JP2015155577A - 成膜方法、および制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、基板(21)を回転可能に保持する基板ホルダ(22)と、基板ホルダ(22)の斜向かいの位置に配置されたカソードユニット(40)と、基板ホルダ上に保持された基板の回転位置を検出する位置センサ(23)と、検出した回転位置に応じて、基板の回転速度を調整するためのホルダ回転制御部(51)を備える。ホルダ回転制御部(51)は、凹凸構造の被処理面の延在方向である第1の方向側にカソードユニット(40)が位置する際の基板の回転速度が、第1の方向側と基板の回転に沿って垂直な第2の方向側にカソードユニット(40)が位置する際の基板の回転速度よりも遅くなるように、回転速度を制御する。
【選択図】図4
Description
図1から図3を参照して、本実施形態に係るスパッタリング装置について説明する。図1は本実施形態のスパッタリング装置を模式的に示す概略断面図である。また、図2は本実施形態に係る処理面に凹凸構造が集積された基板の一例を模式的に示す平面図および凹凸構造の拡大図である。さらに、図3は基板ホルダとカソードユニットとの配置関係を模式的に示す平面図である。なお、図1は図3のAOB断面に相当する。
A=a・B ・・・(2)
本実施形態に係るスパッタリング装置1を用いて基板上に凹凸構造がある場合の膜厚分布を調べた。なお膜厚分布は、基板面内の膜厚の最大値と最小値から次式によって求めた。
(最大値−最小値)/(最大値+最小値)×100(%) ・・・(3)
図7Aは本実施形態の効果を検証するのに用いたメサ構造付きの基板の概略図を示している。また図7Bは、図7Aに示すメサ構造211のA−A’線断面図である。直径200mmのシリコン(Si)基板である基板21の中心と、中心からノッチ212a方向を含む4方向に75mmだけ離れた点に、底面寸法が4×2μmの長方形を成したメサ構造211が形成されている。各メサ構造211は、長方形の長手方向が基板中心とノッチ212aを含む直線に対して垂直になるように配置されている。このようなメサ構造211において長手方向に沿った2つ側面のうち、ノッチ側側面(側面212a)とその逆側側面(側面212b)にそれぞれ均一に薄膜を成膜することを目的とする。なお、本実施例ではノッチ側側面および逆側側面の基板の処理面21aに対する傾斜角はともに35°のものを用いた。
条件A.基板21の回転速度(基板ホルダ22)を30rpm一定とした場合。つまり、前述の式(1)および式(2)において、a=0、B=30とした場合。
条件B.基板21(基板ホルダ22)が1回転する間に正弦波の周期が1周期だけ進行する場合。具体的には、式(1)を
y=Asin(θ−α)+B ・・・(4)
のように変形する。変動率aおよび基準回転速度Bは、それぞれ、0.1、30とし、このとき式(2)より、A=3となる。αは最適値の90°とした。
条件C.基板21(基板ホルダ22)が1回転する間に正弦波の周期が2周期進行する場合(本実施形態)において、上記条件Bと同様にa=0.1、B=30、A=3とした。αは最適値の45°とした。その他の成膜条件では、スパッタリングターゲットとして直径164mmのCuターゲットを用い、基板の法線に対するターゲットの法線の傾斜角を30°、T/S距離を240mm、ターゲットに供給する電力を直流200W、導入するArガス流量を30sccmとした。このような条件で、直径200mmの基板上にCu薄膜を25nm堆積させた。
基板回転制御を行わない条件Aの場合、±3.3%の分布であった。それに対して、基板が1回転する間に正弦波の周期が1周期だけ進行するような基板回転制御を行った条件Bの場合では、位相差αが90°の時に最適値を得たが、条件Aの場合と全く同じ膜厚分布となった。これらに対して、本実施形態を適用した条件Cの場合、位相差αは最適値が45°の時に最適値を得ることができ、その時の膜厚分布は±2.7%であった。回転制御しない条件Aおよび従来の回転制御方法を用いた条件Bと比較して、最も膜厚分布の良い値が得られた。
実施例1の条件Cにおいて、位相差αを最適値の45°に固定したまま、変動率aを0.1から0.7まで試した。膜厚分布の測定結果を表2に示す。本実施例に対してはa=0.5で膜厚分布が最も良くなることがわかった。
実施例1及び2において基板の処理面側の凹凸構造が、図9A、9Bに示すようにトレンチ構造111であっても本実施形態の2倍周期正弦波関数を用いて基板回転数を制御することによってトレンチ構造111内における膜厚分布の改善効果が期待できる。
本実施例では、基板21の処理面側の凹凸構造が、図10A、10Bに示すように、基板21の基板処理面123の全面または一部分がその断面が周期的に波形となる凹凸構造(以下、“波形凹凸構造”とも呼ぶ)を成している。本実施例では、図10A、10Bに示すように、各波形凹凸構造の稜線121および谷線122が略平行に揃っている時、本実施形態の2倍周期正弦波関数を用いて基板回転数(回転速度)を制御することによって基板面内における膜厚分布の改善効果が期待できる。なお、図10A、10Bにおいて、符号124は、基板21の裏面である。
実施例4において、波形凹凸構造の断面波形が図11A〜11Dに示すような正弦波形、矩形波形、三角波形または台形波形の群から選ばれる1つまたは2つ以上の波形であっても、本実施形態の2倍周期正弦波関数を用いて基板回転数を制御することによって基板面内における膜厚分布の改善効果が期待できる。
図12は本実施形態に係る基板21上のメサ構造の例としてハードディスクドライブ(HDD)用磁気ヘッドに用いられるTMR素子131を示す説明図である。ここで、TMR素子とは、磁気効果素子(TMR(Tunneling Magneto resistance:トンネル磁気抵抗効果)素子)である。
上述のように、第1の実施形態では、ターゲットから放出されるスパッタ粒子の放出量を一定に保ちつつ、基板(基板ホルダ)の回転速度を、第1の回転状態と第2の回転状態とで異なるように制御している。しかしながら、該基板(基板ホルダ)の回転方式を、連続回転としても良いし、非連続パルス回転としても良い。本実施形態では、該非連続パルス回転の形態について説明する。
第1及び第2の実施形態では、基板ホルダ22の回転速度を制御する形態について説明したが、本実施形態では、カソードユニット40への投入電力(投入パワー)を制御することによって、基板へのスパッタ粒子の飛来量を制御し、凹凸構造における被処理面間の膜厚の均一化を図る。
本発明の一実施形態では、第1の実施形態の基板の回転速度を制御する形態と、第2の実施形態のカソードユニットへの投入パワーを制御する形態との双方を行っても良い。この場合は、制御装置50が、ホルダ回転制御部51およびカソードパワー制御部141の双方を含むように制御装置50を構成すれば良い。
Claims (14)
