JP2015152621A - 画像形成装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 本発明は、環境の変動に関わらず、可能な限り短時間で正確なプロセスカートリッジの状態検知を行うことができる画像形成装置を提供する。【解決手段】 帯電ローラ700に電圧を印加する帯電バイアス電源回路500と、該帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700に電圧を印加した際に感光ドラム100に流れる電流を検知する帰還電流検知回路2と、該帰還電流検知回路2により検知した検知情報に基づいてプロセスカートリッジ200の状態を判断するコントローラ600と、を有し、該コントローラ600は、帰還電流検知回路2が検知する電流値に基づいてプロセスカートリッジ200装着の有無を判断する検知電流の閾値を変更することを特徴とする。【選択図】 図2

Description

本発明は、電子写真方式を利用したプリンタ、複写機等の画像形成装置に関する。
レーザビームプリンタ等の画像形成装置においては、画像形成装置本体内にプロセスカートリッジが着脱自在に設けられるものも多い。プロセスカートリッジは、電子写真感光体、帯電ローラ、現像装置等がプロセスカートリッジ容器内に一体的に収容される。
プロセスカートリッジは内部の機器が寿命に達した場合等に、該プロセスカートリッジ全体の交換を行なうことにより、各機器の交換作業の容易化を図るものである。画像形成装置本体に対するプロセスカートリッジの着脱の機会は多いため画像形成にあたり、画像形成装置本体内にプロセスカートリッジが装着されているか否かを確認する必要が生じる。
プロセスカートリッジの有無を検知する場合、例えば、特許文献1のように、プロセスカートリッジ内の負荷である帯電ローラやプロセスカートリッジ外の負荷である転写ローラに高電圧を印加する電源ユニットの出力電流や出力電圧を検知する。その検知結果の大小を判定して、画像形成装置本体に対するプロセスカートリッジの有無を判定する技術が開示されている。
特開平4−181266号公報
しかしながら、帯電ローラや転写ローラ等のインピーダンス成分はその設置環境により大きく変動する。特に低温環境下では帯電ローラの電気抵抗が高くなる。これによりプロセスカートリッジの有無を判断するための検知電流が低下する。低温環境下で低下した検知電流を基準としてプロセスカートリッジの有無を判断するための閾値を低く設定した場合、検知電流とノイズ成分とのS/N比(信号量(signal)と雑音量(noise)との比)が大きくとれない。
このためプロセスカートリッジが無いにも拘わらずノイズ成分を誤検知することでプロセスカートリッジが有ると誤検知する可能性が高まる。逆にノイズ成分による誤検知を回避するためにプロセスカートリッジの有無を判断するための閾値を高めに設定する。すると、低温環境への変動が更に進んだ場合、プロセスカートリッジが有るにも拘わらず無いと誤検知する可能性が高まる。
また、画像形成装置の電源投入後等に本体内の熱源等の影響により内部雰囲気温度の上昇と共に帯電ローラや転写ローラの温度も上昇する。その場合、帯電ローラや転写ローラの電気抵抗が低下する。プロセスカートリッジの有無を判断できるまで検知電流を増加させることが可能であるが、温度上昇の程度は電源投入前の画像形成装置の設置環境により大きく異なる。低温環境下での画像形成装置本体内の温度上昇を考慮して電流検知が可能となるタイミングを一律に遅く設定すると、低温環境よりも高い温度環境下での立上げ時間が遅くなるという問題がある。
本発明は前記課題を解決するものであり、その目的とするところは、環境の変動に関わらず、可能な限り短時間で正確なプロセスカートリッジの状態検知を行うことができる画像形成装置を提供するものである。
前記目的を達成するための本発明に係る画像形成装置の代表的な構成は、静電潜像が形成される像担持体を有するプロセスカートリッジを着脱自在に装着する画像形成装置であって、前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、前記像担持体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写手段と、前記帯電手段または前記転写手段に電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段により前記帯電手段または前記転写手段に電圧を印加した際に前記像担持体に流れる電流を検知する電流検知手段と、前記電流検知手段の検知情報に基づいて前記プロセスカートリッジの状態を判断する判断手段と、を有し、前記判断手段は、前記電流検知手段が検知する電流値に基づいて、前記プロセスカートリッジ装着の有無を判断する検知電流の閾値を変更することを特徴とする。
上記構成によれば、低温環境下で帯電手段や転写手段の電気抵抗が上昇したとしても誤検知を防止しながらプロセスカートリッジの状態検知時間を必要最小限にすることが出来る。
本発明に係る画像形成装置の第1実施形態の構成を示す模式断面説明図である。 第1実施形態における電流検知手段の回路構成を示す図である。 第1実施形態においてプロセスカートリッジの状態を判断する様子を示すフローチャートである。 第1実施形態においてプロセスカートリッジの状態を判断する様子を示すフローチャートである。 第1実施形態において温度環境に応じて複数のタイミングでプロセスカートリッジの状態を検知する様子を示すタイミングチャートである。 本発明に係る画像形成装置の第2実施形態の構成を示す模式断面説明図である。 第2実施形態における電流検知手段の回路構成を示す図である。 第2実施形態においてプロセスカートリッジの状態を判断する様子を示すフローチャートである。 第2実施形態において温度環境に応じて複数のタイミングでプロセスカートリッジの状態を検知する様子を示すタイミングチャートである。
図により本発明に係る画像形成装置の一実施形態を具体的に説明する。尚、以下の各図面において同一の符号を付したものは、同一の構成または作用をなすものであり、これらについての重複説明は適宜省略した。また、以下の実施形態に記載されている装置構成、構成部品、構成部品の寸法、材質、及び形状、その他、相対配置等に限定されるものではない。
<画像形成装置>
先ず、図1〜図5を用いて本発明に係る画像形成装置の第1実施形態の構成について説明する。図1は本発明に係る画像形成装置の第1実施形態の構成を示す。本実施形態では、画像形成装置1としてレーザビームプリンタを採用した一例として説明する。図1において、画像形成装置1は電子写真プロセスを実現させるための電子写真感光体からなる静電潜像が形成される像担持体としての感光ドラム100を有する。感光ドラム100の周囲には、該感光ドラム100の表面を帯電する帯電手段となる帯電ローラ700が配置される。
図2に示すように、帯電ローラ700に帯電バイアス電圧を印加する電圧印加手段となる帯電バイアス電源回路500が設けられている。帯電バイアス電源回路500は、感光ドラム100が画像形成前の非画像形成時の回転駆動直前に、帯電ローラ700に対して帯電バイアス電圧Vtを印加する。帯電バイアス電圧Vtは、直流電圧または交流電圧の何れか一方の帯電バイアス電圧Vt、または、直流電圧と交流電圧とを重畳した帯電バイアス電圧Vtを印加する。
本実施形態では、感光ドラム100の表面上に電子写真プロセスに必要な均一な電荷を載せるために、帯電バイアス電源回路500は通常の正弦波からなる交流電圧に直流電圧を重畳した帯電バイアス電圧Vtを発生する。
帯電ローラ700を感光ドラム100の表面に当接した状態で、図2に示す帯電バイアス電源回路500により帯電バイアス電圧Vtを該帯電ローラ700に印加する。これにより感光ドラム100の表面に均一な電荷を形成することが出来る。
帯電ローラ700により均一の電位に帯電された感光ドラム100の表面に露光手段となるレーザスキャナ300により画像データに応じたレーザ光300aを照射する。これにより、感光ドラム100の表面上に静電潜像を形成する。感光ドラム100の表面上に形成された静電潜像にトナーを供給して現像する現像剤担持体となる現像スリーブ410を含む現像手段となる現像装置400が感光ドラム100に対向して配置されている。
更に、感光ドラム100の表面上に形成されたトナー像を転写材としての記録材Pに転写する転写手段となる転写ローラ800が設けられている。更に、記録材Pに転写した後に感光ドラム100の表面上に残留したトナーを除去するクリーニング手段となるクリーニング装置900等が設けられている。
本実施形態では、感光ドラム100と、帯電ローラ700と、クリーニング装置900とを含むプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に対して着脱自在に装着される。
帯電ローラ700により均一の電位に帯電された感光ドラム100の表面にレーザスキャナ300により画像データに応じたレーザ光300aが照射されて静電潜像が形成される。感光ドラム100の表面に形成された静電潜像には現像装置400によってトナーが供給されてトナー像として現像される。
