JP3597762B2 - 半導体集積回路及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に基本セルをアレイ状に配列した基本セル領域をチップ内に有する半導体集積回路及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体集積回路は、最大ドレイン電流定格など所望の特性を得るために、nチャネル又はpチャネルMOS FET基本セルのサイズを変更していた。複数のMOS FET基本セルを一つの半導体回路のなかに納めた物もあるが、複数個あるMOS FET基本セルの特性は全て同一であった。また、所定の機能を持つ基本セルの接続に関連する従来技術としては例えば、特開平11−8371号公報、特開平6−163860号公報等がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術は、例えばある回路装置においてMOS FET ICの特性の一つである最大ドレイン電流定格に対し、所望する最大ドレイン電流の値が複数あるような場合、それぞれの要求にあった最大ドレイン電流定格をもつMOS FET ICを個別に必要数準備するか、所望する最大ドレイン電流定格の内、最も大きい定格にあわせて多チャンネルを一つのパッケージに納めたMOS FET ICを選定するか、もしくは、所望する最大ドレイン電流にあったMOS FET ICを専用に再設計する必要があった。前者の場合、部品の実装占有面積が大きくなるという問題があり、次者の場合、所望する定格に対し過剰な定格となりコスト過多になるという問題があり、後者の場合、専用設計となるため、開発及び製作期間が長くなりコストも増大するという問題があった。
【0004】
本発明は、ユーザーが使用するアプリケーションにおいて、複数個のMOS FETが必要であり、かつ各々のMOS FETに要求される特性(例えば、最大ドレイン電流定格)が異なる場合、一つのパッケージ内に複数個のMOS FETを有し、かつ複数個ある MOS FETの特性(例えば、最大ドレイン電流)をそれぞれ異なる仕様に容易にカスタマイズできる半導体集積回路を提供することを目的とし、さらに部品点数の削減による部品占有面積の低減、所望する定格の最適化によるコストの低減、かつ完全な専用設計に対し、開発及び製作期間を短縮し得る半導体集積回路及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体集積回路は、半導体チップ上に配列された素子単位群にnチャネル又はpチャネルMOS FET基本セルを各々完全に絶縁した状態で配置し、前記MOS FET基本セルにはそれぞれソース、ゲート、ドレインに相当する電極に金属配線可能なコンタクトを設け、それぞれのコンタクトを金属配線で並列接続し得る構造とすることで、例えば、MOSFET基本セルの最大ドレイン電流のn倍の最大ドレイン電流を得ようとする場合、n個のMOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインのコンタクトをそれぞれ金属配線で並列接続することで、容易にMOS FET基本セルのn倍の最大ドレイン電流の素子(デバイス)を得ることができる。また、例えば、一つのパッケージの中に、2個、3個、4個…n個のようにMOS FET基本セルの並列接続数を変えたMOS FET基本セル群(デバイス)を複数個設置することで、それぞれのMOS FET基本セル群(デバイス)の最大ドレイン電流定格をそれぞれ2倍、3倍、4倍、…、n倍のようにMOS FET基本セル単体の最大ドレイン電流のn倍の定格を自由に得ることができる。
【0006】
前記手段を用いることにより、ユーザーが使用するアプリケーションにおいて、複数個のMOS FETが必要であり、かつ各々のMOS FETに要求される特性(例えば、最大ドレイン電流定格)が異なる場合においても、一つもしくは最適なパッケージ数でユーザーが要求する複数個のMOS FET群(デバイス)を確保することができ、かつ複数個あるMOS FET群(デバイス)の各々の特性(例えば、最大ドレイン電流)をそれぞれ最適な仕様に容易にカスタマイズ可能となり、さらに部品点数の削減による部品占有面積の低減、所望する定格の最適化によるコストの低減が可能な半導体集積回路を提供できる。
【0007】