- スパッタリングによる成膜方法であって、
回転可能な基板ホルダ上に、少なくとも1つの凹凸構造が形成された基板を配置する工程と、
前記基板を非連続的に回転しながら、前記基板の斜向かいの位置に配置されたスパッタリングターゲットをスパッタして、前記凹凸構造の被処理面上に膜を形成する工程とを有し、
前記形成する工程は、
前記基板の回転位置を検出する工程と、
前記検出した回転位置に応じて、前記基板の回転停止時間を調整する工程とを有し、
前記調整する工程は、
前記基板上の前記凹凸構造の被処理面となる側面に平行であり且つ前記基板の面内方向に平行である第1の方向側に成膜対象のスパッタリングターゲットが位置する際の前記基板の回転停止時間が、前記第1の方向と垂直であり且つ前記基板面内に平行である第2の方向側に前記成膜対象のスパッタリングターゲットが位置する際の前記基板の回転停止時間よりも長くなるように、前記基板の回転停止時間を制御する
ことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板の回転停止時間は、前記基板の回転角の正弦波関数として算出される
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。 - 前記基板の回転停止時間は、前記基板が1回転する間に前記回転停止時間の正弦波が2周期進行するように制御される
ことを特徴とする請求項2に記載の成膜方法。 - 前記基板の回転停止時間は、前記成膜対象のスパッタリングターゲットの中心と前記基板ホルダの回転中心とを結ぶ線分を含み、かつ前記基板の前記凹凸構造が形成された面に対して垂直な平面に対して、前記被処理面となる側面が垂直となる時、前記回転停止時間が最小値をとり、前記被処理面となる側面が前記平面に対して垂直になる時から前記基板が90度回転する時、前記回転停止時間が最大値をとるように、制御される
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。 - 前記凹凸構造は、その断面が周期的な波形形状である波形凹凸構造であり、隣り合う波形凹凸構造の長手方向が略平行に揃っている
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。 - 前記波形凹凸構造の波形が正弦波、矩形波、三角波、台形波の群から選ばれるいずれか1つまたは2つ以上の波形である
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。 - 前記基板の回転停止時間は、前記成膜対象のスパッタリングターゲットの中心と前記基板ホルダの回転中心とを結ぶ線分を含み、かつ前記基板の前記凹凸構造が形成された面に対して垂直な平面に対して、前記波形凹凸構造の長手方向が垂直となる時、前記回転停止時間が最小値をとり、前記波形凹凸構造の長手方向が前記平面に対して垂直になる時から前記基板が90度回転する時、前記回転停止時間が最大値をとるように、制御される
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。 - 前記形成する工程では、前記ターゲットホルダと一体にまたは別個に、前記スパッタリングターゲットをスパッタするためのカソードユニットを配置する
ことを特徴とする請求項1に記載の成膜方法。 - 前記カソードユニット及び前記スパッタリングターゲットを前記基板ホルダの回転軸周りに複数個配置し、
個々のカソードユニットに順次または交互に電圧を印加することによって、前記基板上に積層膜を成膜する
ことを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。 - 前記カソードユニットは、多角柱構造のカソードユニットであり、該多角柱のカソードユニットの側面の各々にはスパッタリングターゲットが配置可能であり、
前記多角柱構造のカソードユニットを順次または交互に回転することによって、前記基板上に積層膜を成膜する
ことを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。 - 前記カソードユニットは、多角柱構造のターゲットホルダであり、該多角柱構造のターゲットホルダの側面の各々にはターゲットが配置可能であり、
前記スパッタリングターゲットにイオンビームを照射するためのイオンビーム源を、前記多角柱構造のターゲットホルダの斜向かい、かつ前記基板ホルダとは別個の位置に配置し、
前記多角柱構造のターゲットホルダを順次または交互に回転することによって、前記基板上に積層膜を成膜する
ことを特徴とする請求項8に記載の成膜方法。 - 基板を非連続的に回転可能に保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダの斜向かいの位置に配置された、少なくとも1つのスパッタリングターゲットを支持するためのターゲットホルダと、
前記基板ホルダ上に保持された基板の回転位置を検出するための位置検出手段と、
前記位置検出手段の検出した回転位置に応じて、前記基板の回転停止時間を調整する回転駆動手段とを備えたスパッタリング装置を制御するための制御装置であって、
前記スパッタリング装置に、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の成膜方法を実行させるように構成されている
ことを特徴とする制御装置。 - コンピュータを請求項12に記載の制御装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
- コンピュータにより読み出し可能なプログラムを格納した記憶媒体であって、請求項13に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021139970A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランク |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101786868B1 (ko) | 2010-12-28 | 2017-10-18 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 제조방법 |
JP5836485B2 (ja) | 2012-06-29 | 2015-12-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびスパッタリング方法 |
GB2518085B (en) * | 2012-06-29 | 2017-03-01 | Canon Anelva Corp | Ion beam processing method and ion beam processing apparatus |
