JP2015138556A - ターゲットモジュールのライトレベリングを制御するライトレベリング制御回路及びそれにしたがうライトレベリング制御方法 - Google Patents
ターゲットモジュールのライトレベリングを制御するライトレベリング制御回路及びそれにしたがうライトレベリング制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015138556A JP2015138556A JP2015009952A JP2015009952A JP2015138556A JP 2015138556 A JP2015138556 A JP 2015138556A JP 2015009952 A JP2015009952 A JP 2015009952A JP 2015009952 A JP2015009952 A JP 2015009952A JP 2015138556 A JP2015138556 A JP 2015138556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- data
- signal
- memory module
- write leveling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/023—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in clock generator or timing circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/022—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in I/O circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Dram (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明によるライトレベリング制御はターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値をレベリング基準テーブルに登録する段階を含む。設定されたタイプのメモリモジュールがターゲットボードに装着された時、メモリモジュールにライトレベリング関連信号が伝送された後、メモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータ関連信号とクロック信号との間のタイミングスキューが検出される。タイミングスキューがレベリング基準テーブルに登録されたデータ関連信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れた場合に、該当基準ディレイ値に基づいて該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のディレイが調節される。
【選択図】 図1
Description
これを達成するために、大きさが減少され、垂直/水平に配列されたトランジスタセルを有する多層装置(multiple−layered device)が半導体メモリ素子として開発されている。
メモリコントローラはデータストロボ信号を遅延させて、データストロボ信号とクロック信号とがメモリ素子に同時に到達するように制御する。
動作周波数が増加することによって、ライトレベリング動作は厳格なタイミング制限内に信号タイミングを調節するのが段々難しくなる。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、キャリブレーション動作によってライトレベリング失敗の時にも参照テーブルを利用してライトレベリングを円滑に制御できる改善されたライトレベリング制御技術を提供することである。
ターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値をレベリング基準テーブルに登録し、
設定されたタイプを有するメモリモジュールが前記ターゲットボードに装着された時、前記メモリモジュールにライトレベリング関連信号を伝送し、
前記メモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータ関連信号とクロック信号との間のタイミングスキューを検出し、
前記タイミングスキューが前記レベリング基準テーブルに登録された前記データ関連信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れる場合に、前記該当基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のディレイを調節することができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記メモリ素子は、DDR3 SDRAMであってもよい。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記メモリモジュールは、UDIMM、VLPDIMM、RDIMM、及びSODIMMの中の1つであってもよい。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記タイミングスキューが前記該当基準ディレイ値で25%以上超過する時に、前記レベリング基準テーブルの前記該当基準ディレイ値を参照して前記該当メモリ素子に伝送される前記データ関連信号のディレイを調節することができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記該当メモリ素子に対する前記データ関連信号のディレイ調節の時、ライトレベリングに成功したメモリ素子の平均オフセット値を追加に反映させることができる。
デュアルインラインメモリモジュールのタイプ別にデータストロボ信号基準ディレイ値を参照メモリにSPD情報として予め格納し、
1つのタイプのデュアルインラインメモリモジュールがターゲットボードに搭載された時、前記SPD情報を通じて該当メモリモジュールのタイプを把握した後、前記デュアルインラインメモリモジュールにクロック信号、コマンド、アドレス、及びデータストロボ信号を含むライトレベリング関連信号を伝送し、
前記検出されたタイミングスキューが前記参照メモリに格納された前記データストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れた場合に、前記該当基準ディレイ値とライトレベリングに成功したメモリ素子の平均オフセット値とに基づいて前記該当メモリ素子に伝送される前記データストロボ信号のタイミングを調節することができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記メモリ素子がDDR3 SDRAMである場合に前記デュアルインラインメモリモジュールは、バッファチップを含むことができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記所定許容範囲は前記該当基準ディレイ値を基準に25%範囲内であってもよい。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記データストロボ信号基準ディレイ値は、前記ターゲットボードのトポロジにしたがっても差別化することができる。
ターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値を予め格納しているレベリング基準テーブルと、
前記ターゲットボードに装着された前記メモリモジュールにライトレベリング関連信号を伝送した後、前記メモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータ関連信号とクロック信号との間のタイミングスキューをチェックしてスキューフェイルが検出された時、前記データ関連信号基準ディレイ値の中で対応する基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のタイミングを制御するライトレベリングマネージメント回路と、を含むことができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記ライトレベリング関連信号は、クロック信号、コマンド、アドレス、及び前記データストロボ信号を含むことができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記ライトレベリングマネージメント回路は、
前記クロック信号を生成するクロック発生器と、
印加される制御信号にしたがってディレイ調節された前記データストロボ信号を生成するデータストロボ信号発生器と、
前記タイミングスキューが前記レベリング基準テーブルに登録された前記データストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れた場合に、前記該当基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のディレイタイミングを調節するために前記制御信号を前記データストロボ信号発生器に印加する制御部と、を含むことができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記メモリ素子は、前記メモリモジュールの基板に搭載されるSDRAMであってもよい。
ターゲットボードに装着されるデュアルインラインメモリモジュールのタイプ別にデータストロボ信号基準ディレイ値を予め格納している参照メモリと、
クロック信号を生成するクロック発生器と、
印加される制御信号にしたがってディレイ調節されたデータストロボ信号を生成するデータストロボ信号発生器と、
前記ターゲットボードに装着された前記デュアルインラインメモリモジュールに前記クロック信号、コマンド、アドレス、及び前記データストロボ信号を含むライトレベリング関連信号が伝送されるように制御した後、前記デュアルインラインメモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータストロボ信号と前記クロック信号との間のタイミングスキューをチェックしてスキューフェイルが検出された時、前記該当メモリ素子に伝送されるデータストロボ信号の伝送タイミングを補償するライトレベリングマネージメント回路と、を含むことができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記スキューフェイルの検出は、前記チェックされたタイミングスキューが前記参照メモリに格納された前記データストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れたか否かを判定することによって遂行することができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記タイミングスキューが前記クロック信号の周期の1/4を超過する時に、前記スキューフェイルの可否を判定することができる。
本発明の概念的実施形態にしたがって、前記メモリコントローラは、DDR3 SDRAMのメモリ素子が搭載されたメモリモジュールのライトレベリングを前記参照メモリに依存して遂行するアルゴリズムを有することができる。
また、各図面で提示された同一又は類似な参照符号は同一又は類似な構成要素を示している。一部の図面において、素子及びラインの連結関係は技術的な内容の効果的な説明のために示しているだけで、他の素子や回路ブロックをさらに具備することができる。
ここに説明され、例示される各実施形態はそれの相補的な実施形態も含むことができ、SDRAMに対する基本的データアクセス動作とメモリモジュール及びメモリコントローラを含むメモリシステムに関する一般的な動作の詳細は本発明の要旨を曖昧にしないようにするために詳細に説明されていないことを留意(note)しなければならない。
図1を参照すれば、メモリシステムはメモリコントローラ100とメモリモジュール200とを含む。
メモリモジュールは複数のメモリ素子210−1、210−2、・・・、210−nを含む。メモリモジュールはデュアルインラインメモリモジュール(DIMM:dual in−line memory module)である。DIMMはそのタイプやトポロジ(topology)にしたがってUDIMM、VLPDIMM、RDIMM、SODIMMに区別される。メモリ素子210−1、210−2、・・・、210−nはSDRAM DDR3等のような揮発性半導体メモリであってもよい。メモリ素子210−1、210−2、・・・、210−nはまた、MRAMやNANDフラッシュメモリ等のような不揮発性半導体メモリであってもよい。
LRT120にはターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値がSPD(serial presence detect)情報として予め格納されている。
WLMC140はタイミングスキューのチェック結果にしたがってスキューフェイルが検出された時、データ関連信号基準ディレイ値の中で対応される基準ディレイ値に基づいてメモリモジュール200内の該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のタイミングを制御する。
一方、メモリコントローラ100はメモリモジュール200内のメモリ素子210−1、210−2、・・・、210−nの各々にデータ関連信号、例えばデータストロボ信号を印加する。また、メモリコントローラ100はメモリモジュール200内のメモリ素子210−1、210−2、・・・、210−nの各々からデータ信号DQを受信する。
したがって、メモリコントローラ100はメモリ素子210−1にデータストロボ信号DQS1を提供し、メモリ素子210−1からデータ信号DQ1を受信する。
図1の場合に1つのメモリモジュール200がメモリコントローラ100に連結されるが、これに限定されず、複数のメモリモジュールをメモリコントローラ100に連結することができる。この場合に複数のメモリモジュールはメモリコントローラ100に対してデージーチェーン(daisy chain)構造に連結される。