すなわち、本発明による半導体集積回路は、MOS FET基本セルを複数個並列接続して構成されたデバイスを備え、MOS FET基本セルの並列接続数に比例する異なる電流定格を有する複数のデバイスが1チップ上に設けられていることを特徴とする。
【0008】
具体的には、MOS FET基本セル群は互いに絶縁されている構成であり、MOS FET基本セルは、ソース、ゲート、ドレインに相当する端子に金属配線が可能なコンタクトを有し、MOS FET基本セル群に設けられたソース群、ゲート群、ドレイン群を各々n個並列接続するようにそれぞれのコンタクト間を金属配線することで、エンドユーザーが要求する特性(例えば、ドレイン電流)をMOS FET基本セルの特性のn倍の形で得ることが可能になっている。
【0009】
前記半導体集積回路の、MOS FET基本セルを複数個並列接続して構成されたデバイスは、並列に接続されたMOS FET基本セルのうちの1個のみが所定の保護機能(例えば、過電流保護、過電圧保護、過熱保護)を有するように構成することができる。
【0010】
また、前記半導体集積回路の、MOS FET基本セルを複数個並列接続して構成された前記デバイスは、並列に接続されたMOS FET基本セルのうちの1個のみが所定の診断機能(例えば、過電流検出、負荷オープン検出、負荷ショート検出、負荷レアショート検出)を有するように構成することができる。
【0011】
前記半導体集積回路は、複数個のMOS FET基本セルが配置された素子単位群層と、MOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインに各々設けられたコンタクト間を配線するための前記素子単位群層と絶縁された配線層とを含み、
前記配線層は上部にコンタクトと(例えば大電流経路のような)前記コンタクトに配線可能な主要な電流経路とを有し、素子単位群層に設けられたソース、ゲート、ドレインのコンタクトの一部が配線層の上部に設けられたコンタクトと(例えば接続孔等の電気的に導通可能な接続手法により)該配線層を貫通して接続されているように構成することができる。
【0012】
本発明による半導体装置は、複数個のMOS FET基本セルが配置され、各MOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインに各々電気的に接続可能なコンタクトが設けられた半導体集積回路と、半導体集積回路を実装する配線基板とを含み、配線基板は半導体集積回路のコンタクトと該配線基板上に設けられた外部と接続可能なコンタクトとの間を電気的に接続することを特徴とする。
【0013】
本発明による、同じ最大ドレイン電流定格を有するMOS FET基本セルが複数個配列されたチップ上に電流定格の異なる複数の電流ドライバを構成する方法は、MOS FET基本セルをn個並列接続することにより1個のMOS FET基本セルの最大ドレイン電流定格のn倍の電流定格を有する電流ドライバを構成することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下の図において、理解を容易にするため、同じ要素部分には同一の符号を付して説明する。
図1は、本発明による半導体集積回路の一例を示す説明図である。
半導体集積回路11は、半導体単結晶の基板から成る半導体チップ12と、半導体集積回路11の内部と外部とを接続する端子13a,13b,13c,…から構成されている。半導体チップ12上には、nチャネル又はpチャネルMOSFET基本セル14a,14b,14c,…が複数個配列されている。なお、本実施の形態においては、MOS FET基本セル14a,14b,14c,…はnチャネルであるとして以下説明する。半導体チップ12上に複数個配列されたMOS FET基本セル14a,14b,14c,…は、互いに半導体チップ12のアイソレーション領域によって電気的に分離絶縁されている。また、MOS FET基本セル14a,14b,14c,…は、ソース、ゲート、ドレインに相当する端子にそれぞれ電気的に導通である金属配線15a,15b,15c,…が接続可能な接点であるドレイン用コンタクト16a〜16h、ゲート用コンタクト17a〜17h、ソース用コンタクト18a〜18hが設けられた構成となっている。金属配線15a,15b,15c,…は、MOS FET基本セル14a,14b,14c,…に各々設けられたドレイン用コンタクト16a〜16h、ゲート用コンタクト17a〜17h、ソース用コンタクト18a〜18h、及び端子13a,13b,13c,…間を配線し、電気的に接続することが可能な構成となっている。
