JP2003197515A

JP2003197515A - 結像光学系の検査方法、位置検出装置の調整方法、位置検出装置の補正方法、露光装置および露光方法

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Publication number: JP2003197515A
Application number: JP2002259326A
Authority: JP
Inventors: Ayako Nakamura; 綾子中村; Tadashi Nagayama; 匡長山
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2002-09-04
Publication date: 2003-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】結像光束の輝度分布の不均一性を簡便に検査
することのできる、結像光学系の検査方法。【解決手段】結像光学系の光軸に沿って所定のパター
ンの位置を変化させつつパターン像を光電検出する。パ
ターン像を光電検出して得られる信号の左右エッジの強
度差を表すＱ値を、結像光学系のガウス像面に対応する
フォーカス位置に対するパターンのデフォーカス量Ｚに
関する所定次数の関数に近似する。関数の定数項の値と
関数の偶数次数項の係数との関係に基づいて、結像光学
系を介した結像光束の輝度分布の不均一性を検査する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結像光学系の検査
方法、位置検出装置の調整方法、位置検出装置の補正方
法、露光装置および露光方法に関する。本発明は、特に
半導体素子や液晶表示素子等を製造するリソグラフィ工
程で用いる露光装置において感光性基板の位置を検出す
る装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】たとえば半導体素子を製造する露光装置
では、マスク（レチクル）とウェハとのアライメント
（位置合わせ）を行った後、露光光をマスクに照射し、
マスクに形成されたパターンを投影光学系を介してウェ
ハ上に転写露光する。アライメントに際しては、ウェハ
上に形成されたアライメントマーク（以下、「ウェハマ
ーク」という）の位置をアライメント系によって光電検
出し、検出したウェハマークの位置情報に基づいてウェ
ハの位置を検出し、ひいてはマスクとウェハとのアライ
メントを行う。

【０００３】アライメント系として、たとえばＦＩＡ
（Field Image Alignment：フィールド・イメージ・ア
ライメント）方式にしたがう位置検出装置が知られてい
る。ＦＩＡ方式の位置検出装置では、たとえばハロゲン
ランプを光源として、波長帯域幅の広い光でマークを照
明する。照明されたウェハマークからの光（回折光を含
む）は、結像光学系を介して、ＣＣＤの撮像面にウェハ
マークの像を形成する。

【０００４】また、ＦＩＡ方式の位置検出装置では、ウ
ェハとは別に、たとえば結像光学系の光路中に、指標マ
ークが設けられている。この指標マークの像も、同じＣ
ＣＤの撮像面に形成される。こうして、得られたウェハ
マーク像の撮像信号と指標マーク像の撮像信号とに基づ
いて、ウェハマークの位置を、ひいてはウェハの位置が
検出される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者ら
の鋭意研究の結果、照明光束の輝度分布が不均一な場合
には、特に低段差のパターンに対して計測誤差が発生す
ることが明らかになった。換言すると、ＦＩＡ方式の位
置検出装置において、最終像面に入射する結像光束の輝
度分布の不均一性に起因して計測誤差が発生することに
なる。

【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、結像光束の輝度分布の不均一性を簡便に検査
することのできる、結像光学系の検査方法を提供するこ
とを目的とする。また、本発明は、結像光学系における
結像光束の輝度分布の不均一性を簡便に検査し、その検
査結果に基づいて光学調整を行うことのできる、位置検
出装置の調整方法を提供することを目的とする。

【０００７】さらに、本発明は、結像光学系における結
像光束の輝度分布の不均一性を簡便に検査し、その検査
結果に基づいて位置検出結果を補正することのできる、
位置検出装置の補正方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の調整方法または補正方法によ
って調整または補正された高精度な位置検出装置を用い
て感光性基板を高精度に位置検出し、ひいてはマスクと
感光性基板とを高精度にアライメントして、良好な投影
露光を行うことのできる、露光装置および露光方法を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１発明では、結像光学系の検査方法にお
いて、前記結像光学系の光軸に沿って所定のパターンの
位置を変化させつつパターン像を光電検出する第１工程
と、前記パターン像を光電検出して得られる信号の左右
エッジの強度差を表すＱ値を、前記結像光学系のガウス
像面に対応するフォーカス位置に対する前記パターンの
デフォーカス量Ｚに関する所定次数の関数に近似する第
２工程と、前記関数の定数項の値と前記関数の偶数次数
項の係数との関係に基づいて、前記結像光学系を介した
結像光束の輝度分布の不均一性を検査する第３工程とを
含むことを特徴とする検査方法を提供する。