一方、シート搬送手段により搬送された記録材Pが感光ドラム100と、転写ローラ800とのニップ部に搬送される。そして、該転写ローラ800に電圧印加手段となる図示しない転写バイアス電源回路から印加される転写バイアス電圧により感光ドラム100の表面上のトナー像が記録材Pに転写される。
トナー像が転写された記録材Pは、加熱ローラ1010と加圧ローラ1011を含む定着手段となる定着装置1000に搬送される。そして、該加熱ローラ1010と加圧ローラ1011とのニップ部において加熱及び加圧されてトナー像が記録材Pに永久画像として定着される。その後、更に、図示しないシート搬送手段により搬送されて機外に排出される。
図2は帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加した際に感光ドラム100を経由して帰還する帰還電流(感光ドラム100との間に流れる電流)を検知する電流検知手段となる帰還電流検知回路2の構成を示す。
図2に示すように、帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加する帯電バイアス電源回路500と、該帯電バイアス電源回路500を制御する制御手段となるコントローラ600が設けられている。コントローラ600は、帰還電流検知回路2により検知した検知情報(検知する電流値)に基づいてプロセスカートリッジ200が未使用(新品)か使用開始後(旧品)かの新旧状態の判断や、或いは、装着、未装着であるかの状態を判断する判断手段を兼ねる。
コントローラ600は、CPU(Central Processing Unit;中央演算装置)600cと、記憶手段となる記憶部620が設けられている。記憶部620にはROM(Read Only Memory;リードオンリメモリ)600dと、RAM(Randam AccessMemory;ランダムアクセスメモリ)600eとが設けられる。更に、コントローラ600は、カウンタ600f、タイマ600g等を備えている。
ROM600dには、画像形成装置1を制御するための各種制御プログラムや各種設定、初期値等が記憶されている。RAM600eは、各種制御プログラムが読み出される作業領域として、或いは、画像データを一時的に記憶する記憶領域として利用される。CPU600cはROM600dから読み出した制御プログラムや各種センサから送られる信号に従って、その処理結果をRAM600eに記憶させながら、各構成要素を制御する。
図2に示すように、コントローラ600の出力ポート600aから帯電バイアス電源回路500に出力されるサンプリング制御信号Goは、図5に示すように構成される。即ち、図5に示すように、サンプリング制御信号Goは、周波数が200Hz〜1kHz程度のパルス信号に所定の直流電圧が重畳されたものである。サンプリング制御信号Goに対応して実際に帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に印加される帯電バイアス電圧の波形が図5のVtで示される。コントローラ600から帯電バイアス電源回路500に出力されるサンプリング制御信号Goは画像形成装置1のプロセススピード(画像形成速度)等により決定される。
本実施形態では、コントローラ600から帯電バイアス電源回路500に出力されるサンプリング制御信号Goは、周波数が470Hz、デューティ(Duty)が50%、ピークトゥピーク電圧Vppが5Vの方形波で構成される。コントローラ600の出力ポート600aから帯電バイアス電源回路500に出力されたサンプリング制御信号Goは、以下の通りレベル変換される。即ち、帯電バイアス電源回路500に設けられたトランジスタ502と、抵抗503とによりピークトゥピーク電圧Vppが24Vにレベル変換される。
図2の帯電バイアス電源回路500に設けられるオペアンプ501は、コントローラ600から入力された図5に示す方形波からなるサンプリング制御信号Goをピークトゥピーク電圧Vppが20Vの正弦波電圧に変換する。オペアンプ501からトランス511の一次側巻線に入力された正弦波電圧は、該トランス511の一次側巻線と二次側巻線との巻線比に応じた正弦波電圧に変換される。該トランス511の二次側巻線にはピークトゥピーク電圧Vppが約2kVの正弦波電圧が出力される。
図2の帯電バイアス電源回路500のトランス511の二次側に設けられるダイオード509とコンデンサ508とは、該トランス511の二次側巻線に出力される正弦波電圧を整流する整流回路である。直流電源510は、帯電ローラ700に印加される帯電バイアス電圧Vtの交流成分である交流電圧の中心値をずらすための該帯電バイアス電圧Vtの直流成分である直流電圧を出力する。
図2の帯電バイアス電源回路500のトランス511の二次側に接続されたコンデンサ519は感光ドラム100へ電力を伝えるためのコンデンサであり、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520により電流/電圧変換される。その後、帰還電流検知回路2に設けられたダイオード521により正電圧のみを取り出す。そして、オペアンプ522と、コンデンサ524と、抵抗523とによってピークチャージされた検知情報となる検知信号Giがコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される。
画像形成装置1本体に対してプロセスカートリッジ200が装着されている場合、図示しない接離手段が解除されて帯電ローラ700が感光ドラム100の表面に当接する。このとき、図1に示す接離検知手段となる接離センサ4により帯電ローラ700が感光ドラム100の表面に当接したことが検知される。接離センサ4としては帯電ローラ700を感光ドラム100に対して接離する接離手段の可動部に設けられた公知の光センサ等により構成することが出来る。
感光ドラム100と帯電ローラ700との接離状態を検知する接離センサ4により検知した検知情報に基づいてコントローラ600はプロセスカートリッジ200の新旧状態を判断することが出来る。接離センサ4により検知した検知情報が帯電ローラ700が感光ドラム100の表面から離間していると検知した場合はコントローラ600はプロセスカートリッジ200が未使用の新品であると判断する。また、接離センサ4により検知した検知情報が帯電ローラ700が感光ドラム100の表面に当接していると検知した場合はコントローラ600はプロセスカートリッジ200が使用済みの旧品であると判断する。
帯電ローラ700が感光ドラム100の表面に当接することで感光ドラム100と帯電ローラ700との間で電流が流れ易くなり、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520に流れる帰還電流Icが大きくなる。このため該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vcは大きい。
画像形成装置1が寒冷地等の低温環境で使用される場合は以下の問題がある。図5において気温が0℃のときの装着時の帰還電圧Vc(0℃)に示すように、帯電バイアス電源回路500による帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加開始時には感光ドラム100に電流が流れ難い。その後、帯電バイアス電圧Vtの印加開始からしばらくすると、徐々に感光ドラム100に電流が流れ易くなっていく特性があることが知られている。
一方、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着の場合は、感光ドラム100と帯電ローラ700との間で電流が流れることはなく、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520に流れる帰還電流Ioは極めて小さい。従って、該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vo(<Vc)は小さい。
そして、帰還電流検知回路2により検知した検知情報に基づいてプロセスカートリッジ200の装着/未装着状態を判断する閾値電圧Vsを以下の通り設定する。即ち、プロセスカートリッジ200が装着されている場合の帰還電圧Vcと、プロセスカートリッジ200が未装着の場合の帰還電圧Voとの間に設定する。閾値電圧Vsと帰還電圧Vc,Voとの関係は、以下の数1式で表わされる。
[数1]
Vo<Vs<Vc
尚、本実施形態では、帰還電流検知回路2により検知した検知情報として感光ドラム100と帯電ローラ700との間に流れる電流に応じて抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vが閾値電圧Vs以上であるか否を検知する。これによりプロセスカートリッジ200の有無を検知している。他に、抵抗520に流れる電流値が予め設定された閾値電流以上であるか否かを検知してプロセスカートリッジ200の有無を検知することも可能である。
次に図3を用いて本実施形態のプロセスカートリッジ200の有無検知動作について説明する。ステップS1において、画像形成装置1に設けられた図示しないメイン電源スイッチがオンされると、ステップS2において、感光ドラム100の回転駆動(前多回転)が開始される。そして、ステップS3において、帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に対して帯電バイアス電圧Vtが印加される。
帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に印加された帯電バイアス電圧Vtにより帯電ローラ700から感光ドラム100に電流が流れる。この電流に対応して帰還電流検知回路2の抵抗520に流れる電流により該抵抗520の両端に発生する帰還電圧Vが帰還電圧入力ポート600bに入力される。
次にステップS4において、コントローラ600は、帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vをサンプリングする。ステップS5において、サンプリングした帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vと、予め設定されたプロセスカートリッジ200の有無を検知する前記数1式で示される閾値電圧Vsとを比較してプロセスカートリッジ200の有無を検知する。
コントローラ600は、帯電バイアス電源回路500による帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加開始時(電圧印加の開始時)に帰還電流検知回路2により検知した帰還電流I(電流値)に予め設定した所定の電流値を加算する。その加算した値を閾値として以下の通り設定する。帯電バイアス電圧Vtの印加直後に帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した閾値電圧Vsをプロセスカートリッジ200の有無検知を行う閾値電圧Vsとして記憶部620に記憶する。
ステップS5において、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200の有無検知モード中の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vと、記憶部620に記憶された閾値電圧Vsとを比較する。そして、帰還電圧Vが閾値電圧Vs以上である場合には、ステップS6に進んで画像形成装置1本体に対してプロセスカートリッジ200が正しく装着されていると判断する。その後、ステップS7に進んで画像形成装置1のプリントスタート信号の入力に基づいて作像プロセス実行動作が開始される。
前記ステップS5において、帰還電圧Vが閾値電圧Vsよりも小さい場合には、ステップS8に進む。そして、コントローラ600は、画像形成装置1本体に対してプロセスカートリッジ200が装着されていないか(装着忘れ)、或いは、装着されていても、その装着状態が不完全であると判断する。
そして、ステップS9に進んで、感光ドラム100の回転駆動を停止する。そして、ステップS10において、コントローラ600は、画像形成装置1の表示手段となる図示しない操作パネルに設けられた表示画面に警告灯を点灯する。そして、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に対して正常に装着されていない旨の未装着表示を行なう。
そして、画像形成装置1の作像動作の実行が禁止された状態に保たれる。警告灯は、プロセスカートリッジ200の装着が不完全状態であること、または、プロセスカートリッジ200が装着忘れであることをユーザに認識させ、装着のやり直し、または忘れたプロセスカートリッジ200の装着を促す。
次にステップS11において、コントローラ600は、以下の内容を判断する。即ちユーザによるプロセスカートリッジ200の装着のやり直し、または装着忘れのプロセスカートリッジ200の装着により画像形成装置1本体に対してプロセスカートリッジ200が正しく再装着されたか否かを判断する。
このとき、前記ステップS5と同様に、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200の有無検知モード中の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vと、記憶部620に記憶された閾値電圧Vsとを比較する。そして、帰還電圧Vが閾値電圧Vs以上になった場合には、コントローラ600は、画像形成装置1本体に対してプロセスカートリッジ200が正しく装着されたと判断する。そして、前記ステップS2に戻り、前記ステップS2〜S7に進んで、その後のプリントスタート信号の入力に基づいて作像プロセス実行動作が開始される。
本実施形態では、帯電バイアス電源回路500による帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加開始時刻t0にコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した値を閾値電圧Vsに設定する。更に、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に以下の制御を行なう。
コントローラ600の出力ポート600aから出力される図5に示すサンプリング制御信号Goの出力タイミングからコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。即ち、コントローラ600によりサンプリングした帰還電圧Vと閾値電圧Vsとを比較してプロセスカートリッジ200の有無状態を判断するタイミングが複数設けられる。
コントローラ600は、図5に示すサンプリング制御信号Goの出力開始時刻t0から所定時間T1だけコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にプロセスカートリッジ200が有りと判定した時点で検知動作を終了する。プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にプロセスカートリッジ200が有りと判断されない場合はプロセスカートリッジ200が無しと判断する。
図4はプロセスカートリッジ200の有無検知を実行するフローチャートであり、図5はプロセスカートリッジ200の有無検知を実行するタイムチャートである。図4のステップS21において、コントローラ600は以下のタイミングでプロセスカートリッジ200の有無検知動作を発動する。即ち、画像形成装置1の電源立ち上げ時、或いは、プロセスカートリッジ200の交換や記録材Pの補充やジャム処理等を行うための図示しない外装扉がクローズされたとき等にプロセスカートリッジ200の有無検知動作を発動する。
ステップS22において、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200の有無検知動作用に帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加するために出力ポート600aからサンプリング制御信号Goを出力する。
そして、ステップS23において、帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加している間、コントローラ600は、帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを行う。そして、ステップS24において、コントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した値を閾値電圧Vsに設定する。そして、帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行なう。
尚、本実施形態において、初期の帰還電圧Vは、サンプリング開始時刻t0で検知された帰還電圧Vである。また、本実施形態において、加算する所定の電圧値は、帯電ローラ700から感光ドラム100に流れる電流が50μA相当分の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vである。
コントローラ600は、帰還電圧Vのサンプリング開始時刻t0から経過する時間をタイマ600gによりカウントしており、ステップS25において、予め設定したサンプリング時間(本実施形態では400msec)T1が経過したか否かを判断する。前記ステップS25において、予め設定したサンプリング時間T1が経過したらステップS26に進み、帰還電圧Vのサンプリングを行なう。前記ステップS25において、予め設定したサンプリング時間T1が経過するまでは、前記ステップS23に戻って、前記ステップS23〜S25を繰り返す。
帰還電圧Vのサンプリングは、帯電バイアス電源回路500から帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加している間、連続して行なわれている。次に、ステップS27において、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にサンプリングした帰還電圧Vと閾値電圧Vsとを比較する。
前記ステップS27において、帰還電圧Vが閾値電圧Vsを超えた場合、ステップS28に進み、その時点でプロセスカートリッジ200が有ると判断してプリント待ち状態とする。次に、ステップS30に進んで、帰還電圧Vのサンプリング終了後は、コントローラ600の出力ポート600aから出力されるサンプリング制御信号Goを停止する。