【0015】
次に、図1に示した半導体集積回路11の使用例について説明する。予め定められた条件により所定の演算処理を行い、所定の制御信号24,25,26を各々独立したタイミング、周期で出力できるCPU23、及びMOS FETのドレイン電流で動作するインダクタンス成分とインピーダンス成分を持つコイル負荷20,21,22を半導体集積回路11に接続する。制御信号24,25,26は半導体制御回路装置11の端子13a,13b,13cを介し、MOS FET基本セル14a,14b,14c,…のゲートへ供給される。なお、コイル負荷20,21,22は各々特性が異なるものとし、本実施の形態においてはインピーダンス成分がコイル負荷20が最も小さく、コイル負荷22が最も大きく、コイル負荷21はその中間程度と仮定する。電源19は、コイル負荷20,21,22に電力を供給する電源である。
【0016】
MOS FET基本セル14a,14b,14c,…の特性の一つに最大ドレイン電流がある。一般にMOS FETを用いてある所定のインピーダンス成分を持つ負荷に電流を流す場合、オームの法則より、負荷に流れる最大電流は“電源電圧÷負荷のインピーダンス”と求められる。負荷に流れる最大電流=MOSFETに求められる最大ドレイン電流となり、負荷に流れる最大電流の値から、それ以上の電流が流せるMOS FETを選定する必要がある。いま、MOS FET基本セル14a,14b,14c,…の最大ドレイン電流をID27とし、コイル負荷20,21,22に流れる最大電流をそれぞれ、コイル負荷20はドレイン電流ID27の3倍以下、コイル負荷21はドレイン電流IDの2倍以下、コイル負荷22はドレイン電流ID27の1倍以下とすると、以下の方法で解決することができる。
【0017】
本実施の形態では、一つの半導体集積回路11の中に8個のMOS FET基本セル14a〜14hが配列されている。まず、負荷20を駆動し得る回路を考える。負荷20はMOS FET基本セル14a〜14hのドレイン電流IDに対し、最大で3倍のドレイン電流が流れる。そこで、MOS FET基本セル14a〜14cのそれぞれのドレイン用コンタクト16a〜16cまでを金属配線15aで並列に接続し、かつ、端子13dへ接続する。端子13dはコイル負荷20の一方に接続され、もう一方は電源19に接続される。同様にMOS FET基本セル14a〜14cのそれぞれのソース用コンタクト18a〜18cまでを金属配線15gで並列に接続し、かつ、端子13gへ接続する。前記端子13gはGNDに接続する。また、同様に前記MOS FET基本セル14a〜14cのそれぞれのゲート用コンタクト17a〜17cまでを金属配線15dで並列に接続し、かつ、端子13aへ接続する。端子13aはCPU23と接続する。
【0018】
CPU23からある任意の周期の制御信号24が送られると、端子13a、金属配線15dを介し、MOS FET基本セル14a〜14cのゲート17a〜17cに印加される。その結果、MOS FET基本セル14a〜14cのゲート17a〜17cがONし、各MOS FET基本セル14a〜14cにドレイン電流ID27a,27b,27cが流れる。その結果、コイル負荷20には、ドレイン電流IDの3倍のドレイン電流28が流れる。そのIDの3倍のドレイン電流28は金属配線15g、端子13gを介し、GNDへ流れる。
【0019】
同様に、負荷21を駆動し得る回路を考える。負荷21には、MOS FET基本セル14a〜14hのドレイン電流ID27a〜27hに対し、最大で2倍のドレイン電流が流れる。そこで、本実施の形態では、MOS FET基本セル14d,14eのそれぞれのドレイン用コンタクト16d,16eを金属配線15bで並列に接続し、かつ、端子13eへ接続する。端子13eはコイル負荷21の一方に接続され、もう一方は電源19に接続される。同様にMOS FET基本セル14d,14eのそれぞれのソース用コンタクト18d,18eを金属配線15gで並列に接続し、かつ、端子13gへ接続する。端子13gはGNDに接続する。また、同様にMOS FET基本セル14d,14eのそれぞれのゲート用コンタクト17d,17eを金属配線15eで並列に接続し、かつ、端子13bへ接続する。端子13bはCPU23と接続する。
【0020】
