JP2015134402A - ラッピング用樹脂定盤及びそれを用いたラッピング方法 - Google Patents
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Abstract
Description
熱硬化性ポリウレタン樹脂としては、例えば、熱硬化性の、ポリエステル系ポリウレタン樹脂、ポリエーテル系ポリウレタン樹脂及びポリカーボネート系ポリウレタン樹脂が挙げられ、これらは1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いられる。
熱硬化性ポリウレタン樹脂は、常法により合成してもよく、市販品を入手してもよい。
原料準備工程においては、熱硬化性ポリウレタン樹脂の原料であるイソシアネート基含有化合物及び活性水素化合物をそれぞれ準備する。イソシアネート基含有化合物としては、分子内に2つ以上の水酸基を有するポリオール化合物と、分子内に2つのイソシアネート基を有するジイソシアネート化合物とを反応させることで生成したイソシアネート末端ウレタンプレポリマ(以下、単に、「プレポリマ」と略記する。)が好ましい。ポリオール化合物とジイソシアネート化合物とを反応させる際に、イソシアネート基のモル量を水酸基のモル量よりも大きくすることで、プレポリマを得ることができる。
本明細書において、「固形MOCA」及び「粗製MOCA」という用語を用いた場合には、上記の固形MOCA及び粗製MOCAをそれぞれ意味するものする。
混合工程では、準備工程で準備したイソシアネート基含有化合物と活性水素化合物と、必要に応じて、分散液、微小中空球体及び発泡剤等とを混合して混合液を調製する。このとき、活性水素化合物、例えばMOCA、を予め有機溶媒に溶解した状態でイソシアネート基含有化合物と混合することが好ましい。活性水素化合物を予め有機溶媒に溶解した状態で混合することで、加温せずとも、流動性が高まるので混合ムラを一層抑制できる。有機溶媒としては、MOCAなどの良溶媒であれば特に限定されないが、例えば、(ポリ)エーテルポリオール化合物、エチレングリコールとアジピン酸との反応物及びブチレングリコールとアジピン酸との反応物等の(ポリ)エステルポリオール化合物、ポリカーボネートポリオール化合物及びポリカプロラクトンポリオール化合物等のジオール化合物が挙げられる。ジオール化合物を用いると、プレポリマとの結合が、比較的分子結合の弱い(例えばウレア結合よりも弱い)ウレタン結合になりやすくなり、ダイヤモンド砥粒120が、樹脂シート110に埋め込まれやすくなるので好ましい。中でも特に好ましい例として、ポリプロピレングリコールが挙げられる。また、有機溶媒と活性水素化合物との配合比は、有機溶媒:活性水素化合物の質量比で40:60〜60:40が好ましく、45:55〜55:45がより好ましい。また、混合工程において、上記各原料に対して非反応性の気体(例えば空気)を吹き込んでもよい。
表面処理工程では、硬化成型工程を経て得られた熱硬化性ポリウレタン成形体にスライス処理、及び/又は、バフ処理等の表面研削処理を施す。スライス処理では、一般的なスライス機を用いることができる。スライス処理では、例えば、直方体形状の熱硬化性ポリウレタン成形体を、その一面側で保持し、その一面に対向する面側から順に所定厚さにスライスする。スライスする厚さは、好ましくは樹脂シート110と同じ厚さである。樹脂シート110の厚さ精度を向上させるために、熱硬化性ポリウレタン成形体又はスライス処理後の熱硬化性ポリウレタン成形体にバフ処理等の表面研削処理を施してもよい。バフ処理では、一般的なバフ機を用いることができる。
溝形成工程では、表面処理工程の後の熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に、溝130を形成する。溝130を形成する際に用いる加工方法としては、熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に溝を形成する加工方法として通常知られているものであってもよく、例えば、切削加工が挙げられる。例えば、切削加工を施す場合、ドリル刃を熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に対して平行に相対的に回転させながら、所望の平面形状になるように移動させて切削加工を施してもよく、円板刃を熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に対して垂直に相対的に回転させながら、所望の平面形状になるように移動させて切削加工を施してもよい。あるいは、切削バイトを熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に対して相対的に移動させて切削加工を施してもよい。これらの場合は、ドリル刃や円板刃の形状を適宜選択することにより、所望の断面形状を得ることができる。あるいは、レーザーを用いて、熱硬化性ポリウレタン成形体の表面に所望の平面形状及び断面形状を有する溝を形成することもできる。
圧縮率及び圧縮弾性率はJIS−L1021に準拠して、ショッパー型厚さ測定器(加圧面:直径1cmの円形)を用いて求めた。具体的には、室温において、無荷重の状態から初荷重を30秒間かけた後の厚さt0を測定し、次に厚さt0の状態から最終圧力をかけて、そのまま1分間放置後の厚さt1を測定した。更に厚さt1の状態から全ての荷重を除き、1分間放置後、再び初荷重を30秒間かけた後の厚さt0’を測定した。これらから、圧縮率及び圧縮弾性率を下記式:
圧縮率(%)=(t0−t1)/t0×100
圧縮弾性率(%)=(t0’−t2)/(t0−t2)×100
