JP2015177008A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2015177008A
JP2015177008A JP2014052126A JP2014052126A JP2015177008A JP 2015177008 A JP2015177008 A JP 2015177008A JP 2014052126 A JP2014052126 A JP 2014052126A JP 2014052126 A JP2014052126 A JP 2014052126A JP 2015177008 A JP2015177008 A JP 2015177008A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
film
layer
hole
conductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014052126A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6113679B2 (ja
Inventor
啓 若月
Satoshi Wakatsuki
啓 若月
坂田 敦子
Atsuko Sakata
敦子 坂田
健悟 内田
Kengo Uchida
健悟 内田
東 和幸
Kazuyuki Azuma
和幸 東
遠藤 光芳
Mitsuyoshi Endo
光芳 遠藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2014052126A priority Critical patent/JP6113679B2/ja
Priority to US14/484,400 priority patent/US9312207B2/en
Publication of JP2015177008A publication Critical patent/JP2015177008A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6113679B2 publication Critical patent/JP6113679B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76898Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/03001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/03002Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for supporting the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03Manufacturing methods
    • H01L2224/034Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/03444Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in gaseous form
    • H01L2224/0345Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, or sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05541Structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/0557Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05571Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H01L2224/05572Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05575Plural external layers
    • H01L2224/0558Plural external layers being stacked
    • H01L2224/05582Two-layer coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05575Plural external layers
    • H01L2224/0558Plural external layers being stacked
    • H01L2224/05583Three-layer coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05599Material
    • H01L2224/056Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/114Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1146Plating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/1147Manufacturing methods using a lift-off mask