即ち、コントローラ600は、予め設定したサンプリング時間中に帰還電流検知回路2により検知した検知情報としての帰還電圧Vがプロセスカートリッジ200の有無状態を判断する閾値電圧Vsよりも大きい。そのときにプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されていると判断する。
逆に、前記ステップS27において、帰還電圧Vが閾値電圧Vsを超えない場合は、ステップS29に進む。そして、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着であると判断し、図示しない表示手段によりプロセスカートリッジ200が無い旨をユーザに報知する。次に、ステップS30に進んで、帰還電圧Vのサンプリング終了後は、コントローラ600の出力ポート600aから出力されるサンプリング制御信号Goを停止する。
本実施形態では、コントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した値を閾値電圧Vsとして設定する。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に図5に示すサンプリング制御信号Goの出力開始タイミングからコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを複数回繰り返し行う。
図2に示すように、コントローラ600は、出力ポート600aと、帰還電圧入力ポート600bとの2つの端子を備える。出力ポート600aは帯電バイアス電源回路500にサンプリング制御信号Goを出力する。帰還電圧入力ポート600bは帰還電流検知回路2によりサンプリングした帰還電圧Vをコントローラ600に入力する。
図5に示すように、プロセスカートリッジ200の有無を判断する判断手段となるコントローラ600は、以下の通り閾値電圧Vsを変更する。電流検知手段となる帰還電流検知回路2により検知した検知電流に対応する帰還電圧Vに基づいてプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体(画像形成装置本体)に装着されたと判断する閾値電流に対応する閾値電圧Vsを変更する。
具体的には、電圧印加手段となる帯電バイアス電源回路500による帯電手段となる帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加(電圧印加)の開始時に帰還電流検知回路2により電流値を検知する。その電流値に所定の電流値を加算した閾値電流に対応する閾値電圧Vsに変更する。
即ち、コントローラ600は、最初に帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700へ帯電バイアス電圧Vtを印加した直後、帰還電流検知回路2により検知電流を検知する。その検知電流に対応する帰還電圧Vの電圧値に所定の電圧値を加算したものをプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsとして変更した後、記憶手段となる記憶部620に記憶する。
コントローラ600は、電流検知手段となる帰還電流検知回路2が検知する電流値に基づいてプロセスカートリッジ200の装着(プロセスカートリッジ装着)の有無を判断する検知電流の閾値を変更する。
本実施形態では、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に出力ポート600aからのサンプリング制御信号Goの出力タイミング(図5の時刻t0)から帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。そして、図5の時刻t1,t2に示すように、そのサンプリングした帰還電圧Vとプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsとを比較してプロセスカートリッジ200の有無を判断するタイミングを複数有する特徴をもつ。
ここでは、出力ポート600aからのサンプリング制御信号Goの出力開始(図5の時刻t0)から所定時間だけ帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にプロセスカートリッジ200が有ると判定する。その時点でプロセスカートリッジ200の有無検知動作を終了する。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にプロセスカートリッジ200が有ると判定されないときにプロセスカートリッジ200が無いと判定する。
ここで、プロセスカートリッジ200の有無を判断するタイミングを複数有するというのは以下の通りである。プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内で行われた帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリング回数を複数回行なう。そのサンプリングした帰還電圧Vがプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsを超えた時点でプロセスカートリッジ200が有ると判断する。
図5に示すように、画像形成装置1が使用される環境温度が15℃、30℃のときは、閾値電圧Vs2を用いて図5に示す時刻t1でプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。また、画像形成装置1が使用される環境温度が0℃のときは変更後の閾値電圧Vs3を用いて図5に示す時刻t2(>t1)でプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。
図5に示す帰還電圧Vc(30℃)、Vc(15℃)、Vc(0℃)は以下の通りである。プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている際に画像形成装置1が使用される環境温度が30℃、15℃、0℃のときにそれぞれ帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vcである。また、図5に示す帰還電圧Voは、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である場合に帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Voである。
図5に示す閾値電圧Vs1は、帰還電圧Vc(30℃)と帰還電圧Vc(15℃)との間に設定された閾値電圧Vsである。閾値電圧Vs2は、帰還電圧Vc(15℃)と帰還電圧Vc(0℃)との間に設定された閾値電圧Vsである。閾値電圧Vs3は、帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの間に設定された閾値電圧Vsである。
そして、画像形成装置1が使用される環境温度が15℃、30℃のときに時刻t1においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。その場合には、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs1,Vs2,Vs3とを適宜比較して温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。
また、画像形成装置1が使用される環境温度が0℃のときに時刻t2においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。その場合には、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs1,Vs2,Vs3とを適宜比較して温度が0℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。
図5に示すように、画像形成装置1が使用される環境温度が0℃のときに時刻t1においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する場合を考える。その場合、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている帰還電圧Vc(0℃)と、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である帰還電圧Voとの差電圧が小さい。このため閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが困難である。
そこで、画像形成装置1が使用される環境温度が0℃のときに時刻t2(>t1)においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。これによりプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている帰還電圧Vc(0℃)と、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である帰還電圧Voとの差電圧が大きくなる。このため閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが容易にできる。
