JP2016048743A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ビア・ファースト方式とビア・ラスト方式の両方のプロセス温度制約の問題を回避し、貫通電極(TSV)形成の信頼性向上、また、TSV微細化に伴うTSV寄生容量低減が可能なTSVの製造方法及びその構造を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1の第1面1Aから、基板に環状の孔部3を形成し、絶縁膜4を孔部3に埋め込んで絶縁リング4Rを形成する工程、基板の絶縁リングで囲まれた領域の上方に配線5を形成する工程、半導体基板1の第2面から、基板の厚さを絶縁リングの底部が露出するまで削減する工程、第2面から、絶縁リングに囲まれた領域の半導体層を除去して絶縁リングの内壁面を露出させると共に、配線に到達する貫通孔13を形成する工程、貫通孔内部に導電体を埋め込んで貫通電極14を形成する工程、とを含む。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1の第1面1Aから、基板に環状の孔部3を形成し、絶縁膜4を孔部3に埋め込んで絶縁リング4Rを形成する工程、基板の絶縁リングで囲まれた領域の上方に配線5を形成する工程、半導体基板1の第2面から、基板の厚さを絶縁リングの底部が露出するまで削減する工程、第2面から、絶縁リングに囲まれた領域の半導体層を除去して絶縁リングの内壁面を露出させると共に、配線に到達する貫通孔13を形成する工程、貫通孔内部に導電体を埋め込んで貫通電極14を形成する工程、とを含む。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、詳しくは、基板貫通電極(TSV:Through Substrate Via、Through Silicon Viaともいう)構造を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
近年、三次元スタックパッケージ技術として、TSV技術が注目されている。このTSVとは、チップに小さな穴を開け、そこに金属を充填することによってサンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的にこのTSVで接続する半導体装置の実装技術の一つである。複数のチップをワイヤボンディングで接続する従来の手法に比べて、配線距離を大幅に短縮でき、高速化、省電力化、小型化などの面で有利である。
TSVの形成方法としては、例えば、特許文献1に開示されるように、素子形成面からSi基板に所定深さのプラグを埋込み、裏面を研削してプラグを露出させる、いわゆるビア・ファースト(Via First:素子形成前または素子形成後のビア・ミドル(Via Middle)を含む)に属する方式や、特許文献2に開示されるように、裏面研削後に、裏面からプラグを形成する、いわゆるビア・ラスト(Via Last)に属する方式がある。
しかしながら、どちらの方式にも、ウエハプロセス温度の制約に対して長所と短所とがある。例えば、ビア・ミドル方式では、後の配線工程のサーマルバジェットによるプラグ材(Cu)膨れ、配線層の破壊の問題は深刻である。一方、ビア・ラスト方式では、素子形成面を接着剤で所定の保持具に固定して、研削及びTSV形成を行うが、接着剤の温度制約により、低温でかつ質の良い絶縁膜が要求される。しかしながら、低温での成膜はビア内への被覆性が不十分となり、TSVの微細化やTSV寄生容量削減が困難となっている。特に低温での成膜では、絶縁膜が貫通孔上端部に厚く形成され、オーバーハング形状になりやすく、導体プラグ形成時のスパッタ法によるバリア膜及びシード膜の形成や、めっき法による導体プラグの形成が困難となる。
そこで、本発明では、これら両方のプロセス温度制約の問題を回避し、TSV形成の信頼性向上、また、TSV微細化に伴うTSV寄生容量低減が可能なTSVの製造方法及びその構造を提供する。
すなわち、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体基板の第1面から、前記半導体基板に環状の孔部を形成し、絶縁膜を該孔部に埋め込んで絶縁リングを形成する工程、
前記半導体基板の前記絶縁リングで囲まれた領域の上方に、配線層を形成する工程、
前記半導体基板の第1面と反対の第2面から、前記半導体基板の厚さを前記絶縁リングの底部が露出するまで削減する工程、
前記半導体基板の第2面から、前記絶縁リングに囲まれた領域の半導体層を除去して前記絶縁リングの内壁面を露出させると共に、前記配線層の一部に到達する貫通孔を形成する工程、
前記貫通孔内部に導電体を埋め込んで貫通電極を形成する工程、
とを含むことを特徴とする。