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/118Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/11848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H01L2224/11849Reflowing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13005Structure
    • H01L2224/13009Bump connector integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1301Shape
    • H01L2224/13011Shape comprising apertures or cavities, e.g. hollow bump
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13022Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13023Disposition the whole bump connector protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13025Disposition the bump connector being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13075Plural core members
    • H01L2224/1308Plural core members being stacked
    • H01L2224/13083Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13147Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13155Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1401Structure
    • H01L2224/1403Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141Disposition
    • H01L2224/1418Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/14181On opposite sides of the body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/94Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/206Length ranges

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

【課題】貫通電極の応力を緩和することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1面に半導体素子3が形成され貫通孔2cを有する半導体基板2と、前記半導体基板2の前記貫通孔2c内に形成される貫通電極11とを備え、前記貫通電極11は、前記貫通孔2cの側壁面に形成された絶縁膜10を介して、前記貫通孔2cの側壁面に形成された導電層11aと、前記貫通孔2cの前記導電層11aを介した内部に充填された電極層11bとからなり、前記導電層11aは、前記電極層11bの材料よりも柔らかい材料で形成され、前記電極層11bは、前記導電層11aの材料よりも高融点を有する材料で形成され、内部に前記半導体基板2の第2面の近傍で閉塞された空隙部11cを有する。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
半導体基板を貫通して設ける貫通電極(TSV;through silicon via)は、埋め込む金属によっては、貫通電極の内部応力によって、半導体基板側へストレスを与えることがある。これにより、ビアクラックの発生や、貫通電極の近傍に設けた素子に及ぼす応力に基づく素子動作への悪影響が問題となる可能性がある。
そこで、貫通電極の形成で発生するビア内の応力を、パターン配置や構造的な工夫で緩和することが考えられている。例えば、貫通電極として使用される銅(Cu)を中空のパイプ状に形成することで全体の応力を緩和するものである。しかし、銅はマイグレーションしやすい材料であるため、EM(electro migration)時の信頼性劣化が懸念される。また、パイプ状に形成する構成であるから、上部に開口を有する状態となるため、上部配線の形成時に、上部配線のバリアメタルの開口部への落ち込み等が生じることがあり、銅の配線の信頼性も低下する。
L. Hofmann, I. Schubert, K. Gottfried, S. E. Schulz, T. Gessner、「Investigations on Partially Filled HAR TSVs for MEMS Applications」、2013 IEEE International Interconnect Technology Conference
貫通電極の応力を緩和することができる半導体装置を提供する。