本実施形態では、コントローラ600が以下の変更手段を兼ねる。コントローラ600は温度検知回路3により検知した検知情報となる帰還電圧Vに基づいてプロセスカートリッジ200の有無状態を判断する閾値電圧Vsを以下の通り変更する。最初に帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700へ帯電バイアス電圧Vtを印加した直後、帰還電流検知回路2により検知電流を検知する。その検知電流に対応する帰還電圧Vの電圧値に所定の電圧値を加算したものをプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsとして変更する。
即ち、図5に示す時刻t1では、閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが困難である。従って、閾値電圧Vs3を使用せず、閾値電圧Vs1,Vs2のみを使用する。そして、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs1,Vs2とを適宜比較して温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。
また、図5に示す時刻t2(>t1)では、閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが容易である。従って、閾値電圧Vs3を使用して帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs3とを比較して温度が0℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。
これによりコントローラ600は、より早い時刻t1において、温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。これによりプロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作をより早く終了させることが出来る。そして、プロセスカートリッジ200の有無状態を精度良く検知出来、検知時間を最小限に抑制することが可能となる。
本発明者らはキヤノン株式会社製のIR3045(商品名)に本実施形態を適用して低温環境下(温度が0℃/湿度が30%)でプロセスカートリッジ200の有無検知動作を行った。
画像形成装置1本体からプロセスカートリッジ200を脱離した状態で、画像形成装置1の電源を立ち上げる。或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時刻から400msec後にプロセスカートリッジ200が無い旨が操作パネル上に報知される。そして、画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200を装着した状態で画像形成装置1の電源を立ち上げるか、或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時刻から40msec後にプロセスカートリッジ200が有ることが検知され、通常のイニシャル動作に移行することが確認できた。
また複数回、同様の確認試験を行ったが、低温環境下(温度が0℃/湿度が30%)で使用される画像形成装置1でプロセスカートリッジ200の有無状態の誤検知は発生しなかった。温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作については従来よりも早く検知することが確認できた。
図5に示すように、低温環境下(温度が0℃/湿度が30%)で使用される画像形成装置1のプロセスカートリッジ200の有無状態を判断するための帰還電流Iが顕著に低下する。
この現象に対して、プロセスカートリッジ200の有無検知動作中に帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtの印加を開始する。その直後から帰還電流検知回路2により検知した帰還電圧Vによりプロセスカートリッジ200の有無状態を判断するタイミングを変更する。
そして、帰還電圧Vと比較してプロセスカートリッジ200の有無状態を判断するための閾値電圧Vsを異なるタイミング毎に異なる閾値電圧Vsに変更する。これによりプロセスカートリッジ200の有無状態の誤検知を防止しながら検知時間を必要最小限にすることが可能となる。
また、本発明者らはキヤノン株式会社製のIR3045(商品名)に本実施形態を適用して高温高湿環境下(温度が30℃/湿度が80%)でプロセスカートリッジ200の有無検知動作を行った。
画像形成装置1本体からプロセスカートリッジ200を脱離した状態で、画像形成装置1の電源を立ち上げる。或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時刻から400msec後にプロセスカートリッジ200が無い旨が操作パネル上に報知された。
画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200を装着した状態で、画像形成装置1の電源を立ち上げるか、或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時刻から8msec後にプロセスカートリッジ200が有ることが検知され、通常のイニシャル動作に移行することが確認できた。
また複数回、同様の確認試験を行ったが、高温高湿環境下(温度が30℃/湿度が80%)で使用される画像形成装置1でプロセスカートリッジ200の有無状態の誤検知は発生しなかった。温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作については従来よりも早く検知することが確認できた。
<プロセスカートリッジの使用状態の検知>
尚、前記実施形態では、プロセスカートリッジ200の状態として、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されているか否かについての判断を行った一例である。他に、画像形成装置1本体に装着されたプロセスカートリッジ200が未使用(新品)であるか使用開始後(旧品)であるかの判断も可能である。
即ち、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着される。その際に該プロセスカートリッジ200が未使用(新品)ではなく使用開始後(旧品)の場合は、感光ドラム100と帯電ローラ700とが当接している。このため感光ドラム100と帯電ローラ700との間で電流が流れ易くなり、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520に流れる帰還電流Iuが最も大きくなる。このため、使用開始後(旧品)のプロセスカートリッジ200が装着された場合に該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vuは最も大きい。
一方、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着され、その際に該プロセスカートリッジ200が未使用(新品)の場合は、図示しない接離手段により感光ドラム100と帯電ローラ700とが離間されている。このため感光ドラム100と帯電ローラ700との間で電流が流れ難くなり、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520に流れる帰還電流Inは使用開始後(旧品)のプロセスカートリッジ200が装着された場合の帰還電流Iuよりも小さくなる。
従って、未使用(新品)のプロセスカートリッジ200が装着された場合に該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vnは、以下の通りである。即ち、使用開始後(旧品)のプロセスカートリッジ200が装着された場合に該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vuよりも小さい。
また、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着の場合は、感光ドラム100と帯電ローラ700との間で電流が流れることはなく、帰還電流検知回路2に設けられた抵抗520に流れる帰還電流Ioは極めて小さい。従って、該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Voは、未使用(新品)のプロセスカートリッジ200が装着された場合に該抵抗520の両端部に発生する帰還電圧Vnよりも更に小さい。
上記の理由から帰還電圧Vu,Vn,Voの関係は以下の数2式に示す通りである。
[数2]
Vu>Vn>Vo
