CN108152698B - 一种测定led寿命的方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体照明及光电测试技术领域，提供一种测定LED寿命的方法及装置，所述方法包括：获取测试样本在第一条件下的测量数据；根据所述测量数据，拟合出所述测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。本发明中，测试样本的测量数据的获取操作简单、测试耗时短，整个测试可以在一天或数小时内完成，与现有技术需要7～10天相比，测试效率有极大地提升。

Description

一种测定LED寿命的方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体照明及光电测试技术领域，具体而言，涉及一种测定LED寿命的方法及装置。
背景技术
在当前照明行业，LED以其节能、环保、长寿命等优点而得到越来越广泛的应用。其中LED寿命衡量其产品质量、生产厂商和应用客户都高度重视一项重要指标。常见的LED寿命测试方法有两种，一种是传统方法，即在正常使用状态下做长期寿命测试，直到LED损坏或光通量严重衰减低于70％或者50％为止(测试标准：IES TM-21-2011)。然而，LED的寿命通常可达数万个小时，导致该测试方法效率低下，大大增加了产品的研发和生产周期，而且浪费大量的人力物力。另一种是加速寿命老化试验方法，即在维持LED失效机理不变的条件下，通过加大试验应力来缩短试验周期，并通过合理的模型推算得到LED寿命。目前，已获得较广泛应用的一种加速寿命老化试验方法是温度应力加速寿命测试(测试标准：SJ/T11581-2016)，它包含温度步进应力试验确定加速寿命老化试验温度点，以及随后在该温度点下的加速寿命老化试验。由于施加了额外的温度应力，LED能够更快地达到失效损坏或者光通量严重衰减状态，因而相对于传统的方法可以极大的缩短老化试验时间。对于用加速寿命试验方法确定产品寿命，关键是确定加速试验点，然而在现有的加速寿命试验中这是较困难和耗时的，例如通过温度步进应力试验确定加速试验点的方法需要样品数至少为6只，同时按照产品说明书或者技术标准推荐的工作结温应力开始，步进梯度为15℃，每个温度点至少工作24小时，因此通常需要7～10天才能确定合适的加速试验温度点，测试时间较长。尤其地，若想同时了解不同电流应力状态下的温度应力加速试验点，则需要的时间成本将成倍增加。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种测定LED寿命的方法及装置，用以改善上述问题。
为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种测定LED寿命的方法，所述方法包括获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流；根据测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。
第二方面，本发明实施例还提供了一种测定LED寿命的装置，所述装置包括测量数据获取模块、变化曲线拟合模块和试验温度获取模块。其中，测量数据获取模块用于获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流；变化曲线拟合模块用于根据测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；试验温度获取模块用于根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。
相对现有技术，本发明实施例提供的一种测定LED寿命的方法及装置，首先，获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流；然后，根据所述测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；最后，根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。与现有技术相比，本发明实施例操作非常简单，将测试的时间从现有技术方法测试时间从以天数计降到以小时数计，整个发明实施例的测试时间只有现有技术方法测试时间的2％甚至更低，省去了再测试过程中过多条件变化的因素，极大地缩短了测试时间，效率大大提高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本发明实施例提供的终端的方框示意图。
图2示出了本发明实施例提供的测定LED寿命方法流程图。
图3示出了本发明实施例提供的测定LED寿命装置的方框示意图。
图标：100-终端；101-存储器；102-存储控制器；103-处理器；200-测定LED寿命装置；201-测量数据获取模块；202-变化曲线拟合模块；203-试验温度获取模块。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1，图1示出了本发明实施例提供的终端100的方框示意图。终端100可以是，但不限于智能手机、平板电脑、个人电脑(personal computer，PC)、服务器等等。终端100的操作系统可以是，但不限于，安卓(Android)系统、IOS(iPhone operating system)系统、Windows phone系统、Windows系统等。所述终端100包括测定LED寿命装置200、存储器101、存储控制器102及处理器103。
所述存储器101、存储控制器102及处理器103各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。测定LED寿命装置200包括至少一个可以软件或固件(firmware)的形式存储于存储器101中或固化在所述终端100的操作系统(operating system，OS)中的软件功能模块。处理器103用于执行存储器101中存储的可执行模块，例如测定LED寿命装置200所包括的软件功能模块及计算机程序等。