本実施形態の半導体装置は、第1面に半導体素子が形成され貫通孔を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記貫通孔内に形成される貫通電極とを備え、前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面に形成された絶縁膜を介して、前記貫通孔の側壁面に形成された導電層と、前記貫通孔の前記導電層を介した内部に充填された電極層とからなり、前記導電層は、前記電極層の材料よりも柔らかい材料で形成され、前記電極層は、前記導電層の材料よりも高融点を有する材料で形成され、内部に前記半導体基板の第2面の近傍で閉塞された空隙部を有する。
第1実施形態を示す模式的な縦断側面図 製造工程の各段階を示す模式的な縦断側面図(その1) 製造工程の各段階を示す模式的な縦断側面図(その2) 製造工程の各段階を示す模式的な縦断側面図(その3) 第2実施形態を示す模式的な縦断側面図 第3実施形態を示す模式的な縦断側面図 第4実施形態を示す模式的な縦断側面図
以下、複数の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、上下左右の方向についても、後述する半導体基板における回路形成面側を上または下とした場合の相対的な方向を示し、必ずしも重力加速度方向を基準としたものとは一致しない。
(第1実施形態)
以下、第1実施形態について図1から図4を参照して説明する。
図1は貫通電極を有する半導体装置1の縦断側面を模式的に示している。半導体基板であるシリコン基板2は、第1面である図中下面側に半導体素子3が形成されている。シリコン基板2は、半導体素子3を形成した後に厚さが例えば20〜40μm程度となるように研削されている。
半導体素子3は、シリコン基板2に形成した不純物拡散領域2a、2bなどを有する。不純物拡散領域2a、2bは、それぞれp型あるいはn型の導電型となる不純物が所定濃度で導入されて、p型不純物領域あるいはn型不純物領域として形成されたものである。なお、図1では半導体素子3の一例の構成を示しているが、さまざまな構成を有する多数の半導体素子3を設けることができる。例えば、シリコン基板2の第1面側に形成したゲート電極などを含んだ半導体素子3を設けることができる。ここでは、簡単のために、不純物拡散領域2a、2bなどを有する構成をもって半導体素子3を示している。
シリコン基板2の第1面には、表面を覆うように絶縁膜4が形成され、コンタクトを形成する位置に開口4aが設けられている。また、貫通電極を形成する位置には開口4bが設けられている。絶縁膜4の表面にはコンタクトを有する配線パターン5が半導体素子3の不純物拡散領域2a、2bなどと他の部分とを接続するように形成されている。配線パターン5は、例えばニッケルシリサイド(NiSi)やタングステン(W)を用いることができる。絶縁膜4は、シリコン酸化膜などを用いることができる。配線パターン5の表面および絶縁膜4の表面には、これらを覆うように層間絶縁膜6、7が積層形成されている。層間絶縁膜6、7は、シリコン酸化膜などを用いることができる。これら層間絶縁膜6、7にはビアホールが形成され、内部にビアプラグ8が埋め込まれている。ビアプラグ8の表面部にはバンプ9が形成されている。
シリコン基板2には、半導体素子3が形成されていない領域において、第1面側とその反対の第2面側とを貫通するように形成された貫通孔2cが設けられている。シリコン基板2の第1面の側は、絶縁膜4の開口4bの部分に配線パターン5が露出した状態とされている。シリコン基板2の貫通孔2cの壁面および第2面の表面にはこれらを覆うようにバリア絶縁膜10が形成されている。バリア絶縁膜10はシリコン酸化膜などを用いることができる。バリア絶縁膜10は、シリコン基板2の貫通孔2cの壁面部分の厚さが厚く、第2面の表面部分の厚さはそれよりも薄く形成されている。貫通孔2cにバリア絶縁膜10が形成された状態で、内径が例えば10μm程度となるように形成されている。
貫通孔2cの内部にはバリア絶縁膜10の内周面側にTSVとしての貫通電極11が形成されている。貫通電極11は、シリコン基板2の第1面側に形成している配線パターン5と電気的に接続するように設けられるものである。貫通電極11は、バリア絶縁膜10および配線パターン5と接する部分にバリアメタル膜およびシードメタル膜からなる導電層11aが形成される。バリアメタル膜は例えばチタン(Ti)膜である。シードメタル膜は例えば銅(Cu)膜である。導電層11aは、例えば3nmから200nmの範囲の膜厚で形成することができる。導電層11aは、バリア絶縁膜10の開口10a部分で第2面側にも伸びるように設けられている。
導電層11aの内側には、電極層としてニッケル(Ni)層11bが埋込み形成されている。ニッケル層11bは、バリア絶縁膜10の開口10aの上部にも突出するように形成される。ニッケル層11bは貫通孔2c内を埋め込むように形成されるが、内部に空隙部11cを有する。後述するように、形成工程において、コンフォーマルに成膜する際に、貫通孔2c上部の開口部近傍での堆積が多くなることに起因して内部を充填する前に開口上部で閉じてしまうことで空隙部11cが形成されたものである。
貫通電極11がシリコン基板2の第2面側から突出した部分のニッケル層11bの上面に、銅(Cu)膜12a、錫(Sn)膜12bからなるバンブ12が形成されている。これにより、貫通電極11は、シリコン基板2の第2面側から内部を貫通して第1面側の配線パターン5と電気的に接触した状態とされている。