US9404182B2 (en) * | 2012-10-22 | 2016-08-02 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Multi-wafer reactor |
KR101664187B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2016-10-11 | 주식회사 셀코스 | 스퍼터링 장치를 이용한 증착 방법 |
FI126769B (en) * | 2014-12-23 | 2017-05-15 | Picodeon Ltd Oy | Lighthouse type scanner with a rotating mirror and a circular target |
JP6784608B2 (ja) | 2017-02-09 | 2020-11-11 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜装置および成膜物の製造方法 |
CN108690965B (zh) * | 2017-03-31 | 2020-06-30 | 芝浦机械电子装置株式会社 | 等离子体处理装置 |
CN108962709B (zh) * | 2017-05-17 | 2020-07-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁控溅射腔室及托盘位置误差检测方法 |
CN106958011B (zh) * | 2017-05-17 | 2019-02-22 | 赵其煜 | 动态控制溅射靶材利用率的控制装置和控制方法 |
KR20190140373A (ko) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 기판 회전 장치 및 기판 회전 방법 |
US20200135464A1 (en) * | 2018-10-30 | 2020-04-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for patterning substrates using asymmetric physical vapor deposition |
TW202104628A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-02-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於控制pvd沉積均勻性的系統及方法 |
US11557473B2 (en) | 2019-04-19 | 2023-01-17 | Applied Materials, Inc. | System and method to control PVD deposition uniformity |
CN110438463A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-12 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种解决镀膜产品横向均匀性的方法及其镀膜装置 |
JP7382809B2 (ja) * | 2019-12-02 | 2023-11-17 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
CN113388820B (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-09 | 陛通半导体设备(苏州)有限公司 | 改善填充膜均匀性的基座装置、溅射设备及溅射工艺 |
KR20230033053A (ko) * | 2021-08-26 | 2023-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스퍼터링 장치 |
US11631535B1 (en) * | 2021-10-07 | 2023-04-18 | Western Digital Technologies, Inc. | Longitudinal sensor bias structures and method of formation thereof |
CN117051372B (zh) * | 2023-08-08 | 2024-04-02 | 上海悦匠实业有限公司 | 一种带限位控制的晶圆载片台升降设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266062A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 多元素スパツタ薄膜の製造方法及びスパツタ装置 |
JP2000265264A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
US6716322B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-04-06 | Veeco Instruments Inc. | Method and apparatus for controlling film profiles on topographic features |
JP2004232006A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hitachi Metals Ltd | 蒸着装置及び方法 |
JP2008026093A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Canon Inc | 多層膜反射鏡およびその製造方法 |
WO2010038421A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
JP2011246759A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07292475A (ja) | 1994-04-22 | 1995-11-07 | Sony Corp | プラズマエンハンスメント気相成長方法及びその装置 |
US5877087A (en) | 1995-11-21 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Low temperature integrated metallization process and apparatus |
JP4223614B2 (ja) | 1999-01-12 | 2009-02-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング方法及び装置及び電子部品の製造方法 |
