JP2011017714A - マスク欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスク4のパターン形成面と反対の面の側から互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系2と、第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサ19と、第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサ17と、第1の領域を透過した光を第1の検出センサに結像する第1の検出光学系16と、第2の領域を透過した光を第2の検出センサに結像する第2の検出光学系15と、第1の領域から透過した光を反射して第1の検出光学系16に導く反射ミラー21と、検出光学系15、16に得られるパターン像との合焦関係をマスクの膜厚に応じてそれぞれ変更する合焦制御機構23、24がそれぞれ設けられる。
【選択図】図1
Description
半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面と反対の面の側から前記パターン形成面の互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域を透過した光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域を透過した光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域から透過した光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とする。
半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面と反対の面の側から前記パターン形成面の第1の領域に光を照明し、同時に前記パターン形成面の側から前記第1の領域とは異なる前記パターン形成面の第2の領域に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域で反射された光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域を透過した光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域で反射された光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域を透過した光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記マスクのパターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とする。
半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面の側から前記パターン形成面の第1の領域に光を照明し、同時に前記パターン形成面と反対の面の側から前記第1の領域とは異なる前記パターン形成面の第2の領域に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域で反射された光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域で反射された光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域を透過した光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域で反射された光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とする。
半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面の側から前記パターン形成面の互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域で反射された光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域で反射された光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域で反射された光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域で反射された光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域で反射された光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とする。
(実施例1)
図1は本発明に係わるマスク欠陥検査装置の第1実施例を示し、この図1において、1は照明光源、2は照明光学系、3はコンデンサレンズ、4は試料としてのマスク、OLは対物レンズである。
(実施例2)
図10は本発明に係わるマスク欠陥検査装置の第2実施例を示す模式図である。このマスク欠陥検査装置では、各検出光学系15、16に合焦レンズ18、20を通して得られた照明光を二分割するハーフミラー26、27が設けられている。このハーフミラー26、27の反射方向先方には、検出センサ17a、17b、19a、19bがそれぞれ設けられている。
(実施例3)
図11は本発明に係わるマスク欠陥検査装置の第3実施例を示す模式図である。このマスク欠陥検査装置では、照明光学系2は、マスク4の石英ガラス5の表面5aの側からマスク4を照明する透過方式照明光学系2Aと、マスク4の石英ガラス5の裏面5bの側からマスク4を照明する反射方式照明光学系2Bとを備えている。ここでは、透過方式照明光学系2Aに、透過照明光と反射照明光との間で照明光の切り換えを行う照明光切り換え機構2Cが設けられている。
(実施例4)
図13は本発明に係わるマスク欠陥検査装置の第4実施例を示す模式図である。このマスク欠陥検査装置では、実施例2と同様に、各検出光学系15、16に合焦レンズ18、20を通して得られた照明光を二分割するハーフミラー26、27が設けられている。このハーフミラー26、27の反射方向先方には、検出センサ17a、17b、19a、19bがそれぞれ設けられている。その検出センサ17aからハーフミラー26までの距離L1と検出センサ17bからハーフミラー26までの距離L2も、実施例2と同様に互いに異ならされている。更に、その検出センサ19aからハーフミラー27までの距離L1’と検出センサ19bからハーフミラー27までの距離L2’も互いに異ならされている。
4…マスク
15、16…検出光学系
17、19…検出センサ
18、20…合焦レンズ
21…反射ミラー
Claims (4)
- 半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面と反対の面の側から前記パターン形成面の互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域を透過した光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域を透過した光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域から透過した光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面と反対の面の側から前記パターン形成面の第1の領域に光を照明し、同時に前記パターン形成面の側から前記第1の領域とは異なる前記パターン形成面の第2の領域に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域を透過した光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域で反射された光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域を透過した光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域で反射された光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域を透過した光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記マスクのパターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面の側から前記パターン形成面の第1の領域に光を照明し、同時に前記パターン形成面と反対の面の側から前記第1の領域とは異なる前記パターン形成面の第2の領域に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域で反射された光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域を透過した光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域で反射された光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域を透過した光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域で反射された光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。 - 半導体の製造に使用されるフォトマスクやガラスウエハの試料に形成されたパターンを有するマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置であって、
前記マスクのパターン形成面の側から前記パターン形成面の互いに異なる第1及び第2の領域に同時に光を照明する照明光学系と、
前記第1の領域で反射された光を取り込む第1の検出センサと、
前記第2の領域で反射された光を取り込む第2の検出センサと、
前記第1の領域で反射された光を前記第1の検出センサに結像する第1の検出光学系と、
前記第2の領域で反射された光を前記第2の検出センサに結像する第2の検出光学系と、
前記パターン形成面と前記第1及び前記第2の検出センサとの間の前記パターン形成面の結像面近傍に設けられ、前記第1の領域で反射された光を反射して前記第1の検出光学系に導く反射ミラーと、
前記第1の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第1の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第1の合焦レンズと、
前記第2の検出光学系内に設置され、前記パターン形成面と前記第2の検出センサにより得られるパターン像との合焦関係を前記マスクの膜厚に応じて変更する第2の合焦レンズと、
を備えることを特徴とするマスク欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2010193010A JP2011017714A (ja) | 2010-08-31 | 2010-08-31 | マスク欠陥検査装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Family Applications (1)
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- 2010-08-31 JP JP2010193010A patent/JP2011017714A/ja active Pending
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