このように、本実施形態では、シリコン基板2に形成される貫通電極11において、シードメタル膜として銅膜を用い、その内側にニッケル層11bを形成し、その内部に空隙部11cを設ける構成としている。貫通電極11の主たる材料として銅(融点1100℃以下)よりも高融点(融点1300℃以上)材料であるニッケル(Ni)を用いることで、マイグレーションの発生を抑制することができる。また、ニッケル膜11bの内部に空隙部11cを設ける構成とすることで、内部応力を緩和させることができる。これにより、信頼性に優れた貫通電極11とすることができる。さらに、導電層11aを設けることでニッケル層11bの応力緩和を図ることができる。
次に、上記構成の製造工程について図2〜図5を参照して説明する。なお、図2(a)、(b)においては、シリコン基板2の第1面側を加工する工程であるので、図1の構成を180°回転させて上下を逆にした状態で示している。まず、図2(a)に示すように、シリコン基板2の上面である第1面側に、不純物拡散領域2a、2bなどを形成して半導体素子3の構成要素を作り込む。なお、前述のように、シリコン基板2の第1面上にさらにゲート電極を形成して半導体素子3とすることができる。
続いて、シリコン基板2の第1面の表面に、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜4を形成する。絶縁膜4には、リソグラフィ技術を用いて、所定の領域に開口4a、4bなどを形成する。絶縁膜4の開口4aは半導体素子3の端子と接続するためのコンタクト領域となり、開口4bは貫通電極11を接続するためのパターン領域となる。次に、絶縁膜4の上面に所定のパターンに加工した配線パターン5を形成する。これは、全面にメタル膜を形成し、形成したメタル膜を、リソグラフィ技術を用いて所定のパターンにエッチング加工したものである。配線パターン5は、絶縁膜4の開口4a、4bを介してシリコン基板2の第1面の各部に電気的に接続するように形成されている。配線パターン5により、半導体素子3の端子間の接続や、外部との接続用パターンへの接続がなされる。
次に、配線パターン5および絶縁膜4の上面に、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜6を形成する。層間絶縁膜6には、配線パターン5と接続するためのビアプラグ8を上下に貫通するように埋込み形成する。続いて、層間絶縁膜6の上面にバンプ形成用の絶縁膜7を形成する。絶縁膜7にはバンプ形成位置に対応して開口が形成され、ビアプラグ8と同様のメタルによりバンプ形成用のビアプラグ8を形成する。
次に、図2(b)に示すように、ビアプラグ8に接続するようにバンプ9を部分的に形成する。この状態で、シリコン基板2の絶縁膜7およびバンプ9が露出している第1面側に、接着剤層13を形成するとともに、ガラス基板14を貼り付ける。ガラス基板14は、シリコン基板2を研削により薄くする際の支持部材となるものである。
続いて、図2(c)に示すように、シリコン基板2の裏面である第2面側から研削処理を行って所定厚さに加工する。なお、図2(c)以降の図面では、図1の状態と同様に、加工面であるシリコン基板2の第2面側を上に示している。研削処理では、研削後のシリコン基板2の厚さが、例えば20μmから40μmの範囲の所定厚さとなるように行われる。ここで、シリコン基板2の厚さ寸法は、チップに切断してパッケージングを行う場合に望まれる厚さを基準として設定されている。
この後、シリコン基板2の第2面側(裏面側)にリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングする。このパターニングでは、貫通孔2cを形成するためのパターンを設ける。貫通孔2cに対応する部分が開口したレジストパターンを用いて、ドライエッチング処理により、シリコン基板2の第2面側から第1面側に向けてエッチングを実施する。エッチングにより、貫通孔2cがシリコン基板2の第1面側に達して配線パターン5が露出した状態となる時点で処理を停止する。
次に、図3(a)に示すように、シリコン基板2の第2面側および貫通孔2c内にバリア絶縁膜10を形成する。バリア絶縁膜10は、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。この場合、図示の状態のバリア絶縁膜10は、まず、成膜時には、シリコン基板2の第2面上には、貫通孔2c内の側壁面に形成されている膜厚と略同じ膜厚で形成される。また、貫通孔2cの底面部には、深い孔部であることから若干薄く成膜される。この後、バリア絶縁膜10を異方性エッチングによりエッチバック処理を行い、貫通孔2c底面部に形成された分を剥離する。
このとき、シリコン基板2の第2面に形成されたバリア絶縁膜10は、貫通孔2cの底面部に形成された膜厚よりも厚いので、底面部が剥離された後、上面部が残存するようにエッチバック処理が停止される。また、貫通孔2cの側壁に形成されたバリア絶縁膜10は、縦方向の膜のエッチングであることから、略そのまま残存した状態となる。この結果、シリコン基板2の第2面上、貫通孔2cの側壁面にバリア絶縁膜10が形成され、貫通孔2cの底面部は配線パターン5が露出した状態となる。
次に、図3(b)に示すように、バリア絶縁膜10上および貫通孔2c底面の配線パターン5の上面を覆うように、貫通電極11の導電層11aを形成する。ここでは、導電層11aとして、スパッタリングなどの方法により、はじめにバリアメタル膜を形成し、続けてシードメタル膜を形成する。バリアメタル膜はチタン膜を用い、シードメタル膜は銅膜を用いる(Ti/Cu)。
なお、シードメタル膜は、銅以外の材料を用いることができる。例えば、非磁性材料で3nm〜200nmの範囲あるいはそれ以上の膜厚で形成することができる。また、貫通孔2c内のバリア絶縁膜10が良好な膜で形成されていて、密着性が良好となる場合には、バリアメタル膜の成膜を省略することもできる。
