JP2015170373A - 磁気ディスク基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 31
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 claims description 110
- -1 sulfate ester Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 20
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 13
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 8
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 7
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 16
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 15
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 9
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole Chemical compound C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 4
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 4
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 4
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 3
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 3
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 3
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(prop-2-enoylamino)propane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(C)C(S(O)(=O)=O)NC(=O)C=C QENRKQYUEGJNNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 2
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DCCWEYXHEXDZQW-BYPYZUCNSA-N (2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)N(CC(O)=O)CC(O)=O DCCWEYXHEXDZQW-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- CIOXZGOUEYHNBF-UHFFFAOYSA-N (carboxymethoxy)succinic acid Chemical compound OC(=O)COC(C(O)=O)CC(O)=O CIOXZGOUEYHNBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 1,4,5,6-tetrahydropyrimidine Chemical compound C1CNC=NC1 VBXZSFNZVNDOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 1,5-diazabicyclo[4.3.0]-non-5-ene Chemical compound C1CCN=C2CCCN21 SGUVLZREKBPKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGLGWLMPFRADFC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylnaphthalene-1-sulfonic acid;formaldehyde Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(O)(=O)=O)=C(C)C(C)=CC2=C1 FGLGWLMPFRADFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFPOJWPDQWJEMO-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dicarboxyethoxy)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)OC(C(O)=O)CC(O)=O CFPOJWPDQWJEMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQHYOGIRXOKOEJ-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dicarboxyethylamino)butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NC(C(O)=O)CC(O)=O PQHYOGIRXOKOEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZFWXEVYOTVMAP-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-diaminobut-1-enyl)phenol Chemical compound NCCC(N)=Cc1ccccc1O LZFWXEVYOTVMAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-hydroxyphenyl)methylideneamino]ethyliminomethyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=NCCN=CC1=CC=CC=C1O VEUMANXWQDHAJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RURPJGZXBHYNEM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[(2-hydroxyphenyl)methylideneamino]propyliminomethyl]phenol Chemical compound C=1C=CC=C(O)C=1C=NC(C)CN=CC1=CC=CC=C1O RURPJGZXBHYNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCJAYIGMMRQRAO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[(2-hydroxyphenyl)methylideneamino]butyliminomethyl]phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=NCCCCN=CC1=CC=CC=C1O CCJAYIGMMRQRAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)N(CC(O)=O)CC(O)=O CIEZZGWIJBXOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLNEVYCAMVQJS-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-diethylethane-1,1,1,2-tetramine Chemical compound CCN(CC)CC(N)(N)N OFLNEVYCAMVQJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N CP(=O)(O)OP(=O)O Chemical compound CP(=O)(O)OP(=O)O TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N Metaphosphoric acid Chemical compound OP(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical group ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001409 amidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- 159000000009 barium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJHMRQORVSEMOK-UHFFFAOYSA-N benzoic acid formaldehyde phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1.OC(=O)C1=CC=CC=C1 FJHMRQORVSEMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTBVPHBMCXEPOX-UHFFFAOYSA-N benzoic acid;formaldehyde Chemical compound O=C.OC(=O)C1=CC=CC=C1 JTBVPHBMCXEPOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N cyclopentane-1,1,2,2-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1(C(O)=O)CCCC1(C(O)=O)C(O)=O STZIXLPVKZUAMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;2-methylnaphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(C)=CC=C21 WQHQCQSAAOGHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVWLDAFUOXEMSN-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalen-1-ylphosphonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(P(O)(=O)O)=CC=CC2=C1 IVWLDAFUOXEMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C.C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 NVVZQXQBYZPMLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004530 micro-emulsion Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013558 reference substance Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M toluene-4-sulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N triphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(O)=O UNXRWKVEANCORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
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- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
【課題】従来の製造方法に比べ、搬送又は保管の際に付着した異物の除去性に優れ、最終品質が一定の磁気ディスク基板を提供することを目的とする。
【解決手段】搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【選択図】なし
