TWI787970B - 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法 - Google Patents

光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI787970B
TWI787970B TW110131265A TW110131265A TWI787970B TW I787970 B TWI787970 B TW I787970B TW 110131265 A TW110131265 A TW 110131265A TW 110131265 A TW110131265 A TW 110131265A TW I787970 B TWI787970 B TW I787970B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
extinction ratio
transceiver module
optical transceiver
ratio test
test procedure
Prior art date
Application number
TW110131265A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202309546A (zh
Inventor
孫積賢
鄭杰明
Original Assignee
佳必琪國際股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 佳必琪國際股份有限公司 filed Critical 佳必琪國際股份有限公司
Priority to TW110131265A priority Critical patent/TWI787970B/zh
Priority to US17/486,714 priority patent/US11496214B1/en
Priority to EP21199560.0A priority patent/EP4142184A1/en
Priority to US17/949,508 priority patent/US11742945B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI787970B publication Critical patent/TWI787970B/zh
Publication of TW202309546A publication Critical patent/TW202309546A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
    • H04B10/075—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal
    • H04B10/077—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an in-service signal using a supervisory or additional signal
    • H04B10/0775—Performance monitoring and measurement of transmission parameters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
    • G01M11/33—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter being disposed at one fibre or waveguide end-face, and a light receiver at the other end-face
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • G01M99/002—Thermal testing
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/07—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems
    • H04B10/073—Arrangements for monitoring or testing transmission systems; Arrangements for fault measurement of transmission systems using an out-of-service signal
    • H04B10/0731—Testing or characterisation of optical devices, e.g. amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
    • H04B10/40—Transceivers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B17/00—Monitoring; Testing
    • H04B17/10—Monitoring; Testing of transmitters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)

Abstract

一種光收發模組之消光比測試系統，包含一微控制器、一消光比測試器及一恆溫器；該微控制器控制該恆溫器以保持一光收發模組在一預設高溫，且接著該微控制器控制該消光比測試器以測試該光收發模組之一消光比；如果該消光比低於一標準消光比，則該微控制器控制該光收發模組以提高該光收發模組之一雷射操作電流以提高該消光比。