【０００９】第１発明の好ましい態様によれば、前記第
３工程は、前記結像光学系のコマ収差および球面収差に
基づいて前記定数項の値および前記係数を補正する工程
と、補正された前記定数項の値と補正された前記係数と
の関係に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検査
する工程とを含む。また、前記第１工程に先立って、前
記結像光学系のコマ収差および球面収差を補正する工程
を含むことが好ましい。

【００１０】本発明の第２発明では、結像光学系の検査
方法において、所定のパターンの像を前記結像光学系を
介して光電検出する第１工程と、前記パターン像を光電
検出して得られる信号の左右エッジの強度差を表す定数
Ｑ値と、第１のライン幅を有する第１パターンに対して
得られる第１定数項の値と、第２のライン幅を有する第
２パターンに対して得られる第２定数項の値との関係に
基づいて、前記結像光学系を介した結像光束の輝度分布
の不均一性を検査する第２工程とを含むことを特徴とす
る検査方法を提供する。

【００１１】第２発明の好ましい態様によれば、前記第
１パターンの計測時のフォーカス位置Ｚ１は前記第１パ
ターンに対する前記結像光学系のガウス像面に対応する
第１フォーカス位置を基準とし、前記第２パターンの計
測時のフォーカス位置Ｚ２は前記第２パターンに対する
前記結像光学系のガウス像面に対応する第２フォーカス
位置を基準とする。あるいは、前記第２工程は、前記結
像光学系のコマ収差および球面収差に基づいて前記第１
定数項の値および前記第２定数項の値を補正する工程
と、補正された前記第１定数項の値と補正された前記第
２定数項の値との関係に基づいて結像光束の輝度分布の
不均一性を検査する工程とを含むことが好ましい。ま
た、前記第１工程に先立って、前記結像光学系のコマ収
差および球面収差を補正する工程を含むことが好まし
い。

【００１２】本発明の第３発明では、結像光学系の検査
方法において、前記結像光学系を介して所定のパターン
の像を光電検出する第１工程と、前記パターン像を光電
検出して得られる信号におけるライン部の波形とスペー
ス部の波形との関係に基づいて、前記結像光学系を介し
た結像光束の輝度分布の不均一性を検査する第２工程と
を含むことを特徴とする検査方法を提供する。

【００１３】第３発明の好ましい態様によれば、前記第
１工程において、前記ライン部の波形の最大強度と前記
スペース部の波形の最大強度とがほぼ一致するように前
記パターンを前記結像光学系に対して位置決めする。

【００１４】本発明の第４発明では、位置検出すべき物
体に設けられたマークからの光に基づいてマーク像を形
成する結像光学系と、前記マーク像を光電検出する光電
検出器とを備えた位置検出装置の調整方法において、第
１発明〜第３発明の検査方法を用いて前記結像光学系に
おける結像光束の輝度分布の不均一性を検査する検査工
程と、前記検査工程で得られた検査結果に基づいて、前
記輝度分布の均一性を悪化させている光学部材を調査す
る調査工程とを含むことを特徴とする調整方法を提供す
る。

【００１５】第４発明の好ましい態様によれば、前記調
査工程で得られた調査結果に基づいて、前記光学部材を
光学調整する調整工程をさらに含む。

【００１６】本発明の第５発明では、所定のパターンが
形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マス
クのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光
学系と、前記感光性基板の位置を検出するための第４発
明の調整方法で調整された位置検出装置とを備えている
ことを特徴とする露光装置を提供する。

【００１７】本発明の第６発明では、所定のパターンが
形成されたマスクを照明し、照明された前記マスクのパ
ターン像を感光性基板上に露光する露光方法において、
第４発明の調整方法で調整された位置検出装置を用いて
前記感光性基板の位置を検出することを特徴とする露光
方法を提供する。

【００１８】本発明の第７発明では、位置検出すべき物
体に設けられたマークからの光に基づいてマーク像を形
成する結像光学系と、前記マーク像を光電検出する光電
検出器とを備えた位置検出装置の補正方法において、第
１発明〜第３発明の検査方法を用いて前記結像光学系に
おける結像光束の輝度分布の不均一性を検査する検査工
程と、前記検査工程で得られた検査結果に基づいて、前
記物体の位置検出結果を補正する補正工程とを含むこと
を特徴とする補正方法を提供する。