CPU23からある任意の周期の制御信号25が送られると、端子13b、金属配線15eを介し、MOS FET基本セル14d,14eのゲート17d,17eに印加される。その結果、MOS FET基本セル14d,14eのゲート17d,17eがONし、おのおのMOS FET基本セル14dから14eにドレイン電流27d,27eが流れる。その結果、コイル負荷21には、ドレイン電流IDの2倍のドレイン電流29が流れる。このIDの2倍のドレイン電流29は金属配線15g、端子13gを介し、GNDへ流れる。
【0021】
また、同様に、負荷22を駆動し得る回路を考える。負荷22はMOS FET基本セル14fのドレイン電流ID27fに対し、最大で1倍のドレイン電流が流れる。そこで、本実施の形態では、MOS FET基本セル14fのドレイン用コンタクト16fを金属配線15cで接続し、かつ、端子13fへ接続する。端子13fはコイル負荷22の一方に接続され、もう一方は電源19に接続される。同様にMOS FET基本セル14fのソース用コンタクト18fを金属配線15gで接続し、端子13gへ接続する。端子13gはGNDに接続する。また、同様にMOS FET基本セル14fのゲート用コンタクト17fを金属配線15fで接続し、端子13cへ接続する。端子13cはCPU23と接続する。
【0022】
CPU23からある任意の周期の制御信号26が送られると、端子13c、金属配線15fを介し、MOS FET基本セル14fのゲート17fに印加される。その結果、MOS FET基本セル14fのゲート17fがONし、MOS FET基本セル14fにドレイン電流27fが流れる。その結果、コイル負荷21には、ドレイン電流IDの1倍のドレイン電流27fが流れる。ドレイン電流27fは金属配線15g、端子13gを介し、GNDへ流れる。
【0023】
以上の方法により、一つの半導体集積回路11で、異なる定格の複数の負荷20,21,22をそれぞれ最適な定格のMOS FETで駆動することができる。また、予めMOS FET基本のセルの配列までの基本マスクを準備しておき、金属配線のマスクのみ要求の仕様のものを作成することで、コストの低減、製作期間の短縮が可能になる効果がある。
【0024】
本実施の形態では、半導体集積回路11の中に8個のMOS FET基本セル14a〜14hを設け、6個のみ使用したため、2個あまっている。実際に本半導体集積回路を使用する場合、MOS FET基本セルの配列数が異なるパターンの半導体集積回路を数種類準備しておき、ユーザーが使用するうえで最適な物を選択可能にしておくことで、無駄を最小とした半導体集積回路を提供できることはいうまでもない。また、本実施の形態においては、MOS FET基本セル14a〜14hをnチャネルとし、負荷20,21,22の下流を制御する形態で説明したが、MOS FET基本セルをpチャネルとし、負荷の上流を制御する形態においても適用できるのは明白である。
【0025】
本発明の第2の実施の形態を図2により説明する。本実施の形態における半導体集積回路31は、第1の実施の形態の半導体集積回路11に対し、所定のドレイン電流が流れたとき出力を制限もしくは止める過電流保護、MOS FETのジャンクション温度が所定の温度以上になったとき出力を制限もしくは止める過熱保護機能などの保護機能を有する保護機能付きMOS FET基本セル30a,30b,30cを複数個有する構成である。
【0026】
第1の実施の形態では、なんらかの理由により、コイル負荷20,21,22のいずれかがショートし過電流が流れたり、MOS FET基本セルのジャンクション温度が異常に上昇したり、電源19が逆接されたり、といった不測の事態が生じたとき、前記半導体集積回路11や負荷20,21,22に耐え得る以上の負荷が印加され最悪の場合には破損する恐れがある。以上のような事態を回避するため、従来のMOS FET ICでは過電流保護、過電圧保護、過熱保護などの保護機能を設けることが一般的に知られている。
【0027】
本発明では、MOS FET基本セルをn個並列接続し、一つのMOS FET基本セル群とみなしている。したがって、半導体集積回路31上に配列される全てのMOS FET基本セルに保護機能を設ける必要はなく、n個並列接続されたMOS FET基本セルの内、1個のMOS FET基本セルにのみ前述の過電流保護、過電圧保護、過熱保護機能を持たせることで十分に保護機能が動作するので、チップサイズの小型化やコストの低減の効果がある。図示の例では、例えば3個のMOS FET基本セル30a,14b,14cを並列接続したデバイスでは、その内の1個のMOS FET基本セル30aにのみ保護機能を持たせている。また、2個のMOS FET基本セル30b,14eを並列接続したデバイスでは、その内の1個のMOS FET基本セル30bにのみ保護機能を持たせている。