【解決手段】搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
【選択図】なし
Description
本発明は、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
さらに詳しくは、電子材料の製造において、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄液に接触させて洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法、及び磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法に関する。
さらに詳しくは、電子材料の製造において、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄液に接触させて洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法、及び磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法に関する。
電子材料、とりわけ磁気ディスクは、年々小型化、高容量化の一途をたどっており、磁気ヘッドの浮上量もますます小さくなってきている。そのため、磁気ディスク基板の製造工程で、砥粒や研磨屑等の残留のない基板が求められている。
磁気ディスク製造工程には、平坦化した基板を作成する工程であるサブストレート工程(1)と、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程(2)を含む。
このうち、サブストレート工程(1)では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程でスクラブ洗浄等の洗浄を行って完全に除去する。
このうち、サブストレート工程(1)では、基板の平坦化のために砥粒を含むスラリーによる研磨を行い、その後、スラリーおよび発生した研磨屑等のパーティクルをリンスして洗い流し、さらに、リンスで取り除けなかったパーティクルを後工程でスクラブ洗浄等の洗浄を行って完全に除去する。
一方、磁性層を基板にスパッタする工程であるメディア工程(2)では、搬送時や保管時に付着した異物を除去するためにスパッタリング前にスクラブ洗浄等の洗浄をおこなう。
近年の磁気ディスクのますますの高容量化に伴って、基板の清浄度がこれまで以上に求められるようになってきているため、従来よりも微細なサイズのパーティクルの残留を減らす高性能な洗浄剤が必要になってきている。
そのため、強固に基板に付着したパーティクル等の異物に対する洗浄性を向上させた洗浄剤が提案されている。例えば、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸とポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を含む洗浄剤が提案されている(特許文献1)。また、アルカリ金属の水酸化物、ヒドロキシカルボン酸と界面活性剤を含み、それぞれの濃度が一定範囲内にある洗浄剤が提案されている(特許文献2)。しかしながら、これらの洗浄剤は、基板に固着したパーティクルの除去性能が十分にあるとはいえず、清浄度は不十分である。
そのため、強固に基板に付着したパーティクル等の異物に対する洗浄性を向上させた洗浄剤が提案されている。例えば、1−ヒドロキシエタン−1,1−ジホスホン酸とポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩を含む洗浄剤が提案されている(特許文献1)。また、アルカリ金属の水酸化物、ヒドロキシカルボン酸と界面活性剤を含み、それぞれの濃度が一定範囲内にある洗浄剤が提案されている(特許文献2)。しかしながら、これらの洗浄剤は、基板に固着したパーティクルの除去性能が十分にあるとはいえず、清浄度は不十分である。
サブストレート工程で仕上がった基板は、搬送又は保管を経てメディア工程に進む。その際に、環境や保管用のカセットからの異物が基板に付着してしまう。しかし、その汚染度は搬送方法や保管方法、あるいは搬送や保管の時間によって変化し、基板ごとに異なる。その汚染度の違いがメディア工程を経た最終的な基板の品質の違いにつながってしまうため、安定して品質の優れた基板を製造するのは難しい。
従って、本発明は、従来の製造方法に比べ、搬送又は保管の際に付着した異物の除去性に優れ、品質のバラツキを抑えることによって、最終品質の安定性に優れた磁気ディスク基板を提供することを目的とする。
従って、本発明は、従来の製造方法に比べ、搬送又は保管の際に付着した異物の除去性に優れ、品質のバラツキを抑えることによって、最終品質の安定性に優れた磁気ディスク基板を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に至った。
すなわち、本発明は、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
すなわち、本発明は、搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法である。
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、磁気ディスク基板の製造工程において問題となる異物の除去性に優れ、品質のバラツキを抑え、品質の安定性に優れた磁気ディスク基板の提供が可能である。
本発明において磁気ディスク基板とは、特に限定するものではなく、磁気ディスク用ガラス基板又は表面がニッケル−リン(Ni−P)メッキされた磁気ディスク用アルミ基板等が挙げられる。
搬送後又は保管後の磁気ディスク基板とは、搬送のため又は保管のために容器に収められた磁気ディスク基板である。
搬送後又は保管後の磁気ディスク基板とは、搬送のため又は保管のために容器に収められた磁気ディスク基板である。
本発明において磁気ディスク基板を洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程とは、磁気ディスク基板に洗浄剤(S)を浸漬したり、かけ流したりして、洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程をいう。また、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程とは、洗浄剤(S)の存在下に洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して、異物を除去して洗浄する工程をいう。