【００１９】本発明の第８発明では、所定のパターンが
形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マス
クのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光
学系と、前記感光性基板の位置を検出するための第７発
明の補正方法で補正される位置検出装置とを備えている
ことを特徴とする露光装置を提供する。

【００２０】本発明の第９発明では、所定のパターンが
形成されたマスクを照明し、照明された前記マスクのパ
ターン像を感光性基板上に露光する露光方法において、
第７発明の補正方法で補正される位置検出装置を用いて
前記感光性基板の位置を検出することを特徴とする露光
方法を提供する。

【００２１】本発明の第１０発明では、位置検出すべき
物体に設けられたマークからの光に基づいてマーク像を
形成する結像光学系と、前記マーク像を光電検出する光
電検出器とを備えた位置検出装置の検査方法において、
前記結像光学系に対して所定波長の検査光を導く第１工
程と、前記検査光に基づいて、前記結像光学系を介した
結像光束の輝度分布の不均一性を検査する第２工程とを
含むことを特徴とする検査方法を提供する。

【００２２】第１０発明において、前記所定波長の検査
光は可視光を含んでいることが好ましい。また、前記第
１工程では、ライン・アンド・スペース・パターンを介
した検査光を前記結像光学系へ導くことが好ましい。

【００２３】本発明の第１１発明では、位置検出すべき
物体に設けられたマークからの光に基づいてマーク像を
形成する結像光学系と、前記マーク像を光電検出する光
電検出器とを備えた位置検出装置において、第１０発明
の検査方法で検査されたことを特徴とする位置検出装置
を提供する。また、本発明の第１２発明では、位置検出
すべき物体に設けられたマークに対して照明光を供給す
る照明光学系と、前記マークからの光に基づいてマーク
像を形成する結像光学系と、前記マーク像を光電検出す
る光電検出器とを備えた位置検出装置において、前記結
像光学系は、前記結像光学系を介した結像光束の不均一
性を補正するための補正手段を有することを特徴とする
位置検出装置を提供する。

【００２４】本発明の第１３発明では、所定のパターン
が形成されたマスクを照明するための照明系と、前記マ
スクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影
光学系と、前記感光性基板の位置を検出するための第１
１発明または第１２発明の位置検出装置とを備えている
ことを特徴とする露光装置を提供する。

【００２５】本発明の第１４発明では、位置検出すべき
物体に設けられたマークの像を光電検出する工程を含む
位置検出方法において、第１０発明の検査方法の結果に
基づいて、前記物体の位置検出結果を補正することを特
徴とする位置検出方法を提供する。

【００２６】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を、添付図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる
位置検出装置を備えた露光装置の構成を概略的に示す図
である。本実施形態では、半導体素子を製造するための
露光装置において感光性基板の位置を検出するためのＦ
ＩＡ系の位置検出装置に本発明を適用している。なお、
図１では、露光装置の投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ０に対
して平行にＺ軸が、Ｚ軸に垂直な平面内において図１の
紙面に平行な方向にＸ軸が、Ｚ軸に垂直な平面内におい
て図１の紙面に垂直な方向にＹ軸がそれぞれ設定されて
いる。

【００２７】図示の露光装置は、適当な露光光でマスク
（投影原版）としてのレチクルＲを照明するための露光
用照明系ＩＬを備えている。レチクルＲはレチクルステ
ージ３０上においてＸＹ平面とほぼ平行に支持されてお
り、そのパターン領域ＰＡには転写すべき回路パターン
が形成されている。レチクルＲを透過した光は、投影光
学系ＰＬを介して、感光性基板としてのウェハＷに達
し、ウェハＷ上にはレチクルＲのパターン像が形成され
る。

【００２８】なお、ウェハＷは、ウェハホルダ３１を介
して、Ｚステージ３２上においてＸＹ平面とほぼ平行に
支持されている。Ｚステージ３２は、ステージ制御系３
４によって、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ０に沿ってＺ方
向に駆動されるように構成されている。Ｚステージ３２
はさらに、ＸＹステージ３３上に支持されている。ＸＹ
ステージ３３は、同じくステージ制御系３４によって、
投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ０に対して垂直なＸＹ平面内
において二次元的に駆動されるように構成されている。