【0028】
なお、本実施の形態においては、MOS FET基本セル14a〜14hをnチャネルとし、負荷20,21,22の下流を制御する形態で説明したが、MOS FET基本セルをpチャネルとし、負荷の上流を制御する形態においても適用できるのは明白である。
【0029】
本発明の第3の実施の形態を図3により説明する。本実施の形態における半導体集積回路34は、第1の実施の形態の半導体集積回路11に対し、所定以上のドレイン電流が流れたときに過電流を検出し信号を出力する、MOS FETのジャンクション温度が所定以上の温度になったときに過熱を検出し信号を出力する、負荷がオープンになったときにオープンを検出し信号を出力するなどの診断出力信号33a,33b,33cを出力する診断機能を有する診断機能付きMOS FET基本セル32a,32b,32cを複数個有する構成である。
【0030】
第2の実施の形態では、なんらかの理由により、負荷20,21,22のいずれかがショートし過電流が流れたり、MOS FET基本セルのジャンクション温度が異常に上昇したり、負荷がオープンになったりといった不測の事態が生じたとき、CPU23になんら情報が伝達されず適切な処理が行われないため、ユーザーの使用システムにおいて予想しえない現象が生じ、悪影響を及ぼす恐れがある。以上のような事態を回避するため、従来のMOS FET ICでは過電流検出、過熱検出、負荷オープン検出などの診断機能を設けることが一般的に知られている。本発明では、MOS FET基本セルをn個並列接続し、一つのMOS FET基本セル群とみなしている。したがって、半導体集積回路12上に配列される全てのMOS FET基本セルに診断機能を設ける必要はなく、n個並列接続されたMOS FET基本セルの内、1個のMOS FET基本セルにのみ前述の過電流検出、過熱検出、負荷オープン検出などの診断機能を持たせることで、十分診断できるので、チップサイズの小型化やコストの低減の効果がある。図示の例では、例えば3個のMOS FET基本セル32a,14b,14cを並列接続したデバイスでは、その内の1個のMOS FET基本セル32aにのみ保護機能を持たせている。また、2個のMOS FET基本セル32b,14eを並列接続したデバイスでは、その内の1個のMOS FET基本セル32bにのみ保護機能を持たせている。
【0031】
なお、本実施の形態においては、MOS FET基本セル14a〜14hをnチャネルとし、負荷20,21,22の下流を制御する形態で説明したが、MOS FET基本セルをP−CHとし、負荷の上流を制御する形態においても適用できるのは明白である。
【0032】
本発明の第4の実施の形態を図4により説明する。ソース用コンタクト42、ドレイン用コンタクト43、ゲート用コンタクト44が設けられたMOS FET基本セル41が複数個配列されている素子単位群層47と、大電流を流すため太めのライン幅で構成されている大電流用金属配線46a,46b、制御信号用電流を流すための制御信号用金属配線46cで構成されている配線層48がある。
【0033】
配線層48は素子単位群層47の上方に位置し、素子単位群層47に配列されているMOS FET基本セル41のソース、ドレイン、ゲートの各々のコンタクト42,43,44は接続孔45を介し、配線層48上に配列されている配線層ソース用コンタクト47a、配線層ドレイン用コンタクト47b、配線層ゲート用コンタクト47cで構成されている配線層48と電気的に接続される。配線層ソース用コンタクト47a、配線層ドレイン用コンタクト47b、配線層ゲート用コンタクト47cは金属配線49で大電流用金属配線46a,46bに電気的に接続できる。
【0034】
前述の実施の形態1,2,3において、MOS FET基本セルをn個並列接続し、n倍のドレイン電流を流す場合、電源に接続されたソース側の金属配線と、負荷に接続されたドレイン側の金属配線に大電流が流れる。通常、大電流を流すためには、金属配線を太いパターンにして導体のインピーダンスを下げる必要がある。このような処置を実施しないと、金属配線に異常発熱が生じ、最悪断線する恐れがある。本実施の形態においては、金属配線層48にあらかじめ、大電流を流し得る太い金属配線のパターンを持つ大電流用金属配線46a,46bを設けておき、配線層48上に露出している配線層ソース用コンタクト47a、配線層ドレイン用コンタクト47bをそれぞれ必要に応じて前記大電流用金属配線46a,46bに簡単に金属配線49で接続できる構造としておくことで、配線層48が作りやすくなり、製作期間の短縮、コストの低減の効果がある。