洗浄用テープには、ポリアミド、ポリエステル、セルロース、ポリウレタン製のテープなどが用いられる。超音波には、200kHz〜950kHzなどの様々な周波数が用いられる。
洗浄用テープには、ポリアミド、ポリエステル、セルロース、ポリウレタン製のテープなどが用いられる。超音波には、200kHz〜950kHzなどの様々な周波数が用いられる。
洗浄剤(S)としては、水系洗浄剤、非水系洗浄剤および準水系洗浄剤が挙げられる。
水系洗浄剤としては、界面活性剤、無機酸、有機酸、アルカリ、包接化合物、安定化剤、防錆剤、防腐剤などからなる洗浄剤がある。また、エマルションやマイクロエマルションなどの分散系の洗浄剤がある。
非水系洗浄剤としては、炭化水素系洗浄剤(例えば、ノルマルパラフィン系洗浄剤、イソパラフィン系洗浄剤、ナフテン系洗浄剤および芳香族系洗浄剤など);アルコール系洗浄剤(例えば、イソプロピルアルコール系洗浄剤およびエタノール系洗浄剤など);グリコールエーテル系洗浄剤;フッ素系洗浄剤{例えば、パーフルオロカーボン(PFC)、ハイドロクロロフルオロカーボン(HCFC)、ハイドロフルオロカーボン(HFC)、ハイドロフルオロエーテル(HFE)および脂環式ハイドロフルオロカーボンなど};塩素系洗浄剤(例えば、塩化メチレン、トリクロロエチレンおよびテトラクロロエチレンなど);並びに、その他の非水系洗浄剤(例えば、シリコーン系洗浄剤、エステル系洗浄剤、n−メチルピロリドン系洗浄剤およびテルペン系洗浄剤など);が挙げられる。
準水系洗浄剤としては、有機溶剤(アルコール、炭化水素、n−メチルピロリドンおよびグリコールエーテルなど)、水および界面活性剤などからなる洗浄剤などが挙げられる。
水系洗浄剤としては、界面活性剤、無機酸、有機酸、アルカリ、包接化合物、安定化剤、防錆剤、防腐剤などからなる洗浄剤がある。また、エマルションやマイクロエマルションなどの分散系の洗浄剤がある。
非水系洗浄剤としては、炭化水素系洗浄剤(例えば、ノルマルパラフィン系洗浄剤、イソパラフィン系洗浄剤、ナフテン系洗浄剤および芳香族系洗浄剤など);アルコール系洗浄剤(例えば、イソプロピルアルコール系洗浄剤およびエタノール系洗浄剤など);グリコールエーテル系洗浄剤;フッ素系洗浄剤{例えば、パーフルオロカーボン(PFC)、ハイドロクロロフルオロカーボン(HCFC)、ハイドロフルオロカーボン(HFC)、ハイドロフルオロエーテル(HFE)および脂環式ハイドロフルオロカーボンなど};塩素系洗浄剤(例えば、塩化メチレン、トリクロロエチレンおよびテトラクロロエチレンなど);並びに、その他の非水系洗浄剤(例えば、シリコーン系洗浄剤、エステル系洗浄剤、n−メチルピロリドン系洗浄剤およびテルペン系洗浄剤など);が挙げられる。
準水系洗浄剤としては、有機溶剤(アルコール、炭化水素、n−メチルピロリドンおよびグリコールエーテルなど)、水および界面活性剤などからなる洗浄剤などが挙げられる。
本発明における洗浄剤(S)としては、アニオン性界面活性剤(A)及び/又はノニオン性界面活性剤(B)等が挙げられる。洗浄剤(S)は、好ましくはpHが7〜12であり、更に好ましくはpHが8〜11ある。
本発明におけるアニオン性界面活性剤(A)は、スルホン酸(塩)基、硫酸エステル(塩)基、カルボン酸(塩)基及びリン酸エステル(塩)基からなる群から選ばれる1種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である。具体的には、スルホン酸系界面活性剤(A1)、硫酸エステル系界面活性剤(A2)、カルボン酸系界面活性剤(A3)及びリン酸エステル系界面活性剤(A4)、及びこれらの酸(塩)基を含む高分子型アニオン性界面活性剤(A5)等が挙げられる。
本明細書における「(塩)」とは、塩を形成しているものを含んでいてもよいことを意
味する。本発明における塩の具体例としては、アンモニウム塩、アルカリ金属塩(リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩等)、アルカリ土類金属塩(カルシウム塩、マグネシウム塩及びバリウム塩等)、及び窒素含有塩基性化合物からなる塩基との塩等が挙げられる。塩は、単独でも2種以上を併用したものであってもよい。
窒素含有塩基性化合物としては、例えば、1級アミン(メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等);2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等);3級アミン{トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン並びに1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等};アミジン{1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(以下、DBUと略記する)、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1H−イミダゾール、2−メチル−1H−イミダゾール、2−エチル−1H−イミダゾール、4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン、1,6(4)−ジヒドロピリミジン等}、アンモニウム及び第4級アンモニウム(テトラアルキルアンモニウム等)が挙げられる。
味する。本発明における塩の具体例としては、アンモニウム塩、アルカリ金属塩(リチウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩等)、アルカリ土類金属塩(カルシウム塩、マグネシウム塩及びバリウム塩等)、及び窒素含有塩基性化合物からなる塩基との塩等が挙げられる。塩は、単独でも2種以上を併用したものであってもよい。
