JP2011127529A - 半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、ロッキングレンジの温度幅を周囲温度の変動幅に対応する複数の温度範囲に分割し、各ロッキングレンジの温度範囲において固体レーザー装置の固体レーザー媒質5の吸収波長帯に収まるような波長をそれぞれ有する複数の半導体レーザー21,22,23,24を用い、前記複数の半導体レーザー21,22,23,24からの出射光を合成機構により合成して、前記固体レーザー媒質5に照射することによりこの固体レーザー媒質5を励起する。
【選択図】 図1
Description
〔1〕半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、固体レーザー媒質の吸収波長帯でロックされ、それぞれロッキングレンジの温度幅が異なり、かつそれらのロッキングレンジの総和が半導体レーザーの周囲温度の変動領域を漏れなく網羅する複数の半導体レーザーを用い、前記複数の半導体レーザーからの出射光を合成機構により合成して、前記固体レーザー媒質に照射することによりこの固体レーザー媒質を励起することを特徴とする。
〔3〕上記〔1〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記合成機構がミラーにより構成されることを特徴とする。
〔4〕上記〔1〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記合成機構が異方性メタマテリアルを用いたレンズにより構成されることを特徴とする。
〔6〕上記〔1〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記各半導体レーザーのロッキングレンジに重なりを持たせたことを特徴とする。
〔8〕上記〔7〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、運転者が車両に近づいた時、運転席側のドアが開いた時、運転席のシートに人が座った時、または車両のメインスイッチがONの時に半導体レーザーの温度制御を開始することを特徴とする。
〔10〕上記〔1〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、半導体レーザーモジュール内に温度制御素子を配置することを特徴とする。
〔11〕上記〔10〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記温度制御素子がペルチェ素子であることを特徴とする。
〔13〕上記〔1〕記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、複数の半導体レーザーを熱伝導性の高い部材に接合するようにしたことを特徴とする。
また、ロッキングレンジの狭い半導体レーザーであっても、複数個組み合わせることでロッキングレンジを広げることができる。
(B)請求項2〜4に係る発明によれば、複数の半導体レーザーから出射された励起光を1本の光ファイバーに入射できるようにしている。請求項3に係る発明では、半導体レーザーからの出射光をミラーを用いて合成することで、固体レーザーのより小さい領域への励起が可能になり、固体レーザーの発振効率が改善される。
(D)請求項6に係る発明によれば、ロッキングレンジに重なりを持たせるようにしたので、全温度範囲にわたり励起波長を安定して出射することができる。
(F)請求項8に係る発明によれば、エンジンが始動する前に確実に半導体レーザーの温度を目標温度範囲内に制御することができる。
(G)請求項9に係る発明によれば、半導体レーザーの温度制御に必要なエネルギーを最小限に抑えることができる。
また、ペルチェ素子上の半導体レーザー素子等の熱容量を小さくすることで温度応答性を高めることができる。
(I)請求項13に係る発明によれば、複数の半導体レーザーを熱伝導性の高い部材に接合するようにしたので、温度制御の熱効率を向上させることができる。
図1は本発明の第1実施例を示すエンジン点火用固体レーザー装置の構成図である。
この図において、励起用半導体レーザーモジュール203として例えば4つの波長安定化半導体レーザー21〜24がある時、これらの波長安定化半導体レーザー21〜24から出射した励起光は、それぞれコア直径200μmのマルチモード光ファイバー2を伝搬して固体レーザーモジュール10内の固体レーザー媒質5に照射される。この時、固体レーザーモジュール10の手前で各光ファイバー2のコアが束ねられたバンドル光ファイバー25が用いられる。各波長安定化半導体レーザー21〜24の光を1本のバンドル光ファイバー25に束ねることで、固体レーザーモジュール10内において、一つの共通の励起光学系3により空間伝搬で固体レーザー媒質5に励起光を導入することができる。励起光は、固体レーザーモジュール10内に設けられたレーザー発振器8(励起ミラー4、固体レーザー媒質5、光スイッチ素子6、出力ミラー7)により、高ピーク強度の短パルスレーザー光12を自発的に発生する。発生したレーザー光12は、レンズからなる集光光学系9を通して、燃焼室103内の所定の空間位置に集光され、燃焼室103内の可燃性混合気に点火する。なお、101はシリンダー、102はピストンである。
波長安定化半導体レーザー21〜24は、半導体レーザー素子と光ファイバー2の間に透過型のグレーティングが挿入され、半導体レーザー素子から出射された励起光の一部の波長の光が半導体レーザー素子にフィードバックされ波長が安定化される。波長安定化半導体レーザー21〜24にフィードバックされる波長は全て、Nd:YAGからなる固体レーザー媒質5の吸収波長帯域のピークである809nm近傍になるように、グレーティングの周期および角度が調整されている。
この図において、半導体レーザー21のロッキングレンジは−20℃〜10℃、半導体レーザー22は5℃〜35℃、半導体レーザー23は30℃〜60℃、半導体レーザー24は55℃〜85℃のものを使用した。この構成によって、励起用半導体レーザーモジュール203の周囲温度が−20℃〜80℃まで変化しても、いずれか少なくとも1つの波長安定化半導体レーザーは必ずロッキングレンジ内にあり、809nmの波長近傍で動作しているため、固体レーザー媒質5には常に発振に必要な励起エネルギー120Wが吸収され、点火に必要な光エネルギーを出力することができる。
この実施例では、波長安定化半導体レーザー21〜24からの励起光11を収束する仕方として、励起用半導体レーザーモジュール203内の2つの波長安定化半導体レーザー22,24の光を半波長板34により偏光を90度回転し、波長安定化半導体レーザー21,23の光とそれぞれ合波してから光ファイバー2に導入するようにした。なお、30はレーザー光空間合成室、31は45度全反射ミラー、32は偏光ミラー、33はコリメート光学系、35は集光レンズである。