Description

光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方 法
本發明係有關於一種消光比測試系統及一種消光比測試方法，特別是一種光收發模組之消光比測試系統及一種光收發模組之消光比測試方法。
在相關技術之光收發模組製造完成之後，相關技術之光收發模組會按照測試標準進行測試；只有通過測試標準的相關技術之光收發模組才能保證具有良好的性能，也才能提供給客戶使用。
在相關技術之光收發模組的測試標準當中，消光比測試是一個重要的測試項目；消光比是指雷射功率在邏輯1的平均功率和在邏輯0的平均功率之比值。
溫度會是影響消光比的因素之一；在相關技術之光收發模組的消光比測試當中，相關技術之光收發模組必須在不同溫度下(例如常溫及高溫)分別地測試消光比。
目前，相關技術之光收發模組的消光比測試的問題在於，相關技術之光收發模組的消光比測試的合格率不夠高，此嚴重地影響了相關技術之光收發模組的產能。
為解決上述問題，本發明之目的在於提供一種光收發模組之消光比測試系統。
為解決上述問題，本發明之又一目的在於提供一種光收發模組之消光比測試方法。
為達成本發明之上述目的，本發明之光收發模組之消光比測試系統係應用於一光收發模組，該光收發模組之消光比測試系統包含：一微控制器，該微控制器係電性連接至該光收發模組；一消光比測試器，該消光比測試器係電性連接至該光收發模組及該微控制器；及一恆溫器，該恆溫器係電性連接至該微控制器，其中該光收發模組之消光比測試系統被配置為執行一高溫消光比測試程序；當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序時，該微控制器被配置為控制該恆溫器以保持該光收發模組在一預設高溫，且接著該微控制器被配置為控制該消光比測試器以測試該光收發模組之一消光比；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於一標準消光比時，該微控制器被配置為控制該光收發模組以提高該光收發模組之一雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試系統之一具體實施例當中，該光收發模組之消光比測試系統更包含：一計數器，該計數器係電性連接至該微控制器，其中該計數器被配置為記錄該微控制器控制該光 收發模組以提高該光收發模組之該雷射操作電流之一電流提高次數；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，如果該電流提高次數未達到三次，則該微控制器被配置為控制該光收發模組以提高該光收發模組之該雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比，且接著該計數器被配置為將該電流提高次數加一。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試系統之一具體實施例當中，當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，如果該電流提高次數已達到三次，則該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器被配置為判定該光收發模組不合格。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試系統之一具體實施例當中，當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器被配置為判定該光收發模組合格。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試系統之一具體實施例當中，在該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序之前，該光收發模組之消光比測試系統被配置為執行一常溫消光比測試程序；當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比測試程序時，該光收發模組在低於該預設高溫之一預設常溫被測試該光收發模組之該消光比；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該常溫消光比測試程序，且該光收發模組之消光比測試系統被配置為判定該光收發模組不合格；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比 測試程序且該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序。