そして、帰還電流検知回路2により検知した検知情報に基づいてプロセスカートリッジ200の新/旧状態と、装着/未装着状態とを判断する閾値電圧Vs4,Vs5を以下の通り設定する。
即ち、帰還電圧Vuと、帰還電圧Vnと、帰還電圧Voとのそれぞれの間に設定する。帰還電圧Vuは使用開始後(旧品)のプロセスカートリッジ200が装着されている場合の帰還電圧Vである。帰還電圧Vnは未使用(新品)のプロセスカートリッジ200が装着されている場合の帰還電圧Vである。帰還電圧Voはプロセスカートリッジ200が未装着の場合の帰還電圧Vである。
閾値電圧Vs4,Vs5と帰還電圧Vu,Vn,Voとの関係は、以下の数3式で表わされる。
[数3]
Vo<Vs4<Vn<Vs5<Vu
<転写手段と像担持体との間に流れる帰還電流検知>
尚、前記実施形態では、帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加する。その際に感光ドラム100との間に流れる電流に対応する帰還電流Iが抵抗520に流れた際に該抵抗520の両端に発生する帰還電圧Vを帰還電流検知回路2により検知した。
他に、電圧印加手段となる転写バイアス電源回路により転写手段となる転写ローラ800に転写バイアス電圧を印加する。その際に感光ドラム100との間に流れる電流に対応する帰還電流Iが帰還電流検知回路2と同様に構成される電流検知手段の抵抗520に流れる。その際に該抵抗520の両端に発生する帰還電圧Vを検知することも出来る。そして、その帰還電圧Vと、予め設定された閾値電圧Vsとを同様に比較してプロセスカートリッジ200の新/旧状態と、装着/未装着状態とを判断することが出来る。
次に、図6〜図9を用いて本発明に係る画像形成装置の第2実施形態の構成について説明する。尚、前記第1実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。
前記第1実施形態では、画像形成装置1が設置される環境温度に関係なく、プロセスカートリッジ200の有無状態を判断する閾値電圧Vsを以下の通り変更した。最初に帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700へ帯電バイアス電圧Vtを印加した直後、帰還電流検知回路2により検知電流を検知する。その検知電流に対応する帰還電圧Vの電圧値に所定の電圧値を加算したものをプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsとして変更する一例について説明した。
本実施形態では、温度検知手段となる温度検知回路3により検知した画像形成装置1が設置される環境温度が所定温度よりも高い場合は閾値電圧Vsを以下の通り変更する。電流検知手段となる帰還電流検知回路2により検知した検知電流に対応する帰還電圧Vに基づいてプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されたと判断する閾値電流に対応する閾値電圧Vsを以下の通り変更する。予め設定された固定の閾値電流に対応する閾値電圧Vsに変更する一例について説明する。
本実施形態では、図6及び図7に示すように、画像形成装置1本体内(画像形成装置の本体内)または画像形成装置1本体外(画像形成装置の本体外)のうちの少なくとも何れか一方の温度を検知する温度検知手段となる温度検知回路3を有する。本実施形態の温度検知回路3は画像形成装置1本体内の温度を検知する一例を示す。
図7に示すように、コントローラ600は、出力ポート600aと、帰還電圧入力ポート600bと、温度入力ポート600hとの3つの端子を備える。出力ポート600aは帯電バイアス電源回路500にサンプリング制御信号Goを出力する。帰還電圧入力ポート600bは帰還電流検知回路2によりサンプリングした帰還電圧Vをコントローラ600に入力する。温度入力ポート600hは温度検知回路3により検知した温度情報をコントローラ600に入力する。
温度検知回路3内には、画像形成装置1本体内の温度を検知する温度検知部1101が設けられている。温度検知部1101は、サーミスタ1102と抵抗1103とが直列に接続される。抵抗1103のサーミスタ1102に接続されない側の端子は、電源ラインVccに接続される。サーミスタ1102の抵抗1103に接続されない側の端子はアース(GND)に接続されている。電源ラインVccが抵抗1103とサーミスタ1102とにより分圧され、その分圧端子1104がコントローラ600の温度入力ポート600hに接続される。
サーミスタ1102は温度に対応して抵抗値が変化する。これにより、コントローラ600は温度入力ポート600hに入力される分圧端子1104の電圧を参照することによって画像形成装置1本体内の温度を検知することができる。尚、分圧端子1104の電圧と、温度との変換テーブルは予めコントローラ600の記憶部620に記憶されている。
本実施形態では、温度検知手段となる温度検知回路3により検知した温度が所定温度(0℃)よりも高い場合がある。その場合は、帰還電流検知回路2により検知した検知情報に基づいてプロセスカートリッジ200の装着/未装着状態を判断する閾値電圧Vsを所定の共通の固定値からなる閾値電圧Vsとする。
そして、温度検知回路3により検知した温度が所定温度(0℃)以下(所定温度以下)の場合がある。その場合は、変更手段となるコントローラ600は、帰還電流検知回路2により検知した検知情報に基づいてプロセスカートリッジ200の装着/未装着状態を判断する閾値電圧Vsを異なるタイミング毎に異なる閾値電圧Vsに変更する。
温度検知回路3により0℃以下(低温)を検知した際は、コントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した値を閾値電圧Vsに設定する。
即ち、温度検知回路3により検知した温度が所定温度(0℃)以下の場合は、閾値電圧Vsは以下の通り設定する。即ち、帯電バイアス電源回路500による帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加開始時(電圧印加の開始時)に帰還電流検知回路2により検知した検知情報となる帰還電流I(電流値)が流れる。その帰還電流Iに、所定の電流値を加算した値の電流が抵抗520に流れた際に該抵抗520の両端に発生する帰還電圧Vnに対応する閾値電圧Vsに設定される。
温度検知回路3により0℃よりも高い温度を検知した際は、0℃よりも高い温度で共通の固定値を閾値電圧Vsとして設定する。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に図9に示すサンプリング制御信号Goの出力タイミングからコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。
コントローラ600は、帰還電流検知回路2によりサンプリングした帰還電圧Vと、閾値電圧Vsとを比較してプロセスカートリッジ200の有無状態を判断するタイミングを複数有する。本実施形態では、図9に示すサンプリング制御信号Goの出力開始時刻t0から所定のサンプリング時間T1だけコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを繰り返し行う。
そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200が装着されていると判断した時点で検知動作を終了する。そして、プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内に画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200が装着されていると判断されない場合はプロセスカートリッジ200が未装着であると判断する。
本実施形態では、コントローラ600は、帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700への帯電バイアス電圧Vtの印加(電圧印加)を開始してから一定間隔毎にプロセスカートリッジ200の有無状態を判断する。そして、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されていると判断した時点でプロセスカートリッジ200の有無状態を判断する動作を終了する。
そして、コントローラ600は、帰還電流検知回路2により帰還電圧Vをサンプリングする複数のタイミングのうち、少なくとも2回以上で且つ所定の回数以内にプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されていないことを検知する。そのとき、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されていないと判断する。
次に、図8及び図9を用いて本実施形態におけるコントローラ600がプロセスカートリッジ200の有無を検知するときの制御について説明する。図8は本実施形態においてプロセスカートリッジ200の有無検知を行う様子を示すフローチャートであり、図9は本実施形態においてプロセスカートリッジ200の有無検知を行う様子を示すタイムチャートである。