図3のメモリコントローラ100でクロック信号CK1とデータストロボ信号DQS1−DQSnとが時刻t1で同時に発生してメモリモジュール200に伝送されたと仮定すれば、フライバイトポロジによるフライト(飛行)タイムスキューによってメモリ素子210−1に対するCK1−DQS1間のタイミングスキューと、メモリ素子210−nに対するCK1−DQSnとの間のタイミングスキューは互いに異なる。したがって、メモリコントローラ100はライトレベリング動作でキャリブレーションを遂行してデータストロボ信号DQSnの印加タイムを調節する。結局、キャリブレーションにしたがってメモリ素子210−nにデータストロボ信号DQSnの提供時刻は時刻t2ではない時刻t3に調節される。
本発明の実施形態では図3のようなライトレベリング動作でキャリブレーション動作の失敗の時にも安定されたライトレベリングが制御されるようにするためにレベリング基準テーブル(LRT:120)とライトレベリングマネージメント回路(WLMC:140)とが設けられる。
任意のタイプのデュアルインラインメモリモジュールがターゲットボードに搭載されたと仮定すれば、図2のS200段階が遂行される。S200段階でデュアルインラインメモリモジュールにクロック信号、コマンド、アドレス、及びデータストロボ信号を含むライトレベリング関連信号が伝送される。
S220段階で任意の該当メモリ素子でスキューフェイルが発生されたか否かがチェックされる。即ち、検出されたタイミングスキューが参照メモリに格納されたデータストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定の許容範囲以上に外れた場合に、該当メモリ素子はスキューフェイルとして判定される。例えば、CK−DQS間のタイミングスキューがクロック周期の1/4を超過すれば、一般的なライトレベリング動作でのキャリブレーションは失敗である。結局、タイミングスキューがクロック信号の25%以内に維持されると、データストロボ信号のキャリブレーションが可能になる。
S250段階で、WLMC140は、該当基準ディレイ値とライトレベリングに成功したメモリ素子の平均オフセット値とに基づいて、タイミングスキューフェイルを有する該当メモリ素子に伝送されるデータストロボ信号のタイミングを調節する。即ち、WLMC140は図3のSDRAM210−nのスキューフェイルの時、データストロボ信号DQSnの提供時刻を時刻t2ではない時刻t3に調節する。
図4を参照すれば、メモリコントローラ100を構成するLRT120とWLMC140とがより具体的な連結構成として示している。
LRT120はROMやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリで構成することができる。
WLMC140は、クロック信号を生成するクロック発生器142、印加される制御信号CONによってディレイ調節されたデータストロボ信号DQSを生成するデータストロボ信号発生器146、及び制御部144を含む。
WLMC140とLRT120とはコマンド、アドレス、及びデータを伝送するバスBu1を通じて互いに連結されている。
図5を参照すれば、メモリモジュールに搭載された9つのメモリ素子B0−B8の中で2つのメモリ素子B3、B4がライトレベリングのキャリブレーション失敗である場合にLRT120を参照して補償する例を示している。
図で横軸は順に搭載されたメモリ素子B0−B8を示し、縦軸はディレイ量(タイミングスキューの大きさ)を示す。
LRT120にはターゲットボードのタイプやDIMMトポロジ別にDQS基準ディレイ値が各々格納される。結局、与えられたSoC、ターゲットボード、DIMMタイプ別に特化されたフォールトトレラント(fault−tolerance)技法がLRT120に具現されるので、与えられたプラットホームのPVT変動と相関無しで安定的にライトレベリングが行われる。
図6を参照すれば、クロック信号CKの波形と各種DQS波形が例示的に示している。
波形RDQSAはクロック信号CKに対比してタイミングスキューSK1を有するので、スキューフェイルが無い場合である。
しかし、RDQSBはクロック信号CKに対比してタイミングスキューSK2を有するので、スキューフェイルがある場合である。即ち、タイミングスキューSK2はクロック信号CK周期の1/4を外れるスキューに該当する。
したがって、RDQSBの位相はディレイ補償区間DCだけシフトすることによってDQSBに調節される。結局、RDQSBのような信号がメモリ素子から受信される場合に図4の制御部144は位相調節されたDQSBが該当メモリ素子に印加されるようにすることができる。
PVT変動によってライトレベリング動作が1次的に失敗しても、本発明によるテーブル参照アルゴリズムを使用すれば、ライトレベリングに失敗したメモリモジュール又はメモリ素子を成功的に救済することができる。
結局、本発明の場合にはDIMMに制限されたライトレベリングを経験的(heuristic)アルゴリズムで遂行するだけでなく、与えられたSoCチップ、ターゲットボード、DIMMタイプ別に特化されたDQSディレイテーブルに基づいて補償を遂行する。したがって、より安定的であり、最適化されたライトレベリング遂行が可能になるようにする。即ち、不完全な経験的補償ではないテーブル値に基づいた決定論的な補償技法が本発明で利用される。
本発明でのライトレベリングの対象はDIMMのタイプやDDRの種類に無関係に多様なメモリ素子であり得る。
図7を参照すれば、DLL回路を含むDRAMの構成が示している。
DRAM201はセルアレイ121、外部クロックCLKを受信してバッファリングする入力バッファ122、データ入出力駆動器123、データストロボ信号(Data Strobe Signal)を生成するDQS生成器124、及びDLL回路125を含む。
DQSはデータの有効性を示す信号として外部クロック信号CLKと同期されなければならない。DQ[0:N]はデータ出力ラインを示す。
外部クロック信号CLKはデータ信号DQ或いはDQSと位相同期される。データはデータ入出力駆動器123を通じてデータ入出力ラインDQ[0:N]に伝送される。
DLL回路125は位相検出器129、コントロールロジック128、及び遅延ライン126、及び位相補間器127を含む。DLL回路125は位相シフトを行う目標信号の位相と出力信号の位相とを同期させる役割を果たす。
図8を参照すれば、メモリコントローラ100を構成するLRT120とWLMC140とがより具体的な連結構成であって、図4とは異なることを示している。
LRT120はROMやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリで構成することができる。
WLMC140はクロック信号CKを生成するクロック発生器142、及び制御部144を含む。図8の場合にデータストロボ信号DQSを生成するデータストロボ信号発生器は図7で示したようにDRAMの内部に設けられる。
制御部144はLRT120の該当基準ディレイ値に基づいて該当メモリ素子DRAMに伝送されるクロック信号CKのディレイタイミングを調節するために制御信号CONをクロック発生器142に印加する。
WLMC140はクロック信号CKと該当メモリ素子から受信されるデータストロボ信号DQSの位相を比較してCK−DQS間のタイミングスキューに対するフェイルの可否を判定する。