【００２９】前述したように、露光装置では、投影露光
に先立って、レチクルＲ上のパターン領域ＰＡとウェハ
Ｗ上の各露光領域とを光学的に位置合わせ（アライメン
ト）する必要がある。そこで、位置検出すべき物体であ
るウェハＷには、たとえば段差パターン（ライン・アン
ド・スペース・パターン）からなるウェハマーク（ウェ
ハライメントマーク）ＷＭが形成されている。ウェハマ
ークＷＭの位置を検出し、ひいてはウェハＷの位置を検
出するのに、本実施形態の位置検出装置が使用される。

【００３０】具体的には、ウェハマークＷＭとして、Ｘ
方向に周期性を有する一次元マークとしてのＸ方向ウェ
ハマークＷＭＸ（不図示）と、Ｙ方向に周期性を有する
一次元マークとしてのＹ方向ウェハマークＷＭＹ（不図
示）とが、ウェハＷ上に形成されている。なお、本実施
形態では、ウェハマークＷＭとして、Ｘ方向およびＹ方
向にそれぞれ周期性を有する互いに独立した２つの一次
元マークを採用しているが、Ｘ方向およびＹ方向に周期
性を有する二次元マークを採用することもできる。

【００３１】本実施形態にかかる位置検出装置は、波長
帯域幅の広い照明光（たとえば５３０ｎｍ〜８００ｎ
ｍ）を供給するための光源１を備えている。光源１とし
て、ハロゲンランプのような光源を使用することができ
る。光源１から供給された照明光は、リレー光学系（不
図示）を介して、光ファイバーのようなライトガイド２
の入射端に入射する。ライトガイド２の内部を伝搬して
その射出端から射出された照明光は、たとえば円形状の
開口部（光透過部）を有する照明開口絞り３を介して制
限された後、コンデンサーレンズ４に入射する。

【００３２】コンデンサーレンズ４を介した照明光は、
照明すべき物体であるウェハＷの露光面と光学的に共役
に配置された照明視野絞り５を介して、照明リレーレン
ズ６に入射する。照明リレーレンズ６を介した照明光
は、ハーフプリズム７を透過した後、第１対物レンズ８
に入射する。第１対物レンズ８を介した照明光は、反射
プリズム９の反射面で図中下方に（−Ｚ方向に）反射さ
れた後、ウェハＷ上に形成されたウェハマークＷＭを照
明する。

【００３３】このように、光源１、ライトガイド２、照
明開口絞り３、コンデンサーレンズ４、照明視野絞り
５、照明リレーレンズ６、ハーフプリズム７、第１対物
レンズ８および反射プリズム９は、ウェハマークＷＭを
照明するための照明系を構成している。照明光に対する
ウェハマークＷＭからの反射光（回折光を含む）は、反
射プリズム９および第１対物レンズ８を介して、ハーフ
プリズム７に入射する。ハーフプリズム７で図中上方に
（＋Ｚ方向に）反射された光は、第２対物レンズ１０を
介して、指標板１１上にウェハマークＷＭの像を形成す
る。

【００３４】指標板１１を介した光は、リレーレンズ系
（１２，１３）を介して、ＸＹ分岐ハーフプリズム１４
に入射する。そして、ＸＹ分岐ハーフプリズム１４で反
射された光はＹ方向用ＣＣＤ１５に、ＸＹ分岐ハーフプ
リズム１４を透過した光はＸ方向用ＣＣＤ１６に入射す
る。なお、リレーレンズ系（１２，１３）の平行光路中
には、結像開口絞り１７が配置されている。

【００３５】このように、反射プリズム９、第１対物レ
ンズ８、ハーフプリズム７、第２対物レンズ１０、指標
板１１、リレーレンズ系（１２，１３）、結像開口絞り
１７およびハーフプリズム１４は、照明光に対するウェ
ハマークＷＭからの反射光に基づいてマーク像を形成す
るための結像光学系を構成している。また、Ｙ方向用Ｃ
ＣＤ１５およびＸ方向用ＣＣＤ１６は、結像光学系を介
して形成されたマーク像を光電検出するための光電検出
器を構成している。