により算出した。このとき、初荷重は300g/cm2、最終圧力は1800g/cm2とした。
硬度計(商品名「GS−702N」、テクロック社製)を用いて、JIS−K6253(2012)に準拠して、樹脂シートのショアD硬度を測定した。なお、試験片として、総厚さ4.5mm以上となるように必要に応じ樹脂シートを重ねたものを用いた。
まず、樹脂シートの研磨面の任意に選択した1.0mm×1.4mmの矩形領域を、レーザー顕微鏡(KEYENCE社製商品名「VK−X105」)で200倍に拡大して観察し、その画像を得た。次いで、得られた画像を画像解析ソフト(三谷商事株式会社製商品名「WinRoof」)により二値化処理することで、開孔とそれ以外の部分とを区別した。そして、区別した開孔とそれ以外の部分の各々の面積の比率から、開孔の割合を算出し、開孔率(%)とした。
開孔率を導き出す場合と同様にして、樹脂シートの研磨面の画像を得て、開孔とそれ以外の部分とを区別した。そして、区別した各々の開孔の面積から、開孔が真円であると仮定して開孔径を算出した。そして、各々の開孔の開孔径を相加平均して平均開孔径(μm)とした(ただし、画像処理時のノイズカットのために「カットオフ値」を10μmに設定したときの数値である)。
まず、樹脂シートの一部を10mm×60mmの短冊型とした試験片を準備して、微小強度評価試験機(株式会社島津製作所製商品名「マイクロオートグラフMST−I」)の所定位置(クランプ間距離30mm)に設置した。続いて、室温にて、試験速度1.5mm/分の条件で引張試験を行い、歪みを求めた。この際、10gf〜100gfの範囲の複数の試験力について、それぞれの歪みを求め、最小二乗法により直線近似した際の係数から、ヤング率(N/m2)を求めた。
樹脂定盤をラッピング装置の所定位置にアクリル系接着剤を介して設置し、被研磨物としての2”の6H−SiC n型ウエハに対して、下記条件にてラッピング加工を施すラッピング加工試験を行った。なお、ラッピング加工試験の際には、まず、ダイヤモンド砥粒(平均粒径:3μm)0.1質量%と水及びグリセリンの混合液(分散剤)とからなる分散液を、樹脂定盤の表面に塗布しながら、セラミック製リング(リテーナリング)で所定時間押圧しダイヤモンド砥粒を樹脂定盤に埋め込んでから、ラッピング加工を実施した。リングの押圧時間(チャージング時間)は、比較例3において1時間、他の実施例及び比較例では10分間とした。
(ラッピング条件)
使用したラッピング装置機の定盤サイズ:直径380mm
溝:幅3mm、深さ0.8mm、ピッチ30mm、格子状の平面形状、U字状の断面形状
定盤回転数:80rpm
加工圧力:245g/cm2
ラッピング加工時間:1時間
上記ラッピング加工試験後の被研磨物5枚の被研磨面のスクラッチを目視にて確認し、相対的に少ない場合から、相対的に多い場合まで、順に「◎」、「○」、「△」、「×」と評価した。
ラッピングレート(単位:μm/hr)は、上記ラッピング加工前後の被研磨物の質量減少から求めた研磨量、被研磨物の研磨面積及び比重から、ラッピングにより除去された厚さを算出し、時間当たりの除去された厚さとして評価した。
上記ラッピング加工試験後の被研磨物を洗浄した後に、スピン乾燥した。次に、被研磨物の被研磨面について、うねりを補正した表面粗さRaを、非接触粗さ測定機(ザイゴ株式会社製商品名「NewView 5022」)を用いて測定した。
イソシアネート基含有化合物として3種類のプレポリマを準備した。
(プレポリマ1)
ポリオール化合物として数平均分子量が約1000であるポリテトラメチレンエーテルグリコール556質量部、ジエチレングリコール54質量部、トリメチロールプロパン2質量部を用い、ジイソシアネート化合物として2,4−トリレンジイソシアネート388質量部を用い、それらを反応させることによって、NCO当量が440である末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマを合成した。これを45℃に加熱して減圧下で脱泡した。
ポリオール化合物として数平均分子量が約1000であるポリテトラメチレンエーテルグリコール284質量部、ジエチレングリコール64質量部を用い、ジイソシアネート化合物として、2,4−トリレンジイソシアネート279質量部を用い、それらを反応させることによって、NCO当量が440である末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマを合成した。これを45℃に加熱して減圧下で脱泡した。
ポリオール化合物として数平均分子量が約1000であるポリテトラメチレンエーテルグリコール675質量部を用い、ジイソシアネート化合物として、2,4−トリレンジイソシアネート325質量部を用い、それらを反応させることによって、NCO当量が420である末端イソシアネート基含有ウレタンプレポリマを合成した。これを80℃に加熱して減圧下で脱泡した。
活性水素化合物として固形MOCAを用い、その固形MOCAを120℃で加熱溶融させ、更に減圧脱泡して固形MOCA溶融液を得た。また、数平均分子量が約3000であるポリテトラメチレンエーテルグリコール50質量部と、水0.5質量部と、触媒(東ソー株式会社製商品名「トヨキャットET」)0.7質量部と、シリコーン系界面活性剤(ダウコーニング社製商品名「SH 193」)5質量部とを撹拌混合して分散液を得た。次に、プレポリマ1と固形MOCA溶融液と分散液とを、それらの質量比がプレポリマ1:固形MOCA溶融液:分散液=100:20:6となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して混合液を得た。この際、撹拌条件を剪断回数:2815回、剪断速度:15708/秒の条件にし、混合槽内に空気を10L/分の流量で連続的に供給した。