図4は本発明の第3実施例を示すエンジン点火用固体レーザー装置の構成図である。
この実施例では、波長安定化半導体レーザー21〜24からの励起光11を収束する仕方として、励起用半導体レーザーモジュール203内の2つの波長安定化半導体レーザー22,24の光を半波長板34により偏光を90度回転し、波長安定化半導体レーザー22,24の光を合波し、さらに、可倒ミラー31bで光学系を電気的にスイッチし、環境温度に応じてロッキングレンジ内にある波長安定化半導体レーザーの光のみを選択し、コアが1本の光ファイバー2で固体レーザーモジュール10まで励起光を導入する構成である。可倒ミラー31bの制御が新たに必要になるものの、バンドル光ファイバーを使わないため光ファイバー構造を簡略化でき、ファイバーコア径もさらに小さくできるので、固体レーザーへのより小さな領域への励起が容易になり、固体レーザーの発振効率が改善される。なお、31aは45度全反射ミラーである。
この実施例では、励起用半導体レーザーモジュール203内の半導体レーザー51〜54はグレーティング等による波長安定化の構造を有していないものである。各半導体レーザー51〜54から出射した各励起光は空間中を伝搬し、光ファイバー2の各先端に取り付けられた光ファイバーグレーティング56に入射する。光ファイバーグレーティング56は809nmの波長の光を選択的に部分反射するように格子間隔が決められており、反射した光は半導体レーザー51〜54に戻り、各半導体レーザー51〜54の発振波長を制御(ロック)することができる。なお、55は集光レンズである。
この実施例では、上記第4実施例と類似した半導体レーザーの構成において、光ファイバーグレーティング56を半導体レーザー側ではなく、バンドル光ファイバー25の固体レーザー媒質側の端面近傍に設けたものである。
図7は図6の光ファイバー端部の構成図(その1)である。この図に示すように、バンドル光ファイバー25の端面にまとめてグレーティングを形成することができれば、製造が容易になりコストが低減できる。なお、60は光ファイバー被覆である。
図10は本発明の第7実施例を示すエンジン点火用固体レーザー装置の構成図を示したものである。
光ファイバー2から出た励起光11は励起光学系3により整形され、固体レーザー媒質95に照射され吸収される。励起光は、固体レーザーモジュール90内に設けられたレーザー発振器98により、高ピーク強度の短パルスレーザー光を自発的に発生する。発生したレーザー光12は、レンズからなる集光光学系9を通して、燃焼室103内の所定の空間位置に集光され、燃焼室103内の可燃性混合気に点火する。なお、固体レーザーモジュール90の構成は第4実施例と同じである。
この図において、温度を制御する温度制御素子〔TE(Thermo−Electric:熱電冷却素子〕としてのペルチェ素子228の上にはベース金属226が配置され、その上にヒートシンク(金属)225が配置され、ヒートシンク225の上には、半導体レーザー素子221とサブマウント222、絶縁体224を介して半導体レーザー素子221に接続される電極223が設けられている。さらに、コリメート用マイクロレンズ210、波長制御用の透過型グレーティング211が配置されて、半導体レーザー素子221から出射される励起光215の光軸を調整するようにしている。これ以外の光学部品はペルチェ素子228上には配置されない。
グレーティング内蔵型の半導体レーザー素子231を用いたことにより、上記第8実施例のように透過型グレーティング211を励起光215の光路に挿入する必要がない点を除いて、図11における構成と同様である。
図13に示すように、ハイブリッドカーにおいては、スマートキーを持つ運転者が近づいたことを検知する近接センサー、運転席側のドアか開いたことを検知するドア開放センサー、運転者が運転席に着座したことを検知する着座センサーの信号を用いて補機類を始動する構成になっている。上記センサーを用いてエンジン用補機類を始動するハイブリッドカー以外の車両もある。本発明では、上記センサー類の信号を用いて、励起用半導体レーザーの温度制御の作動を制御するようにしている。
半導体レーザーの制御温度は、常に特定の1つの温度、例えば20℃に制御する必要はなく、半導体レーザーモジュールが取り付けられている部位の周囲温度に応じてそれに近いロッキングレンジ内の温度に設定してやることが望ましい。これによって、半導体レーザーの制御温度を一律の温度に設定するよりも早く温度を制御することができ、しかもその後の周囲温度との温度差が小さいので制御電力が少なくてすむ。図14においては、波長安定化半導体レーザーのロッキングレンジが5〜35℃であり周囲温度が15℃未満の場合、車両のメインスイッチがONになった瞬間に、半導体レーザーの制御温度を10℃に設定し、周囲温度が15℃〜25℃の場合、半導体レーザーの制御温度は20℃に、さらに周囲温度が25℃より高温の場合、半導体レーザーの制御温度は30℃に設定する。このように周囲温度に応じて半導体レーザーの制御温度を設定することで、半導体レーザーの温度をより早くロッキングレンジ内に固定することができる。
2,214 光ファイバー
3 励起光学系
4 励起ミラー
5,95 固体レーザー媒質(Nd:YAG)
6,96 光スイッチ素子(Cr:YAG)
7 出力ミラー
8,98 レーザー発振器
9 集光光学系
10,90 固体レーザーモジュール
11,215 励起光
12 レーザー光(点火光)
25 バンドル光ファイバー
30 レーザー光空間合成室
31,31a 45度全反射ミラー
31b 可倒ミラー
32 偏光ミラー
33 コリメート光学系
34 半波長板
35,55,213 集光レンズ
36 異方性メタマテリアルを用いた二層レンズ
51,52,53,54 半導体レーザー(波長非安定化)
56 光ファイバーグレーティング
60 光ファイバー被覆
61,211 透過型グレーティング
101 シリンダー
102 ピストン
103 燃焼室
200 温度制御装置
203 励起用半導体レーザーモジュール
210,212 コリメート用マイクロレンズ
221,231 半導体レーザー素子
222 サブマウント
223 電極
224 絶縁体
225 ヒートシンク
226 ベース金属
227 温度センサーに接続されるリード線
228 ペルチェ素子
228A 温度制御装置に接続されるリード線
229 金属ベース
300 断熱材
Claims (13)