次に、図3(c)に示すように、リソグラフィ技術によりレジスト膜15をパターニングする。レジスト膜15には、貫通電極11の形成領域に対応する部分に開口15aをパターニングしている。レジスト膜15の開口15aは、貫通孔2c内の導電層11aおよびシリコン基板2の第2面上のバリア絶縁膜10の一部を露出した状態に形成している。
続いて、図4(a)に示すように、レジスト膜15をマスクとして、ニッケル層11bをめっきにより形成する。このめっき工程では、レジスト膜15による開口15aに露出している導電層11a上に選択的にニッケル膜を形成する。また、めっき方法としては、導電層11aの面に沿うようにコンフォーマルにニッケル膜を成膜する。この場合、ニッケル膜のめっき方法として、高密度電流にて行うことでコンフォーマルに形成するので、ボトムアップ法で形成する過程とは異なる。また、コンフォーマルにニッケル膜を成膜することで、ボトムアップ法で形成する場合に比べて成膜速度を高めることができる。
これにより、ニッケル膜は、導電層11aの面に略同じ膜厚で形成されていくが、貫通孔2cの上面部(第2面側)近傍においては、部分的に成膜が速くなるため内部に充填される前に開口が塞がる傾向にある。これにより、ニッケル層11bは、上部において閉じた状態となり、内部に空隙部11cが残った状態に成膜される。この後、めっき工程を続けてレジスト膜15の開口15a内において所定高さに達するまで成膜する。これにより、貫通穴1cを充填する貫通電極11が形成される。
次に、図4(b)に示すように、貫通電極11の上面部にバンプ12を形成する。バンプ12の形成では、めっきにより銅(Cu)膜12aを形成した後に、続けてめっきにより錫(Sn)膜12bを形成する。錫膜12bは若干盛り上がった状態に形成される。
続いて、図4(c)に示すように、レジスト膜15を剥離すると共に、露出した導電層11aをエッチング処理により除去する。このエッチング処理は、例えばウェットエッチング処理を用いることができる。この後、リフロー処理をすることでバンプ12を形成する。
この後、図1に示しているように、ウエハ状態で加工してきたものを、チップに分離すべくスクライビングにより切り離しを行い、接着剤層13を溶かしてガラス基板14を取り外す。以上により、貫通電極11が形成された半導体装置1を得る。
上記のように製造工程を実施するので、貫通孔1c内にニッケル層11bを形成する工程では、ボトムアップ方式のめっき法を採用することなく、コンフォーマルにニッケル膜を形成する方法を用いることができる。これによって、ボトムアップ方式の場合に比べてニッケル層11bの形成時間を短縮することができる。
このような本実施形態によれば、融点が銅よりも高いニッケルを貫通電極11の主たる金属として用い、内部に空隙部11cを設ける構成とした。これにより、貫通電極11において内部応力による悪影響を抑制し、且つ、マイグレーションによるEM耐性の劣化を抑制できる。しかも、貫通電極11として主たる金属をニッケル層11bとしてめっきによりコンフォーマルに形成するので、空隙部11cを形成しながらボトムアップ方式よりも迅速に形成することができる。
さらに、貫通電極11として、内部に空隙部11cを設けてもマイグレーションの生じにくいニッケル層11bの外側に導電層11aとして銅膜を用いている。一般的に、融点が高い金属はヤング率が大きい傾向があり、ニッケルのヤング率は200GPa程度であり、銅のヤング率は110GPa程度である。これにより、ニッケル層11bの内部応力を、よりヤング率が小さく柔らかい材料が用いられた導電層11aにより吸収することができる。この結果、貫通電極11がシリコン基板2に及ぼす内部応力を、銅を単独で用いた場合に比べて1/2程度まで低減できることがわかった。
また、ニッケル層11bの空隙部11cをシリコン基板2の第2面近傍において閉じる構成としているので、貫通電極11の上部に、バンプ構造を形成するための膜厚まで成膜することができる。これにより、ニッケル層11bの空隙部11c内にメタルが進入することなくバンプ12を容易に形成することができる。
(第2実施形態)
図5は、第2実施形態を示すもので、第1実施形態と異なるところは、貫通電極11に代えて、半導体装置16に貫通電極17を設ける構成としたところである。第1実施形態では、応力緩和およびマイグレーションの課題を解決する構成として空隙部11cを有するニッケル層11bを採用している。この場合、ニッケル層11bのニッケル(Ni)は、磁性材料であるから、半導体装置1が高周波で動作させるものである場合には、貫通電極11の内部に電流が流れにくくなる表皮効果が起こり、貫通電極11の中心部での電流が低下して表層部分だけに流れるため、全体として抵抗が上昇することになる。
この実施形態では、半導体装置16を高周波で使用するものである場合に、貫通電極17として磁性材料のニッケル層17bを用いることで発生する表皮効果による抵抗上昇の影響を抑制するため、貫通電極17に導電層17aを設ける構成としている。
図5において、貫通電極17は、バリアメタル膜およびシードメタル膜からなる導電層17aが形成される。バリアメタル膜は例えばチタン(Ti)膜である。シードメタル膜は例えば銅(Cu)膜である。導電層17aは、表皮効果による電流が流れる厚さを考慮して、第1実施形態のものよりも厚い膜厚で、銅膜が例えば200nm以上の膜厚となるように形成している。導電層17aは、バリア絶縁膜10の開口10a部分で第2面側にも伸びるように形成されている。