其中，存储器101可以是，但不限于，随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)，只读存储器(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器(Programmable Read-OnlyMemory，PROM)，可擦除只读存储器(Erasable Programmable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除只读存储器(Electric Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)等。其中，存储器101用于存储程序，所述处理器103在接收到执行指令后，执行所述程序。
处理器103可以是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。上述的处理器103可以是通用处理器，包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)、网络处理器(NetworkProcessor，NP)、语音处理器以及视频处理器等；还可以是数字信号处理器、专用集成电路、现场可编程门阵列或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器103也可以是任何常规的处理器等。
第一实施例
请参照图2，图2示出了本发明实施例提供的测定LED寿命方法流程图。处理方法包括以下步骤：
步骤S101，获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流。
在本发明实施例中，测试样本可以是，但不限于蓝光、绿光、紫外光等各种发光二极管(LED)芯片、封装器件以及模块。测量数据包括测试样本的光功率P和峰值波长λ。预设温度包括第一预设温度和第二预设温度，其中，第一预设温度为测试的起始温度，通常是常温，常温通常指的是20℃，第二预设温度指从第一预设温度开始按照预设温度间隔依次递增的多个温度，预设温度间隔的取值范围为5℃-30℃，预设温度的范围是常温至芯片电极失效或封装材料老化失效温度，芯片电极失效或封装材料老化失效温度不超过200℃。例如，测试样本是大功率的蓝光LED芯片，测试的温度范围是20℃-120℃，预设温度间隔是10℃，则第一预设温度为20℃，第二预设温度是从20℃开始以10℃依次递增的多个温度，包括20℃、30℃、40℃…，一直到120℃。预设电流包括第一预设电流和第二预设电流，其中，第一预设电流为测试的起始电流，通常是1mA，第二预设电流指从第一预设电流开始按照预设电流间隔依次递增的多个电流，预设电流间隔的取值范围为1mA-10mA，预设电流的范围是1mA至芯片或者模块可承受的最大电流，芯片或者模块可承受的最大电流指芯片或者模块长期正常工作所允许通过的最大正向电流，使用中不能超过此值，否则将会烧毁芯片或者模块。测试时可以使用带有变温模块的光谱辐射计使测试样本达到预定温度，在测试样本达到预定温度后需要继续保持一段时间使测试样本温度稳定后再获取测试数据，测试样本实际达到的温度和预定温度之间最多有0.5℃的误差。例如，在测试大功率的蓝光LED芯片在30℃的测量数据时，先使用光谱辐射计将大功率的蓝光LED芯片加热到30℃，且该芯片实际加热到的温度不能超过30.5℃，在该温度下停留5分钟直至温度稳定。
步骤S102，根据测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线。
在本发明实施例中，首先，根据步骤S101获得的任意一个预设温度下随着该温度对应的每个预设电流变化的光功率P和峰值波长λ，使用公式(1)得到与该光功率P和峰值波长λ对应的外量子效率，公式(1)如下：
Figure BDA0001528421020000061
其中，P为光功率，λ为峰值波长，I为预设电流。
其次，根据外量子效率的变化趋势找到外量子效率的极大值，得到与外量子效率极大值ηEQE 0对应的光功率P0和电流值I0。根据测量数据通过公式(1)计算出任意一个预设温度下随着该温度对应的每个预设电流变化的外量子效率，在任意一个预设温度下的所有的外量子效率中找到其中的极大值，并得到与该极大值对应的光功率P0和电流值I0。需要说明的是，如果在任意一个预设温度下的所有的外量子效率中找不到极大值，则认为步骤S101中第一条件的预设电流的范围太小，需要扩大预设电流的范围，同时需要获取样本在任意一个预设温度下随着该温度对应的扩大后的预设电流范围中的每个预设电流变化的测量数据，根据该测量数据通过公式(1)得到对应的外量子效率，重新在任意一个预设温度下的所有的外量子效率中找到其中的极大值。
第三，对光功率和电流的变化曲线进行拟合，得到拟合参数值。拟合是找到一个连续的函数或者更加密集的离散方程，使之与根据步骤S101的测量数据得到的离散型的关系曲线
Figure BDA0001528421020000071
更吻合。拟合参数是使连续的函数或者更加密集的离散方程和离散型的关系曲线
Figure BDA0001528421020000072
最吻合的参数。根据测量数据和外量子效率的极大值对应的光功率P0和电流值I0通过公式(2)对的关系曲线进行拟合，得到拟合参数m，公式(2)如下：
Figure BDA0001528421020000074
其中，x＝P，
Figure BDA0001528421020000075
拟合参数m是一个无量纲参数，
Figure BDA0001528421020000076
A的物理意义是SRH非辐射复合系数，B的物理意义是辐射复合系数，C的物理意义是俄歇复合系数。需要说明的是，拟合的方法包括，但不限于使用拟合软件如Origin或者其他拟合工具进行拟合。