【0035】
本発明の第5の実施の形態を図5により説明する。MOS FET基本セル51が複数個配列された半導体集積回路52は、各々のMOS FET基本セルのソース、ドレイン、ゲート端子から外部と接続可能な各々のソース用外部接続コンタクト53、ドレイン用外部接続コンタクト54、ゲート用外部接続コンタクト55が設けられたベアチップの構造となっている。中間配線基板56は半導体集積回路52を実装し電気的な接続が可能であり、かつ中間配線基板56自体にも外部と接続可能なコンタクト57を有する構造となっている。中間配線板56にて所望の仕様に配線し、半導体集積回路52を実装後、例えば、金線ボンディング58等の電気的な接続をすることで容易に求める仕様を得ることができる。通常、前記半導体集積回路52部、及び金線ボンディング58等の電気的接続部は保護のために、樹脂材等非導通材59でコーティングする。
【0036】
本実施の形態によれば、ユーザーは中間配線基板56を設計製作し、半導体集積回路製造メーカーから半導体集積回路52を購入後、中間配線基板56に実装するだけで、容易に求める仕様を得ることができ、かつユーザーサイドの変更が容易になる。本実施の形態では、半導体集積回路52と中間配線基板56の電気的な接続方法の一例として金線ボンディング58を用いたが、ボールバンプ等のCCBの接合技術を用いても実施可能であることは言うまでもない。
【0037】
次に、複数のコイル負荷をパワーMOS FETで駆動制御するシステムを従来技術で実現する場合と、本発明によって実現する場合とを比較して説明する。ここで想定するのは、駆動電流が1A必要なコイル負荷64とコイル負荷65、駆動電流が2A必要なコイル負荷66、駆動電流が3A必要なコイル負荷67を駆動する駆動制御システムである。図6は、従来の技術を用いた場合の構成図であり、図7は本発明による構成図である。
【0038】
従来技術によると、この駆動制御システムは図6に図示するように、コイル負荷64及びコイル負荷65を駆動するドレイン電流定格が1AのパワーMOS FETが2ch入っているIC61、コイル負荷66を駆動するドレイン電流定格が2AのパワーMOS FET62、コイル負荷67を駆動するドレイン電流定格が3AのパワーMOS FET63、上記パワーMOS FETのON/OFFを御御する制御信号68a〜68dを出力するCPU23によって構成される。
【0039】
パワーMOS FETに異なる複数のドレイン電流定格が要求された場合、各コイル負荷を駆動するのに最適なドレイン電流定格をもつパワーMOS FETを選定し適用する必要がある。しかし、従来技術では一般に、異なるドレイン電流定格のパワーMOS FETが一つのパッケージで構成されることはないので、各々のコイル負荷に最適なドレイン電流定格を持つパワーMOS FETを各々のコイル負荷に割り当てる必要があり、複数個のパワーMOS FETが必要になる。その結果、実装効率の低下、素子数の増加によるコストアップ等の問題が生じる。もちろん、要求される複数の異なるドレイン電流定格の中で、最も高いドレイン電流定格に合わせて1種類のパワーMOS FETで構成する方法も考えられるが、この場合、本来必要なドレイン電流定格に対し、過剰なスペックとなる箇所が発生し、コストアップ要因となる。
【0040】
図7は、複数のコイル負荷をパワーMOS FETで駆動制御するシステムに本発明を適用した場合の構成の一例を示す図である。この駆動制御システムは、ドレイン電流定格が1AであるMOS FET基本セル71a〜71hを8ケ内蔵した半導体集積回路ll、上記MOS FET基本セル71a〜71hのON/OFFを制御する制御信号68a〜68dを出力するCPU23によって構成される。
【0041】
