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TW103144329A TWI543375B (zh) 2013-12-26 2014-12-18 絕緣閘極型半導體裝置的製造方法及絕緣閘極型半導體裝置

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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6266975B2 (ja) 2013-12-26 2018-01-24 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置
JP6208612B2 (ja) 2014-04-09 2017-10-04 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
JP6266166B2 (ja) * 2015-03-30 2018-01-24 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
JP6237845B1 (ja) 2016-08-24 2017-11-29 富士電機株式会社 縦型mosfetおよび縦型mosfetの製造方法
JP2018113421A (ja) * 2017-01-13 2018-07-19 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
JP6946824B2 (ja) * 2017-07-28 2021-10-06 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2019046991A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7288827B2 (ja) * 2019-09-06 2023-06-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US11640990B2 (en) * 2020-10-27 2023-05-02 Wolfspeed, Inc. Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices
CN113054012B (zh) * 2021-02-23 2021-12-03 杭州士兰微电子股份有限公司 绝缘栅双极晶体管及其制造方法
CN116072712A (zh) * 2021-10-29 2023-05-05 华为数字能源技术有限公司 沟槽栅半导体器件及其制造方法
JP2023135297A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
TWI832716B (zh) * 2023-03-02 2024-02-11 鴻海精密工業股份有限公司 製作半導體裝置的方法與半導體裝置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1187698A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Kansai Electric Power Co Inc:The 高耐圧半導体装置及びこの装置を用いた電力変換器
US6380569B1 (en) * 1999-08-10 2002-04-30 Rockwell Science Center, Llc High power unipolar FET switch
TW594946B (en) 2002-01-16 2004-06-21 Sanken Electric Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP4414863B2 (ja) 2004-10-29 2010-02-10 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
JP4488935B2 (ja) 2005-03-11 2010-06-23 関西電力株式会社 高耐圧半導体装置
JP4735235B2 (ja) * 2005-12-19 2011-07-27 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
JP4453671B2 (ja) * 2006-03-08 2010-04-21 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
JP4915221B2 (ja) 2006-11-28 2012-04-11 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5206248B2 (ja) 2008-09-04 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP5353190B2 (ja) * 2008-11-04 2013-11-27 トヨタ自動車株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2012238741A (ja) 2011-05-12 2012-12-06 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP6037499B2 (ja) * 2011-06-08 2016-12-07 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20140221427A1 (en) * 2011-06-22 2014-08-07 Celgene Corporation Isotopologues of pomalidomide
US20130087852A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Suku Kim Edge termination structure for power semiconductor devices
US8653587B2 (en) * 2012-02-13 2014-02-18 Force Mos Technology Co., Ltd. Trench MOSFET having a top side drain
JP6139355B2 (ja) 2013-09-24 2017-05-31 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6266975B2 (ja) 2013-12-26 2018-01-24 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置
JP6208612B2 (ja) 2014-04-09 2017-10-04 トヨタ自動車株式会社 絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法

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