導電層17aの内側にはニッケル(Ni)層17bが埋込み形成されている。ニッケル層17bは、バリア絶縁膜10の開口10aの上部にも突出するように形成される。ニッケル層17bは貫通孔2c内を埋め込むように形成されるが、内部に空隙部17cを有する。これは形成工程において、コンフォーマルに成膜する際に、貫通孔2c上部の開口部近傍での堆積が多くなることに起因して内部を充填する前に開口上部で閉じてしまうことで空隙部17cが形成されたものである。
上記構成を採用することにより、半導体装置16を高周波で駆動する場合に、貫通電極17において導電層17aとして銅膜を200nm以上の膜厚で形成しているので、磁気的な表皮効果の影響を抑えて、磁性材料のニッケル層17bによる抵抗上昇を招くのを抑制することができる。
また、この構成では、導電層17aとして、第1実施形態のものに比べて銅膜を200nm以上の膜厚としている分だけ、第1実施形態のものに比べて、ニッケルよりも柔らかい(ヤング率が小さい)材料による応力緩和効果をさらに高めることができる。
(第3実施形態)
図6は、第3実施形態を示すもので、第2実施形態と異なるところは、貫通電極17に代えて、半導体装置18に貫通電極19を設ける構成としたところである。この実施形態では、半導体装置18を高周波で使用するものである場合に、貫通電極19として非磁性化したニッケル層19bを用いることで表皮効果による抵抗上昇の影響を抑制する構成としている。
図6において、貫通電極19は、バリアメタル膜およびシードメタル膜からなる導電層19aが形成される。バリアメタル膜は例えばチタン(Ti)膜である。シードメタル膜は例えば銅(Cu)膜である。導電層19aは、第1実施形態と同様に、例えば20nmから200nmの範囲の膜厚で形成することができる。導電層19aは、バリア絶縁膜10の開口10a部分で第2面側にも伸びるように形成されている。なお、導電層19aとして、第2実施形態における導電層17aと同様の膜構成とすることもできる。
導電層19aの内側にはニッケル(Ni)層19bが埋込み形成されている。ニッケル層19bは、バリア絶縁膜10の開口10aの上部にも突出するように形成される。ニッケル層19bは貫通孔2c内を埋め込むように形成されるが、内部に空隙部19cを有する。これは形成工程において、コンフォーマルに成膜する際に、貫通孔2c上部の開口部近傍での堆積が多くなることに起因して内部を充填する前に開口上部で閉じてしまうことで空隙部19cが形成されたものである。
このニッケル層19bは、非磁性化するために、ニッケルに非磁性材料を5wt%以上、望ましくは、8wt%以上添加含有するようにめっきにより形成する。この場合、非磁性化するために含有させる材料は、炭素(C)、リン(P)、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等を用いることができる。これにより、貫通電極19は、ニッケル層19bのニッケルが有する磁性特性が緩和され、高周波動作に対しての表皮効果に起因した抵抗上昇挙動が抑制される。
(第4実施形態)
図7は、第4実施形態を示すもので、第2実施形態と異なるところは、貫通電極17に代えて、半導体装置20に貫通電極21を設ける構成としたところである。この実施形態では、半導体装置20を高周波で使用するものである場合に、貫通電極21としてニッケル層21bの表層部分に非磁性化した微粒子層21baを形成し、その内側にニッケル層21bbを設ける構成としたところである。これにより、ニッケル層21bにおける表皮効果による抵抗上昇の影響を抑制する構成としている。
図7において、貫通電極21は、バリアメタル膜およびシードメタル膜からなる導電層21aが形成される。バリアメタル膜は例えばチタン(Ti)膜である。シードメタル膜は例えば銅(Cu)膜である。導電層21aは、第1実施形態と同様に、例えば20nmから200nmの範囲の膜厚で形成することができる。導電層21aは、バリア絶縁膜10の開口10a部分で第2面側にも伸びるように形成されている。なお、導電層21aとして、第2実施形態における導電層17aと同様の膜構成とすることもできる。
導電層21aの内側にはニッケル層21bが埋込み形成されている。ニッケル層21bは、外側の導電層21aと接する部分に微結晶層21baが形成され、その内側にニッケル層21bbが埋込み形成されている。ニッケル層21bは、バリア絶縁膜10の開口10aの上部にも突出するように形成される。ニッケル層21bは貫通孔2c内を埋め込むように形成されるが、内部に空隙部21cを有する。これは形成工程において、コンフォーマルに成膜する際に、貫通孔2c上部の開口部近傍での堆積が多くなることに起因して内部を充填する前に開口上部で閉じてしまうことで空隙部21cが形成されたものである。
ニッケル層21bは、前述と同様にしてめっきにより形成するが、めっき工程において初期層として微結晶層21baを形成する。これは、例えば、微結晶層21baの形成時に、高電流密度でめっき処理をすることで、結晶粒の径が10nm以下程度となるように制御している。なお、ここでの結晶粒の径は、例えばTEMを用いて計測することができる。微結晶層21baは、各微結晶がランダム配向された状態に形成されることで磁化状態が低下された状態の構造となる。これによって、表皮効果による抵抗上昇を抑制するものである。なお、微結晶層21baを形成した後は、通常の電流でニッケル層21bbを形成することで内部に空隙部21cを形成する。この場合、ニッケル層21bbの形成では、上記したように通常の電流密度でめっきを行っても良いし、高電流密度で形成速度を高めながらめっきを実施することもできる。これにより、貫通電極21は、ニッケル層21bのニッケルが有する磁性特性が緩和され、高周波動作に対しての表皮効果に起因した抵抗上昇挙動が抑制される。
(他の実施形態)
上記実施形態で説明したもの以外に次のような変形形態に適用することができる。
