898A1 (de) * 2019-08-16 2021-02-18 Infineon Technologies Ag Zweistufige laserbearbeitung eines verkapselungsmittels eines halbleiterchipgehäuses
CN112351573B (zh) * 2019-09-18 2025-04-29 广州方邦电子股份有限公司 一种多层板
IT201900024292A1 (it) 2019-12-17 2021-06-17 St Microelectronics Srl Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente
US11626379B2 (en) 2020-03-24 2023-04-11 Stmicroelectronics S.R.L. Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device
CN112533365A (zh) * 2020-12-14 2021-03-19 深圳市艾诺信射频电路有限公司 基板加工方法及基板
US11528218B2 (en) * 2021-03-01 2022-12-13 Cisco Technology, Inc. Probe fusion for application-driven routing
JP2024062874A (ja) * 2022-10-25 2024-05-10 株式会社アドバンテスト 積層チップおよび積層チップの製造方法
CN115985783B (zh) * 2023-03-20 2023-05-30 合肥矽迈微电子科技有限公司 一种mosfet芯片的封装结构和工艺
CN118943027B (zh) * 2023-05-11 2025-12-09 中国科学院微电子研究所 一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构
WO2024237650A1 (ko) * 2023-05-12 2024-11-21 엘지이노텍 주식회사 회로 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지
CN116960000A (zh) * 2023-06-28 2023-10-27 广东佛智芯微电子技术研究有限公司 大板级扇出型封装方法及大板级扇出型封装结构

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5001542B2 (ja) * 2005-03-17 2012-08-15 日立電線株式会社 電子装置用基板およびその製造方法、ならびに電子装置の製造方法
JP4533283B2 (ja) 2005-08-29 2010-09-01 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20080246126A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Stacked and shielded die packages with interconnects
JP5313626B2 (ja) * 2008-10-27 2013-10-09 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板及びその製造方法
US8441133B2 (en) 2009-03-31 2013-05-14 Ibiden Co., Ltd. Semiconductor device
JP5459196B2 (ja) 2009-12-15 2014-04-02 信越化学工業株式会社 光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法及び電気・電子部品保護用皮膜
WO2011122228A1 (ja) * 2010-03-31 2011-10-06 日本電気株式会社 半導体内蔵基板
US8236617B2 (en) * 2010-06-04 2012-08-07 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming thermally conductive layer between semiconductor die and build-up interconnect structure
NZ587483A (en) * 2010-08-20 2012-12-21 Ind Res Ltd Holophonic speaker system with filters that are pre-configured based on acoustic transfer functions
JP2013030593A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 J Devices:Kk 半導体装置、該半導体装置を垂直に積層した半導体モジュール構造及びその製造方法
US8698297B2 (en) * 2011-09-23 2014-04-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stack device
JP5846110B2 (ja) * 2011-12-09 2016-01-20 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物、光硬化性ドライフィルム、その製造方法、パターン形成方法、及び電気・電子部品保護用皮膜
JP5977051B2 (ja) 2012-03-21 2016-08-24 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ、半導体装置及び半導体パッケージの製造方法
US9461025B2 (en) * 2013-03-12 2016-10-04 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. Electric magnetic shielding structure in packages
US9478498B2 (en) * 2013-08-05 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through package via (TPV)
CN105393351A (zh) * 2013-08-21 2016-03-09 英特尔公司 用于无凸起内建层(bbul)的无凸起管芯封装接口
US9455211B2 (en) * 2013-09-11 2016-09-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated fan-out structure with openings in buffer layer
US9111870B2 (en) * 2013-10-17 2015-08-18 Freescale Semiconductor Inc. Microelectronic packages containing stacked microelectronic devices and methods for the fabrication thereof
US9666522B2 (en) * 2014-05-29 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Alignment mark design for packages
US9852998B2 (en) * 2014-05-30 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ring structures in device die

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015195238A5 (enExample)
JP2015195240A5 (enExample)
KR102263433B1 (ko) 반도체장치, 적층형 반도체장치, 봉지후 적층형 반도체장치, 및 이들의 제조방법
KR102560487B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 플립 칩형 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 플립 칩형 반도체 장치
KR102338029B1 (ko) 반도체장치, 적층형 반도체장치, 봉지후 적층형 반도체장치, 및 이들의 제조방법
CN104064483B (zh) 半导体装置及其制造方法
TW201724406A (zh) 半導體裝置、層合型半導體裝置、密封後層合型半導體裝置、及這些製造方法
JP6377894B2 (ja) 半導体装置の製造方法、積層型半導体装置の製造方法、及び封止後積層型半導体装置の製造方法
US11417582B2 (en) Package structure and method of manufacturing the same
TW201128721A (en) Manufacturing method of semiconductor device
TW201603055A (zh) 異向性導電膜及其製造方法
JP2008094870A5 (enExample)
JP2009147116A5 (enExample)
JP6291094B2 (ja) 積層型半導体装置、及び封止後積層型半導体装置
KR102464438B1 (ko) 연신성 acf, 이의 제조방법, 이를 포함하는 계면 접합 부재 및 소자
JP2019060960A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂フィルム、半導体装置および電子機器
CN119631160A (zh) 光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法
JP2021129052A (ja) 半導体装置の製造方法