- 固体レーザー媒質の吸収波長帯でロックされ、それぞれロッキングレンジの温度幅が異なり、かつそれらのロッキングレンジの総和が半導体レーザーの周囲温度の変動領域を漏れなく網羅する複数の半導体レーザーを用い、前記複数の半導体レーザーからの出射光を合成機構により合成して、前記固体レーザー媒質に照射することにより該固体レーザー媒質を励起することを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記合成機構が光ファイバーにより構成されることを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記合成機構がミラーにより構成されることを特徴とする半導体レーザ励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記合成機構が異方性メタマテリアルを用いたレンズにより構成されることを特徴とする半導体レーザ励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記半導体レーザーの波長はグレーティングを用いて安定化させることを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記各半導体レーザーのロッキングレンジに重なりを持たせたことを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 半導体レーザーに温度制御機構を設けた半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、ロッキングレンジ内に複数の設定温度を設け、温度制御の制御値をそのうちの周囲温度に最も近い設定温度とすることを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項7記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、運転者が車両に近づいた時、運転席側のドアが開いた時、運転席のシートに人が座った時、または車両のメインスイッチがONの時に半導体レーザーの温度制御を開始することを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項7記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、断熱材により前記半導体レーザーを取り囲むことを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、半導体レーザーモジュール内に温度制御素子を配置することを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項10記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、前記温度制御素子がペルチェ素子であることを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項10記載の半導体レーザー励起によるエンジン装置用固体レーザー装置において、前記半導体レーザーモジュール内にグレーティング内蔵型半導体レーザー素子を配置することを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
- 請求項1記載の半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置において、複数の半導体レーザーを熱伝導性の高い部材に接合したことを特徴とする半導体レーザー励起によるエンジン点火用固体レーザー装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014163292A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザ着火エンジンにおけるレーザ点火プラグの冷却方法 |
WO2014156544A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 半導体レーザー光源と固体レーザー装置を組み合わせた車載式点火装置 |
KR20160065129A (ko) | 2013-09-30 | 2016-06-08 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 장치 |
JP2016225527A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | レーザ発光装置、エンジン点火プラグシステム |
JP2017108038A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、内燃機関、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール、及び光伝送システム |
JP2018511927A (ja) * | 2015-01-20 | 2018-04-26 | キム, ナム ソンKIM, Nam Seong | 高効率レーザー点火装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011079017A1 (de) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer Laserzündkerze |
DE102011080503A1 (de) * | 2011-08-05 | 2013-02-07 | Robert Bosch Gmbh | Kühlsystem und Betriebsverfahren hierfür |
GB2497107B (en) * | 2011-11-30 | 2014-01-08 | Thales Holdings Uk Plc | Laser pumping system |
DE102012215487B4 (de) * | 2012-08-31 | 2017-03-23 | Continental Automotive Gmbh | Zündeinrichtung für eine Brennkammer einer Brennkraftmaschine |
CN103904543A (zh) * | 2012-12-26 | 2014-07-02 | 中国兵器装备研究院 | 一种实验用泵浦单元集成模块 |
EP3002834B1 (en) * | 2014-09-30 | 2019-09-25 | Ricoh Company, Ltd. | Laser device, ignition system, and internal combustion engine |
JP6926390B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2021-08-25 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | レーザ点火装置 |