半導体基板の第1面から、前記半導体基板に環状の孔部を形成し、絶縁膜を該孔部に埋め込んで絶縁リングを形成する工程、
前記半導体基板の前記絶縁リングで囲まれた領域の上方に、配線層を形成する工程、
前記半導体基板の第1面と反対の第2面から、前記半導体基板の厚さを前記絶縁リングの底部が露出するまで削減する工程、
前記半導体基板の第2面から、前記絶縁リングに囲まれた領域の半導体層を除去して前記絶縁リングの内壁面を露出させると共に、前記配線層の一部に到達する貫通孔を形成する工程、
前記貫通孔内部に導電体を埋め込んで貫通電極を形成する工程、
とを含むことを特徴とする。
また、本発明の別の実施形態によれば、
半導体基板の第1面から反対の第2面に貫通して形成された絶縁リングと、
前記絶縁リングの内壁に接して形成された貫通電極と
を有する半導体装置であって、
前記絶縁リング内に前記半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
半導体基板の第1面から反対の第2面に貫通して形成された絶縁リングと、
前記絶縁リングの内壁に接して形成された貫通電極と
を有する半導体装置であって、
前記絶縁リング内に前記半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明の一実施形態によれば、ビア・ファースト方式(ビア・ミドルを含む)とビア・ラスト方式の両方のプロセス温度制約の問題を回避し、TSV形成の信頼性向上、また、TSV微細化に伴うTSV寄生容量低減が可能となる。
以下、本発明の実施形態例について図面を参照して説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに限定されるものではない。
実施形態例1
図1(a)〜図1(g)は、本実施形態例に係る半導体装置の製造工程を説明する工程断面図であり、特にTSV形成領域を示す。
図1(a)〜図1(g)は、本実施形態例に係る半導体装置の製造工程を説明する工程断面図であり、特にTSV形成領域を示す。
まず、半導体基板1の第1面1A上にTSV形成領域以外の領域に不図示の半導体素子等を形成し、バルク層間膜2を形成する。その後、バルク層間膜2から半導体基板1の所定の深さまでの環状の孔部3を形成する(図1(a))。環状の孔部3の平面形状は円形、矩形、その他多角形のいずれであっても良い。ここでは、内径10μm、外径14μm(幅約2μm)の円形状の孔部3を形成した。孔部3の深さは、半導体基板1の第1面1Aから約40μmとなる深さとした。孔部3の形成には、バルク層間膜2の異方性エッチングと、絶縁膜と半導体層(Si層)とのエッチング選択比が高いボッシュプロセスによるSiエッチングとを組み合わせて行った。ボッシュプロセスによるエッチングでは、深い孔部3を垂直形状に形成することが可能となる。なお、絶縁リングを形成する孔部3の内径は、後工程で形成する導体プラグの外径とほぼ同等となる。孔部3の内径は、10μm〜20μmの範囲内に形成することが好ましい。
次に、絶縁膜4を孔部3を埋め込んで形成する(図1(b))。ここでは、CVD法によりシリコン酸化膜を埋め込んだ。
絶縁膜4を平坦化して絶縁リング4Rを形成した後、配線層5及び配線層間膜6を常法により形成する(図1(c))。配線層5には、タングステン等を用いたパッド電極、コンタクトプラグ、Cu配線、上層のAl配線等が含まれる。
配線層5上を覆うパッシベーション膜7を形成し、さらに上層配線に接続するプラグ8を含む表バンプ9を常法により形成する(図1(d))。以上により第1面1A側の処理が完了する。
次に、表バンプ9の形成された面を接着剤(不図示)を介してウエハサポーティングシステム(Wafer Supporting System:WSS)10に固定して半導体基板の第1面と反対の面の処理を行う。機械研磨(Mechanical Polishing)及び化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing)により絶縁リング4Rの底部を露出させる。その際の半導体基板1の露出面を第2面1Bとする。第2面1B上には裏面絶縁膜11を形成する(図1(e))。なお、図1(e)以降は、第2面1Bを紙面の上にして説明する。裏面絶縁膜11は、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜とすることができる。
次に、絶縁リング4Rで囲まれた半導体基板1の半導体層及びバルク層間膜2を除去するため、リソグラフィによりマスク12を形成し、裏面絶縁膜11、半導体基板1及びバルク層間膜2を順次エッチングし、配線層5の下層導体(パッド電極)を露出する貫通孔13を形成する(図1(f))。貫通孔13は、絶縁リング4Rで囲まれた半導体基板1の半導体層を全て除去して、絶縁リング4Rの内壁を露出させている。貫通孔13の形成は、裏面絶縁膜11の異方性エッチング、絶縁膜と半導体層(Si層)とのエッチング選択比が高いボッシュプロセスによる自己整合的なSiエッチング、及びバルク層間膜2の異方性エッチングを組み合わせて行った。