図8のステップS41において、画像形成装置1の電源立ち上げ時、或いは、プロセスカートリッジ200の交換や記録材Pの補充やジャム処理等を行うための図示しない外装扉がクローズされる。そのときにコントローラ600はプロセスカートリッジ200の有無検知動作を発動する。
ステップS42において、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200の有無動作用のサンプリング制御信号Goを出力して帯電バイアス電源回路500を駆動し、帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtを印加する。これと同時にステップS43において、温度検知部1101により測定され、温度入力ポート600hに入力される画像形成装置1本体内部の温度情報を読み取る。
次に、ステップS44において、温度入力ポート600hに入力される検知温度が予め設定された温度範囲(本実施形態では、検知温度≦0℃の温度範囲であるか、或いは、0℃<検知温度の温度範囲であるか)のどの範囲に含まれるかを判断する。
これと同時に、ステップS45,S53において、帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtが印加される。その間、コントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを行う。そして、ステップS46,S54において、それぞれプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsの設定を適宜行う。
前記ステップS44において、検知温度≦0℃の場合は、ステップS45,S46に進む。そして、閾値電圧Vsは、コントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した値を閾値電圧Vsに設定する。
尚、本実施形態では、初期の帰還電圧Vはサンプリング開始時刻t0の帰還電圧Vである。また、加算する所定の電圧値は帯電ローラ700から感光ドラム100に50μAの電流が流れた場合に相当する帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vである。
また、前記ステップS44において、0℃<検知温度の場合は、ステップS53,S54に進む。閾値電圧Vsは、0℃<検知温度の範囲で共通の固定値(本実施形態では1.6V)をプロセスカートリッジ200の有無検知を行うための閾値電圧Vsに設定する。
コントローラ600は、温度検知手段となる温度検知回路3により検知した温度が所定温度(0℃)よりも高い場合は、検知電流の閾値を、予め設定されている閾値にする。
そして、ステップS47,S55において、それぞれコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vのサンプリングを所定のサンプリング時間T1(本実施形態では400msec)だけ繰り返し行う。そして、所定のサンプリング時間T1が経過したらステップS48,S56に進んで、帰還電圧Vのサンプリングを行なう。
帰還電圧Vのサンプリングは、帯電ローラ700に帯電バイアス電圧Vtが印加されている間は連続して行なわれている。プロセスカートリッジ200の有無検知動作の発動時間内にステップS49では、帰還電圧Vと、前記ステップS46で設定した閾値電圧Vsとを比較する。また、ステップS57では、帰還電圧Vと、前記ステップS54で設定した閾値電圧Vsとを比較する。
そして、前記ステップS49,S57において、それぞれ、帰還電圧Vがそれぞれの閾値電圧Vsを超えた場合、ステップS50,S58にそれぞれ進む。その時点でコントローラ600は、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されていると判断する。そして、ステップS51,S59に進んで、コントローラ600の出力ポート600aからサンプリング制御信号Goの出力を停止し、プリント待ち状態とする。
前記ステップS49,S57において、帰還電圧Vがそれぞれの閾値電圧Vs以下の場合には、ステップS52,S60に進み、コントローラ600は、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着であると判断する。そして、図示しない操作パネル等の表示手段を用いてユーザにプロセスカートリッジ200が無い旨を報知する。その後、前記ステップS51,S59に進んで、帰還電圧Vのサンプリング終了後はサンプリング制御信号Goを停止する。
本実施形態においても図9に示すように、プロセスカートリッジ200の有無を判断するタイミングを温度検知回路3により検知した温度によって異なるタイミングとする。即ち、コントローラ600は、温度検知回路3により検知した温度が15℃、30℃のときは図9に示す時刻t1でプロセスカートリッジ200の有無を判断する。また、温度検知回路3により検知した温度が0℃のときは図9に示す時刻t2(>t1)でプロセスカートリッジ200の有無を判断する。
図9に示す帰還電圧Vc(30℃)、Vc(15℃)、Vc(0℃)は以下の通りである。即ち、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている際に温度検知回路3により検知した温度が30℃、15℃、0℃のときにそれぞれ帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vcである。また、図9に示す帰還電圧Voは、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である場合に帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Voである。
図9に示す閾値電圧Vs6は、前記ステップS54において、0℃<検知温度の範囲で共通の固定値(本実施形態では1.6V)に設定された閾値電圧Vsであり、帰還電圧Vc(15℃)と帰還電圧Vc(0℃)との間に設定される。
図9に示す閾値電圧Vs3は以下の通りである。前記ステップS46において、検知温度≦0℃の範囲でコントローラ600の帰還電圧入力ポート600bに入力された初期の帰還電圧Vに所定の電圧値を加算した閾値電圧Vsであり、帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの間に設定される。
尚、本実施形態では、初期の帰還電圧Vはサンプリング開始時刻t0の帰還電圧Vである。また、加算する所定の電圧値は帯電ローラ700から感光ドラム100に50μAの電流が流れた場合に相当する帰還電圧入力ポート600bに入力される帰還電圧Vである。
そして、温度検知回路3により検知した温度が15℃、30℃のときに時刻t1においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。その場合には、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs6,Vs3とを適宜比較して温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。
また、温度検知回路3により検知した温度が0℃のときに時刻t2においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。その場合には、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs6,Vs3とを適宜比較して温度が0℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断することが出来る。
図9に示すように、温度検知回路3により検知した温度が0℃のときに時刻t1においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する場合を考える。その場合、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている帰還電圧Vc(0℃)と、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である帰還電圧Voとの差電圧が小さい。このため閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが困難である。
そこで、温度検知回路3により検知した温度が0℃のときに時刻t2(>t1)においてプロセスカートリッジ200の有無を判断する。すると、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に正常に装着されている帰還電圧Vc(0℃)と、プロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に未装着である帰還電圧Voとの差電圧が大きくなる。このため閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが容易にできる。
