JP2015125424A - 光学装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 1本のファイバを用いて波長の異なる複数光源全てからの光を導光した場合よりも光量損失のばらつきを低減可能な光学装置を提供する。
【解決手段】 本発明は被照射面に光を照明する光学系を有する光学装置に関する。互いに波長が異なる光を射出する3個以上の光源1と、光源1からの3以上の光を前記光学系に導く複数のファイバ7a〜7dとを有する。複数のファイバは、3以上の光のうち2以上の光が入射する第1のファイバ7dと、2以上の光以外の波長の光が入射する第2のファイバ7aとを有し、第1のファイバ7dと第2のファイバ7aとは互いにカットオフ波長が異なることを特徴とする。
【選択図】 図5
【解決手段】 本発明は被照射面に光を照明する光学系を有する光学装置に関する。互いに波長が異なる光を射出する3個以上の光源1と、光源1からの3以上の光を前記光学系に導く複数のファイバ7a〜7dとを有する。複数のファイバは、3以上の光のうち2以上の光が入射する第1のファイバ7dと、2以上の光以外の波長の光が入射する第2のファイバ7aとを有し、第1のファイバ7dと第2のファイバ7aとは互いにカットオフ波長が異なることを特徴とする。
【選択図】 図5
Description
本発明は、光学装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法に関する。
特許文献1は、互いに波長の異なる光を放射する3つ、あるいは4つの光源から射出した3または4つの光を、コリメータレンズを介して合成し、1本のファイバに入射する顕微鏡に関する。このファイバに入射する合成光の入射角がファイバの臨界角よりも小さくかつ光源の像がファイバの入射端面を超えない範囲で最大の大きさとなるように、各光源からの光に、互いに光学特性が異なるコリメータレンズを使用する旨が記載されている。
特許文献1のように、1本のファイバを用いて波長の異なる複数光源全てからの光を導光すると、ファイバに対して外部から振動や曲げ応力が加わった際に、波長ごとの応力耐性の違いに起因して各光源からの光の光量損失の度合いがばらつく恐れがある。
これにより、光を照明する対象物の違い又は対象物上の照明位置の違いによって反射特性の良い波長が異なる場合には、得られる像のコントラストや像から求める位置の計測精度が低下する恐れがある。
そこで本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、1本のファイバを用いて波長の異なる複数光源全てからの光を導光した場合よりも光量損失のばらつきを低減可能な光学装置を提供することを目的とする。
本発明の光学装置は、被照射面に光を照明する光学系を有する光学装置であって、互いに波長が異なる光を射出する3個以上の光源と、前記3個以上の光源からの3以上の光を前記光学系に導く複数のファイバとを有し、前記複数のファイバは、前記3以上の光のうち2以上の光が入射する第1のファイバと、前記2以上の光以外の波長の光が入射する第2のファイバとを有し、前記第1のファイバと前記第2のファイバとは互いにカットオフ波長が異なることを特徴とする。
本発明の光学装置は、1本のファイバを用いて波長の異なる複数光源全てからの光を導光した場合よりも光量損失のばらつきを低減可能である。
以下の各実施形態は、互いに波長が異なる光を射出する光源を3個以上有しており、各々の光源からの光量損失のばらつきをなるべく抑えながら、各々の光源からの3以上の光を導光して被照射面に照射する(照明する)光学装置に関する。
[第1実施形態]
図1は第1実施形態に係る光学装置100の構成を示す図である。光学装置100は、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。
図1は第1実施形態に係る光学装置100の構成を示す図である。光学装置100は、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。
光学装置100は、光源1(1a、1b、1c)、導光手段2、照明光学系3を有している。光源1から射出された光を導光手段2を介して照明光学系(光学系)3に導光し、照明光学系3内のダイクロイックプリズム4で異なる光路から入射した光を合成して、同じく照明光学系3内の対物レンズ5を介して被照射面11に照明する。
3つの光源1a、1b、1cは互いに波長の異なる光を出射するレーザ光源である。光源1aの光の波長をλ1、光源1bの光の波長をλ2、光源1cの光の波長をλ3(λ1<λ2<λ3)とする。ただし、λ1とλ2の波長差に比べて、λ2とλ3の波長差は短いとする。
光源1のレーザ光源として、半導体レーザ、ArやHe−Neを媒質とするガスレーザ等を使用する。なお、光源1a、1b、1cとして種類の異なる光源を組み合わせて使用しても構わない。
導光手段2は、光源1aの光を導光するファイバ7a(第2のファイバ)及びその両端に設けられたコネクタ8a、光源1bの光を導光するファイバ7b及びその両端に設けられたコネクタ8bを有している。光源1cの光を導光するファイバ7c及びその両端に設けられたコネクタ8cを有している。さらに、ファイバ7bとファイバ7cにより導光した光を合成してファイバ7d(第1のファイバ)に射出するカプラ9と、ファイバ7dの両端に設けられたコネクタ8dを有している。
ファイバ7a〜7d(複数のファイバ)のうち、最終的には光源1aの光をファイバ7aで、光源1b、1cの光をファイバ7dで照明光学系3に導いている。ファイバ7a、ファイバ7dには異なるカットオフ波長を示すファイバを使用する。なお、カットオフ波長は、シングルモードファイバにおいて光がマルチモードとシングルモードのどちらの分散モードで伝搬するかどうかの境界波長である。製造工程に起因してばらつきが生じるため、カットオフ波長は所定範囲の波長帯域で表される。
一般に、ファイバに対して曲げ応力が加わった場合、光量損失が生じる。これは曲げ応力が加わった際に、ファイバのコア及びクラッドの境界面に入射する光の角度が臨界角よりも小さくなった光が全反射できず、一部の光が外部に放出されることによる。波長ごとに曲げ応力耐性がことなるため、同じファイバに対して波長の帯域差が大きな光を入射したときほど、光量損失がばらつくことになる。
そのため、光量損失のばらつきを低減するためには、図1に示すように、ファイバ7dで導光する複数の波長の光は全ての光源の波長のうちλ2とλ3のように相対的に近い波長の光であることが好ましい。すなわち、ファイバ7dに対して波長がλ1とλ3の光を組み合わせて入射することは避けることが好ましい。
さらに、ファイバ7a〜7dは、各光源からの光をシングルモードで伝搬可能なシングルモードファイバであることが好ましい。シングルモードファイバであれば、レーザ光源のような直線偏光光の偏波面をなるべく保持して伝搬することが可能である。マルチモードファイバを使用してしまうと、所望の偏波面を保持できなくなってしまう。
光量損失をなるべく抑えてシングルモードで光を導光するために、ファイバ7aは波長λ1の光を、ファイバ7dは波長λ2及びλ3の光をシングルモードで伝送できるカットオフ波長を有するファイバを各々選択する。そのためには、ファイバで導光する光の最短の波長よりも短い長さの波長帯域をカットオフ波長として示すファイバを選択すれば良い。そこで、ファイバ7dを選択する際には、そのカットオフ波長の波長帯域が波長λ2よりも短い波長帯域からなり、かつ比較的波長λ2やλ3の光の光量損失が少ないファイバを選択する。
照明光学系3は、コリメータレンズL1、L2を有している。光源1aからの光を平行にするコリメータレンズL1と、光源1b及び光源1cからの光を各々平行にするコリメータレンズL2を有している。さらに、コリメータレンズL2を通過した光をダイクロイックプリズム4に向けて反射するミラー10、コリメータレンズL1、L2とダイクロイックプリズム4との間に配置されている開口絞り6も有している。その他、コリメータレンズL1、L2で平行にした光の形状を維持するために不図示のレンズを配置していても構わない。
コリメータレンズL1、L2は、焦点位置、レンズの厚さ等の光学特性が異なるレンズを使用することが好ましい。例えば、各々適切な焦点位置を有しているコリメータレンズL1、L2を選択することで、ファイバ7a、7dから射出される光の径を揃えることが可能となる。これにより、各々のファイバ7a,7dのモードフィールド径が異なることに起因して生じる各々の光の結像倍率の違いを補正することが可能となる。
また、コリメータレンズを配置する光路の数を1つに集約しないことにより、各々の光路に配置するコリメータレンズL1、L2ごとにレンズの曲率、レンズの厚さ、硝材等を選ぶことが可能である。よって、これらを適切に選択すれば被照射面11における色収差の影響を低減する効果もある。コリメータレンズをユニットとして複数のコリメータレンズで構成している場合には、レンズ間の距離を調整して色収差を補正することも可能である。
照明光学系3の瞳面に配置している開口絞り6によって、被照射面11の像のコントラストや分解能を調整することができる。なお、光源1a、1b、1cの波長間の差異が小さい場合には、ダイクロイックプリズム4と対物レンズ5との間にのみ開口絞り6を置くことで開口数を一律に調整し、省スペース化を図っても良い。これらの開口絞り6の開口数の調整は、開口の絞り量を虹彩絞りを用いて調整する。
所定の偏光方向の偏光光を照明するには、ファイバ7a、7b、7c、7dに入射する各々の偏光光同士の偏光方向の角度ずれよりも、ダイクロイックプリズム4で合成後の各々の偏光光同士の偏光方向の角度ずれは少ない方が好ましい。本実施形態では、ファイバ7a及び7dの光の射出口を所定量回転させた状態でダイクロイックプリズム4に向けて光を射出することで、合成光に含まれる各々の波長の光の偏光方向を一致させている。
偏光光の偏波面をより保持した状態で光を導光したい場合には、ファイバ7a、7b、7c、7dとして、シングルモードファイバのうち偏波面保持ファイバを使用することが好ましい。コアに対して非軸対称な応力を加えてファイバ内の複屈折を誘起する構造となっているため、外部からの振動や応力による偏光特性の変化を抑制することができる。
このように光学装置100を構成すれば、曲げ応力に伴う光量の損失を低減しつつ、前述の光の射出口の回転位置調整と組み合わせることによって、ダイクロイックプリズム4から射出される偏光方向が一致するように調整することが容易となる。
なお、本実施形態の光学装置100は、クリティカル照明の光学装置であってもケーラー照明の光学装置であっても良い。
本実施形態における光学装置は、互いに波長が異なる光を射出するM(Mは3以上の整数)個の光源をN個の群に分けて、照明光学系に直接的に光を入射させるN(M>N≧2)本のファイバを有している。以下、N個の群に分けられた光源のうち、出射光が同じ1本のファイバで導光される複数の光源のことを光源群と称す。
光源の数よりも照明光学系に直接的に光を入射させるファイバの本数を少なくし、かつ異なるカットオフ波長を示すファイバを用いて光学装置を構成している。
照明光学系に直接的に光を入射させるファイバのうち、少なくとも1本のファイバでは2以上の光源からの入射光を、さらに他のファイバでは前記少なくとも1本のファイバに入射する光以外の波長の入射光を導光する。これにより、1本のファイバで複数の異なる波長の光を全て導光する場合に比べて、異なる波長間の光量損失のばらつきを低減することが可能となる。より偏波面を維持したい場合には、偏向面を維持しながら導光することが可能な偏波面保持ファイバを使用することによってさらに高めることが可能となる。
また、光量損失が大きくなりやすい光源の出力を無理に上げて光量損失のばらつきを抑制する場合に比べて、光源の寿命や出力の安定性を確保することが可能となる。さらに光源と同数のファイバで導光しないため、ファイバから射出された照明光学系における光路の数が少ない分、光学装置の小型化を実現することができる。
[第2実施形態]
本実施形態の光学装置は、第1実施形態と同様、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。
本実施形態の光学装置は、第1実施形態と同様、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。
図2(A)は第2実施形態に係る光学装置200a、図2(B)は第2実施形態に係る光学装置200bの構成を示す図である。第2の実施形態は、光源1b、光源1cの光を合成する手段として、カプラ9を使用しない点で第1の実施形態とは異なる。
図2(A)では、第1実施形態におけるファイバ7b、7c、コネクタ8b、8c、カプラ9の代わりに、レンズ系20b、20c、ミラー21、ダイクロイックプリズム4’を用いて、同一の光源群(光源1b、1c)からの光を合成している。光源1bから射出した光をレンズ系20bでダイクロイックプリズム4’に導光し、光源1cから射出した光をレンズ系20cで導光してその光路をミラー21で曲げてからダイクロイックプリズム4’に入射している。
ダイクロイックプリズム4’は光源1b、1cから射出した光を合成する。カプラ9を使用しないことにより、同一の光源群の光の合成に伴う、光量損失を低減することができるという利点がある。
図2(B)では、第1実施形態におけるファイバ7b、7c、コネクタ8b、8cはそのまま使用する点で図2(A)の実施形態とは異なる。カプラ9を使用せずに光源1bから射出する光をレンズ系20bでダイクロイックプリズム4’に導光している。一方、光源1cから射出する光をレンズ系20cで導光して、その光路をミラー21で曲げてからダイクロイックプリズム4’に入射している。
光学装置200aと同様、カプラを用いずにダイクロイックプリズム4’を用いて同一の光源群の光を合成することで光量損失がばらつくことを低減することができるという利点がある。ファイバ7b、7cの長さ調整により、光源1b、1cの配置の自由度が増すことと、光源1b、1cからの発熱が他の周囲の機器に影響を及ぼすことを防ぐこととが可能となる。さらに、光源1b、1cやファイバ7b、7cの交換はコネクタ8b、8cにおける接続の取り外しによって行うため、導光手段2や照明光学系3における光軸の再調整が不要となるという効果もある。
[第3実施形態]
本実施形態の光学装置は、第1、第2実施形態と同様、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。図3は第3実施形態に係る光学装置300の構成を示す図である。光源1の数が計5つである点と、それらの光の合成方法が異なる点で、第1の実施形態とは異なる。
本実施形態の光学装置は、第1、第2実施形態と同様、所定の偏光方向の直線偏光光を照明したいという要求のある顕微鏡である。図3は第3実施形態に係る光学装置300の構成を示す図である。光源1の数が計5つである点と、それらの光の合成方法が異なる点で、第1の実施形態とは異なる。
光源1a(波長λ1)、1b(波長λ2)、1c(波長λ3)から射出する光の導光手段2の構成は第1実施形態と同様であるため説明を省略する。光源1eの波長をλ4、光源1fの波長をλ5(λ1<λ2<λ3<λ4<λ5)とする。
さらに導光手段2は、光源1eの光を導光するファイバ7e及びその両端に設けられたコネクタ8e、光源1fの光を導光するファイバ7f及びその両端に設けられたコネクタ8fを有している。また、ファイバ7e、7fにより導光した光を合成してファイバ7gに射出するためのカプラ9bと、ファイバ7gの両端に設けられたコネクタ8gとを有している。光源1の偏光方向をなるべく保持するためにも、ファイバ7a〜7gとしてシングルモードファイバを使用している。
全ての波長をシングルモードで導光するためには、各ファイバ7a〜7gのカットオフ波長は、各ファイバに入射する最短の波長よりも短い長さの波長帯域を示すことが好ましい。すなわち、ファイバ7aとしてカットオフ波長がλ1よりも短いファイバを、ファイバ7dとしてカットオフ波長がλ2よりも短いファイバを、ファイバ7gとしてカットオフ波長がλ4よりも短いファイバを選ぶことが好ましい。このようにファイバ7a、7d、7gは、カットオフ波長が各々異なるものを使用する。
本実施形態では、ファイバ7a、7d、7gから射出した光を各々コリメータレンズで平行光にしてからダイクロイックプリズム4で合成するのではなく、ファイバ7d、7gから射出した光は一度ダイクロイックプリズム4’で合成している。そして、ダイクロイックプリズム4’で合成した光をコリメータレンズL2に入射させている。このように、ファイバ7a〜7gから照明光学系3に射出した光路であってコリメータレンズを配置する光路の数Pを、照明光学系に直接的に光を入射させるファイバの本数Nよりも少なくしている。
波長λ2、λ3、λ4、λ5が所定の波長帯域幅内であり、同一のコリメータレンズL2を通過させることにより生じる色収差が被照射面11上で許容範囲内となる場合には、本実施形態を適用することが好ましい。光学装置300内に配置するレンズの個数をなるべく少ない構成にすることで、色収差補正に伴う光学装置300の大型化及び複雑化を低減することが可能となる。また、第1及び第2実施形態と同様、光源数Mよりもファイバ7a、7d、7gの本数N(N≧2)を少なくすることにより、光学装置300を小型化しつつ、光量損失のばらつきを低減する効果も得られる。
以上の第1〜第3実施形態に示す光学装置100、200a、200b、300は、顕微鏡の光学装置としてはもちろんのこと、後述のピックアップ光学系400や位置検出装置500に適用することも可能である。
[第4実施形態]
図4に第4実施形態に係るピックアップ光学系400の構成を示す。ピックアップ光学系400は、被照射面であるCDやDVD等の光ディスク40に光を照射して、光ディスク40内の情報の読取が可能なピックアップ光学系である。ピックアップ光学系400は光源1から射出した光を、導光手段2、照明光学系3を介して光ディスク40に照射する。光ディスク40で反射した光は検出光学系41を介して検出器42で検出される。検出器42における出力信号を用いて、光ディスク40に記録されている情報を読み取る。
図4に第4実施形態に係るピックアップ光学系400の構成を示す。ピックアップ光学系400は、被照射面であるCDやDVD等の光ディスク40に光を照射して、光ディスク40内の情報の読取が可能なピックアップ光学系である。ピックアップ光学系400は光源1から射出した光を、導光手段2、照明光学系3を介して光ディスク40に照射する。光ディスク40で反射した光は検出光学系41を介して検出器42で検出される。検出器42における出力信号を用いて、光ディスク40に記録されている情報を読み取る。
光源1、導光手段2、及び照明光学系3において光源1a、1b、1cの光をダイクロイックプリズム4で合成するまでの構成は第1実施形態と同様であるため説明を省略する。なお、ピックアップ光学系400は、後述の偏光ビームスプリッタ43(以下、ビームスプリッタ43と称す)を使用するため、光源1は直線偏光光であり、ファイバ7a〜7dはシングルモードファイバであることが好ましい。このように構成して偏波面を保持したまま光を導光することにより、ビームスプリッタ43を通過できない光による大幅な光量損失が生じることを防ぐことが可能となる。
光源1として半導体レーザを使用して直線偏光光を得る。また、被照射面11である光ディスク40の種類に応じた光源1を用意するため、例えば光源1aの波長λ1=405nm、光源1bの波長λ2=650nm、光源1cの波長λ3=780nmとする。400nm程度の波長の光源としては、GaN系青紫色半導体レーザやSHG青紫色レーザ等を使用する。
照明光学系3は、さらに、ダイクロイックプリズム4によって合成した光を反射するミラー10b、ビームスプリッタ43、λ/4板44、開口絞り6、対物レンズ5を有している。ビームスプリッタ43はビームスプリッタ43に対する光の入射面に平行な面内(YZ平面と平行な面)に振動するP偏光の光を透過し、光の入射面に垂直な方向(XZ平面と平行な面)に振動するS偏光の光を入射方向とは直角方向に反射する。
P偏向の光はλ/4板44を通過して円偏光に変換され、変換された円偏光の光は開口絞り6を介して、対物レンズ5によって光ディスク40に光を結像する。対物レンズ5の開口数は、ピックアップ光学系400において一般的な値である0.6以上とする。
検出光学系41は、対物レンズ5、開口絞り6、λ/4板44、ビームスプリッタ43、結像用のレンズ45を有している。すなわち、対物レンズ5、開口絞り6、λ/4板44、ビームスプリッタ43は照明光学系3及び検出光学系41の両方に属している。
対物レンズ5によって照射された光は、光ディスク40からの光(正反射光、反射回折光、反射散乱光のいずれか、あるいはこれらの組み合わせを含む)は、照明した円偏光に対して回転方向が逆回りの円偏光となる。よって再び対物レンズ5及び開口絞り6を通過した円偏光は、λ/4板44によって直線偏光に戻るが、反射光はS偏光の直線偏光となるため、ビームスプリッタ43によって入射方向と直角方向に反射される。その後、結像用のレンズ45によって検出器42光を結像し、検出器42は光信号を検出することで情報を読み出す。
本実施形態のように、ビームスプリッタ43を使用する場合は、ファイバ7a〜7dとして偏波面保持ファイバを使用し、かつその偏波面保持ファイバの射出口から射出される偏光光が所定の方向に偏向するように射出口の向きを調整しておく。このようにして、ファイバ7a、7dに入射する各々の偏光光同士の偏光方向の角度ずれよりも、ダイクロイックプリズム4で合成後の各々の偏光光同士の偏光方向の角度ずれは少なくして合成光の偏光方向を揃えることが好ましい。
ビームスプリッタ43を透過後の光量損失の度合いを減らし、光量損失のばらつきを低減することによって、照明光のコントラストの低下を抑制して光信号の読み出し精度の低下を抑えることが可能となる。
ピックアップ光学系は通常配置スペースに十分な余裕のないことが多い。そのため、光源数Mよりも照明光学系に対して直接的に光を入射するファイバの本数N(N≧2)を少なくする構成は、光量損失のばらつきを低減しつつもピックアップ光学系を小型化可能であるという点で優れている。また、光量損失のばらつきを低減できることから、波長によって光量偏差の少ない円偏光を形成することが可能となり光ディスク上の各位置における情報の読み取り誤差を軽減することが可能となる。
[第5実施形態]
図5に第5実施形態に係る位置検出装置500の構成を示す。位置検出装置500は光源1から射出した光をウエハ(基板)等の被照射面11に照射し、被照射面11上に形成されているマーク50の位置を検出する光学装置である。位置検出装置500は、光源1、導光手段2、照明光学系3、位置検出用の検出光学系51を有している。
図5に第5実施形態に係る位置検出装置500の構成を示す。位置検出装置500は光源1から射出した光をウエハ(基板)等の被照射面11に照射し、被照射面11上に形成されているマーク50の位置を検出する光学装置である。位置検出装置500は、光源1、導光手段2、照明光学系3、位置検出用の検出光学系51を有している。
光源1、導光手段2、及び照明光学系3において光源1a、1b、1cの光をダイクロイックプリズム4で合成するまでの構成は第4実施形態と同様であるため説明を省略する。位置検出装置500も、ビームスプリッタ43を使用するため、光源1は直線偏光光であり、ファイバ7a〜7dはシングルモードファイバであることが好ましい。このように構成して偏波面を保持したまま光を導光することにより、ビームスプリッタ43で大幅な光量損失が生じることを防ぐことが可能となる。
光源1a〜1cとして、互いに波長の異なる直線偏光の光を射出する光源を使用する。本実施例の光源1a〜1cの波長は、λ1=450nm、λ2=635nm、λ3=780nmである。光源1a〜1cの波長が特定の狭帯域のみに分散しないようにすることが好ましい。これにより、被照射面11上の各位置における反射率の波長依存性の影響を受けて、異なる位置に形成されているマーク50ごとに計測精度が変化してしまうことを低減することができる。
また、導光時の光量損失のばらつきが大きくなりやすいため、λ2=450nm、λ3=780nmというように波長差の大きい光源同士を組み合わせてファイバ7dで導光することは避けるべきである。
ダイクロイックプリズム4で合成した光は、ビームスプリッタ43に入射する。ビームスプリッタ43はY軸に平行なP偏光の光を透過し、X軸方向に平行なS偏光の光を被照射面11の方向に反射する。ビームスプリッタ43で反射されたS偏光の光は、λ/4板44、開口絞り6、対物レンズ5を介して、被照射面11に光を照明する。
検出光学系51は対物レンズ5、開口絞り6、λ/4板44、ビームスプリッタ43、結像用のレンズ45、検出器52を有している。検出器52としてはCMOSやCCD等の撮像素子を使用する。対物レンズ5、開口絞り6、λ/4板44、ビームスプリッタ43は照明光学系3及び検出光学系51の両方に属している。
マーク50からの光(正反射光、反射回折光、反射散乱光のいずれか、あるいはこれらの組み合わせを含む)は、再び対物レンズ5、開口絞り6、λ/4板44を透過して、ビームスプリッタ43に入射する。なお、ビームスプリッタ43で反射されたS偏光の光は、第4実施形態と同様の作用によって円偏光の光としてマーク50に照明され、再びλ/4板44を透過することで直線偏光に戻る。
S偏光由来の円偏光はその回転方向が変化し、再びビームスプリッタ43に入射する。そしてレンズ45で検出器52にマーク50の像を結像する。検出器52はマーク50の像から、被照射面11上におけるマーク50の位置を求める。
光源数Mよりも照明光学系に対して直接的に光を入射するファイバの本数N(N≧2)を少なくする構成は、同一のファイバ内を透過する複数波長の光の光量損失のばらつきや収差発生の影響を低減しつつも光学装置を小型化可能であるという点で優れている。
[第6実施形態]
図6(a)はリソグラフィ装置600の図である。第5実施形態の位置検出装置500を、光や電子線等のビームを露光する露光装置やインプリント装置等のリソグラフィ装置600に適用することが可能である。被照射面であるウエハ62上に形成しているマーク50の位置検出するために使用する。
図6(a)はリソグラフィ装置600の図である。第5実施形態の位置検出装置500を、光や電子線等のビームを露光する露光装置やインプリント装置等のリソグラフィ装置600に適用することが可能である。被照射面であるウエハ62上に形成しているマーク50の位置検出するために使用する。
本実施形態の場合は、ウエハ62上に塗布されている不図示のレジストを感光しないようにするためにも、光源1の波長が450nm以上の光を使用することが好ましい。450nm〜800nmの波長帯域の光を使用することがより好ましい。
図6(a)に示すリソグラフィ装置600は、真空雰囲気(減圧状態)やガス雰囲気の露光空間610(以下、チャンバー610と称す)内に、リソグラフィ装置600のビームの被照射面であるウエハ62がある。このような場合、位置検出装置500の光源1から生じる発熱がチャンバー610内の他の計測機器の計測精度に悪影響を及ぼす可能性がある。
そこで、光源1はチャンバー610の隔壁60を隔ててチャンバーの外部に配置することが好ましい。このとき、チャンバー610内に光を導光するために、ファイバ7a、7dが隔壁60を貫通するように配置する。
図6(b)は、図6(a)における位置検出装置500の周辺部の拡大図である。複数の波長の光源1から射出した光を1本のファイバで導光すると、隔壁60の振動や応力によってファイバが曲がることにより、ファイバ内を透過する光の波長ごとに光量損失がばらついたり色収差が生じたりする。一方、光源の数と同じ数のファイバを用意して隔壁60を挟んで導光する構成にすると、ファイバを固定するためのフランジ61の数の増大や、チャンバー610内における照明光学系3のスペース増大を引き起こしてしまう。
そのため、本実施形態においても、波長の異なる光を射出するM(M≧3)の光源からの光をN本のファイバで導光する光源群に分割して、隔壁60を隔てて光源1からの光を導光する構成にする。なお、各ファイバで導光する光は、なるべく波長の近い光同士にしておくことが好ましい。これにより、ダイクロイックプリズム4で合成するまでの間に生じる波長間の光量損失のばらつきを、1本のファイバのみで導光する場合に比べて低減することができる効果を得る。
さらに、広帯域の波長を射出する白色LED等を光源1として用いた位置検出装置に比べて位置検出装置500は小型であるため、被照射面11に露光するビームの近くに位置検出装置500の照明光学系3を配置することが可能となる。これにより、マーク50の位置検出に伴う被照射面11を保持して駆動する、図6(a)に示すステージ63の移動量を小さくすることが可能となる。
なお、位置検出装置500はウエハ62の高さ計測としても、ウエハ上に形成した各層のパターンの重ね合わせ精度を検査する、検査装置用の光学装置としても適用することも可能である。
[その他の実施形態]
異なる波長を射出する光源1の個数が3個以上の場合に適用可能であり、例示した3個や5個に限定されるわけではない。また、光源群単位で1つの筐体に収められている形態でも良い。
異なる波長を射出する光源1の個数が3個以上の場合に適用可能であり、例示した3個や5個に限定されるわけではない。また、光源群単位で1つの筐体に収められている形態でも良い。
また、光源1はレーザ光源の他に、各色LEDやハロゲンランプ等が挙げられる。光源が射出する光が非偏光の場合は、非偏光の光を、偏光板等の偏光素子(不図示)に入射させることよって直線偏光の光を取り出して使用する。また、ハロゲンランプの場合は、ハロゲンランプ同士を組み合わせて使用する場合には、異なる波長で切り出して使用する。また、ハロゲンランプとその他の種類の光源を組み合わせて使用しても構わない。
[物品の製造方法]
本発明の物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、CD−RW、フォトマスク等)の製造方法は、前述の光学装置を有する、光や電子線等のビームを露光する露光装置やインプリント装置等のリソグラフィ装置を用いてSiウエハやガラス等の基板上にパターンを形成する工程を有する。さらに、パターンが形成された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程を有している。さらに、他の周知の工程(現像、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでいても良い。
本発明の物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、CD−RW、フォトマスク等)の製造方法は、前述の光学装置を有する、光や電子線等のビームを露光する露光装置やインプリント装置等のリソグラフィ装置を用いてSiウエハやガラス等の基板上にパターンを形成する工程を有する。さらに、パターンが形成された基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程を有している。さらに、他の周知の工程(現像、酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでいても良い。
1 光源
3 照明光学系
7a〜7g 複数のファイバ(7a:第2のファイバ、7d、7g:第1のファイバ)
11 被照射面
100、200、300 光学装置
400 ピックアップ光学系(光学装置)
500 位置検出装置(光学装置)
L1、L2 コリメータレンズ
600 リソグラフィ装置
62 ウエハ(基板)
3 照明光学系
7a〜7g 複数のファイバ(7a:第2のファイバ、7d、7g:第1のファイバ)
11 被照射面
100、200、300 光学装置
400 ピックアップ光学系(光学装置)
500 位置検出装置(光学装置)
L1、L2 コリメータレンズ
600 リソグラフィ装置
62 ウエハ(基板)
Claims (10)
- 被照射面に光を照明する光学系を有する光学装置であって、
互いに波長が異なる光を射出する3個以上の光源と、
前記3個以上の光源からの3以上の光を前記光学系に導く複数のファイバとを有し、
前記複数のファイバは、前記3以上の光のうち2以上の光が入射する第1のファイバと、前記2以上の光以外の波長の光が入射する第2のファイバとを有し、前記第1のファイバと前記第2のファイバとは互いにカットオフ波長が異なることを特徴とする光学装置。 - 前記第1のファイバのカットオフ波長の波長帯域は、前記2以上の光の最短の波長よりも短い波長よりなることを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
- 前記第1のファイバは、前記3以上の光のうち波長が近い2以上の光を導光することを特徴とする請求項1又は2に記載の光学装置。
- 前記複数のファイバに入射する光は偏光光であって、前記第1及び前記第2のファイバに入射する偏光光同士の偏波面の角度ずれよりも、前記被照射面に照明する偏光光同士の偏波面の角度ずれのほうが小さいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光学装置。
- 前記複数のファイバは偏波面保持ファイバであり、かつ前記光学系は偏光ビームスプリッタを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光学装置。
- 前記3個以上の光源の波長が450nm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光学装置。
- 被照射面を偏光光で照明する光学系を有する光学装置であって、
互いに波長が異なる3以上の偏光光を前記光学系に導く複数の偏波面保持ファイバを有し、
前記複数の偏波面保持ファイバは、
前記3以上の偏光光のうち波長が近い2以上の偏光光が入射する第1の偏波面保持ファイバと、
前記2以上の偏光光のどれよりも波長が長い偏光光が入射するか、前記2以上の偏光光のどれよりも波長が短い偏光光が入射する第2の偏波面保持ファイバとを有し、
前記第2の偏波面保持ファイバのカットオフ波長は、入射光の波長が前記2以上の偏光光のどれよりも長い場合には、前記第1の偏波面保持ファイバのカットオフ波長より長く、入射光の波長が前記2以上の偏光光のどれよりも短い場合には、前記第1の偏波面
保持ファイバのカットオフ波長より短いことを特徴とする光学装置。 - 基板に形成されているマークの位置を検出する位置検出装置を有し、前記位置検出装置が請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光学装置であることを特徴とするリソグラフィ装置。
- 露光空間内を減圧状態に保持するチャンバーを有し、前記位置検出装置の複数のファイバが前記チャンバーの隔壁を貫通していることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項8又は9に記載のリソグラフィ装置を用いて基板を露光する工程と、前記基板に対してエッチング処理及びイオン注入処理の少なくともいずれか一方を施す工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
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