貫通電極11、17、19、21の形成は、ウエハ工程の終盤で行う所謂ビアラストの場合の半導体装置1、16、18、20の例で説明したが、他の製造工程を採用する所謂ビアファーストあるいはビアミドルの半導体装置に設ける貫通電極の場合にも適用することができる。
導電層11a、17a、19a、21aのシードメタルは、銅以外の他のメタルを用いることができる。この場合、ニッケル層11b、17b、19b、21bに用いる材料であるニッケルよりヤング率の小さい材料を用いると良い。
導電層11a、17a、19a、21aのバリアメタルは、シードメタルのバリア絶縁膜10への密着性が良好な場合には省略することもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1、16、18、20は半導体装置、2はシリコン基板(半導体基板)、3は半導体素子、5は配線パターン、11、17、19、21は貫通電極、11a、17a、19a、21aは導電層、11b、17b、19b、21bはニッケル層を示す。

Claims (5)

  1. 第1面に半導体素子が形成され貫通孔を有する半導体基板と、
    前記半導体基板の前記貫通孔内に形成される貫通電極とを備え、
    前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面に形成された絶縁膜を介して、前記貫通孔の側壁面に形成された導電層と、前記貫通孔の前記導電層を介した内部に充填された電極層とからなり、
    前記導電層は、前記電極層の材料よりも柔らかい材料で形成され、
    前記電極層は、前記導電層の材料よりも高融点を有する材料で形成され、内部に前記半導体基板の第2面の近傍で閉塞された空隙部を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1に記載の半導体装置において、
    前記導電層は、銅(Cu)で形成され、
    前記電極層は、ニッケル(Ni)で形成されることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1または2に記載の半導体装置において、
    前記電極層は、少なくとも前記導電層側の面が非磁性化層で形成されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項3に記載の半導体装置において、
    前記電極層の非磁性化層は、非磁性材料を含有することを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項3に記載の半導体装置において、
    前記電極層の非磁性化層は、微結晶化されることで非磁性化されていることを特徴とする半導体装置。
JP2014052126A 2014-03-14 2014-03-14 半導体装置 Active JP6113679B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014052126A JP6113679B2 (ja) 2014-03-14 2014-03-14 半導体装置
US14/484,400 US9312207B2 (en) 2014-03-14 2014-09-12 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014052126A JP6113679B2 (ja) 2014-03-14 2014-03-14 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015177008A true JP2015177008A (ja) 2015-10-05
JP6113679B2 JP6113679B2 (ja) 2017-04-12

Family

ID=54069687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014052126A Active JP6113679B2 (ja) 2014-03-14 2014-03-14 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9312207B2 (ja)
JP (1) JP6113679B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6509635B2 (ja) * 2015-05-29 2019-05-08 東芝メモリ株式会社 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
KR20210115349A (ko) * 2020-03-12 2021-09-27 에스케이하이닉스 주식회사 적층형 반도체 장치 및 그 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142414A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた積層型半導体装置
WO2013160976A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3397689B2 (ja) 1998-06-01 2003-04-21 株式会社東芝 マルチチップ半導体装置およびその製造方法
JPH11345934A (ja) 1998-06-01 1999-12-14 Toshiba Corp マルチチップ半導体装置の製造方法