本実施形態では、コントローラ600が以下の変更手段を兼ねる。即ち、温度検知回路3により検知した検知情報となる帰還電圧Vに基づいてプロセスカートリッジ200の有無状態を判断する閾値電圧Vsを以下の通り変更する。温度検知回路3により検知した温度情報に基づいて所定の温度以下であれば前記第1実施形態と同様に以下の通り変更する。最初に帯電バイアス電源回路500により帯電ローラ700へ帯電バイアス電圧Vtを印加した直後、電流検知手段となる帰還電流検知回路2により検知電流を検知する。その検知電流に対応する帰還電圧Vの電圧値に所定の電圧値を加算したものをプロセスカートリッジ200の有無を検知する閾値電圧Vsとして変更する。また、所定の温度よりも高い場合は、帰還電流検知回路2により検知した検知電流に対応する帰還電圧Vに基づいてプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されたと判断する閾値電圧Vsを、予め設定された固定の閾値電圧Vsに変更する。
即ち、図9に示す時刻t1では、閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが困難である。従って、閾値電圧Vs3を使用せず、閾値電圧Vs6のみを使用する。そして、帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs6とを適宜比較して温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。
また、図9に示す時刻t2(>t1)では、閾値電圧Vs3を用いて帰還電圧Vc(0℃)と帰還電圧Voとの違いを判別することが容易である。従って、閾値電圧Vs3を使用して帰還電流検知回路2により検知された帰還電圧Vと、閾値電圧Vs3とを比較して温度が0℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。
これによりコントローラ600は、より早い時刻t1において、温度が15℃、30℃におけるプロセスカートリッジ200の有無を判断する。これによりプロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作をより早く終了させることが出来る。そして、プロセスカートリッジ200の有無状態を精度良く検知出来、検知時間を最小限に抑制することが可能となる。
本実施形態は、温度検知回路3により検知した画像形成装置1本体内の温度に応じて閾値電圧Vsを変更する。これにより画像形成装置1が高温高湿の環境で使用される場合は、ノイズ成分のS/N比を高めに設定して誤検知を防止しながら、より早くプロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作を終了させることが出来る。
また、画像形成装置1が低温低湿の環境で使用される場合は、誤検知を防止しながら、プロセスカートリッジ200の有無状態の検知動作にかかる時間を最小限に制御することが可能となる。
本実施形態では、画像形成装置1が使用される環境温度として、0℃以下という超低温環境で帯電ローラ700の抵抗が急激に上昇したときでもプロセスカートリッジ200の有無状態を誤差なく最短で確実に検知することが出来る。図9に示すように、画像形成装置1が使用される環境温度が0℃よりも高い場合は、0℃以下の超低温環境と比べて感光ドラム100に流れる電流に対応する帰還電圧Vcの上昇の仕方もある程度急峻な傾きをもっている。このため予め設定された固定の閾値電圧Vs6(ここでは1.6V)にしていてもサンプリング時間T1内に確実にプロセスカートリッジ200の有無の検知をすることが可能である。
図9において、時刻t1は、プロセスカートリッジ200の有無検知発動時間(ここでは400msec)で、時刻t2は、プロセスカートリッジ200の有無検知が確実に検知可能な時間の一例である。図9において画像形成装置1が使用される環境温度が0℃よりも高い温度では以下の通りである。
帰還電流検知回路2により検知した検知電流に対応する帰還電圧Vcによるプロセスカートリッジ200の有無検知が予め設定された固定の閾値電圧Vs6(ここでは1.6V)を用いて確実に検知可能である。プロセスカートリッジ200の有無検知発動時間(ここでは400msec)である時刻t1までに検知可能である。
キヤノン株式会社製のIR3045(商品名)に本実施形態を適用して、低温低湿環境下(気温が0℃/湿度が30%)でプロセスカートリッジ200の有無の検知動作確認を行った。プロセスカートリッジ200を抜いた状態で画像形成装置1の電源を立ち上げるか、或いは、図示しない外装扉をクローズした時点から400msecが経過した時点でプロセスカートリッジ200が無い旨が報知された。
また、画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200を装着した状態で画像形成装置1の電源を立ち上げる。或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時点から56msecが経過した時点でプロセスカートリッジ200が画像形成装置1本体に装着されたことが検知され、通常のイニシャル動作に移行することが確認できた。
また複数回、同様の確認試験を行ったが、誤検知は発生せず、プロセスカートリッジ200が装着されている場合の検知動作を従来よりも早く検知することが確認できた。
また、キヤノン株式会社製のIR3045(商品名)に本実施形態を適用して、高温高湿環境下(気温が30℃/湿度が80%)でプロセスカートリッジ200の有無の検知動作確認を行った。プロセスカートリッジ200を抜いた状態で画像形成装置1の電源を立ち上げるか、或いは、図示しない外装扉をクローズした時点から400msecが経過した時点でプロセスカートリッジ200が無い旨が報知された。
また、画像形成装置1本体にプロセスカートリッジ200を装着した状態で画像形成装置1の電源を立ち上げる。或いは、図示しない外装扉をクローズする。その時点から8msecが経過した時点でプロセスカートリッジ200が装着されていることが検知され、通常のイニシャル動作に移行することが確認できた。
また複数回、同様の確認試験を行ったが、誤検知は発生せず、プロセスカートリッジ200が装着されている場合の検知動作を従来よりも早く検知することが確認できた。他の構成は前記第1実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
Vs …閾値電圧
1 …画像形成装置
2 …帰還電流検知回路(電流検知手段)
100 …感光ドラム(像担持体)
200 …プロセスカートリッジ
500 …帯電バイアス電源回路(電圧印加手段)
600 …コントローラ(制御手段;判断手段;変更手段)
700 …帯電ローラ(帯電手段)

Claims (4)

  1. 静電潜像が形成される像担持体を有するプロセスカートリッジを着脱自在に装着する画像形成装置であって、
    前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
    前記像担持体の表面に形成されたトナー像を転写材に転写する転写手段と、
    前記帯電手段または前記転写手段に電圧を印加する電圧印加手段と、
    前記電圧印加手段により前記帯電手段または前記転写手段に電圧を印加した際に前記像担持体に流れる電流を検知する電流検知手段と、
    前記電流検知手段の検知情報に基づいて前記プロセスカートリッジの状態を判断する判断手段と、
    を有し、
    前記判断手段は、
    前記電流検知手段が検知する電流値に基づいて、前記プロセスカートリッジ装着の有無を判断する検知電流の閾値を変更することを特徴とする画像形成装置。
  2. 前記画像形成装置の本体内または前記画像形成装置の本体外のうちの少なくとも何れか一方の温度を検知する温度検知手段を有し、
    前記判断手段は、
    前記温度検知手段により検知した温度が所定温度よりも高い場合は、前記検知電流の閾値を、予め設定されている閾値にすることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
  3. 前記判断手段は、前記電圧印加手段により前記帯電手段または前記転写手段への電圧印加を開始してから一定間隔毎に前記プロセスカートリッジの状態を判断し、前記プロセスカートリッジが画像形成装置に装着されていると判断した時点で前記プロセスカートリッジの状態を判断する動作を終了し、
    複数のタイミングのうち、少なくとも2回以上で且つ所定の回数以内に前記プロセスカートリッジが画像形成装置に装着されていないことを検知したとき、前記プロセスカートリッジが画像形成装置に装着されていないと判断することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の画像形成装置。
  4. 前記像担持体と前記帯電手段との接離状態を検知する接離検知手段を有し、
    前記判断手段は、前記接離検知手段により検知した検知情報に基づいて前記プロセスカートリッジの新旧状態を判断することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の画像形成装置。
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