この例では、駆動電流が1A必要なコイル負荷64及びコイル負荷65を駆動するため、ドレイン電流定格が1AであるMOS FET基本セル71a及びMOS FET基本セル71bを使用している。同様に、駆動電流が2A必要なコイル負荷66を駆動するため、MOS FET基本セル71dと71eを2ヶ並列接続し、ドレイン電流定格を2Aとして適用している。さらに、駆動電流が3A必要なコイル負荷67を駆動するため、MOS FET基本セル71f〜71hを3ヶ並列接続し、ドレイン電流定格を3Aとして適用している。この結果、一つの半導体集積回路11のみで複数の異なる駆動電流をもつコイル負荷を駆動可能となり、図6のような従来技術を用いた方法に対し、実装効率の向上、素子数削減によるコスト低減の効果を得られることが明らかである。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば、特にMOS FETを用いた半導体集積回路において、一つのパッケージで異なる仕様をもつ複数のMOS FETを低コストでかつ短い期間で製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半導体集積回路の一例を示す構成図。
【図2】本発明による半導体集積回路の他の例を示す構成図。
【図3】本発明による半導体集積回路の他の例を示す構成図。
【図4】本発明による半導体集積回路の製造方法の一例を示す図。
【図5】本発明による半導体集積回路の製造方法の他の例を示す図。
【図6】従来技術による複数負荷駆動制御システムの構成図。
【図7】本発明による複数負荷駆動制御システムの一例の構成図。
【符号の説明】
11…半導体集積回路、12…半導体チップ、13a〜13g…端子、14a〜14h…MOS FET基本セル、15a〜15g…金属配線、16a〜16h…ドレイン用コンタクト、17a〜17h…ゲート用コンタクト、18a〜18h…ソース用コンタクト、19…電源、20〜22…コイル負荷、23…CPU、24〜26…制御信号、27a〜27f…ドレイン電流ID、28…ドレイン電流3ID、29…ドレイン電流2ID、30a〜30c…保護機能付きMOS FET基本セル、31…半導体集積回路、32a〜32c…診断機能付きMOS FET基本セル、33a〜33c…診断出力信号、34…半導体集積回路、41…MOS FET基本セル、42…ソース用コンタクト、43…ドレイン用コンタクト、44…ゲート用コンタクト、45…接続孔、46a,46b…大電流用金属配線、46c…制御信号用金属配線、47…素子単位群層、47a…配線層ソース用コンタクト、47b…配線層ドレイン用コンタクト、47c…配線層ゲート用コンタクト、48…配線層、49…金属配線、51…MOS FET基本セル、52…半導体集積回路、53…ソース用外部接続コンタクト、54…ドレイン用外部接続コンタクト、55…ゲート用外部接続コンタクト、56…中間配線基板、57…コンタクト、58…金線ボンディング、59…非導通材、61…IC、62,63…パワーMOS FET、64〜67…コイル負荷、68a〜68d…制御信号、71a〜71h…MOS FET基本セル
Claims (6)
- 並列接続された複数のMOS FET基本セルを含むデバイスを複数個含み、前記複数のデバイスの各々は前記MOS FET基本セルの並列接続数に比例する電流定格を有し、且つ、1チップ上に設けられ、
前記複数のデバイスの各々を個別に外部に接続するための端子が設けられ、
前記複数のデバイスの各々は、前記並列接続された複数のMOS FET基本セルのうちの1個のみが所定の保護機能を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 並列接続された複数のMOS FET基本セルを含むデバイスを複数個含み、前記複数のデバイスの各々は前記MOS FET基本セルの並列接続数に比例する電流定格を有し、且つ、1チップ上に設けられ、
前記複数のデバイスの各々を個別に外部に接続するための端子が設けられ、
前記複数のデバイスの各々は、前記並列接続された複数のMOS FET基本セルのうちの1個のみが所定の診断機能を有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1又は2記載の半導体集積回路において、前記複数個のMOS FET基本セルが配置された素子単位群層と、前記MOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインに各々設けられたコンタクト間を配線するための前記素子単位群層と絶縁された配線層とを含み、前記配線層は上部にコンタクトと前記コンタクトに配線可能な主要な電流経路とを有し、前記素子単位群層に設けられたソース、ゲート、ドレインのコンタクトの一部が前記配線層の上部に設けられたコンタクトと該配線層を貫通して接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
