JP2015143700A - X線イメージングの方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微小ビームを作製してXYスキャンを行う方法によらず、通常のX線反射率法において用いられるものと同じサイズのビームを用い、数学的な画像再構成のアルゴリズムによって、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布の画像が得られる。
【選択図】図2
Description
第2には、前記フィルター補正逆投影法は、次式により、画像再構成を行うことを特徴とする。
式中、q(X,θ)は、実験的に得られたP(X,θ)に対し、フィルター関数をコンボリューションして得られる補正データである。 第3には、薄膜・多層膜の表面または特定層の密度又は膜厚の面内の不均一分布を画像化する方法を、第4には、薄膜・多層膜の表面または特定界面のラフネスの不均一分布を画像化する方法を採用した。
また、第5には、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布をX線反射率法により取得し画像化する装置であって、一方向に長く他方向には短い線状の単色X線ビームを供給するX線源およびモノクロメータ、試料上で全反射現象を生じさせ、その反射率を測定することを可能とするためのθ/2θゴニオメータおよびスリットおよび付属調整機構、試料を面内回転させる回転ステージ、反射スポット内部の強度プロファイルを測定することのできる位置敏感型X線検出器、及び、記録・集積された強度プロファイルを用いて画像再構成演算を行う演算装置により構成されている。そして、前記θ/2θゴニオメータによって前記試料の面内回転を0度から180度まで細かい刻みで行い、その都度前記位置敏感型X線検出器によって前記一次元の強度プロファイルの測定を繰り返して、前記試料で観測される反射スポット内部に観測されるX線強度プロファイルデータを多数取得すると共に、前記演算装置によって、当該X線強度プロファイルデータを用いたフィルター補正逆投影法による再構成を行うように構成されたことを特徴とする。
第6には、前記フィルター補正逆投影法は、次式により画像再構成を行うことを特徴とする。
式中、q(X,θ)は、実験的に得られたP(X,θ)に対し、フィルター関数をコンボリューションして得られる補正データである。 第7には、読み取り装置内蔵型イメージングプレートを検出器として用いる装置を、第8には、薄膜・多層膜の表面または特定層の密度又は膜厚の面内の不均一分布を画像化する装置を、第9には、薄膜・多層膜の表面または特定界面のラフネスの不均一分布を画像化する装置を提供する。
不均一な試料では、同じ角度で入射したX線に対する反射率が、試料の地点ごとに異なっている。その違いを画像データとして得ることが本願発明技術の目的である。円盤状の試料を仮定し、円盤の中心を原点とする座標を描き、任意の点(x,y)における反射率がR(x,y)であるとするとき、本願発明技術は、(x,y)の地点を1点ずつ微小ビームで調べることによりR(x,y)の画像を得るのではなく、大きな面積を照射しつつも、最終的に同等のR(x,y)の画像を得ようとするものである。
のように書ける。
である。位置分解能のあるX線検出器により反射強度の場所依存性を測定する、すなわち、Xの関数として反射強度のプロファイルを測定することにすると、得られるデータは
のように表現される。角度θを0度から180度まで少しずつ変化させながら、このような1次元プロファイルを収集する。
であれば、よく知られたフィルター補正逆投影法により
のようにして画像再構成を行うことができる。ここで、q(X,θ)は、実験的に得られたP(X,θ)に対し、フィルター関数をコンボリューションして得られる補正データである。フィルター関数としては、例えば、Ramachandran 関数などが用いられる。
図6に、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜試料の例として、平坦・平滑な基板(例えばシリコンやガラス基板)上の特定部分に金属(例えば金やニッケル)を付着させパターン薄膜としたものを示す。このような試料では、金属が付着している部分とそうでない部分では、反射率が異なる。そのため、反射スポット内部の強度分布は一様にはならない。反射率は臨界角よりも低角側では100%に近い高い値を持つが、臨界角より高角側ではきわめて小さな値になる。その臨界角は物質によって異なるので、視射角を金属部分と基板部分のそれぞれの臨界角の中間に選ぶと、それぞれの部分の反射率は非常に異なる。
2 試料
3 位置敏感型検出器
4 面内回転ステージ
5 単色X線源
6 入射スリット
7 θ回転ステージ
8 2θ回転ステージ
9 ソーラースリット
Claims (9)
-
物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布をX線反射率法により取得し画像化する方法であって、
一方向に長く他方向には短い線状の単色X線ビームの全反射現象が生じている条件で、試料の一次元の強度プロファイルを測定すると共に、前記試料の面内回転を0度から180度まで細かい刻みで行い、その都度前記一次元の強度プロファイルの測定を繰り返して、前記試料で観測される反射スポット内部に観測されるX線強度プロファイルデータを多数取得し、
当該X線強度プロファイルデータを用いたフィルター補正逆投影法による再構成を行うこと
を特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する方法。 -
前記フィルター補正逆投影法は、次式により画像再構成を行うことを特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する請求項1に記載の画像化方法。
式中、q(X,θ)は、実験的に得られたP(X,θ)に対し、フィルター関数をコンボリューションして得られる補正データである。 - 請求項1又は2に記載の画像化方法であって、薄膜・多層膜の表面または特定層の密度又は膜厚の面内の不均一分布を画像化する方法。
- 請求項1又は2に記載の画像化方法であって、薄膜・多層膜の表面または特定界面のラフネスの不均一分布を画像化する方法。
-