窒素含有塩基性化合物としては、例えば、1級アミン(メチルアミン、エチルアミン及びブチルアミン等のアルキルアミン、モノエタノールアミン並びにグアニジン等);2級アミン(ジメチルアミン、ジエチルアミン及びジブチルアミン等のジアルキルアミン並びにジエタノールアミン等);3級アミン{トリメチルアミン、トリエチルアミン及びトリブチルアミン等のトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、N−メチルジエタノールアミン並びに1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等};アミジン{1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン(以下、DBUと略記する)、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1H−イミダゾール、2−メチル−1H−イミダゾール、2−エチル−1H−イミダゾール、4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、2−メチル−4,5−ジヒドロ−1H−イミダゾール、1,4,5,6−テトラヒドロ−ピリミジン、1,6(4)−ジヒドロピリミジン等}、アンモニウム及び第4級アンモニウム(テトラアルキルアンモニウム等)が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の内のスルホン酸系界面活性剤(A1)としては、炭素数6〜24のアルコールのスルホコハク酸モノ又はジエステル(塩)、炭素数8〜24のα−オレフィンのスルホン酸化物(塩)、炭素数8〜14のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸(塩)及び石油スルホネート(塩)等が挙げられる。
硫酸エステル系界面活性剤(A2)としては、炭素数8〜18の脂肪族アルコールの硫酸エステル(塩)、炭素数8〜18の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド1〜10モル付加物の硫酸エステル(塩)、硫酸化油(塩)、硫酸化脂肪酸エステル(塩)及び硫酸化オレフィン(塩)等が挙げられる。
脂肪酸系界面活性剤(A3)としては、炭素数8〜18の脂肪酸(塩)及び炭素数8〜18の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸(塩)等が挙げられる。
リン酸エステル系界面活性剤(A4)としては、炭素数8〜24の高級アルコールの燐酸モノ又はジエステル(塩)及び炭素数8〜24の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸モノ又はジエステル(塩)等が挙げられる。
高分子型アニオン性界面活性剤(A5)としては、スルホン酸(塩)基、硫酸エステル(塩)基、ホスホン酸(塩)基、リン酸エステル(塩)基及びカルボン酸(塩)基からなる群から選ばれる1種以上の基を有し、300〜800,000の重量平均分子量(以下、Mwと略記する。)を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。
なお、本発明におけるMwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として40℃で測定される。[例えば、装置本体:HLC−8120(東ソー株式会社製)、カラム:東ソー株式会社製TSKgel α6000、G3000 PWXL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5%酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30)、溶離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40℃、試料:0.25%の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソー(株)製TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE、データ処理ソフト:GPC−8020modelII(東ソー株式会社製)]。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、1分子中に少なくとも2個以上の繰り返し単位を有する。
なお、本発明におけるMwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として40℃で測定される。[例えば、装置本体:HLC−8120(東ソー株式会社製)、カラム:東ソー株式会社製TSKgel α6000、G3000 PWXL、検出器:装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液:0.5%酢酸ソーダ・水/メタノール(体積比70/30)、溶離液流量:1.0ml/分、カラム温度:40℃、試料:0.25%の溶離液溶液、注入量:200μl、標準物質:東ソー(株)製TSK STANDARD POLYETHYLENE OXIDE、データ処理ソフト:GPC−8020modelII(東ソー株式会社製)]。
高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、1分子中に少なくとも2個以上の繰り返し単位を有する。
(A5)の具体例としては、以下の(A51)〜(A55)が挙げられる。
(A51)スルホン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリスチレンスルホン酸、スチレン/スチレンスルホン酸共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸/アクリルアミド共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
(A51)スルホン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリスチレンスルホン酸、スチレン/スチレンスルホン酸共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸共重合体、2−(メタ)アクリロイルアミノ−2,2−ジメチルエタンスルホン酸/(メタ)アクリル酸/アクリルアミド共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
(A52)硫酸エステル(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}の硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}の硫酸エステル化物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