為達成本發明之上述又一目的，本發明之光收發模組之消光比測試方法包含：執行一高溫消光比測試程序，其中執行該高溫消光比測試程序包含：保持一光收發模組在一預設高溫；測試該光收發模組之一消光比；比較該光收發模組之該消光比與一標準消光比；及如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則提高該光收發模組之一雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試方法之一具體實施例當中，執行該高溫消光比測試程序更包含：記錄提高該光收發模組之該雷射操作電流之一電流提高次數；及如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比且該電流提高次數未達到三次，則提高該光收發模組之該雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比，且接著將該電流提高次數加一。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試方法之一具體實施例當中，執行該高溫消光比測試程序更包含：如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比且該電流提高次數已達到三次，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試方法之一具體實施例當中，執行該高溫消光比測試程序更包含：如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組合格。
再者，在如上所述之本發明之光收發模組之消光比測試方法之一具體實施例當中，該光收發模組之消光比測試方法更包含：在執行該高溫消光 比測試程序之前，執行一常溫消光比測試程序，其中執行該常溫消光比測試程序包含：保持該光收發模組在低於該預設高溫之一預設常溫；測試該光收發模組之該消光比；比較該光收發模組之該消光比與該標準消光比；如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格；及如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序。
本發明之功效在於提高光收發模組的消光比測試的合格率。
為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得到深入且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。
10:光收發模組之消光比測試系統
20:光收發模組
102:微控制器
104:消光比測試器
106:恆溫器
108:計數器
202:光發射電路
204:雷射二極體
206:光纖
208:光電二極體
210:光接收電路
212:雷射操作電流
S100:步驟
S102:步驟
S104:步驟
S106:步驟
S200:步驟
S202:步驟
S204:步驟
S206:步驟
S208:步驟
S210:步驟
S212:步驟
S300:步驟
S400:步驟
圖1為本發明之光收發模組之消光比測試系統應用於光收發模組之方塊圖。
圖2為本發明之光收發模組之消光比測試方法之流程圖。
在本揭露當中，提供了許多特定的細節，以提供對本發明之具體實施例之徹底瞭解；然而，本領域技術人員應當知曉，在沒有一個或更多個該些特定的細節的情況下，依然能實踐本發明；在其他情況下，則未顯示或描述眾所周知的細節以避免模糊了本發明之主要技術特徵。茲有關本發明之技術內容及詳細說明，配合圖式說明如下： 請參考圖1，其係為本發明之光收發模組之消光比測試系統應用於光收發模組之方塊圖。如圖1所示，本發明之一種光收發模組之消光比測試系統10係應用於一光收發模組20，該光收發模組之消光比測試系統10包含一微控制器102、一消光比測試器104、一恆溫器106及一計數器108，該光收發模組20包含一光發射電路202、一雷射二極體204、一光纖206、一光電二極體208及一光接收電路210，上述該些元件彼此連接或電性連接。
本發明之該光收發模組之消光比測試系統10係對該光收發模組20先執行一常溫消光比測試程序；如果該光收發模組20在該常溫消光比測試程序合格，則本發明之該光收發模組之消光比測試系統10再對該光收發模組20執行一高溫消光比測試程序，茲詳述如下：當該光收發模組之消光比測試系統10對該光收發模組20執行該常溫消光比測試程序時，該光收發模組20係被放置於一常溫測試腔室(未示於圖1)內，且該常溫測試腔室內具有如圖1所示之該微控制器102及該消光比測試器104，但該常溫測試腔室內不具有該恆溫器106及該計數器108。
首先，該光收發模組之消光比測試系統10執行該常溫消光比測試程序；在該常溫消光比測試程序當中，該光收發模組20在一預設常溫(例如，攝氏25度)，且該光收發模組之消光比測試系統10(亦即，該微控制器102)被配置為控制該消光比測試器104以測試該光收發模組20之該消光比。
此時，如果該光收發模組20之該消光比低於一標準消光比，則該光收發模組之消光比測試系統10(亦即，該微控制器102)被配置為離開該常溫消光比測試程序，且該光收發模組之消光比測試系統10(亦即，該微控制器102)被配置為判定該光收發模組20不合格；但如果該光收發模組20之該消光比等於或高於該標準消光比，則該光收發模組之消光比測試系統10(亦即，該微控制器102) 被配置為離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序。其中，該標準消光比可為例如但本發明不限定為9dB。
當該光收發模組之消光比測試系統10對該光收發模組20執行該高溫消光比測試程序時，該光收發模組20係被放置於一高溫測試腔室(未示於圖1)內，且該高溫測試腔室內具有如圖1所示之該微控制器102、該消光比測試器104、該恆溫器106及該計數器108。