最後に、貫通孔13内に導電体を埋め込んで貫通電極(導体プラグ)14を形成する(図1(g))。具体的には、バリア膜及びシード膜(いずれも不図示)をスパッタ法等で形成した後、銅めっきにより導体プラグ14を形成する。さらに、銅めっき時に不図示のマスクを裏面絶縁膜11上に形成しておき、裏面バンプ電極15Aを形成し、NiAu合金あるいははんだ合金(SnAg等)により接着層15Bを形成することで裏面バンプ15を形成する。導体プラグ14と裏面バンプ15を合わせて貫通電極(TSV)という。
その後は、WSS10からウエハを剥離し、それぞれのチップ毎に分割してTSVを有する半導体装置が完成する。
本実施形態例では、絶縁リング4Aを形成する絶縁膜4形成時には、WSS10への接続等の必要がなく、接着剤の温度制約がないため、比較的高い温度、例えば、300〜400℃の温度で良質の絶縁膜を形成することが可能となる。また、絶縁リング4R内の半導体層を全て除去しているため、寄生容量の発生を低減することが可能となる。また、絶縁リング4Rの外周まで含めたTSVの専有面積を小さくすることができる。
実施形態例2
実施形態例1では、環状の孔部3に絶縁膜4を充填して中実構造の絶縁リングを形成していたが、本実施形態例では積極的に孔上端でオーバーハングになる特性を利用し、絶縁リング内に半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを設ける方法を提供する。
実施形態例1では、環状の孔部3に絶縁膜4を充填して中実構造の絶縁リングを形成していたが、本実施形態例では積極的に孔上端でオーバーハングになる特性を利用し、絶縁リング内に半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを設ける方法を提供する。
図2(a)〜図2(g)は、本実施形態例に係る半導体装置の製造工程を説明する工程断面図であり、実施形態例1と同等の構成には同じ符号を付している。
図1(a)と同様に、バルク層間膜2から半導体基板1の所定の深さまでの環状の孔部3を形成する(図2(a))。続いて、孔部3上端が孔部内部に空隙4Vを残して閉じるように絶縁膜4を成膜する(図2(b))。その後は、実施形態例1と同様に、配線層5及び配線層間膜6形成(図2(c))、表バンプ9形成(図2(d))、裏面研削及び裏面絶縁膜11形成(図2(e))、貫通孔13形成(図2(f))、導体プラグ14及び裏面バンプ15形成(図2(g))を経て、本実施形態例の半導体装置が完成する。なお、空隙4Vは、配線層5形成時や裏面研削などの加工工程中に露出しないように、孔部3の底部での絶縁膜4の厚みや孔部上端での閉じ方などを適宜調整して形成することが好ましい。例えば、カバレッジ性の良い成膜法とカバレッジ性の悪い成膜法とを組み合わせて用いることで、適宜調整することが可能となる。空隙4Vを加工中に露出させないことで、導電材料や研磨液、研磨残渣が空隙4V内に入り込んだり、機械的強度の低下を抑制することができる。また、絶縁リングの幅を拡張することで、機械的強度を確保することもできる。
本実施形態例では、絶縁リング4Rにエアギャップとなる空隙4Vを設けているので、導体プラグ14と半導体基板1間の寄生容量をより軽減することができ、さらに高速な回路動作を可能とする。
以上の実施形態例では、絶縁リング4Rをバルク層間膜2の形成後に形成するビア・ミドル方式を採用しているが、半導体基板1の処理初期段階で絶縁リング4Rを形成するビア・ファースト方式を採用しても良い。その場合、導体プラグ14の側壁の一部はバルク層間膜2となる。また、ビア・ファースト方式では、絶縁膜4の一部を半導体基板1の熱酸化により形成することも可能となり、より良質の絶縁膜が形成できる。なお、絶縁膜4は、1種の材料に限定されず、例えば、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の積層膜とすることもできる。また、貫通電極となる導体プラグ14は配線層5の最下層のパッド電極に接続する形態を示したが、最下層の配線層を貫通し、2層目以降の配線層に接続するようにしても良い。
1 半導体基板
1A 第1面
1B 第2面
2 バルク層間膜
3 環状の孔部
4 絶縁膜
4R 絶縁リング
4V 空隙(エアギャップ)
5 配線層
6 配線層間膜
7 パッシベーション膜
8 プラグ
9 表バンプ
10 WSS
11 裏面絶縁膜
12 マスク
13 貫通孔
14 導体プラグ(貫通電極)
15 裏面バンプ
15A 裏面バンプ電極