図9を参照すれば、メモリモジュール200はPCB等のような基板201に装着された複数のメモリ素子を含む。メモリモジュール200は、例えばSIMM(single in−line memory module)、DIMM(dual in−line memory modules)、RDIMM(registered dual in−line memory module)、UDIMM(unbuffered dual in−line memory module)、SODIMM(small outline dual in−line memory module)、及びECC−SODIMM(error check & correction small outline dual in−line memory module)の中で1つである。
図10を参照すれば、メモリシステム700はメモリモジュール200とチップセット101とを含む。チップセット101は図1のメモリコントローラ100を含む。メモリシステム700のメインボード701にはスロット703が1つ以上設置され、メモリモジュール200はスロット703に装着される。また、メインボード701にはCPU又はマイクロプロセッサが装着される。
図10で、チップセット101はLRT120とWLMC140とを具備してクロック信号CKとデータストロボ信号DQSとの間のタイミングスキューをチェックし、DQSの出力タイミングを調節するライトレベリング動作を遂行する。
ライトレベリング動作はメモリシステムのパワーオンの時又はPVT変動の検出の時、或いは周期的に遂行することができる。
図11はメモリモジュールのタイプの中でRDIMM(Registered Dual In−line Memory Moduel)の例示を示す。メモリコントローラ100はメモリモジュール200にデータ信号DQを伝送し、メモリモジュール200からデータ信号DQを受信する。また、メモリコントローラ100はクロック信号、コマンド、アドレス、及びデータストロボ信号をメモリモジュール200に出力する。
メモリチップ31_1T乃至31_9T、31_1B乃至31_9Bはモジュールボードの上面及び下面で互いに対応する位置に配置され、バッファチップ32の両側に各々1列に配置してもよい。メモリモジュール200はフライバイ構造のバスに連結される。
メモリチップは前述した図でメモリ素子に対応する。
図12を参照すれば、データ処理システムはCPU(Central Processing Unit;10)、システムメモリ20、ホストインターフェイス30、メインボード40、及びホスト50を含む。
CPU10はシステムメモリ20を制御するためのメモリコントローラ(MC:100)を含む。メモリコントローラ100はCPU10の一部として具現されるか、或いはCPU10とは独立的に具現することができる。システムメモリ20はCPU10がアクセス(access)するデータを格納する。例えば、システムメモリ20は複数のメモリモジュール21、22、23を含む。システムメモリ20は第1メモリモジュール21を基本的に含む。また、システムメモリ20はメモリ容量の拡張をために第2メモリモジュール22及び第3メモリモジュール23さらに含む。ここで、メモリモジュールはDRAM(Dynamic Random Access Memory)やSRAM(Static Random Access Memory)の集合で具現されてもよい。
ホスト50はホストインターフェイス30を通じてCPU10とデータ通信をする。
図12の場合にメモリコントローラ100はLRT120とWLMC140とを具備してクロック信号CKとデータストロボ信号DQSとの間のタイミングスキューをチェックし、DQSの出力タイミングを調節するライトレベリング動作を安定的に遂行することができる。したがって、データ処理システムのライト動作がより信頼性あるように遂行される。
図13を参照すれば、メモリシステム1300はメモリモジュール1310及びメモリコントローラ1320を含む。メモリモジュール1310はモジュールボード(Module Board)上に少なくとも1つ以上の半導体メモリ素子1330を装着することができる。半導体メモリ素子1330はDRAMチップで具現することができ、各々の半導体メモリ装置1330は複数個の半導体レイヤを含むことができる。半導体レイヤは1つ以上のマスターチップ1331と1つ以上のスレーブチップ1332とを含む。
マスターチップ1331とスレーブチップ1332とはメモリアレイ、格納ユニット、及びリフレッシュユニットを含む。
図13の場合に、メモリコントローラ1320はLRT120とWLMC140とを具備してライトレベリング動作を安定的に遂行することができる。
図14を参照すれば、モバイル機器やデスクトップコンピュータコンピュータのようなコンピューティングシステム1400に本発明に適用される半導体メモリ素子がRAM1420として装着することができる。RAM1420として装着される半導体メモリ素子はメモリモジュール形態で具現することができる。
図14の場合にCPU1410は図1で示しているLRT120とWLMC140とを具備してライトレベリング動作を安定的に遂行することができる。
STT−MRAMセルはMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子と選択トランジスタとを含む。MTJ素子は固定層(fixed layer)と自由層(free layer)、及びこれらの間に形成されたトンネル層を基本的に含む。固定層の磁化方向は固定され、自由層の磁化方向は条件にしたがって固定層の磁化方向と同一であるか、或いは逆方向になることができる。
図15を参照すれば、不揮発性メモリ素子1100はメモリセルアレイ(MCA:1110)、制御部1120、電圧発生部1130、ローデコーダ1140、ページバッファ1150、及びカラムデコーダ1160を含むことができる。メモリセルアレイ1110はNANDフラッシュメモリである場合、メモリブロックに配置された複数個のメモリセルストリングを具備して構成することができる。制御部1120は遂行される動作(例えば、消去、プログラム、及びリード動作)にしたがって制御信号を電圧発生部1130、ローデコーダ1140、及びカラムデコーダ1160に出力する。
図15の場合にメモリコントローラ1320はLRT120とWLMC140とを具備して不揮発性メモリ素子1100に対するライトレベリング動作を安定的に遂行することができる。
ローデコーダ1140は少なくとも1つ以上のストリング選択ラインSSL、ワードラインWLk、接地選択ラインGSL、及び共通ソースラインCSLに多様な電圧を印加する。ページバッファ1150はメモリセルストリングのビットラインBLnに連結される。
図16のメモリセルアレイ1110はNANDフラッシュメモリ装置のメモリセルアレイの例示であり、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明のメモリセルアレイはDDR3 SDRAMのメモリセルアレイも含む。
図17を参照すれば、メモリカード1200はコマンド及びアドレス信号C/Aを発生するメモリコントローラ1220、及びメモリモジュール等のようなターゲット1210を含む。ターゲット1210は複数個のフラッシュメモリ装置を具備するフラッシュメモリやSDRAM等で構成することができる。ターゲット1210はSoCで構成されてもよい。