混合液を、プレポリマ1と固形MOCA溶融液と分散液とを、それらの質量比がプレポリマ1:固形MOCA溶融液:分散液=100:20:5となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して得られた混合液に代えた。それ以外は実施例1と同様にして樹脂定盤を得た。
分散液に代えて、微小中空球体(エクスパンセル社製商品名「EXPANCEL551DE」)を用い、混合液を、プレポリマ1と固形MOCA溶融液と微小中空球体とを、それらの質量比がプレポリマ1:固形MOCA溶融液:微小中空球体=100:25:2.3となる割合で十分に混合して得られた混合液に代えた。それら以外は実施例1と同様にして樹脂定盤を得た。
活性水素化合物として液状MOCAを用い、液状MOCA100質量部と、水0.01質量部と、触媒(東ソー株式会社製商品名「トヨキャットET」)0.3質量部と、シリコーン系界面活性剤(ダウコーニング社製商品名「SH 193」)0.3質量部とを撹拌混合して分散液を得た。次に、プレポリマ1と分散液とを、それらの質量比がプレポリマ1:分散液=100:62となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して混合液を得た。この際、撹拌条件を剪断回数:2815回、剪断速度:15708/秒の条件にし、混合槽内に空気を30L/分の流量で連続的に供給した。混合液を、上記のようにして得られた混合液に代え、樹脂定盤の厚さを1.3mmから2.28mmに代えた以外は実施例1と同様にして、樹脂定盤を得た。
活性水素化合物として液状MOCAを用い、液状MOCA100質量部と、水0.01質量部と、触媒(東ソー株式会社製商品名「トヨキャットET」)0.02質量部と、シリコーン系界面活性剤(ダウコーニング社製商品名「SH 193」)0.02質量部と、珪酸ジルコニウム(ハクスイテック社製商品名「SP−Z」)65質量部とを撹拌混合して分散液を得た。次に、プレポリマ1と分散液とを、それらの質量比がプレポリマ1:分散液=100:102となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して混合液を得た。この際、撹拌条件を剪断回数:2815回、剪断速度:15708/秒の条件にし、混合槽内に空気を35L/分の流量で連続的に供給した。混合液を、上記のようにして得られた混合液に代え、樹脂定盤の厚さを1.3mmから2.48mmに代えた以外は実施例1と同様にして、樹脂定盤を得た。
活性水素化合物として固形MOCAを用い、その固形MOCAを120℃で加熱溶融させ、更に減圧脱泡して固形MOCA溶融液を得た。また、数平均分子量が約2000であるポリテトラメチレンエーテルグリコール50質量部と、水2質量部と、触媒(東ソー株式会社製商品名「トヨキャットET」)1質量部と、シリコーン系界面活性剤(ダウコーニング社製商品名「SH 193」)5質量部とを撹拌混合して分散液を得た。次に、プレポリマ2と固形MOCA溶融液とを、それらの質量比がプレポリマ2:固形MOCA溶融液:分散液=100:10:5となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して混合液を得た。この際、撹拌条件を剪断回数:1689回、剪断速度:15708/秒の条件にし、混合槽内に空気を80L/分の流量で連続的に供給した。得られた混合液を、実施例1と同様に注型、硬化及び加工して、樹脂定盤を得た。
活性水素化合物として固形MOCAを用い、その固形MOCAを120℃で加熱溶融させ、更に減圧脱泡して固形MOCA溶融液を得た。次に、プレポリマ3と固形MOCA溶融液とを、それらの質量比がプレポリマ3:固形MOCA溶融液=1:1となる割合で、混合槽中で十分に撹拌混合して混合液を得た。この際、撹拌条件を剪断回数:1689回、剪断速度:9425/秒の条件にした。得られた混合液を、実施例1と同様に注型、硬化及び加工して、樹脂定盤を得た。
汎用されている錫定盤を用いた。
Claims (6)
- 熱硬化性ポリウレタン樹脂を含み、開孔率が10〜50%であり、かつヤング率が7.0×107〜5.0×108N/m2である樹脂シートを備える、ラッピング用樹脂定盤。
- 前記樹脂シートは研磨面を有し、前記研磨面に溝が形成されている、請求項1に記載のラッピング用樹脂定盤。
- ダイヤモンド砥粒の存在下、請求項1又は2に記載のラッピング用樹脂定盤により被研磨物にラッピング加工を施す、ラッピング方法。
- 前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径が1.0〜10μmである、請求項3に記載のラッピング方法。
- 前記被研磨物は、炭化珪素、サファイア、窒化珪素、又は、窒化ガリウムの基板である、請求項3又は4に記載のラッピング方法。
- 前記ダイヤモンド砥粒は、研磨スラリに含まれた状態で、前記ラッピング用樹脂定盤と前記被研磨物との間に供給される、請求項3〜5のいずれか1項に記載のラッピング方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017064887A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
CN108136563A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-06-08 | Jh罗得股份有限公司 | 聚合磨光材料、包含聚合磨光材料的介质和系统及其形成和使用方法 |