(A53)ホスホン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
ポリ{(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸}、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート/(メタ)アクリロイルオキシエチルホスホン酸共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物等並びにこれらの塩等が挙げられる。
(A54)リン酸エステル(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル}、2−ヒドロキシ
エチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のリン酸エステル化物並びにこれらの塩等が挙げられる。
ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル}、2−ヒドロキシ
エチル(メタ)アクリレート/2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のリン酸エステル化物並びにこれらの塩等が挙げられる。
(A55)カルボン酸(塩)基を有する高分子型アニオン性界面活性剤:
ポリ(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸−マレイン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−イタコン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−フマル酸共重合体、(メタ)アクリル酸/酢酸ビニル共重合体及び2−ヒドロキシエチルメタクリレート/(メタ)アクリル酸共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等が挙げられる。
ポリ(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸−マレイン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−イタコン酸共重合体、(メタ)アクリル酸−フマル酸共重合体、(メタ)アクリル酸/酢酸ビニル共重合体及び2−ヒドロキシエチルメタクリレート/(メタ)アクリル酸共重合体、ポリ{2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート}のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等が挙げられる。
(A5)のMwは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常300〜800,000、好ましくは600〜400,000、更に好ましくは1,000〜80,000、特に好ましくは2,000〜40,000である。
アニオン性界面活性剤(A)の内好ましいのは、パーティクルの再付着防止の観点から高分子型アニオン性界面活性剤(A5)である。
高分子型アニオン性界面活性剤(A5)を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤(A1)、硫酸エステル系界面活性剤(A2)、脂肪酸系界面活性剤(A3)及びリン酸エステル系界面活性剤(A4)から選ばれる1種以上を併用してもよい。
高分子型アニオン性界面活性剤(A5)を使用する場合は、必要によりさらにスルホン酸系界面活性剤(A1)、硫酸エステル系界面活性剤(A2)、脂肪酸系界面活性剤(A3)及びリン酸エステル系界面活性剤(A4)から選ばれる1種以上を併用してもよい。
本発明におけるノニオン性界面活性剤(B)は、アルキレンオキシド付加型ノニオン性界面活性剤及び多価アルコール型ノニオン性界面活性剤などが挙げられる。ノニオン性界面活性剤(B)の曇点は、好ましくは35〜95℃であり、更に好ましくは50〜90℃である。具体的には、ポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンモノアルキルエーテル等などがあげられる。
本発明の洗浄剤(S)は、キレート剤(c)を含有しても良い。
キレート剤(C)としては、カルボキシル基及び/又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤(C1)、ホスホン酸(塩)基又はリン酸(塩)基を分子内に含有するキレート剤(C2)及びその他のキレート剤(C3)が挙げられる。
カルボキシル基及び/又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤(C1)としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩(C11)と水酸基を有しないカルボン酸及び/又はその塩(C12)がある。ヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩(C11)としては、クエン酸(塩)、乳酸(塩)、没食子酸(塩)等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び/又はその塩(C12)としては、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)(塩)、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸(HIDA)(塩)、1,2−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸(DCTA)(塩)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTHA)(塩)、ニトリロ三酢酸(NTA)(塩)、β−アラニンジ酢酸(塩)、アスパラギン酸ジ酢酸(塩)、メチルグリシンジ酢酸(塩)、イミノジコハク酸(塩)、セリンジ酢酸(塩)、アスパラギン酸(塩)及びグルタミン酸(塩)、ピロメリット酸(塩)、ベンゾポリカルボン酸(塩)、シクロペンタンテトラカルボン酸(塩)等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸(塩)、マロン酸(塩)、コハク酸(塩)、グルタル酸(塩)、アジピン酸(塩)等が挙げられる。