メモリコントローラ1220はまた、制御部1224、プロセッサ1222、及びSRAM1221を含む。
また、メモリコントローラ1220の制御部1224はライトレベリング動作の時、メモリインターフェイス1225を通じてターゲット1210内の複数個のメモリ素子の中で少なくとも1つのメモリ素子にライトレベリング動作のためのコマンド信号、ライトレベリング制御信号、及びデータストロボ信号を出力する。
メモリコントローラ1220及び回路ブロック1221、1222、1223、1224、及び1225を含むメモリカード1200の構成要素はメモリコントローラ1220に含み、ターゲット1210は揮発性メモリモジュール或いは不揮発性メモリモジュールが全て含むことができる。
モバイルディバイス1500は共通バスB1を通じて通信するプロセッサ(CPU)1530、RAM1540、ユーザーインターフェイス1550、メモリシステム1510、及びモデム1520を具備して構成することができる。
メモリシステム1510は共通バスB1を通じてプロセッサ(CPU)1530に連結される。
メモリシステム1510を構成するメモリコントローラ1512は本発明によって参照メモリを参照してライトレベリング動作を遂行する。
メモリシステム1510は多様な形態のパッケージ(例えば、ボールグリッドアレイ(BGA)、チップスケールパッケージ(CSP)、PLCC(plastic leaded chip carrier)、PDIP(plastic dual in−line package)、マルチチップパッケージ(MCP)、WFP(waferlevel fabricated package)、及びWSP(wafer−level processed stock package)等)でパッケージングすることができる。
120 レベリング基準テーブル
140 ライトレベリングマネージメント回路
200 メモリモジュール
Claims (18)
- ターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値をレベリング基準テーブルに登録し、
設定されたタイプを有するメモリモジュールが前記ターゲットボードに装着された時、前記メモリモジュールにライトレベリング関連信号を伝送し、
前記メモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータ関連信号とクロック信号との間のタイミングスキューを検出し、
前記タイミングスキューが前記レベリング基準テーブルに登録された前記データ関連信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れる場合に、前記該当基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のディレイを調節するライトレベリング制御方法。 - 前記データ関連信号は、関連データ信号の有効(validity)を示すデータ出力ストロボ信号DQSである請求項1に記載のライトレベリング制御方法。
- 前記メモリ素子は、DDR3 SDRAMである請求項1に記載のライトレベリング制御方法。
- 前記メモリモジュールは、UDIMM、VLPDIMM、RDIMM、及びSODIMMの中の1つである請求項1に記載のライトレベリング制御方法。
- 前記データ関連信号基準ディレイ値は、前記ターゲットボードのトポロジにしたがっても差別化される請求項1に記載のライトレベリング制御方法。
- 前記タイミングスキューが前記該当基準ディレイ値で25%以上超過する時に、前記レベリング基準テーブルの前記該当基準ディレイ値を参照して前記該当メモリ素子に伝送される前記データ関連信号のディレイが調節される請求項1に記載のライトレベリング制御方法。
- 前記該当メモリ素子に対する前記データ関連信号のディレイ調節の時、ライトレベリングに成功したメモリ素子の平均オフセット値が追加に反映される請求項6に記載のライトレベリング制御方法。
- ターゲットボードに装着されるメモリモジュールのタイプ別にデータ関連信号基準ディレイ値を予め格納しているレベリング基準テーブルと、
前記ターゲットボードに装着された前記メモリモジュールにライトレベリング関連信号を伝送した後、前記メモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータ関連信号とクロック信号との間のタイミングスキューをチェックしてスキューフェイルが検出された時、前記データ関連信号基準ディレイ値の中で対応される基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のタイミングを制御するライトレベリングマネージメント回路と、を含むライトレベリング制御回路。 - 前記レベリング基準テーブルは、不揮発性半導体メモリである請求項8に記載のライトレベリング制御回路。
- 前記データ関連信号は、データ信号の有効性を示すデータ出力ストロボ信号DQSである請求項8に記載のライトレベリング制御回路。
- 前記ライトレベリング関連信号は、クロック信号、コマンド、アドレス、及び前記データストロボ信号を含む請求項10に記載のライトレベリング制御回路。
- 前記ライトレベリングマネージメント回路は、
前記クロック信号を生成するクロック発生器と、
印加される制御信号にしたがってディレイ調節された前記データストロボ信号を生成するデータストロボ信号発生器と、
前記タイミングスキューが前記レベリング基準テーブルに登録された前記データストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れた場合に、前記該当基準ディレイ値に基づいて前記該当メモリ素子に伝送されるデータ関連信号のディレイタイミングを調節するために前記制御信号を前記データストロボ信号発生器に印加する制御部と、を含む請求項11に記載のライトレベリング制御回路。 - 前記該当メモリ素子に対する前記データ関連信号のディレイタイミング調節の時、ライトレベリングに成功したメモリ素子の平均オフセット値が追加に反映される請求項12に記載のライトレベリング制御回路。
- 前記メモリモジュールは、前記デュアルインラインメモリモジュールである請求項13に記載のライトレベリング制御回路。
- 前記メモリ素子は、前記メモリモジュールの基板に搭載されるSDRAMである請求項13に記載のライトレベリング制御回路。
- ターゲットボードに装着されるデュアルインラインメモリモジュールのタイプ別にデータストロボ信号基準ディレイ値を予め格納している参照メモリと、
クロック信号を生成するクロック発生器と、
印加される制御信号にしたがってディレイ調節されたデータストロボ信号を生成するデータストロボ信号発生器と、