在該高溫消光比測試程序當中，該微控制器102被配置為控制該恆溫器106以保持該光收發模組20在高於該預設常溫之一預設高溫(例如，攝氏70度或攝氏85度)，且接著該微控制器102被配置為控制該消光比測試器104以測試該光收發模組20之該消光比。
此時，如果該光收發模組20之該消光比等於或高於該標準消光比，則該光收發模組之消光比測試系統10被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器102被配置為判定該光收發模組20合格；但如果該光收發模組20之該消光比低於該標準消光比，該微控制器102則會先確認一電流提高次數是否已達到三次。
上述該電流提高次數代表該微控制器102控制該光收發模組20之該光發射電路202以提高該光收發模組20之一雷射操作電流212的次數，且該計數器108係用以記錄該電流提高次數，且該光發射電路202被配置為產生並傳送該雷射操作電流212至該雷射二極體204以驅動該雷射二極體204工作。
承上，如果該電流提高次數未達到三次，則該微控制器102被配置為控制該光收發模組20之該光發射電路202以提高該光收發模組20之該雷射操作電流212以提高該光收發模組20之該消光比，且接著該計數器108被配置為將該電流提高次數加一，且再次測試該光收發模組20之該消光比以與該標準消光比作比較。
承上，但如果該電流提高次數已達到三次，則該光收發模組之消光比測試系統10被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器102被配置為判定該光收發模組20不合格。
再者，本發明之上述該電流提高次數亦可不限制為三次，例如可為一次、兩次、四次、五次等等；本發明之上述該雷射操作電流係每次被提高2mA，但本發明亦不以此為限。
請參考圖2，其係為本發明之光收發模組之消光比測試方法之流程圖。如圖2所示，本發明之一種光收發模組之消光比測試方法主要包含執行一常溫消光比測試程序(步驟S100)及執行一高溫消光比測試程序(步驟S200)。
上述執行該常溫消光比測試程序(步驟S100)包含保持一光收發模組在一預設常溫(步驟S102)、測試該光收發模組之一消光比(步驟S104)以及比較該光收發模組之該消光比與一標準消光比(步驟S106)。
在上述步驟S106中，如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格(步驟S300)；如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序(亦即，上述之步驟S200)。
上述執行該高溫消光比測試程序(步驟S200)包含保持該光收發模組在高於該預設常溫之一預設高溫(步驟S202)、測試該光收發模組之該消光比(步驟S204)以及比較該光收發模組之該消光比與該標準消光比(步驟S206)。
在上述步驟S206中，如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組合格(步驟S400)。
在上述步驟S206中，如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則本發明之光收發模組之消光比測試方法進入步驟S208，以檢查一電流提高次數是否已達到三次，其中該電流提高次數代表提高該光收發模組之一雷射操作電流的次數。
在上述步驟S208中，如果該電流提高次數未達到三次，則提高該光收發模組之該雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比(步驟S210)，且接著將該電流提高次數加一(步驟S212)，且接著本發明之光收發模組之消光比測試方法回到步驟S202。
在上述步驟S208中，如果該電流提高次數已達到三次，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格(步驟S300)。
再者，上述該預設常溫可為例如但本發明不限定為攝氏25度，上述該預設高溫可為例如但本發明不限定為攝氏70度或攝氏85度，上述該標準消光比可為例如但本發明不限定為9dB；上述該電流提高次數亦可不限制為三次，例如可為一次、兩次、四次、五次等等；上述該雷射操作電流係每次被提高2mA，但本發明亦不以此為限。
本發明之功效在於提高光收發模組的消光比測試的合格率。
然以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能限定本發明實施之範圍，即凡依本發明請求項所作之均等變化與修飾等，皆應仍屬本發明之專利涵蓋範圍意圖保護之範疇。本發明還可有其它多種實施例，在不背離本發明精神及其實質的情況下，熟悉本領域的技術人員當可根據本發明作出各種相應的改變和變形，但這些相應的改變和變形都應屬於本發明所附的請求項的保護範圍。綜上所述，當知本發明已具有產業利用性、新穎性與進步性，又本發 明之構造亦未曾見於同類產品及公開使用，完全符合發明專利申請要件，爰依專利法提出申請。
10:光收發模組之消光比測試系統
20:光收發模組
102:微控制器
104:消光比測試器
106:恆溫器
108:計數器
202:光發射電路
204:雷射二極體
206:光纖
208:光電二極體
210:光接收電路
212:雷射操作電流