US6046097A (en) * | 1999-03-23 | 2000-04-04 | United Microelectronics Corp. | Deposition method with improved step coverage |
US6482733B2 (en) | 2000-05-15 | 2002-11-19 | Asm Microchemistry Oy | Protective layers prior to alternating layer deposition |
JP3597762B2 (ja) * | 2000-07-24 | 2004-12-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
JP2003147519A (ja) | 2001-11-05 | 2003-05-21 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
JP4458740B2 (ja) | 2002-09-13 | 2010-04-28 | 株式会社アルバック | バイアススパッタ成膜方法及びバイアススパッタ成膜装置 |
KR101118776B1 (ko) | 2007-06-01 | 2012-03-20 | 고쿠리츠다이가쿠호우진 야마구치 다이가쿠 | 박막 제작용 스퍼터 장치 |
JP2009041040A (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着方法および真空蒸着装置 |
WO2009044473A1 (ja) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Canon Anelva Corporation | 高周波スパッタリング装置 |
JP5259626B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2013-08-07 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタ装置、スパッタ成膜方法 |
JP5584409B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2014-09-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置およびその制御方法 |
US20130134032A1 (en) | 2008-06-25 | 2013-05-30 | Canon Anelva Corporation | Method of fabricating and apparatus of fabricating tunnel magnetic resistive element |
WO2009157341A1 (ja) | 2008-06-25 | 2009-12-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及びその制御用プログラムを記録した記録媒体 |
JP4727764B2 (ja) | 2008-12-03 | 2011-07-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置、磁気抵抗素子の製造装置、磁性薄膜の成膜方法及び成膜制御プログラム |
WO2010073323A1 (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置および成膜方法 |
JP5382744B2 (ja) | 2009-06-24 | 2014-01-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空加熱冷却装置および磁気抵抗素子の製造方法 |
TW201135845A (en) | 2009-10-09 | 2011-10-16 | Canon Anelva Corp | Acuum heating and cooling apparatus |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63266062A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 多元素スパツタ薄膜の製造方法及びスパツタ装置 |
JP2000265264A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
US6716322B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-04-06 | Veeco Instruments Inc. | Method and apparatus for controlling film profiles on topographic features |
JP2004232006A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Hitachi Metals Ltd | 蒸着装置及び方法 |
JP2008026093A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Canon Inc | 多層膜反射鏡およびその製造方法 |
WO2010038421A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
US20110223346A1 (en) * | 2008-09-30 | 2011-09-15 | Canon Anelva Corporation | Sputtering device and sputtering method |
JP2011246759A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021139970A (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-16 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクブランク |
US11789357B2 (en) | 2020-03-03 | 2023-10-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing reflective mask blank, and reflective mask blank |
Also Published As
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---|---|
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