JP5337718B2 - 歪測定結像システム - Google Patents
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Description
Y1=G1×x1,
Y2=G2×x2
で与えられるであろう。ここでG1及びG2は2つの焦平面についての2つの倍率係数である。第2段階において測定を反復する場合、いずれの物も、例えばビジョンシステムがノードに関して同じ位置に完全には中心が合わされていないため、ベクトルdxだけ平行シフトしていることがあり得る。したがって、この場合に位置は、
Y'1=G1×(x1+dx),
Y'2=G2×(x2+dx),
で与えられる。よって、倍率が互いに異なるという事実により、大きさが(G1−G2)×dxの測定誤差が生じる。したがって、いずれの倍率も較正し、異なる倍率で測定値を補正する必要がある。最後に、データ補正が必要になり得る別の態様は視差効果に関係する。実際、物が互いに異なる集束位置にあれば、それぞれの見かけの距離はビジョンシステムの角度ずれによって影響を受ける。これは、ビジョンシステムの角安定性が十分に小さいままであることを保証するかまたはビジョンシステムの角度ずれをモニタしてデータ補正を行うことによって、最小限に抑えることができる。
805 試料基板上面
807 試料基板下面
810 基準基板
815 試料基板上面
820 試料基板下面
830,840 格子パターン
850 真空ポート
860 高反射面
865 基板上面反射光
870 ビジョンシステム
880,885 光線
890 試料基板/基準基板界面反射光
895 高反射面反射光
Claims (19)
- 光を処理する方法において、
(a)入射光ビームを2つの焦平面から反射させることによって位置情報を有する2本の同行直交偏光ビームを形成する工程であって、前記位置情報は前記2つの焦平面のそれぞれにおける点の相対位置を表すものである工程、
(b)前記2本の同行直交偏光ビームを同じ光路を通して処理し、次いで単一の像平面における処理のために分離する工程、及び
(c)前記単一の像平面において、前記2つの焦平面のそれぞれからの前記位置情報を、分離して再生する工程、
を含むことを特徴とする光を処理する方法。 - 前記単一の像平面における前記位置情報の再生に応じて歪を決定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の光を処理する方法。
- 前記単一の像平面における処理のための分離が、前記2本の同行直交偏光ビームを各々の偏光ビームに分離するデマルチプレクサにより行われることを特徴とする請求項1または2に記載の光を処理する方法。
- 前記単一の像平面における処理のための分離が、偽干渉計により行われることを特徴とする請求項1または2に記載の光を処理する方法。
- 前記再生する工程が、前記単一の像平面に配置された検出器であって、一方向の偏光を受け取る領域と他方向の偏光を受け取る領域とを有する検出器を用いて行われることを特徴とする請求項1から4いずれか1項に記載の光を処理する方法。
- 基準基板に対する試料基板の相対形状を測定する方法において、
第1の焦平面及び該第1の焦平面上に形成されたマーキングを有する前記試料基板を、第2の焦平面及び該第2の焦平面上に形成されたマーキングを有する前記基準基板上に位置決めする工程であって、前記第1の焦平面は前記第2の焦平面より結像位置に近いものである工程、
前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程、及び
前記結像位置からの前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面の両者の同時結像に応じて前記基準基板に対する前記試料基板の相対形状を決定する工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記位置決めする工程、前記結像させる工程及び前記相対形状を決定する工程が、前記試料基板にプロセスを実施する前後においてそれぞれ行われ、
前記プロセスの前後において決定された前記基準基板に対する前記試料基板の前記相対形状の間の差を、前記プロセスにより生じた前記試料基板の歪として特定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 基準基板に対する試料基板の相対形状を測定する方法において、
第1の焦平面及び該第1の焦平面上に形成されたマーキングを有する前記試料基板を、第2の焦平面及び該第2の焦平面上に形成されたマーキングを有する前記基準基板上に位置決めする工程であって、前記第1の焦平面は前記第2の焦平面より結像位置に近いものである工程、
前記基準基板の前記第2の焦平面とは逆の側に反射面を配置する工程、
前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程であって、光を前記第1の焦平面を透過させ、前記第2の焦平面を透過させ、前記反射面から反射させて、前記結像位置に戻す工程を含む工程、及び
前記結像位置からの前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面の両者の同時結像に応じて前記基準基板に対する前記試料基板の相対形状を決定する工程、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記位置決めする工程、前記反射面を配置する工程、前記結像させる工程及び前記相対形状を決定する工程が、前記試料基板にプロセスを実施する前後においてそれぞれ行われ、
前記プロセスの前後において決定された前記基準基板に対する前記試料基板の前記相対形状の間の差を、前記プロセスにより生じた前記試料基板の歪として特定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。 - 前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程が、偏光多重化を実施する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6から9いずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程が、色多重化を実施する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6から9いずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程が、偽干渉計を実施する工程をさらに含むことを特徴とする請求項6から9いずれか1項に記載の方法。
- 前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面をともに前記結像位置から同時に結像させる工程が、前記第1及び第2の焦平面を結像させるためにほぼコリメートされたビーム部分内に低光学能複屈折レンズを実装する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記結像位置の前方に偏光ビームスプリッタを実装して、2本の偏光光路を形成し、それぞれの光路を検出するために異なる検出器を用いることを特徴とする請求項10または13に記載の方法。
- 検出器のそれぞれ半分の前面に異なる偏光子を配置し、よって、検出器の一方の半分の面が一方向の偏光を受取り、検出器の他方の半分の面が他方向の偏光を受け取るようになすことを特徴とする請求項10または13に記載の方法。
- 前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面と前記結像位置の間にスイッチング素子を配置し、前記結像位置に検出器を配置し、よって、前記検出器が時間の関数として交互に一方向の偏光検出と他方向の偏光の検出を行う、工程を含むことを特徴とする請求項10または13に記載の方法。
- 前記マーキングの位置情報が、前記第1の焦平面及び前記第2の焦平面間で異なる倍率因子を考慮に入れるために補正されることを特徴とする請求項6から16いずれか1項に記載の方法。
- 視差効果を回避するため、結像光学系の角度ずれがモニタされるかまたは最小限に抑えられることを特徴とする請求項6から17いずれか1項に記載の方法。
- 照明の開口数が結像光路の開口数に対してかなり大きくつくられることを特徴とする請求項6から18いずれか1項に記載の方法。
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