Claims (10)

  1. 一種光收發模組之消光比測試系統，係應用於一光收發模組，該光收發模組之消光比測試系統包含：一微控制器，該微控制器係電性連接至該光收發模組；一消光比測試器，該消光比測試器係電性連接至該光收發模組及該微控制器；及一恆溫器，該恆溫器係電性連接至該微控制器，其中該光收發模組之消光比測試系統被配置為執行一高溫消光比測試程序；當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序時，該微控制器被配置為控制該恆溫器以保持該光收發模組在一預設高溫，且接著該微控制器被配置為控制該消光比測試器以測試該光收發模組之一消光比；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於一標準消光比時，該微控制器被配置為控制該光收發模組以提高該光收發模組之一雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比。
  2. 如請求項1所述之光收發模組之消光比測試系統，更包含：一計數器，該計數器係電性連接至該微控制器，其中該計數器被配置為記錄該微控制器控制該光收發模組以提高該光收發模組之該雷射操作電流之一電流提高次數；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，如果該電流提高次數未達到三次，則該微控制器被配置為控制該光收發模組以提高該光收發模組之該雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比，且接著該計數器被配置為將該電 流提高次數加一，且再次測試該光收發模組之該消光比以與該標準消光比作比較。
  3. 如請求項2所述之光收發模組之消光比測試系統，其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，如果該電流提高次數已達到三次，則該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器被配置為判定該光收發模組不合格。
  4. 如請求項3所述之光收發模組之消光比測試系統，其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該高溫消光比測試程序，且該微控制器被配置為判定該光收發模組合格。
  5. 如請求項4所述之光收發模組之消光比測試系統，其中在該光收發模組之消光比測試系統執行該高溫消光比測試程序之前，該光收發模組之消光比測試系統被配置為執行一常溫消光比測試程序；當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比測試程序時，該光收發模組在低於該預設高溫之一預設常溫被測試該光收發模組之該消光比；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比低於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該常溫消光比測試程序，且該光收發模組之消光比測試系統被配置為判定該光收發模組不合格；其中當該光收發模組之消光比測試系統執行該常溫消光比測試程序且該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比時，該光收發模組之消光比測試系統被配置為離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序。
  6. 一種光收發模組之消光比測試方法，包含： 執行一高溫消光比測試程序，其中執行該高溫消光比測試程序包含：保持一光收發模組在一預設高溫；測試該光收發模組之一消光比；比較該光收發模組之該消光比與一標準消光比；及如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則提高該光收發模組之一雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比。
  7. 如請求項6所述之光收發模組之消光比測試方法，其中執行該高溫消光比測試程序更包含：記錄提高該光收發模組之該雷射操作電流之一電流提高次數；及如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比且該電流提高次數未達到三次，則提高該光收發模組之該雷射操作電流以提高該光收發模組之該消光比，且接著將該電流提高次數加一，且再次測試該光收發模組之該消光比以與該標準消光比作比較。
  8. 如請求項7所述之光收發模組之消光比測試方法，其中執行該高溫消光比測試程序更包含：如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比且該電流提高次數已達到三次，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格。
  9. 如請求項8所述之光收發模組之消光比測試方法，其中執行該高溫消光比測試程序更包含：如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該高溫消光比測試程序並判定該光收發模組合格。
  10. 如請求項9所述之光收發模組之消光比測試方法，更包含：在執行該高溫消光比測試程序之前，執行一常溫消光比測試程序， 其中執行該常溫消光比測試程序包含：保持該光收發模組在低於該預設高溫之一預設常溫；測試該光收發模組之該消光比；比較該光收發模組之該消光比與該標準消光比；如果該光收發模組之該消光比低於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序並判定該光收發模組不合格；及如果該光收發模組之該消光比等於或高於該標準消光比，則離開該常溫消光比測試程序以進入該高溫消光比測試程序。
TW110131265A 2021-08-24 2021-08-24 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法 TWI787970B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110131265A TWI787970B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法
US17/486,714 US11496214B1 (en) 2021-08-24 2021-09-27 Extinction ratio testing system for optical transceiver module and extinction ratio testing method for optical transceiver module
EP21199560.0A EP4142184A1 (en) 2021-08-24 2021-09-28 Extinction ratio testing system for optical transceiver module and extinction ratio testing method for optical transceiver module
US17/949,508 US11742945B2 (en) 2021-08-24 2022-09-21 Extinction ratio testing system for optical transceiver module and extinction ratio testing method for optical transceiver module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110131265A TWI787970B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI787970B true TWI787970B (zh) 2022-12-21
TW202309546A TW202309546A (zh) 2023-03-01

Family

ID=78085433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110131265A TWI787970B (zh) 2021-08-24 2021-08-24 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11496214B1 (zh)
EP (1) EP4142184A1 (zh)
TW (1) TWI787970B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200628824A (en) * 2004-11-04 2006-08-16 Mindspeed Tech Inc Optic module calibration using an enhanced golden module
TW202025327A (zh) * 2018-09-21 2020-07-01 日商日本麥克隆尼股份有限公司 檢查方法及檢查系統
TW202043754A (zh) * 2019-02-15 2020-12-01 美商科磊股份有限公司 使用光纖將光輸送進入真空腔室中