【００３６】こうして、Ｙ方向用ＣＣＤ１５およびＸ方
向用ＣＣＤ１６の撮像面には、マーク像が指標板１１の
指標パターン像とともに形成される。Ｙ方向用ＣＣＤ１
５およびＸ方向用ＣＣＤ１６からの出力信号は、信号処
理系１８に供給される。さらに、信号処理系１８におい
て信号処理（波形処理）により得られたウェハマークＷ
Ｍの位置情報は、主制御系３５に供給される。主制御系
３５は、信号処理系１８からのウェハマークＷＭの位置
情報に基づいて、ステージ制御信号をステージ制御系３
４に出力する。

【００３７】ステージ制御系３４は、ステージ制御信号
にしたがってＸＹステージ３３を適宜駆動し、ウェハＷ
のアライメントを行う。なお、主制御系３５には、たと
えばキーボードのような入力手段３６を介して、照明開
口絞り３に対する指令や結像開口絞り１７に対する指令
が供給される。主制御系３５は、これらの指令に基づ
き、駆動系１９を介して照明開口絞り３を駆動したり、
駆動系２０を介して結像開口絞り１７を駆動したりす
る。また、主制御系３５は、収差補正指令に基づき、第
２対物レンズ１０やリレーレンズ１２を駆動する。

【００３８】次に、上述の位置検出装置の結像光学系に
おける結像光束の輝度分布の不均一性を検査する検査方
法について説明する。ここで、結像光束の輝度分布と
は、最終像面（Ｙ方向用ＣＣＤ１５およびＸ方向用ＣＣ
Ｄ１６の撮像面）に入射する光束（結像光束）の開口内
における輝度分布、あるいは最終像面に入射する光束
（結像光束）に関する最終像面のフーリエ変換面におけ
る二次元的な輝度分布である。図２は、本実施形態の検
査方法において用いられる検査用パターンの構成、およ
びパターン像を光電検出して得られる信号の左右エッジ
の強度差を表すＱ値の求め方を説明する図である。

【００３９】本実施形態では、図２（ａ）および（ｂ）
に示すように、検査用マークとして、幅Ｗ１を有するラ
イン部（図中斜線で示す部分）と幅Ｗ２を有するスペー
ス部とからなるピッチＰのＬ／Ｓ（ライン・アンド・ス
ペース）パターンを用いる。具体的には、たとえば幅Ｗ
１および幅Ｗ２がともに３μｍ（すなわちピッチＰが６
μｍでデューティ比が５０％）で段差が８５ｎｍ（光の
波長をλとするとき（λ／８）・（２ｎ＋１）、ｎ＝
０，１，２・・・の条件を満足する段差）の３μｍＬ／
Ｓパターンや、幅Ｗ１および幅Ｗ２がともに６μｍ（す
なわちピッチＰが１２μｍでデューティ比が５０％）で
段差が８５ｎｍの６μｍＬ／Ｓパターンなどを用いる。

【００４０】この場合、結像開口絞りの偏心が残存する
結像光学系を介して形成される検査用Ｌ／Ｓパターン像
を光電検出して得られる画像信号強度プロファイルは、
図２（ｃ）に示すようにライン部とスペース部とで左右
非対称な波形となる。そこで、本実施形態では、信号の
左右エッジの強度差を表すＱ値（画像信号強度プロファ
イルの左右エッジの非対称性に関する指標）を、次の式
（１）で定義する。Ｑ＝（Ｉ_R−Ｉ_L）／（Ｉ_max−Ｉ_min）（１）ここで、Ｉ_maxは最大信号強度を、Ｉ_minは最小信号強度
を、Ｉ_Rは右エッジの信号強度を、Ｉ_Lは左エッジの信号
強度をそれぞれ示している。

【００４１】図３は、結像光学系のフォーカス位置に対
する検査用パターンの位置を変化させたときのＱ値の変
動特性を示す図である。図３において、縦軸は結像光学
系のガウス像面（近軸像面）に対応するフォーカス位置
に対する検査用パターンのデフォーカス量Ｚであり、横
軸はＱ値である。このように、本実施形態では、位置検
出装置の結像光学系の光軸に沿って検査用Ｌ／Ｓパター
ンの位置を変化させつつパターン像を光電検出する。そ
して、パターン像を光電検出して得られる信号の左右エ
ッジの強度差を表すＱ値を求める。