前記ターゲットボードに装着された前記デュアルインラインメモリモジュールに前記クロック信号、コマンド、アドレス、及び前記データストロボ信号を含むライトレベリング関連信号が伝送されるように制御した後、前記デュアルインラインメモリモジュール内のメモリ素子から各々受信されるデータストロボ信号と前記クロック信号との間のタイミングスキューをチェックしてスキューフェイルが検出された時、前記該当メモリ素子に伝送されるデータストロボ信号の伝送タイミングを補償するライトレベリングマネージメント回路と、を含むメモリコントローラ。 - 前記タイミングスキューのチェックは、前記デュアルインラインメモリモジュール内でフライバイトポロジに連結された前記メモリ素子から各々受信される前記データ信号と前記クロック信号との間のタイミングスキューを各々チェックすることによって遂行される請求項16に記載のメモリコントローラ。
- 前記スキューフェイルの検出は、前記チェックされたタイミングスキューが前記参照メモリに格納された前記データストロボ信号基準ディレイ値の中で該当基準ディレイ値を所定許容範囲以上に外れたか否かを判定することによって遂行される請求項17に記載のメモリコントローラ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0008479 | 2014-01-23 | ||
KR1020140008479A KR102147228B1 (ko) | 2014-01-23 | 2014-01-23 | 타겟 모듈의 라이트 레벨링을 제어하는 라이트 레벨링 제어 회로 및 그에 따른 라이트 레벨링 제어방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015138556A true JP2015138556A (ja) | 2015-07-30 |
JP6366514B2 JP6366514B2 (ja) | 2018-08-01 |
Family
ID=53545354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015009952A Active JP6366514B2 (ja) | 2014-01-23 | 2015-01-22 | ターゲットモジュールのライトレベリングを制御するライトレベリング制御回路及びそれにしたがうライトレベリング制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9490030B2 (ja) |
JP (1) | JP6366514B2 (ja) |
KR (1) | KR102147228B1 (ja) |
CN (1) | CN104810054B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017073122A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ディレイ可変素子を含むメモリモジュール及びそのディレイ設定方法 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102472123B1 (ko) * | 2016-03-16 | 2022-11-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 시스템 및 그의 동작 방법 |
US20190294220A1 (en) * | 2016-05-16 | 2019-09-26 | Exascaler Inc. | Electronic device for liquid immersion cooling |
WO2018039855A1 (zh) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 华为技术有限公司 | 内存装置、内存控制器、数据缓存装置及计算机系统 |
KR102596491B1 (ko) | 2016-12-13 | 2023-10-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
US10037811B1 (en) * | 2017-01-31 | 2018-07-31 | SK Hynix Inc. | Integrated circuits compensating for timing skew difference between signals |
US10048316B1 (en) * | 2017-04-20 | 2018-08-14 | Qualcomm Incorporated | Estimating timing slack with an endpoint criticality sensor circuit |
CN108874686B (zh) * | 2017-05-08 | 2021-08-03 | 龙芯中科技术股份有限公司 | 内存参数调节方法、装置及设备 |
KR102447499B1 (ko) | 2017-10-19 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 |
KR102406669B1 (ko) * | 2017-11-08 | 2022-06-08 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 스토리지 장치 |
CN108039189A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-05-15 | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 | 一种存储器的信号完整性测试方法 |
US10541020B2 (en) | 2018-02-27 | 2020-01-21 | Seagate Technology Llc | Controller architecture for reducing on-die capacitance |
CN108416176B (zh) * | 2018-04-28 | 2023-09-08 | 珠海一微半导体股份有限公司 | 一种dram控制器的抗干扰方法和电路及芯片 |
US10418090B1 (en) * | 2018-06-21 | 2019-09-17 | Micron Technology, Inc. | Write signal launch circuitry for memory drive |
US11061431B2 (en) * | 2018-06-28 | 2021-07-13 | Micron Technology, Inc. | Data strobe multiplexer |
US10854259B2 (en) * | 2018-06-29 | 2020-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Asynchronous read circuit using delay sensing in magnetoresistive random access memory (MRAM) |
KR102639707B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2024-02-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 |