GB2567880B (en) * | 2017-10-30 | 2022-11-30 | Bae Systems Plc | Laser diode array |
US11158990B2 (en) * | 2018-03-13 | 2021-10-26 | Nufern | Optical fiber amplifier system and methods of using same |
EP3836320A4 (en) * | 2018-08-07 | 2022-05-04 | Furukawa Electric Co., Ltd. | OPTICAL POWER TRANSMISSION DEVICE |
US11302590B2 (en) * | 2019-02-15 | 2022-04-12 | Kla Corporation | Delivery of light into a vacuum chamber using an optical fiber |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0254982A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-23 | Amoco Corp | 光ポンピング式レーザ |
JP2009191622A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | レーザ着火装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4661959A (en) * | 1984-02-17 | 1987-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | Lasing device |
JPH0821747B2 (ja) * | 1987-04-23 | 1996-03-04 | 日本電気株式会社 | 光伝送装置 |
US5084886A (en) * | 1990-10-01 | 1992-01-28 | Laser Diode, Inc. | Side-pumped laser system with independent heat controls |
US5181214A (en) * | 1991-11-18 | 1993-01-19 | Harmonic Lightwaves, Inc. | Temperature stable solid-state laser package |
US6456637B1 (en) * | 2000-05-30 | 2002-09-24 | Lucent Technologies Inc. | Waveguide lasers and optical amplifiers having enhanced thermal stability |
JP2002289949A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Sony Corp | 光ファイバ、光増幅発振装置、レーザ光発生装置、レーザディスプレイ装置およびカラーレーザディスプレイ装置 |
US7218655B2 (en) * | 2004-10-08 | 2007-05-15 | B&W Tek Property, Inc. | Solid state laser insensitive to temperature changes |
KR101205510B1 (ko) * | 2008-11-28 | 2012-11-28 | 한국전자통신연구원 | 돌출형 하이퍼렌즈 및 이의 제조방법 |
-
2009
- 2009-12-18 JP JP2009287546A patent/JP2011127529A/ja active Pending
-
2010
- 2010-12-15 US US12/968,990 patent/US20110150026A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0254982A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-23 | Amoco Corp | 光ポンピング式レーザ |
JP2009191622A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | レーザ着火装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014163292A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | レーザ着火エンジンにおけるレーザ点火プラグの冷却方法 |
WO2014156544A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 大学共同利用機関法人自然科学研究機構 | 半導体レーザー光源と固体レーザー装置を組み合わせた車載式点火装置 |
JP2014192166A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | National Institutes Of Natural Sciences | 半導体レーザー励起固体レーザー装置を利用する車載式点火装置 |
KR20160065129A (ko) | 2013-09-30 | 2016-06-08 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 장치 |
JP2018511927A (ja) * | 2015-01-20 | 2018-04-26 | キム, ナム ソンKIM, Nam Seong | 高効率レーザー点火装置 |
JP2016225527A (ja) * | 2015-06-02 | 2016-12-28 | 株式会社リコー | レーザ発光装置、エンジン点火プラグシステム |
JP2017108038A (ja) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザアレイ、レーザ装置、点火装置、内燃機関、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール、及び光伝送システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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