物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布をX線反射率法により取得し画像化する装置であって、
一方向に長く他方向には短い線状の単色X線ビームを供給するX線源およびモノクロメータ、
試料上で全反射現象を生じさせ、その反射率を測定することを可能とするためのθ/2θゴニオメータおよびスリットおよび付属調整機構、
試料を面内回転させる回転ステージ、
反射スポット内部の強度プロファイルを測定することのできる位置敏感型X線検出器、及び、
記録・集積された強度プロファイルを用いて画像再構成演算を行う演算装置
により構成されると共に、前記θ/2θゴニオメータによって前記試料の面内回転を0度から180度まで細かい刻みで行い、その都度前記位置敏感型X線検出器によって前記一次元の強度プロファイルの測定を繰り返して、前記試料で観測される反射スポット内部に観測されるX線強度プロファイルデータを多数取得すると共に、
前記演算装置によって、当該X線強度プロファイルデータを用いたフィルター補正逆投影法による再構成を行うように構成されたこと
を特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する装置。 -
前記フィルター補正逆投影法は、次式により、画像再構成を行うことを特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する請求項6に記載の画像化装置。
式中、q(X,θ)は、実験的に得られたP(X,θ)に対し、フィルター関数をコンボリューションして得られる補正データである。 -
請求項5又は6に記載の画像化装置であって、読み取り装置内蔵型イメージングプレートを検出器として用いる装置。 - 請求項5又は6に記載の画像化装置であって、薄膜・多層膜の表面または特定層の密度又は膜厚の面内の不均一分布を画像化する装置。
- 請求項5又は6に記載の画像化装置であって、薄膜・多層膜の表面または特定界面のラフネスの不均一分布を画像化する装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
JPH1183766A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-26 | Ricoh Co Ltd | X線反射率測定装置 |
JP2002286658A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Rigaku Corp | X線反射率測定装置およびその方法 |
JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
JPH1183766A (ja) * | 1997-09-04 | 1999-03-26 | Ricoh Co Ltd | X線反射率測定装置 |
JP2002286658A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Rigaku Corp | X線反射率測定装置およびその方法 |
JP2008170236A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | High Energy Accelerator Research Organization | X線及び中性子線の反射率曲線測定方法及び測定装置 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JPN6014054954; 桜井健次 他: 'Visualな中性子・X線反射率法の技術開発' 日本中性子科学会 第9回年会 講演概要集 , 20091209, p.119 * |
JPN6014054957; Atsuo Iida et al.: 'SR x-ray fluorescence imaging by image reconstruction technique' Rev.Sci.Instrum. Vol.60 No.7, 1989, pp.2458-2461 * |
JPN7014003774; 桜井健次 他: 'ヴィジュアルな中性子反射率法の開発' 中性子ビーム利用 JRR-3 平成21年度実施報告 , 201011, 課題番号 2009A-A38 * |
JPN7016000341; A.Gibaud et al.: 'X-ray reflectivity and diffuse scattering' CURRENT SCIENCE Vol.78 No.12, 200006, pp.1467-1477 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10627547B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-04-21 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective film |
US10802178B2 (en) | 2016-03-09 | 2020-10-13 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective film |
US10895667B2 (en) | 2016-03-09 | 2021-01-19 | Lg Chem, Ltd. | Antireflection film |
US10983252B2 (en) | 2016-03-09 | 2021-04-20 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective film |
US11262481B2 (en) | 2016-03-09 | 2022-03-01 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective film |
US11275199B2 (en) | 2016-03-09 | 2022-03-15 | Lg Chem, Ltd. | Anti-reflective film |
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