第四，根据拟合参数及外量子效率的极大值得到预设电流下的出光效率ηLEE。首先，根据拟合参数m使用公式(3)得到外量子效率的极大值ηEQE 0对应的内量子效率η0 IQE，公式(3)如下：
Figure BDA0001528421020000077
其中，n0是外量子效率极值对应的载流子密度，ηinj是注入效率，ηinj在外量子效率附近通常认为1。然后，根据外量子效率的极大值及对应的内量子效率η0 IQE使用公式(4)得到对应的出光效率，公式(4)如下：
Figure BDA0001528421020000078
由于出光效率不随注入电流变化而变化，是一个常量，则预设电流下的出光效率等于外量子效率极值对应的出光效率，ηLEE＝η0 LEE。
最后，根据预设电流下的出光效率和多个电流下的外量子效率得到内量子效率随着多个预设电流变化的第一变化曲线。根据公式(5)得到内量子效率随着多个预设电流变化的第一变化曲线，公式(5)如下：
Figure BDA0001528421020000081
步骤S103，根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。
在本发明实施例中，预设阈值指任意预设电流和第一预设温度下对应的第一内量子效率下降预设百分比以下的第二内量子效率。预设百分比可以是一个常用值，比如说90％，也可以是由用户自定义的百分比值。与第二内量子效率对应的预设温度即为测定LED寿命的试验温度。例如，测试样本在350mA的预设电流下，第一预设温度20℃、25℃、30℃、40℃下的内量子效率分别为0.9、0.8、0.7、0.6，则第一内量子效率为0.9，第一个内量子效率0.9下降到90％以下即为下降到0.81以下，与之对应的第二量子效率为0.8，则与第二量子效率0.8对应的温度25℃则为测定LED寿命的试验温度。
在本发明实施例中，首先，获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流。本步骤中每一组测试需要的测试时间都是以分钟计的，全部测试时间不超过一天，比起现有技术需要的以天数计的时间大大缩短，极大地提高了测试效率。其次，根据测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线。最后，根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。本步骤中即可以指定任意预设电流又可以由用户指定预设阈值，在不需要额外增加测量数据和测量时间的情况下直接得到同时满足预设电流和预设阈值的内量子效率对应的预设温度。
第二实施例
请参照图3，图3示出了本发明实施例提供的测定LED寿命装置200的方框示意图。测定LED寿命装置200应用于终端100，其包括测量数据获取模块201、变化曲线拟合模块202和试验温度获取模块203。
测量数据获取模块201，用于获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流。
本发明实施例中，测量数据获取模块201可以用于执行步骤S101。
变化曲线拟合模块202，用于根据测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线。
本发明实施例中，变化曲线拟合模块202可以用于执行步骤S102。
试验温度获取模块203，用于根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。
本发明实施例中，试验温度获取模块203可以用于执行步骤S103。
本发明实施例还揭示了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器103执行时实现本发明前述实施例揭示的测定LED寿命方法。
综上所述，本发明提供的一种测定LED寿命方法及装置，所述方法包括：获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流；根据所述测量数据，拟合出测试样本的内量子效率在任意一个预设温度下随着该预设温度对应的多个预设电流变化的第一变化曲线；根据测试样本的内量子效率在每个预设温度下的第一变化曲线，找出内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将预设温度设置为测定LED寿命的试验温度。与现有技术相比，一方面，本发明操作非常简单，将测量的时间从现有技术方法测试时间从以天数计降到以小时数计，只有现有技术方法测试时间的2％甚至更低，省去了再测试过程中过多条件变化的因素，极大地缩短了测试时间，效率大大提高。另一方面，本发明在不额外增加测量数据和测量时间的情况下可以得到同时满足不同预设电流和预设阈值的测定LED寿命的试验温度。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (10)

1.一种测定LED寿命的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，所述第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流，所述测量数据包括测试样本的光功率和峰值波长；
根据任意一个预设温度下随着所述预设温度对应的每个预设电流变化的光功率和峰值波长，利用公式
Figure FDA0002245863590000011
得到与所述光功率和峰值波长对应的外量子效率，其中，P为光功率，λ为峰值波长，I为预设电流，ηEQE为外量子效率；
根据所述外量子效率的变化趋势找到所述外量子效率的极大值，得到与所述外量子效率的极大值对应的光功率和电流值；
根据所述测量数据和所述外量子效率的极大值对应的光功率和电流值，通过公式
Figure FDA0002245863590000012