- 並列接続された複数のMOS FET基本セルを含むデバイスを複数個含み、前記複数のデバイスの各々は前記MOS FET基本セルの並列接続数に比例する電流定格を有し、且つ、1チップ上に設けられ、
前記複数のデバイスの各々を個別に外部に接続するための端子が設けられ、
前記複数個のMOS FET基本セルが配置された素子単位群層と、前記MOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインに各々設けられたコンタクト間を配線するための前記素子単位群層と絶縁された配線層とを含み、前記配線層は上部にコンタクトと前記コンタクトに配線可能な主要な電流経路とを有し、前記素子単位群層に設けられたソース、ゲート、ドレインのコンタクトの一部が前記配線層の上部に設けられたコンタクトと該配線層を貫通して接続されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 並列接続された複数のMOS FET基本セルを含むデバイスを複数個含み、前記複数のデバイスの各々は前記MOS FET基本セルの並列接続数に比例する電流定格を有し、且つ、1チップ上に設けられ、各MOS FET基本セルのソース、ゲート、ドレインに各々電気的に接続可能なコンタクトが設けられた半導体集積回路と、
前記半導体集積回路を実装する配線基板とを含み、前記配線基板は前記半導体集積回路のコンタクトと該配線基板上に設けられた外部と接続可能なコンタクトとの間を電気的に接続し、前記複数のデバイスの各々を個別に外部に接続することを特徴とする半導体装置。 - 同一の最大ドレイン電流定格を有するMOS FET基本セルが複数個配列されたチップ上に電流定格の異なる複数の電流ドライバを構成する方法であって、前記複数のMOS FET基本セルを並列接続して構成した電流デバイスを複数個形成し、前記複数のデバイスの各々は前記MOS FET基本セルの並列接続数に比例する電流定格を有し、前記MOS FET基本セルをn個並列接続した前記電流デバイスを個別に外部へ接続することにより、1個のMOS FET基本セルの最大ドレイン電流定格のn倍の電流定格を有する電流ドライバを構成することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000222848A JP3597762B2 (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体集積回路及びその製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002043519A JP2002043519A (ja) | 2002-02-08 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3597762B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI268549B (en) * | 2002-05-10 | 2006-12-11 | General Semiconductor Inc | A surface geometry for a MOS-gated device that allows the manufacture of dice having different sizes and method for using same |
WO2011162036A1 (ja) * | 2010-06-25 | 2011-12-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置、成膜方法、および制御装置 |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000222848A patent/JP3597762B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002043519A (ja) | 2002-02-08 |
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JP2006041555A5 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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