JP4439976B2 (ja) 2004-03-31 2010-03-24 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7425255B2 (en) * 2005-06-07 2008-09-16 Massachusetts Institute Of Technology Method for producing alloy deposits and controlling the nanostructure thereof using negative current pulsing electro-deposition
JP2009295719A (ja) 2008-06-04 2009-12-17 Zycube:Kk 貫通プラグ配線
KR20130053338A (ko) * 2011-11-15 2013-05-23 삼성전자주식회사 Tsv 구조를 구비한 집적회로 소자
JP5826782B2 (ja) * 2013-03-19 2015-12-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2015053455A (ja) * 2013-09-09 2015-03-19 株式会社東芝 電力用半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012142414A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法並びにそれを用いた積層型半導体装置
WO2013160976A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150262913A1 (en) 2015-09-17
JP6113679B2 (ja) 2017-04-12
US9312207B2 (en) 2016-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200168584A1 (en) Methods of forming bonded semiconductor structures, and semiconductor structures formed by such methods
JP5922915B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
TWI515859B (zh) 內連線結構和其製作方法
JP5826782B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2010035375A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2016540391A (ja) スルー基板ビアおよび前側構造を製造するためのデバイス、システムおよび方法
US11594514B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
KR20120112091A (ko) 접합 반도체 구조 형성 방법 및 그 방법에 의해 형성된 반도체 구조
US9478509B2 (en) Mechanically anchored backside C4 pad
JP6309907B2 (ja) 半導体装置
JPWO2012107971A1 (ja) 半導体装置
TW201709324A (zh) 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2018170364A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5684157B2 (ja) 半導体装置
JP6113679B2 (ja) 半導体装置
US20150017798A1 (en) Method of manufacturing through-silicon-via
JP2015041691A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014170793A (ja) 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
TWI512923B (zh) 中介板及其製法
KR101411734B1 (ko) 관통 전극을 갖는 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스
JP7143608B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9899297B1 (en) Semiconductor device having a through-silicon via and manufacturing method thereof
US9875934B2 (en) Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device
JP2013251436A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2016048743A (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170315

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6113679

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350