【００４２】ここで、結像光学系に過コマ収差や結像開
口絞りの位置ずれが全く残存していない光学的な理想状
態の場合、図３（ａ）に示すように、Ｑ値はデフォーカ
ス量Ｚに依存することなく常に０である。しかしなが
ら、結像光学系に過コマ収差や結像開口絞りの位置ずれ
が残存している場合、図３（ｂ）に示すように、Ｑ値は
デフォーカス量Ｚに依存して曲線的に変化することにな
る。そこで、本実施形態では、図３（ｂ）に示すような
Ｑ値の変化曲線を、デフォーカス量Ｚに関する所定次数
の関数Ｑ（Ｚ）に近似する。

【００４３】具体的には、Ｑ値をデフォーカス量Ｚに関
する４次関数Ｑ（Ｚ）に近似すると、関数Ｑ（Ｚ）は次
の式（２）で表される。Ｑ（Ｚ）＝ｂ₄Ｚ⁴＋ｂ₃Ｚ³＋ｂ₂Ｚ²＋ｂ₁Ｚ＋ｂ₀ （２）ここで、ｂ₄およびｂ₂は偶数次数の係数であり、ｂ₃お
よびｂ₁は奇数次数の係数であり、ｂ₀は定数項の値であ
る。

【００４４】一般に、結像開口絞り１７が光軸に対して
偏心している場合、定数項の値ｂ₀，係数ｂ₂，係数ｂ₄
が０ではない値をとる。また、結像光束の輝度分布が均
一であれば、定数項の値ｂ₀と偶数次数の係数ｂ₂および
ｂ₄との間には比例関係が成立する。換言すれば、結像
光束の輝度分布が不均一な場合、定数項の値ｂ₀と偶数
次数の係数ｂ₂およびｂ₄との間には比例関係が成立しな
い。なお、上述の説明は、照明テレセンが追い込まれて
いる状態（すなわち、ステージ３２の上下方向に対して
照明光束の主光線が平行となっている状態）で成り立つ
議論である。照明テレセンが残存している場合には、特
開２０００−７７２９５号公報において本出願人が開示
しているように上述の比例関係は成立しない。

【００４５】そこで、本実施形態の第１検査方法では、
照明テレセンを調整した後に、たとえば結像開口絞り１
７の光軸に対する偏心を調整しながら、偶数次数の係数
ｂ₂またはｂ₄を０に追い込む。そして、偶数次数の係数
ｂ₂またはｂ₄を０に追い込んだときの定数項の値ｂ₀に
基づいて、結像光束の輝度分布の不均一性の程度を検査
する。このとき、定数項の値ｂ₀が大きいほど、不均一
性の程度が大きいことになる。

【００４６】あるいは、本実施形態の第１検査方法で
は、たとえば結像開口絞り１７の光軸に対する偏心を調
整しながら、定数項の値ｂ₀を０に追い込む。そして、
定数項の値ｂ₀を０に追い込んだときの偶数次数の係数
ｂ₂またはｂ₄に基づいて、結像光束の輝度分布の不均一
性を検査する。このとき、偶数次数の係数ｂ₂またはｂ₄
が大きいほど、不均一性の程度が大きいことになる。

【００４７】ところで、結像光学系にコマ収差が残存し
ているが球面収差が残存していない場合や、結像光学系
に球面収差が残存しているがコマ収差が残存していない
場合には、定数項の値ｂ₀と偶数次数の係数ｂ₂およびｂ
₄との間には比例関係が成立する。しかしながら、結像
光学系にコマ収差および球面収差がともに残存している
場合、定数項の値ｂ₀と偶数次数の係数ｂ₂およびｂ₄と
の間には比例関係が成立しない。

【００４８】すなわち、結像光学系にコマ収差および球
面収差がともに残存している場合には、結像光束の輝度
分布が均一であっても、定数項の値ｂ₀を０に追い込ん
だときの偶数次数の係数ｂ₂またはｂ₄は０になることな
く所定の値α₂またはα₄になり、偶数次数の係数ｂ₂ま
たはｂ₄を０に追い込んだときの定数項の値ｂ₀は０にな
ることなく所定の値α₀になる。

【００４９】そこで、本実施形態の第１検査方法では、
偶数次数の係数ｂ₂またはｂ₄を０に追い込んだときの定
数項の値ｂ₀を結像光学系のコマ収差および球面収差に
基づいて補正し、補正された定数項の値ｂ₀’（＝ｂ₀−
α₀）に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検査
することが好ましい。また、定数項の値ｂ₀を０に追い
込んだときの偶数次数の係数ｂ₂またはｂ₄を結像光学系
のコマ収差および球面収差に基づいて補正し、補正され
た偶数次数の係数ｂ₂’（＝ｂ₂−α₂）またはｂ₄’（＝
ｂ₄−α₄）に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を
検査することが好ましい。