JP2020506070A (ja) * | 2017-01-12 | 2020-02-27 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその作製方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN205703794U (zh) * | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 研磨垫的研磨层 |
JP6929060B2 (ja) * | 2016-12-28 | 2021-09-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 研磨材及びその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0360970A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-15 | Kanebo Ltd | 研磨用定盤 |
JPH0825213A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-01-30 | Noritake Co Ltd | ラッピング研磨装置の研磨定盤 |
JP2001232555A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平坦化方法 |
JP2006100556A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2804733A (en) * | 1953-05-21 | 1957-09-03 | Rexall Drug Company | Abrasive article |
US2749683A (en) * | 1954-10-05 | 1956-06-12 | Western Electric Co | Lapping plate |
US2989826A (en) * | 1956-03-10 | 1961-06-27 | Saint Gobain | Grinding machines simultaneously working both surfaces of a continuous ribbon of glass |
US3041799A (en) * | 1959-12-31 | 1962-07-03 | Besly Welles Corp | Abrasive disc and coolant arrangement |
FR1390205A (fr) * | 1963-06-04 | 1965-02-26 | Zane & C Snc | Disque abrasif flexible, procédé pour sa fabrication et moyens pour réaliser ce procédé |
US3526999A (en) * | 1968-08-08 | 1970-09-08 | Leopold Jagers | Cutting blades |
US3628292A (en) * | 1969-03-12 | 1971-12-21 | Itt | Abrasive cutting wheels |
US4187082A (en) * | 1974-06-17 | 1980-02-05 | Guerra Humberto R | Dental finishing strips |
US4037367A (en) * | 1975-12-22 | 1977-07-26 | Kruse James A | Grinding tool |
SE439599B (sv) | 1981-01-14 | 1985-06-24 | Kema Nord Ab | Sett att torka och expandera i vetska dispergerade, termoplastiska mikrosferer innehallande, flyktiga, flytande jesmedel |
JPS60242975A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-12-02 | Kanebo Ltd | 平面研磨装置 |
JP3264589B2 (ja) * | 1994-09-07 | 2002-03-11 | 東芝機械株式会社 | 研磨装置 |
US6326309B2 (en) * | 1998-06-30 | 2001-12-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method |
US6634927B1 (en) * | 1998-11-06 | 2003-10-21 | Charles J Molnar | Finishing element using finishing aids |
JP2000334658A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-05 | Fujitsu Ltd | ラップ加工装置 |
DE60045223D1 (de) * | 1999-06-15 | 2010-12-23 | Ibiden Co Ltd | Wafer poliermaschinentisch, wafer polierverfahren und halbleiterschleife herstellungsverfahren |
JP4408334B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2010-02-03 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気ヘッド素子の研磨装置 |