KR20200043017A (ko) | 2018-10-17 | 2020-04-27 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈, 메모리 시스템 및 메모리 모듈의 동작 방법 |
KR20200050673A (ko) * | 2018-11-02 | 2020-05-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
KR20210126821A (ko) | 2020-04-10 | 2021-10-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
CN113571118A (zh) * | 2020-04-29 | 2021-10-29 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 存储器控制器装置与相位校正方法 |
CN112052043B (zh) * | 2020-08-10 | 2022-07-01 | 烽火通信科技股份有限公司 | 嵌入式系统内存条参数适配方法、装置、设备及存储介质 |
US20220301603A1 (en) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Memory interface device |
CN116863979A (zh) * | 2022-03-28 | 2023-10-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 数据读写电路、方法及设备 |
US11790964B1 (en) | 2022-03-28 | 2023-10-17 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Data reading/writing circuit, method, and device |
CN117238330B (zh) * | 2023-11-14 | 2024-03-12 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种芯片时序调节装置和芯片 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004178759A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Canon Inc | メモリモジュール |
JP2004192074A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Ricoh Co Ltd | メモリ制御装置 |
JP2011508311A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-10 | ラムバス・インコーポレーテッド | メモリシステムの書き込みタイミングを較正する方法および装置 |
JP2013054692A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Nec Computertechno Ltd | メモリコントローラ及びメモリ制御方法 |
JP2013196574A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | メモリコントローラ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6633965B2 (en) * | 2001-04-07 | 2003-10-14 | Eric M. Rentschler | Memory controller with 1×/M× read capability |
US7234081B2 (en) * | 2004-02-04 | 2007-06-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory module with testing logic |
US8327104B2 (en) | 2006-07-31 | 2012-12-04 | Google Inc. | Adjusting the timing of signals associated with a memory system |
JP4757583B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-08-24 | エルピーダメモリ株式会社 | 出力制御信号発生回路 |
US8122275B2 (en) | 2006-08-24 | 2012-02-21 | Altera Corporation | Write-leveling implementation in programmable logic devices |
JP4382842B2 (ja) | 2007-09-18 | 2009-12-16 | 富士通株式会社 | メモリ制御回路,遅延時間制御装置,遅延時間制御方法および遅延時間制御プログラム |
KR101245380B1 (ko) | 2007-11-22 | 2013-03-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 |
US7961533B2 (en) | 2008-05-27 | 2011-06-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for implementing write levelization in memory subsystems |
US7796465B2 (en) | 2008-07-09 | 2010-09-14 | Nvidia Corporation | Write leveling of memory units designed to receive access requests in a sequential chained topology |
US7839716B2 (en) | 2008-12-19 | 2010-11-23 | Lsi Corporation | Apparatus and systems for VT invariant DDR3 SDRAM write leveling |
JP2010192031A (ja) | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及びこれを備えるメモリモジュール、並びに、データ処理システム |
JP2010192030A (ja) | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Elpida Memory Inc | 半導体記憶装置及びこれを備えるメモリモジュール、並びに、データ処理システム |
US7952945B2 (en) | 2009-03-30 | 2011-05-31 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for determining write leveling delay for memory interfaces |