对
Figure FDA0002245863590000013
的关系曲线进行拟合，得到拟合参数m，其中，
Figure FDA0002245863590000014
A的物理意义是SRH非辐射复合系数，B的物理意义是辐射复合系数，C的物理意义是俄歇复合系数，P0为与所述外量子效率的极大值对应的光功率，I0为所述外量子效率的极大值对应的电流值，x＝P，
Figure FDA0002245863590000015
根据所述拟合参数及所述外量子效率的极大值，利用公式
Figure FDA0002245863590000016
得到所述外量子效率的极大值对应的内量子效率，其中，η0 IQE为所述外量子效率的极大值对应的内量子效率，n0是外量子效率极值对应的载流子密度，ηinj是注入效率；
根据所述外量子效率的极大值及对应的内量子效率利用公式得到所述预设电流下的出光效率，其中，η0 LEE为预设电流下的出光效率，ηEQE 0为外量子效率的极大值；
根据所述预设电流下的所述出光效率和多个电流下的所述外量子效率，利用公式
Figure FDA0002245863590000022
得到所述内量子效率随着多个预设电流变化的第一变化曲线，其中，ηIQE为内量子效率，ηLEE＝η0 LEE；
根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下随着多个预设电流变化的第一变化曲线，找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度，其中，所述预设阈值为任意所述预设电流和所述预设温度下对应的第一内量子下降预设百分比以下的第二内量子效率。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个预设温度包括第一预设温度、以及从第一预设温度开始按照预设温度间隔依次递增的多个第二预设温度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多个预设温度的温度范围为20℃-200℃，所述预设温度间隔的温度范围为5℃-30℃。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个预设温度对应的多个预设电流包括第一预设电流、以及从第一预设电流开始按照预设电流间隔依次递增的多个第二预设电流。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设电流间隔为1mA-10mA。
6.一种测定LED寿命的装置，其特征在于，所述装置包括：
测量数据获取模块，用于获取测试样本在第一条件下的测量数据，其中，所述第一条件包括多个预设温度、以及每个预设温度对应的多个预设电流，所述测量数据包括测试样本的光功率和峰值波长；
变化曲线拟合模块，用于：
根据任意一个预设温度下随着所述预设温度对应的每个预设电流变化的光功率和峰值波长，利用公式得到与所述光功率和峰值波长对应的外量子效率，其中，P为光功率，λ为峰值波长，I为预设电流，ηEQE为外量子效率；
根据所述外量子效率的变化趋势找到所述外量子效率的极大值，得到与所述外量子效率的极大值对应的光功率和电流值；
根据所述测量数据和所述外量子效率的极大值对应的光功率和电流值，通过公式
Figure FDA0002245863590000032
对
Figure FDA0002245863590000033
的关系曲线进行拟合，得到拟合参数m，其中，
Figure FDA0002245863590000034
A的物理意义是SRH非辐射复合系数，B的物理意义是辐射复合系数，C的物理意义是俄歇复合系数，P0为与所述外量子效率的极大值对应的光功率，I0为所述外量子效率的极大值对应的电流值，x＝P，
Figure FDA0002245863590000035
根据所述拟合参数及所述外量子效率的极大值，利用公式得到所述外量子效率的极大值对应的内量子效率，其中，η0 IQE为所述外量子效率的极大值对应的内量子效率，n0是外量子效率极值对应的载流子密度，ηinj是注入效率；
根据所述外量子效率的极大值及对应的内量子效率使用公式得到所述预设电流下的出光效率，其中，η0 LEE为预设电流下的出光效率，ηEQE 0为外量子效率的极大值；
根据所述预设电流下的所述出光效率和多个电流下的所述外量子效率，利用公式
Figure FDA0002245863590000038
得到所述内量子效率随着多个预设电流变化的第一变化曲线，其中，ηIQE为内量子效率，ηLEE＝η0 LEE；
试验温度获取模块，用于根据所述测试样本的内量子效率在每个预设温度下随着多个预设电流变化的第一变化曲线，找出所述内量子效率达到预设阈值时对应的预设温度，并将所述预设温度设置为测定LED寿命的试验温度，其中，所述预设阈值为任意所述预设电流和所述预设温度下对应的第一内量子下降预设百分比以下的第二内量子效率。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述多个预设温度包括第一预设温度、以及从第一预设温度开始按照预设温度间隔依次递增的多个第二预设温度。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述多个预设温度的温度范围为20℃-200℃，所述预设温度间隔的温度范围为5℃-30℃。
9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，每个预设温度对应的多个预设电流包括第一预设电流、以及从第一预设电流开始按照预设电流间隔依次递增的多个第二预设电流。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述预设电流间隔为1mA-10mA。
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