JP2015129342A - エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記エッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、複素芳香族化合物とを含む水溶液であり、
前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香5員環と、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香6員環とを分子内に含むことを特徴とする。
前記補給液は、酸と、複素芳香族化合物とを含む水溶液であり、
前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香5員環と、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香6員環とを分子内に含むことを特徴とする。
厚み12μmの電解銅箔(三井金属鉱業社製、商品名3EC−III)を積層した銅張積層板を用意し、前記銅箔をパラジウム触媒含有処理液(奥野製薬社製、商品名:アドカッパーシリーズ)で処理した後、無電解銅めっき液(奥野製薬社製、商品名:アドカッパーシリーズ)を用いて無電解銅めっき膜を形成した。次いで、電解銅めっき液(奥野製薬社製、商品名:トップルチナSF)を用いて、前記無電解銅めっき膜上に厚み10μmの電解銅めっき膜を形成し、銅層の総厚みを22.5μmとした。得られた電解銅めっき膜の表面を厚み15μmのドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ社製、商品名:SUNFORT SPG−152)で被覆した。その後、ライン/スペース(L/S)=33μm/27μmのガラスマスクを使用して露光し、現像処理により未露光部を除去することでL/S=33μm/27μmのエッチングレジストパターンを作製した。
エッチングは扇形ノズル(いけうち社製、商品名:ISVV9020)を使用して、スプレー圧0.12MPa、処理温度45℃の条件で行った。エッチング加工時間は、エッチング後の銅配線の底部幅(W1)が30μmに至る時点に設定した。エッチング後、水洗、乾燥を行って、以下に示す評価を行った。
エッチング処理した各試験基板の一部を切断し、これをポリエステル製冷間埋め込み樹脂に埋め込み、銅配線の断面を観察できるように研磨加工を行った。そして、光学顕微鏡を用いて200倍で前記断面を観察し、銅配線の底部幅(W1)が30μmであることを確認するとともに頂部幅(W2)を計測して、エッチングレジストパターン幅との差(33−W2)をサイドエッチング量(μm)とした(図1参照)。結果を表1〜3に示す。
エッチング処理した各試験基板を50℃の3重量%水酸化ナトリウム水溶液に60秒間浸漬し、エッチングレジストを除去した。その後、塩酸(塩化水素濃度:7重量%)を用い、扇形ノズル(いけうち社製、商品名:ISVV9020)で、スプレー圧0.12MPa、処理温度30℃、処理時間10秒で保護皮膜を除去した。そして、光学顕微鏡を用いて200倍で試験基板上面を観察し、銅配線頂部の配線幅(W2)を20μm間隔で10箇所計測し、その標準偏差を直線性(μm)とした。結果を表1〜3に示す。
エッチングレジストパターンを作製する際、L/S=33μm/27μmのパターン領域と、L/S=60μm/150μmのパターン領域とが混在したエッチングレジストパターンを作製したこと以外は、上記と同様の試験基板を用意した。
エッチングは扇形ノズル(いけうち社製、商品名:ISVV9020)を使用して、スプレー圧0.12MPa、処理温度45℃の条件で行った。エッチング加工時間は、L/S=33μm/27μmのエッチングレジストパターン領域における銅配線の底部幅(W1)が30μmに至る時点に設定した。エッチング後、水洗、乾燥を行って、以下に示す評価を行った。
エッチング処理した各試験基板の一部を切断し、これをポリエステル製冷間埋め込み樹脂に埋め込み、銅配線の断面を観察できるように研磨加工を行った。そして、光学顕微鏡を用いて200倍で前記断面を観察し、L/S=33μm/27μmのエッチングレジストパターン領域と、L/S=60μm/150μmのエッチングレジストパターン領域のそれぞれの銅配線の頂部幅(W2)を計測して、エッチングレジストパターン幅との差をサイドエッチング量(μm)とした。つまり、L/S=33μm/27μmのエッチングレジストパターン領域のサイドエッチング量は、33−W2(μm)となり、L/S=60μm/150μmのエッチングレジストパターン領域のサイドエッチング量は、60−W2(μm)となる。結果を表4に示す。
エッチング処理した各試験基板を50℃の3重量%水酸化ナトリウム水溶液に60秒間浸漬し、エッチングレジストを除去した。その後、塩酸(塩化水素濃度:7重量%)を用い、扇形ノズル(いけうち社製、商品名:ISVV9020)で、スプレー圧0.12MPa、処理温度30℃、処理時間10秒で保護皮膜を除去した。そして、光学顕微鏡を用いて200倍で試験基板上面を観察し、L/S=33μm/27μmのエッチングレジストパターン領域に形成された銅配線頂部の配線幅(W2)を20μm間隔で10箇所計測し、その標準偏差を直線性(μm)とした。結果を表4に示す。
2 エッチングレジスト
3 保護皮膜
Claims (9)
- 銅のエッチング液であって、
前記エッチング液は、酸と、酸化性金属イオンと、複素芳香族化合物とを含む水溶液であり、
前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香5員環と、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香6員環とを分子内に含む、エッチング液。 - 前記酸は、塩酸である請求項1に記載のエッチング液。
- 前記酸化性金属イオンは、第二銅イオンである請求項1又は2に記載のエッチング液。
- 前記複素芳香族化合物は、前記複素芳香5員環と前記複素芳香6員環とが縮合して縮合環を形成した複素芳香族化合物A、及び前記複素芳香5員環と前記複素芳香6員環とが単結合又は二価の連結基で連結した複素芳香族化合物Bから選ばれる1種以上である請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 前記複素芳香族化合物Aは、複素芳香族化合物A1及び複素芳香族化合物A2から選ばれる1種以上であり、
前記複素芳香族化合物A1は、分子中に含まれる前記複素芳香5員環及び/又は前記複素芳香6員環が、アミノ基、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロゲン基及びチオール基から選ばれる1種以上の置換基で置換されている化合物であり、
前記複素芳香族化合物A2は、分子中に含まれる前記複素芳香5員環及び前記複素芳香6員環を構成する窒素の数の合計が3つ以下の化合物である請求項4に記載のエッチング液。 - 前記酸の濃度が、5〜180g/Lであり、
前記酸化性金属イオンの濃度が、10〜300g/Lであり、
前記複素芳香族化合物の濃度が、0.01〜100g/Lである請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液。 - 5〜7員環の脂肪族複素環を有する脂肪族複素環式化合物をさらに含む請求項1〜6のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載のエッチング液を連続又は繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、
前記補給液は、酸と、複素芳香族化合物とを含む水溶液であり、
前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香5員環と、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香6員環とを分子内に含む、補給液。 - 銅層のエッチングレジストで被覆されていない部分をエッチングする銅配線の形成方法であって、
請求項1〜7のいずれか1項に記載のエッチング液を用いてエッチングする、銅配線の形成方法。
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