JP4743373B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2011-08-10 | 株式会社クラレ | 樹脂シートの製造方法 |
US6939212B1 (en) * | 2001-12-21 | 2005-09-06 | Lam Research Corporation | Porous material air bearing platen for chemical mechanical planarization |
JP3910921B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 研磨布および半導体装置の製造方法 |
US6802761B1 (en) * | 2003-03-20 | 2004-10-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pattern-electroplated lapping plates for reduced loads during single slider lapping and process for their fabrication |
JP2005131755A (ja) | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Speedfam Co Ltd | 硬質材の研磨装置及び研磨方法 |
JP3754436B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2006-03-15 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッドおよびそれを使用する半導体デバイスの製造方法 |
US6932684B1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-08-23 | Roy H. Hunt | Reciprocal blade lapping machine |
WO2006013996A1 (en) * | 2004-08-02 | 2006-02-09 | Showa Denko K.K. | Method of manufacturing polishing carrier and silicon substrate for magnetic recording medium, and silicon substrate for magnetic recording medium |
CN101056741B (zh) * | 2004-11-19 | 2010-12-08 | 丰田万磨株式会社 | 砂轮 |
TWI386989B (zh) * | 2005-02-25 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨裝置及研磨方法 |
US7588481B2 (en) * | 2005-08-31 | 2009-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Wafer polishing method and polished wafer |
JP2007061961A (ja) | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ラッピング定盤の製作方法及びメカニカルラッピング方法 |
JP2007069323A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Shinano Denki Seiren Kk | 定盤表面調整用砥石及び表面調整方法 |
JP4710774B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-06-29 | 株式会社日立製作所 | 研磨定盤の製造方法 |
MY151755A (en) * | 2007-12-28 | 2014-06-30 | Shinetsu Chemical Co | Outer blade cutting wheel and making method |
KR101024674B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2011-03-25 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | 소수성 절삭공구 및 그제조방법 |
JP4705971B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-06-22 | 一正 大西 | ラップ盤の製造装置 |
JP4488097B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2010-06-23 | 横浜ゴム株式会社 | ガスバリア樹脂成形品または積層体 |
DE102009006699A1 (de) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | Rhodius Schleifwerkzeuge Gmbh & Co. Kg | Schleifmittel mit pflanzlichen Samenkapseln als Füllstoff |
CN102422050B (zh) * | 2009-04-27 | 2016-02-24 | 新日铁住金工程技术株式会社 | 滑动构造、支承装置及免震构造物 |