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6947455B2 (en) * 2002-02-12 2005-09-20 Finisar Corporation Maintaining desirable performance of optical emitters at extreme temperatures
US7269191B2 (en) * 2002-02-12 2007-09-11 Finisar Corporation Control circuit for optoelectronic module with integrated temperature control
EP1788413A3 (en) 2002-02-12 2007-06-13 Finisar Corporation Maintaining desirable performance of optical emitters at extreme temperatures
US6862379B2 (en) * 2003-07-09 2005-03-01 Agere Systems, Inc. Extinction ratio control of a semiconductor laser
US20060036907A1 (en) * 2004-08-11 2006-02-16 Emc Corporation Area-and product-independent test automation system and method for automatically synchronizing tests of multiple devices
US7653314B2 (en) * 2005-09-16 2010-01-26 Finisar Corporation Optical transceiver with custom logging mechanism
US20070101214A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stauffer Titus D Self-testing apparatus with controllable environmental stress screening (ESS)
US20070116076A1 (en) 2005-11-21 2007-05-24 Frank Wang Controlling optical power and extincation ratio of a semiconductor laser
US9059803B2 (en) * 2012-09-28 2015-06-16 Intel Corporation Mechanism for facilitating an optical instrumentation testing system employing multiple testing paths
US10165405B2 (en) * 2014-11-28 2018-12-25 Joel Ho EMP-shielded, power-independent SMS text tower system for nuclear communications
US10172109B2 (en) * 2016-06-24 2019-01-01 JIO, Inc. Synchronizing location status information in a computing system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200628824A (en) * 2004-11-04 2006-08-16 Mindspeed Tech Inc Optic module calibration using an enhanced golden module
TW202025327A (zh) * 2018-09-21 2020-07-01 日商日本麥克隆尼股份有限公司 檢查方法及檢查系統
TW202043754A (zh) * 2019-02-15 2020-12-01 美商科磊股份有限公司 使用光纖將光輸送進入真空腔室中

Also Published As

Publication number Publication date
TW202309546A (zh) 2023-03-01
EP4142184A1 (en) 2023-03-01
US11496214B1 (en) 2022-11-08
US20230069106A1 (en) 2023-03-02
US11742945B2 (en) 2023-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6947455B2 (en) Maintaining desirable performance of optical emitters at extreme temperatures
TWI787970B (zh) 光收發模組之消光比測試系統及光收發模組之消光比測試方法
JP5428485B2 (ja) 面発光型半導体レーザ素子のバーンイン方法およびそのプログラム
CN112505526B (zh) 一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法
CN113504032B (zh) 一种光纤光栅测试系统及方法
CN102177625B (zh) 大功率光老化
CN105227232A (zh) 光模块发射光功率的调试方法
CN103792003A (zh) 基于led系统的照明效率和光通量的预测方法
CN102520329A (zh) 半导体激光器的可靠性测试方法
CN108152698B (zh) 一种测定led寿命的方法及装置
CN106644401A (zh) 一种半导体激光器的测试系统及测试方法
CN108089072A (zh) 一种激光器封装初期的老化夹具及其应用
CN110057551B (zh) 一种led多芯片模组的光、色性能预测方法
JP4677922B2 (ja) 半導体レーザ素子の検査方法
Johnson Laser diode burn-in and reliability testing
Herrick Reliability engineering in optoelectronic devices and fiber optic transceivers
JP2016054242A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
CN104028919A (zh) 在线监测激光晶体透过率的焊接系统及其在线监测方法
CN106291299B (zh) 功率半导体模块及功率半导体模块的热疲劳寿命判断方法
Herrick Oxide VCSEL reliability qualification at Agilent Technologies
Herrick Reliability of vertical-cavity surface-emitting lasers
CN108900246B (zh) 一种光纤猫终端测试方法及系统
TWM585903U (zh) 預燒測試裝置及其預燒測試設備
CN115096549A (zh) 一种用于激光器的可靠性测试方法
WO2003069378A2 (en) Maintaining desirable performance of optical emitters at extreme temperatures