カルボキシル基及び/又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤(C1)としては、水酸基を有するヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩(C11)と水酸基を有しないカルボン酸及び/又はその塩(C12)がある。ヒドロキシカルボン酸及び/又はその塩(C11)としては、クエン酸(塩)、乳酸(塩)、没食子酸(塩)等が挙げられる。水酸基を有しないカルボン酸及び/又はその塩(C12)としては、エチレンジアミンテトラ酢酸(EDTA)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ酢酸(DTPA)(塩)、ヒドロキシエチル−イミノ二酢酸(HIDA)(塩)、1,2−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸(DCTA)(塩)、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸(TTHA)(塩)、ニトリロ三酢酸(NTA)(塩)、β−アラニンジ酢酸(塩)、アスパラギン酸ジ酢酸(塩)、メチルグリシンジ酢酸(塩)、イミノジコハク酸(塩)、セリンジ酢酸(塩)、アスパラギン酸(塩)及びグルタミン酸(塩)、ピロメリット酸(塩)、ベンゾポリカルボン酸(塩)、シクロペンタンテトラカルボン酸(塩)等、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、マレイン酸誘導体、シュウ酸(塩)、マロン酸(塩)、コハク酸(塩)、グルタル酸(塩)、アジピン酸(塩)等が挙げられる。
ホスホン酸(塩)基又はリン酸(塩)基を分子内に含有するキレート剤(C2)としては、メチルジホスホン酸(塩)、アミノトリ(メチレンホスホン酸)(塩)、1−ヒドロキシエチリデン−1、1−ジホスホン酸(塩)(HEDP)、ニトリロトリスメチレンホスホン酸(塩)(NTMP)、エチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、ヘキサメチレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、プロピレンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、ジエチレントリアミンペンタ(メチレンホスホン酸)(塩)、トリエチレンテトラミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、トリアミノトリエチルアミンヘキサ(メチレンホスホン酸)(塩)、トランス−1、2−シクロヘキサンジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)、グリコールエーテルジアミンテトラ(メチレンホスホン酸)(塩)及びテトラエチレンペンタミンヘプタ(メチレンホスホン酸)(塩)、メタリン酸(塩)、ピロリン酸(塩)、トリポリリン酸(塩)及びヘキサメタリン酸(塩)等が挙げられる。
その他のキレート剤(C3)としては、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−エタンジアミン、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,2−プロパンジアミン、N,N’−ビス(サリチリデン)−1,3−プロパンジアミン及びN,N’−ビス(サリチリデン)−1,4−ブタンジアミン等が挙げられる。
キレート剤(C)のうちで、洗浄性向上の観点から好ましいのは、カルボキシル基及び/又はカルボキシレート基を分子内に含有するキレート剤(C1)及びホスホン酸(塩)基又はリン酸(塩)基を分子内に含有するキレート剤(C2)であり、更に好ましいのは、クエン酸(塩)、EDTA(塩)、DTPA(塩)、HIDA(塩)、NTA(塩)、NTMP(塩)、HEDP(塩)、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(塩)、ピロリン酸(塩)等である。特に好ましいのは、HEDP(塩)、NTMP(塩)、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸(塩)、クエン酸(塩)、DTPA(塩)、及びHIDA(塩)である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のアニオン性界面活性剤(A)の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは0.001〜10重量%、更に好ましくは0.1〜10重量%である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のノニオン性界面活性剤(B)の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは0.001〜10重量%、更に好ましくは0.1〜10重量%である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のキレート剤(C)の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、洗浄性の観点で好ましくは0.01〜10重量%、更に好ましくは0.1〜10重量%である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のノニオン性界面活性剤(B)の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、好ましくは0.001〜10重量%、更に好ましくは0.1〜10重量%である。
磁気ディスク基板用洗浄剤中のキレート剤(C)の含有量は、磁気ディスク基板用洗浄剤の重量に基づき、洗浄性の観点で好ましくは0.01〜10重量%、更に好ましくは0.1〜10重量%である。
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤には、上記の(A)〜(C)以外に、(A)及び(B)以外の界面活性剤(D)、安定化剤(E)、防錆剤(F)、防腐剤(G)を含有しても良い。
