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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102642019B1 (ko) * 2016-12-30 2024-02-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 소자 및 그를 포함하는 발광 장치
EP4053881B1 (en) * 2019-10-29 2024-10-09 Kyocera Corporation Semiconductor element and method for producing semiconductor element
CN114171646B (zh) * 2020-09-11 2023-05-26 成都辰显光电有限公司 微发光二极管及其制备方法
KR102736717B1 (ko) * 2021-03-09 2024-12-05 주식회사 레이아이알 레이저 소자

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3068303B2 (ja) * 1992-01-17 2000-07-24 シャープ株式会社 半導体発光素子
JP3060973B2 (ja) 1996-12-24 2000-07-10 日本電気株式会社 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ
JPH1168227A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 面発光レーザ
JP4114223B2 (ja) * 1997-12-05 2008-07-09 ソニー株式会社 自励発振型半導体レーザの動作方法
US6064683A (en) * 1997-12-12 2000-05-16 Honeywell Inc. Bandgap isolated light emitter
JP4166885B2 (ja) * 1998-05-18 2008-10-15 富士通株式会社 光半導体装置およびその製造方法
JP3206555B2 (ja) * 1998-08-13 2001-09-10 日本電気株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
JP2001007443A (ja) * 1999-06-25 2001-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法
JP2002064247A (ja) * 2000-08-17 2002-02-28 Sony Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP2002094169A (ja) * 2000-09-12 2002-03-29 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2002141613A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
US6905900B1 (en) * 2000-11-28 2005-06-14 Finisar Corporation Versatile method and system for single mode VCSELs
JP2003347677A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Sony Corp 半導体レーザ素子
JP5028640B2 (ja) * 2004-03-26 2012-09-19 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP4571476B2 (ja) * 2004-10-18 2010-10-27 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
JP4601391B2 (ja) * 2004-10-28 2010-12-22 シャープ株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP5056142B2 (ja) * 2006-05-11 2012-10-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子
JP2007049209A (ja) * 2006-11-21 2007-02-22 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体光デバイス装置およびその製造方法
JP5228363B2 (ja) * 2007-04-18 2013-07-03 ソニー株式会社 発光素子
CN101855798B (zh) * 2007-11-08 2013-02-27 日亚化学工业株式会社 半导体激光器元件
JP5115525B2 (ja) * 2009-08-03 2013-01-09 横浜ゴム株式会社 熱可塑性エラストマー組成物
JP2011096856A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Sony Corp 半導体レーザ
JP2011165869A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP2013526788A (ja) * 2010-05-24 2013-06-24 ソラア インコーポレーテッド 多波長レーザー装置のシステムおよび方法
JP2012195341A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Ricoh Co Ltd 面発光型レーザ素子とその製造方法、面発光型レーザアレイ素子、光走査装置、ならびに画像形成装置
US9196803B2 (en) * 2011-04-11 2015-11-24 Nichia Corporation Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same
JP2013045845A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Fuji Xerox Co Ltd 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置
JP5699983B2 (ja) * 2012-04-27 2015-04-15 住友電気工業株式会社 窒化ガリウム系半導体を作製する方法、ｉｉｉ族窒化物半導体デバイスを作製する方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
JP5607106B2 (ja) * 2012-05-15 2014-10-15 株式会社東芝 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9350138B2 (en) * 2013-02-18 2016-05-24 Innolume Gmbh Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser
EP3159984B1 (en) * 2014-06-20 2022-01-12 Sony Group Corporation Light emitting element
JP6700027B2 (ja) * 2015-11-20 2020-05-27 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子

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