JP5184448B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2013-04-17 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド、その製造方法および研磨加工方法 |
US8162728B2 (en) * | 2009-09-28 | 2012-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Dual-pore structure polishing pad |
US20110073094A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article with solid core and methods of making the same |
JP2011212752A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Hitachi Ltd | 研磨定盤の製造方法及び研磨定盤を用いた磁気ヘッドスライダの製造方法 |
MY170393A (en) * | 2010-11-29 | 2019-07-27 | Shinetsu Chemical Co | Cemented carbide base outer blade cutting wheel and making method |
JP5687118B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-03-18 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP5808201B2 (ja) | 2011-09-01 | 2015-11-10 | 株式会社ディスコ | 砥粒埋め込み装置、ラッピング装置及びラッピング方法 |
JP5945874B2 (ja) * | 2011-10-18 | 2016-07-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
CN203265622U (zh) * | 2011-11-03 | 2013-11-06 | 维苏维尤斯·克鲁斯布公司 | 一种用于将气体吹入冶金容器中的装置和冶金容器 |
JP2015011331A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014197550A patent/JP6434266B2/ja active Active
- 2014-12-11 EP EP14197460.0A patent/EP2886249B1/en active Active
- 2014-12-15 US US14/570,789 patent/US9370853B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0360970A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-15 | Kanebo Ltd | 研磨用定盤 |
JPH0825213A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-01-30 | Noritake Co Ltd | ラッピング研磨装置の研磨定盤 |
JP2001232555A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平坦化方法 |
JP2006100556A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨パッドとそれを用いた研磨方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108136563A (zh) * | 2015-07-30 | 2018-06-08 | Jh罗得股份有限公司 | 聚合磨光材料、包含聚合磨光材料的介质和系统及其形成和使用方法 |
JP2017064887A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
JP2020506070A (ja) * | 2017-01-12 | 2020-02-27 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその作製方法 |
JP6991224B2 (ja) | 2017-01-12 | 2022-01-12 | エスケイシー・ソルミックス・カンパニー・リミテッド | 多孔質ポリウレタン研磨パッドおよびその作製方法 |
US11325222B2 (en) | 2017-01-12 | 2022-05-10 | Skc Solmics Co., Ltd. | Porous polyurethane polishing pad and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9370853B2 (en) | 2016-06-21 |
EP2886249A1 (en) | 2015-06-24 |
JP6434266B2 (ja) | 2018-12-05 |
EP2886249B1 (en) | 2016-06-22 |
US20150165586A1 (en) | 2015-06-18 |
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