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤の使用時のpHは、洗浄性の観点から、好ましくは7〜12、更に好ましくは8〜11である。
本発明の磁気ディスク基板用洗浄剤の使用時のpHは、洗浄性の観点から、好ましくは7〜12、更に好ましくは8〜11である。
安定化剤(E)として、パラトルエンスルホン酸塩、安息香酸塩等が挙げられる。
防錆剤(F)として、市販の防錆剤を使用することができる。
防腐剤(G)として、市販の防腐剤を使用することができる。
本発明の別の実施態様は、上記の搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法であり、前記の磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法に有用である。
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、メディア製造工程で用いることができる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。
実施例1〜3、および比較例1
表1に記載の組成となるように、各成分を配合し、25℃、マグネチックスターラーで40rpm、20分間撹拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤100部を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で100倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。
水系洗浄剤以外は希釈せずサンプル液とした。
環境からの有機汚染物質としては、クリーンルームの高性能エアフィルタから放出されるジオクチルフタレート、キャリアボックスからジブチルフタレートや酸化防止剤、建築部材のシリコンシーラントから環状シロキサン類が放出されていることが知られている。
洗浄試験のモデル化合物として、ジブチルフタレートを選択し、洗浄性の確認をした。
表1に記載の組成となるように、各成分を配合し、25℃、マグネチックスターラーで40rpm、20分間撹拌して、本発明の洗浄剤および比較のための洗浄剤100部を得た。
上記洗浄剤をさらに超純水で100倍希釈して、性能試験用のサンプル液を作成した。
水系洗浄剤以外は希釈せずサンプル液とした。
環境からの有機汚染物質としては、クリーンルームの高性能エアフィルタから放出されるジオクチルフタレート、キャリアボックスからジブチルフタレートや酸化防止剤、建築部材のシリコンシーラントから環状シロキサン類が放出されていることが知られている。
洗浄試験のモデル化合物として、ジブチルフタレートを選択し、洗浄性の確認をした。
<洗浄性>
ジブチルフタレートをアセトンに溶解し、表面がニッケル−リン(Ni−P)メッキされた磁気ディスク用アルミ基板を浸漬した。
ジブチルフタレートをアセトンに溶解し、表面がニッケル−リン(Ni−P)メッキされた磁気ディスク用アルミ基板を浸漬した。
浸漬後、基板を取り出し窒素でブローして乾燥することにより、汚染基板を調製した。
前述した汚染基板を、常温(25℃)の洗浄剤サンプル液に10分間浸漬した。
浸漬後、基板を取り出し超純水で1分間洗い流した後、窒素ガスでブローして乾燥して評価用基板を得た。
磁気ディスク用基板表面に光を当て、100nm以上の異物があればそれに当たった反射光を増幅して検出する表面検査装置(ビジョンサイテック社製「Micro−Max VMX−7100」)で観察し、画像解析ソフト「Sigmascan」を用いて基板上の1cm四方に付着している異物の個数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
以下の判断基準で高温での洗浄性試験を判定し、判定結果を表1に示した。
前述した汚染基板を、常温(25℃)の洗浄剤サンプル液に10分間浸漬した。
浸漬後、基板を取り出し超純水で1分間洗い流した後、窒素ガスでブローして乾燥して評価用基板を得た。
磁気ディスク用基板表面に光を当て、100nm以上の異物があればそれに当たった反射光を増幅して検出する表面検査装置(ビジョンサイテック社製「Micro−Max VMX−7100」)で観察し、画像解析ソフト「Sigmascan」を用いて基板上の1cm四方に付着している異物の個数を数えた。
また、洗浄液の代わりにブランクとして超純水で同様に試験した。
以下の判断基準で高温での洗浄性試験を判定し、判定結果を表1に示した。
[洗浄性試験の判断基準]
5:異物付着数がブランクの1/100未満
4:異物付着数がブランクの1/100以上1/20未満
3:異物付着数がブランクの1/20以上1/5未満
2:異物付着数がブランクの1/5以上1/2未満
1:異物付着数がブランクの1/2以上
5:異物付着数がブランクの1/100未満
4:異物付着数がブランクの1/100以上1/20未満
3:異物付着数がブランクの1/20以上1/5未満
2:異物付着数がブランクの1/5以上1/2未満
1:異物付着数がブランクの1/2以上
本発明の磁気ディスク基板洗浄剤を使用することにより、清浄度が高い磁気ディスク基板を提供することができる。
Claims (6)
- 搬送後又は保管後の磁気ディスク基板を洗浄剤(S)に接触させて洗浄する工程と、前記磁気ディスク基板を洗浄剤(S)並びに洗浄用テープ及び/又は超音波を使用して洗浄する工程を含む磁気ディスク基板の製造方法。
- 該洗浄剤(S)が、アニオン性界面活性剤(A)及び/又はノニオン性界面活性剤(B)を含有してなり、該洗浄剤(S)のpHが7〜12である、請求項1に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 該アニオン性界面活性剤(A)が、スルホン酸(塩)基、硫酸エステル(塩)基、カルボン酸(塩)基及びリン酸エステル(塩)基からなる群から選ばれる1種以上の基を有するアニオン性界面活性剤である請求項2に記載の磁気ディスクの製造方法。
- 該ノニオン性界面活性剤(B)の曇点が35〜95℃である請求項2又は3に記載の磁気ディスク基板の製造方法。
- 該洗浄剤が、キレート剤(C)を含む洗浄剤である請求項1〜4いずれかに記載の磁気ディスク基板用の製造方法。
- 請求項1〜5いずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法を含む電子材料の製造方法。
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