15B 接着層
1A 第1面
1B 第2面
2 バルク層間膜
3 環状の孔部
4 絶縁膜
4R 絶縁リング
4V 空隙(エアギャップ)
5 配線層
6 配線層間膜
7 パッシベーション膜
8 プラグ
9 表バンプ
10 WSS
11 裏面絶縁膜
12 マスク
13 貫通孔
14 導体プラグ(貫通電極)
15 裏面バンプ
15A 裏面バンプ電極
15B 接着層
Claims (10)
- 半導体基板の第1面から、前記半導体基板に環状の孔部を形成し、絶縁膜を該孔部に埋め込んで絶縁リングを形成する工程、
前記半導体基板の前記絶縁リングで囲まれた領域の上方に、配線層を形成する工程、
前記半導体基板の第1面と反対の第2面から、前記半導体基板の厚さを前記絶縁リングの底部が露出するまで削減する工程、
前記半導体基板の第2面から、前記絶縁リングに囲まれた領域の半導体層を除去して前記絶縁リングの内壁面を露出させると共に、前記配線層の一部に到達する貫通孔を形成する工程、
前記貫通孔内部に導電体を埋め込んで貫通電極を形成する工程、
とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁リングを形成する工程において、前記環状の孔部内部に前記絶縁膜を充填して中実構造の絶縁リングを形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁リングを形成する工程において、前記環状の孔部上端が孔部内部に空隙を残して閉じるように前記絶縁膜を形成し、前記半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを有する絶縁リングを形成する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁リングは、前記半導体基板の第1面上に形成されたバルク層間膜を貫通して形成される請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層は、前記バルク層間膜上に形成される請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線層に電気的に接続され、前記半導体基板の第1面側外部に露出した第1バンプを形成する工程を有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貫通電極は、前記絶縁リングの内壁に接して形成される導体プラグと、前記半導体基板の第2面の外部に露出する第2バンプとを含む請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の第1面から反対の第2面に貫通して形成された絶縁リングと、
前記絶縁リングの内壁に接して形成された貫通電極と
を有する半導体装置であって、
前記絶縁リング内に前記半導体基板の厚み方向に延伸したエアギャップを有することを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体基板の第1面上にバルク層間膜と、該バルク層間膜上に配線層を有し、前記貫通電極は該配線層に接続されている請求項8に記載の半導体装置。
- 前記絶縁リングは、前記バルク層間膜を貫通して形成されている請求項9に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014173458A JP2016048743A (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2014173458A JP2016048743A (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2014173458A Pending JP2016048743A (ja) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2016048743A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023162749A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
-
2014
- 2014-08-28 JP JP2014173458A patent/JP2016048743A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023162749A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
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