KR101585213B1 (ko) | 2009-08-18 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 라이트 레벨링 동작을 수행하기 위한 메모리 장치의 제어 방법, 메모리 장치의 라이트 레벨링 방법, 및 라이트 레벨링 동작을 수행하는 메모리 컨트롤러, 메모리 장치, 및 메모리 시스템 |
JP2013118033A (ja) | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
KR101982194B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2019-05-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 지연 제어회로 및 이를 포함하는 클럭 생성회로 |
-
2014
- 2014-01-23 KR KR1020140008479A patent/KR102147228B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-17 US US14/573,379 patent/US9490030B2/en active Active
-
2015
- 2015-01-22 JP JP2015009952A patent/JP6366514B2/ja active Active
- 2015-01-23 CN CN201510037229.7A patent/CN104810054B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004178759A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Canon Inc | メモリモジュール |
JP2004192074A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Ricoh Co Ltd | メモリ制御装置 |
JP2011508311A (ja) * | 2007-12-21 | 2011-03-10 | ラムバス・インコーポレーテッド | メモリシステムの書き込みタイミングを較正する方法および装置 |
JP2013054692A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Nec Computertechno Ltd | メモリコントローラ及びメモリ制御方法 |
JP2013196574A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | メモリコントローラ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017073122A (ja) * | 2015-10-07 | 2017-04-13 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. | ディレイ可変素子を含むメモリモジュール及びそのディレイ設定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9490030B2 (en) | 2016-11-08 |
CN104810054A (zh) | 2015-07-29 |
US20150206560A1 (en) | 2015-07-23 |
JP6366514B2 (ja) | 2018-08-01 |
KR20150088088A (ko) | 2015-07-31 |
CN104810054B (zh) | 2019-12-06 |
KR102147228B1 (ko) | 2020-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6366514B2 (ja) | ターゲットモジュールのライトレベリングを制御するライトレベリング制御回路及びそれにしたがうライトレベリング制御方法 | |
CN108121617B (zh) | 存储器模块、存储器系统和操作存储器系统的方法 | |
CN115987299B (zh) | 错误检测码生成电路以及包括其的存储器系统 | |
US10884923B2 (en) | Memory module with local synchronization and method of operation | |
US10671319B2 (en) | Memory device configured to store and output address in response to internal command | |
US11462255B2 (en) | Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same | |
US11437085B2 (en) | Multi-phase clock generator, memory device including multi-phase clock generator, and method of generating multi-phase clock of memory device | |
US9754650B2 (en) | Memory device and system supporting command bus training, and operating method thereof | |
US11449274B2 (en) | Memory device, data outputting method thereof, and memory system having the same | |
US11157358B2 (en) | Memory module, error correction method of memory controller controlling the same, and computing system including the same | |
KR102646721B1 (ko) | 컴퓨팅 시스템, 비휘발성 메모리 모듈, 및 저장 장치의 동작 방법 | |
US10976368B2 (en) | Memory apparatus relating to determination of a failed region and test method thereof, memory module and system using the same | |
CN107274928B (zh) | 存储器件及其操作方法 | |
JP2015032324A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20161222 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6366514 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |