TWI827780B - 使用光纖將光輸送進入真空腔室中 - Google Patents

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奧斯卡 佛羅倫度
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Abstract

本發明提供使用一光纖達成雷射增強電壓對比度之一系統。該系統包含具有緊固一晶圓之一載台之一真空腔室。該真空腔室外部之一雷射光源將光引導至一光纖。該光纖將來自該雷射光源之所有波長之光穿過該真空腔室之一壁傳輸至該真空腔室中。

Description

使用光纖將光輸送進入真空腔室中
本發明係關於光纖輸送系統。
半導體製造工業之演進正在對良率管理以及(特定而言)計量系統及檢測系統提出更大需求。臨界尺寸不斷縮小，但工業為了達成高良率、高價值生產需要減少時間。最小化自偵測到一良率問題至將其解決之總時間判定了一半導體製造商之投資報酬率。
製作諸如邏輯及記憶體裝置等半導體裝置通常包含使用大量製作製程來處理一半導體晶圓以形成半導體裝置之各種特徵及多個層級。舉例而言，微影術係涉及將一圖案自一光罩轉印至配置於一半導體晶圓上之一光阻劑之一半導體製作製程。半導體製作製程之額外實例包含但不限於化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沈積及離子植入。可在一單個半導體晶圓上之一配置中製作多個半導體裝置，該多個半導體裝置被分離成若干個別半導體裝置。
在半導體製造期間在各個步驟處使用檢測製程來偵測晶圓上之缺陷以促成製造製程中之較高良率且因此促成較高利潤。檢測始終係製作諸如積體電路等半導體裝置之一重要部分。然而，隨著半導體裝置之尺寸減小，檢測對可接受半導體裝置之成功製造變得甚至更加重要，此乃因較小缺陷可導致裝置不合格。例如，隨著半導體裝置之尺寸減小，對大小減小之缺陷之偵測變得有必要，此乃因甚至相對小的缺陷可在半導體裝置中造成非想要之像差。
然而，隨著設計規則縮小，半導體製造製程可更接近於對該等製程之效能能力之限制而操作。另外，隨著設計規則縮小，較小缺陷可對裝置之電參數具有一影響，此驅動較敏感檢測。隨著設計規則縮小，藉由檢測偵測到的潛在良率相關缺陷之族群顯著地增長，且藉由檢測偵測到的擾亂性缺陷之族群亦顯著地增加。因此，可在晶圓上偵測到更多的缺陷，且校正製程以消除所有缺陷可係困難且昂貴的。判定缺陷中之哪些缺陷實際上對裝置之電參數及良率具有一影響可允許將製程控制方法聚焦於彼等缺陷而在很大程度上忽略其他缺陷。此外，在較小設計規則下，製程誘發之故障在某些情形中傾向於係系統性的。亦即，製程誘發之故障傾向於在設計內通常重複多次之預定設計圖案處發生故障。空間系統性的電相關缺陷之消除可對良率具有一影響。
雷射增強電壓對比度(LEVC)已與掃描電子顯微鏡(SEM)一起使用。舉例而言，可在照明下有利地改變兩個不同的電壓對比度效應。此使得能夠偵測到在SEM檢測需要之高速下原本無法偵測到的缺陷。
先前，一光學窗口提供空氣與真空之間的接面。個別接連地施加具有固定波長之不同的自由空間雷射束。切換波長會需要改變雷射及後續光學重新對準。偏振變化係不可能的。由於不組合所使用之波長，因此在波長之間切換係耗時的。由於光學窗口之使用，因此需要自光源至所關注區之一筆直方向。
用於與一真空腔室連接之光纖之饋通件亦係有問題的。先前，使用數個O形環來形成一密封件。此在光纖上施加徑向力以形成一真空屏障。然而，施加於光纖上之壓縮力(例如，軸向的或徑向的)導致傳輸損耗。此傳輸損耗在可見紅色波長中係特別明顯的。
使用圍繞光纖之一聚合物代替O形環，但此不提供充分的氣密密封。該聚合物之一洩漏率高於包含半導體檢測等諸多製造應用所需之洩漏率。
因此，需要經改良系統。
在一第一實施例中提供一種設備。該設備包含：一真空腔室；一載台，其安置於該真空腔室中，經構形以緊固一晶圓；一雷射光源，其安置於該真空腔室外部；一光纖，其將由該雷射光源產生之所有波長之光穿過該真空腔室之一壁傳輸至該真空腔室中；以及一消色差與偏振單元。
該設備可包含將一電子束引導於該載台處之一電子束源。
該光纖可傳輸處於自200 nm至2000 nm之一波長之光。
該雷射光源可包含複數個雷射及複數個二向色鏡。
該雷射光源可進一步包含複數個雷射、一偏振相依分束器及複數個半波片。
該光纖可係一多模光纖或一單模光纖。
該設備可進一步包含安置於該真空腔室中之自該光纖接收該光之一波片。該波片可係一半波片或一四分之一波片。
該消色差與偏振單元可包含：一轉向鏡，其安置於該真空腔室中；及至少一個消色差型透鏡，其安置於該真空腔室中。該轉向鏡自該光纖接收該光且經構形以將該光自該光纖引導於該載台處。該消色差型透鏡經構形以將自該光纖接收之該光準直及/或將該光成像至該晶圓上。
該消色差與偏振單元包含一曲面鏡，該曲面鏡可係球面的或抛物面的。
來自該雷射光源之該光可處於多於一個波長。
該設備可進一步包含圍繞該光纖之一凸緣。該凸緣可安置於該真空腔室之該壁中。在一例項中，該凸緣可包含：一外部組件，其圍繞該光纖安置；及一聚合物層，其安置於該光纖與該外部組件之間。該聚合物層可經徑向壓縮以形成一氣密密封。該壁與管之間的該氣密密封可進一步包含使用之一金屬對金屬密封。
在另一例項中，該凸緣係一彈性體密封件。該彈性體密封件可經徑向壓縮以形成一氣密密封。
在一第二實施例中提供一種方法。該方法包括透過一光纖將光自一雷射光源引導至一真空腔室。該光纖將由該雷射光源產生之所有波長之光穿過該真空腔室之一壁傳輸至該真空腔室中。將該光引導至該真空腔室中之一消色差與偏振單元。將該光引導至緊固於安置在該真空腔室中之一載臺上之一晶圓。
該方法可進一步包含在該真空腔室中將一電子束引導於該晶圓處。
該光可具有自200 nm至2000 nm之一波長。
該消色差與偏振單元可包含一轉向鏡或一曲面鏡。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年2月15日提出申請且轉讓給美國申請之臨時專利申請案第62/806,208號之優先權，該臨時專利申請案之揭示內容特此以引用的方式併入。
儘管將依據某些實施例闡述所主張之標的物，但包含不提供本文中所述之全部優點及特徵之實施例的其他實施例亦在本發明之範疇內。可在不背離本發明之範疇之情況下做出各種結構、邏輯、製程步驟及電子改變。因此，本發明之範疇僅參考所附申請專利範圍來界定。
在一晶圓(例如，積體電路)之某些特徵上可藉由在成像時將電子束影像區曝光而改變一電子束影像中之電壓對比度效應。舉例而言，電子束可係一掃描電子顯微鏡(SEM)之部分。在一例項中，在處於雷射照明下時可針對一p型摻雜區中之n+觸點偵測開路鎢觸點。此雷射增強電壓對比度(LEVC)可在一電子束工具中以(舉例而言)57°之一入射角產生。雖然在一項實例中使用57°，但可使用法向角或其他傾斜角。使用自藍色至紅色可見光譜之波長可導致在產生該效應之處至晶圓中之不同穿透深度。
本文中所揭示之實施例包含一光纖以導引自藍色(400 nm)至紅色(685 nm)之可見光譜中之多個波長。光纖可導引諸如自紫外線(例如，10 nm或200 nm)或紅外線(例如，700 nm)直至2000 nm波長之一範圍中之一波長等其他波長。一個光源或多個光源可定位於真空柱之外部。光纖將光傳送至真空柱之內部。消色差型光學器件可用於照明在廣泛波長範圍內均質之晶圓之所期望所關注區。另外，雷射光之偏振定向可經調適以增強LEVC效應。
本文中所揭示之多波長系統之實施例可在一電子束檢測或電子束再檢測工具(諸如半導體工業中或其他工業中所使用之彼等工具)上用於LEVC應用。該系統可使用光纖光學器件及一雷射組合器模組。該系統可使用自由空間雷射及二向色濾光器。輸送光學器件可提供大約相同光點大小，無論波長如何。
輸送光學器件亦可提供對入射光之偏振控制及允許在一逐圖框基礎、一逐行基礎或一逐像素基礎上打開及關閉照明之調變能力。將雷射打開及關閉以提供此特徵可與電子束相關聯，使得光及電子束以一協調方式工作。可在晶圓上之不同點處調整對比度及/或波長。
圖1係一系統100之一實施例。系統100使用用於LEVC之多波長光纖輸送，其使用一單一光纖106以傳輸廣泛可見光譜範圍中以及處於多個波長的光。系統100可係可縮放的。穿過光纖106之波長之數目可透過(舉例而言)雷射110與二向色鏡111之一組合增加。可使用雷射電流來電子地控制雷射輸出功率。一衰減器可係不必需的。因此，在系統100中可不需要主動組件，此減少維護。可電子地啟動雷射之每一波長，此乃因該等波長可組合至單一光纖106中。
使用一可撓光纖106來在真空腔室101內部輸送雷射光可在將組件定位於系統100內部時提供額外選項。舉例而言，可將光纖106放置成緊鄰加速線圈，該等加速線圈接近晶圓104。在無一光纖導引之解決方案之情況下此係不可能的。可達成大約57°或其他角度之一照明角度，此可增強至晶圓中之穿透。
該系統包含由一壁102環繞之一真空腔室101。真空腔室101中之一載台103經構形以緊固一晶圓104。因此，載台103及晶圓104可位於在一真空壓力下之區中。該真空壓力可小於10-9 托或小於10-10 托。
一雷射光源105安置於真空腔室101外部。因此，雷射光源105可安置於例如在大氣壓力或接近大氣壓力下之一區中。來自雷射光源105之光可處於多於一個波長。雷射光源105可包含一或多個雷射110及一或多個二向色鏡111。
一光纖106可將由雷射光源105產生之所有波長之光傳輸至真空腔室101中。因此，光纖106將光自大氣傳輸至真空，其長度可超過一米或多米。在一例項中，光纖106係一光學玻璃光纖。光纖106可係一多模光纖或一單模光纖。
光纖106可自雷射光源105穿過真空腔室101之壁102至真空腔室101內部之一輸出耦合器112係連續的。輸出耦合器112係密封至一凸緣中之一裸光纖端，該凸緣將該光纖端機械連接至其他機械零件。因此，在空氣-真空穿越期間不存在耦合損耗。光纖106密封於一凸緣113內部。
系統100亦可包含耦合光學器件、成像光學器件及/或用離開光纖106之光照明晶圓104之照明光學器件。
在一例項中，使用一偏振維持單模光纖106。界定離開光纖106之光之偏振且可藉由一波片(例如，半波的或四分之一波的)將其重定向以增強LEVC效應。並且，可量測例如晶圓上之不同鎢插塞之偏振對LEVC效應之影響。線性偏振亦可藉由旋轉光纖106之輸出處之光纖連接器而旋轉，此乃因光纖106芯形狀界定偏振定向。
光纖106可傳輸處於自(舉例而言)400 nm至680 nm或400 nm至700 nm之一波長之光。其他波長係可能的且此範圍僅僅係一項實例。波長可在400 nm以下或高達2000 nm。
系統100亦包含一消色差與偏振單元107。消色差與偏振單元107可定位於真空腔室101中且處於來自光纖106之光之路徑中。消色差與偏振單元107可將自光纖接收之光準直及/或將該光成像至晶圓104上。
系統100包含將一電子束109引導於載台103處之一電子束源108。電子束源108係圖解說明為位於真空腔室101中，但亦可定位於真空腔室101外部。電子束109被傳送穿過真空腔室101，諸如朝向一晶圓104。
在圖1之一實施例中，具有三個不同波長λ1 、λ2 及λ3 之雷射光源105在三個不同波長耦合至一光纖106中之前由二向色鏡111及高度反射鏡114組合。光纖106係連續的且在真空-空氣穿越處被密封至一凸緣113中。在光纖106之輸出處，消色差型透鏡將來自光纖106之光準直。真空腔室101中之偏振單元107中之偏振控制可用一半波片或四分之一波片來執行。寬頻雷射束由一轉向鏡115引導至晶圓104上。轉向鏡115可自光纖106接收光且經構形以將該光自光纖106引導至載台103或載台103上之晶圓104。
在真空腔室101內部輸出之寬頻雷射光可由消色差器件或一曲面鏡消色差。可使用一透鏡系統代替曲面鏡。
系統100可使用自光學器件至晶圓104之表面之大約50 mm之一工作距離，不過其他距離係可能的。此可改良晶圓104之表面處之光點穩定性。工作距離上的此減小可放鬆光束指向穩定性與鏡角度穩定性之角公差，舉例而言，放鬆六倍。
圖2係使用圖1之系統100進行晶圓照明之一實施例。使用一轉向鏡115照明晶圓104。舉例而言，轉向鏡115可係就像圖2中所圖解說明之一球面鏡或抛物面鏡。可藉由將光纖106之連接器相對於輸出耦合器112旋轉而調整偏振。為用一所期望光點大小照明晶圓104，可調整光纖芯至晶圓104上之放大率。
一「暗(dirty)焦點概念」可用於照明晶圓104。光纖106在晶圓104之前稍微成像。因此，光稍微發散以到達晶圓104，如圖1及圖2中所展示。此可導致與焦點區處之繞射受限光點大小相比晶圓104處之一增大光點。此增大光點大小可適合於電子束109之所期望視野。藉由調整光纖106輸出與一聚焦透鏡或聚焦鏡之間的位置，對光點大小之一調適亦係可能的。
圖3係用於圖1之系統100之一雷射光源105之一實施例。透過光纖106導引之雷射功率可藉由將兩種偏振狀態組合至一單一光纖106中而增加。藉由使用偏振相依分束器添加不同偏振狀態而組合雷射束以達較高功率。圖3展示透鏡L、偏振相依分束器PBS、半波片λ/2以及單獨雷射及其對應的偏振狀態s-偏振、p-偏振或x-偏振，x-偏振在s-偏振與p-偏振之間係45°。
圖3之實施例可提供雷射波長之間的快速的及簡單的電子切換，此乃因全部波長被耦合至一單一光纖106中。因此，系統之生產量因可用多個波長研究區域以最佳化不同缺陷類型之LEVC對比度而增加。此藉由調諧處於不同波長的光之強度來達成，此乃因其相對穿透深度相差10倍。
圖4係在可與圖1之系統100一起使用之一凸緣113內部之一密封件之一實施例之一分解剖視圖。圖5係在可與圖1之系統100一起使用之一凸緣113內部之一密封件之另一實施例之一分解剖視圖。如圖1中所見，可在凸緣113中存在圍繞光纖106之一密封件。該密封件及凸緣113可安置於真空腔室101之一壁中。
在圖4中，光纖106穿過凸緣200。凸緣200係圖1中之凸緣113之一實例。凸緣200包含一應變解弛單元201及一間隔件202。間隔件202經構形以裝配於應變解弛單元201內部。間隔件202可由鋁或其他材料製成。
間隔件202亦可經構形以裝配於密封配件203內部，密封配件203可係一Swagelok或其他類型之密封配件。密封配件203可係經焊接配接器。密封件204可插入至與間隔件202相對的密封配件203之一端。亦可包含一蓋205及套筒206。套筒206可係不銹鋼的。一不銹鋼管207可環繞光纖106。密封配件203可安置於壁102中。
密封件204包含界定一裝料口211之一外部組件208。可諸如使用一短管頭打開及關閉裝料口211。可由金屬製作之一密封裝配密封件210安置於外部組件208上。密封裝配密封件210可與密封配件203一起提供一金屬對金屬密封。外部組件208與光纖106之間有一聚合物層209。聚合物層209可透過裝料口211插入至密封件204中。
外部組件208可由Viton或具有低排氣之其他真空相容材料製作。外部組件208亦可由鋁、另一金屬或一金屬合金製作。聚合物層209可係一環氧樹脂。環氧樹脂可係真空相容的，具有低排氣。
可使用一金屬對金屬密封形成密封配件203與密封件204之間的一氣密密封。舉例而言，密封接頭可被金屬對金屬熔焊接頭替換以減少排氣。
光纖106可包含彈性體密封件204內部之一分叉管蓋。
凸緣200在不使用光纖耦合件之情況下可穿透真空腔室101之壁且可提供涵蓋紫外線至紅外線之波長之大於90%之透射率，不過其他波長係可能的。偏振消光比可係1:30或更好。很少甚至無應力可施加於光纖106上，此提供該透射率及偏振消光比。
在使用圖4之實施例之一測驗中，紅色光、綠色光及藍色光之透射率大於90%。偏振消光比大於30。
在圖5中，光纖106穿過凸緣300。凸緣300係圖1中之凸緣113之一實例。凸緣300包含可插入至與間隔件202相對的密封配件203之一端中之一彈性體密封件304。彈性體密封件304可由Viton或具有低排氣之其他真空相容材料製作。彈性體密封件304亦可由聚矽氧製作。
光纖106可包含彈性體密封件304內部之一分叉管蓋。
在一例項中，彈性體密封件304可經壓縮以與密封配件203形成一氣密密封。光纖106上之軸向及徑向應力可受控制且被最小化使得所得傳輸損耗小於5%且偏振消光比係在大於1:30處。
圖5之實施例可提供涵蓋紫外線至紅外線之波長之大於95%之透射率以及氦氣之小於2E-10 atm cc/s之一洩露率。其他波長係可能的。圖5之實施例可提供一超高真空相容、低損耗、偏振維持的單模光纖真空饋通件。
光纖106之氣密密封可用光纖106與一小口徑厚的壁管之一內徑之間的一雙組分聚合物密封劑或用一精密模製彈性體密封件304來完成。若光纖106由管環繞則提供一氣密金屬對金屬密封。若彈性體密封件304被壓縮一經界定量則提供氣密密封。
一超高真空版本可藉由用一壓扁的銅墊片凸緣替換一靈敏凸緣來構造。
應變解弛單元201通常定位於固持凸緣200或凸緣300之壁之真空側上。蓋205及套筒206通常定位於固持凸緣200或凸緣300之壁之大氣側上。
密封配件203可均勻擠壓密封件204或彈性體密封件304。密封件204及彈性體密封件304在插入至密封配件203之軸環中時擠壓光纖106。至光纖106之大部分壓力或全部壓力係在光纖106之徑向方向上。至光纖106之軸向壓力被最小化或消除，此減小光纖106中之扭結之可能性。光纖106可通常經受徑向壓縮。
光纖106可在密封件204或彈性體密封件304內係裸露的。因此，可移除圍繞光纖106之塗層或護套。此減少穿過密封件204或彈性體密封件304之洩露。可在裸光纖106與金屬組件相遇的地方添加黏合劑以進一步減少洩露。
圖4及圖5之設計與先前密封設計相比可提供紅色波長、綠色波長及藍色波長之高出大約15%之透射率。先前設計將軸向力施加至光纖106。
圖6係一方法400之一實施例之一流程圖，該方法可發生於圖1之系統100中。在401處，透過一光纖將來自一雷射光源之光引導至一真空腔室。該光纖將由雷射光源產生之所有波長之光傳輸至真空腔室中。雷射光源可位於真空腔室外部。該光可具有自200 nm至2000 nm(諸如自400 nm至680 nm)之一波長。
在402處，將光引導至真空腔室中之一消色差與偏振單元。消色差與偏振單元可包含一轉向鏡或一曲面鏡。
在403處，將光引導至緊固於安置在真空腔室中之一載臺上之一晶圓。
方法400可進一步包含在真空腔室中將一電子束引導於晶圓處。可將電子束及光以一同步方式引導於晶圓處。
儘管已關於一或多項特定實施例闡述本發明，但應理解可在不背離本發明之範疇之情況下做出本發明之其他實施例。因而，認為本發明僅受隨附申請專利範圍及其合理闡釋限制。
100:系統 101:真空腔室 102:壁 103:載台 104:晶圓 105:雷射光源 106:光纖/可撓光纖/偏振維持單模光纖/裸光纖 107:消色差與偏振單元/偏振單元 108:電子束源 109:電子束 110:雷射 111:二向色鏡 112:輸出耦合器 113:凸緣 114:高度反射鏡 115:轉向鏡 200:凸緣 201:應變解弛單元 202:間隔件 203:密封配件 204:密封件/彈性體密封件 205:蓋 206:套筒 207:不銹鋼管 208:外部組件 209:聚合物層 210:密封裝配密封件 211:裝料口 300:凸緣 304:彈性體密封件/精密模製彈性體密封件 400:方法 401:步驟 402:步驟 403:步驟 λ1:波長 λ2:波長 λ3:波長 λ/2:半波片
為更全面理解本發明之性質及目的，應參考結合附圖做出之以下詳細說明，附圖中： 圖1係根據本發明之一系統之一實施例； 圖2係使用圖1之系統進行晶圓照明之一實施例； 圖3係用於圖1之系統之一雷射光源之一實施例； 圖4係在可與圖1之系統一起使用之一凸緣內部之一密封件之一實施例之一分解剖視圖； 圖5係在可與圖1之系統一起使用之一凸緣內部之一密封件之另一實施例之一分解剖視圖；及 圖6係根據本發明之一方法之一實施例之一流程圖。
100:系統
101:真空腔室
102:壁
103:載台
104:晶圓
105:雷射光源
106:光纖/可撓光纖/偏振維持單模光纖/裸光纖
107:消色差與偏振單元/偏振單元
108:電子束源
109:電子束
110:雷射
111:二向色鏡
112:輸出耦合器
113:凸緣
114:高度反射鏡
115:轉向鏡

Claims (18)

  1. 一種用於輸送雷射光的設備，其包括：一真空腔室；一載台，其安置於該真空腔室中，經構形以緊固一晶圓；一雷射光源，其安置於該真空腔室外部，其中該雷射光源包含複數個雷射；一光纖，其將由該雷射光源產生之所有波長之光穿過該真空腔室之一壁同時傳輸至該真空腔室中，其中來自該雷射光源之該光係處於多於一個波長；及一消色差與偏振單元(achromatization and polarization unit)，其安置於該真空腔室之中，其中該消色差與偏振單元自該光纖接收光。
  2. 如請求項1之設備，其進一步包括將一電子束引導於該載台處之一電子束源。
  3. 如請求項1之設備，其中該光纖傳輸處於自200nm至2000nm之一波長的光。
  4. 如請求項1之設備，其中該雷射光源包含複數個二向色鏡。
  5. 如請求項1之設備，其中該雷射光源進一步包含一偏振相依分束器及複數個半波片。
  6. 如請求項1之設備，其中該光纖係一多模光纖。
  7. 如請求項1之設備，其中該光纖係一單模光纖。
  8. 如請求項1之設備，其進一步包括安置於該真空腔室中之自該光纖接收該光之一波片。
  9. 如請求項8之設備，其中該波片係一半波片或一四分之一波片。
  10. 如請求項1之設備，其中該消色差與偏振單元包含：一轉向鏡，其安置於該真空腔室中，其中該轉向鏡自該光纖接收該光且經構形以將該光自該光纖引導於該載台處；及至少一個消色差型透鏡，其安置於該真空腔室中，其中該消色差型透鏡經構形以將自該光纖接收之該光準直及/或將該光成像至該晶圓上。
  11. 如請求項1之設備，其中該消色差與偏振單元包含一曲面鏡，其中該曲面鏡係球面的或抛物面的。
  12. 如請求項1之設備，其進一步包括圍繞該光纖之一凸緣，其中該凸緣安置於該真空腔室之該壁中，且其中該凸緣包含：一外部組件，其圍繞該光纖安置；及一聚合物層，其安置於該光纖與該外部組件之間，其中該聚合物層 經徑向壓縮以形成一氣密密封。
  13. 如請求項12之設備，其中該壁與管之間的該氣密密封進一步包含使用一金屬對金屬密封。
  14. 如請求項1之設備，其進一步包括圍繞該光纖之一凸緣，其中該凸緣安置於該真空腔室之該壁中，其中該凸緣係一彈性體密封件，且其中該彈性體密封件經徑向壓縮以形成一氣密密封。
  15. 一種用於輸送雷射光的方法，其包括：透過一光纖將來自一雷射光源中之複數個雷射之光引導至一真空腔室，其中該光纖將由該雷射光源產生之所有波長之光穿過該真空腔室之一壁同時傳輸至該真空腔室中，其中來自該雷射光源之該光係處於多於一個波長；將該光自該光纖引導至該真空腔室中之一消色差與偏振單元；及將該光引導至緊固於安置在該真空腔室中之一載臺上之一晶圓。
  16. 如請求項15之方法，其進一步包括在該真空腔室中將一電子束引導於該晶圓處。
  17. 如請求項15之方法，其中該光具有自200nm至2000nm之一波長。
  18. 如請求項15之方法，其中該消色差與偏振單元包含一轉向鏡或一曲面鏡。
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