【００５０】また、本実施形態の第１検査方法では、検
査結果に対するコマ収差および球面収差の影響を低減す
るために、結像光学系のコマ収差および球面収差を予め
補正した後に、定数項の値ｂ₀を０に追い込む。そし
て、定数項の値ｂ₀を０に追い込んだときの偶数次数の
係数ｂ₂またはｂ₄（あるいはｂ₂’またはｂ₄’）に基づ
いて、結像光束の輝度分布の不均一性を検査することが
好ましい。あるいは、偶数次数の係数ｂ₂またはｂ₄を０
に追い込み、そのときの定数項の値ｂ₀（あるいは
ｂ₀’）に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検
査することが好ましい。

【００５１】ところで、結像光束の輝度分布が均一であ
る場合、３μｍＬ／Ｓパターンを用いて得られた関数Ｑ
（Ｚ）における定数項の値ｂ₀₃と、６μｍＬ／Ｓパター
ンを用いて得られた関数Ｑ（Ｚ）における定数項の値ｂ
₀₆とはほぼ一致する。換言すれば、結像光束の輝度分布
が不均一である場合、３μｍＬ／Ｓパターンに対する定
数項の値ｂ₀₃と６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の
値ｂ₀₆とは一致しない。

【００５２】そこで、本実施形態の第２検査方法では、
たとえば結像開口絞り１７の光軸に対する偏心を調整し
ながら、３μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₃
を０に追い込む。そして、３μｍＬ／Ｓパターンに対す
る定数項の値ｂ₀₃を０に追い込んだときの６μｍＬ／Ｓ
パターンに対する定数項の値ｂ₀₆に基づいて、結像光束
の輝度分布の不均一性を検査する。このとき、６μｍＬ
／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₆が大きいほど、不
均一性の程度が大きいことになる。

【００５３】あるいは、本実施形態の第２検査方法で
は、たとえば結像開口絞り１７の光軸に対する偏心を調
整しながら、６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値
ｂ₀₆を０に追い込む。そして、６μｍＬ／Ｓパターンに
対する定数項の値ｂ₀₆を０に追い込んだときの３μｍＬ
／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₃に基づいて、結像
光束の輝度分布の不均一性を検査する。このとき、３μ
ｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₃が大きいほ
ど、不均一性の程度が大きいことになる。

【００５４】ところで、６μｍＬ／Ｓパターンおよび３
μｍＬ／Ｓパターンに対して共通のフォーカス位置を用
いる場合には、結像光束の輝度分布が均一であっても、
結像光学系のコマ収差および球面収差に起因して、３μ
ｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₃と６μｍＬ／
Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₆とは一致しない。す
なわち、６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₆
を０に追い込んだときの３μｍＬ／Ｓパターンに対する
定数項の値ｂ₀₃は０になることなく所定の値β ₀₃にな
り、３μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₃を０
に追い込んだときの６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数
項の値ｂ₀₆は０になることなく所定の値β ₀₆になる。

【００５５】そこで、本実施形態の第２検査方法では、
結像光学系のコマ収差および球面収差の影響を実質的に
受けないように、６μｍＬ／Ｓパターンに対する計測時
のフォーカス位置Ｚ₆は６μｍＬ／Ｓパターンに対する
結像光学系のガウス像面に対応するフォーカス位置を基
準とし、３μｍＬ／Ｓパターンに対する計測時のフォー
カス位置Ｚ₃は３μｍＬ／Ｓパターンに対する結像光学
系のガウス像面に対応するフォーカス位置を基準とする
ことが好ましい。

【００５６】あるいは、本実施形態の第２検査方法で
は、６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₆を０
に追い込んだときの３μｍＬ／Ｓパターンに対する定数
項の値ｂ₀₃を結像光学系のコマ収差および球面収差に基
づいて補正し、補正された定数項の値ｂ₀₃’（＝ｂ₀₃−
β₀₃）に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検査
することが好ましい。また、３μｍＬ／Ｓパターンに対
する定数項の値ｂ₀₃を０に追い込んだときの６μｍＬ／
Ｓパターンに対する定数項の値ｂ₀₆を結像光学系のコマ
収差および球面収差に基づいて補正し、補正された定数
項の値ｂ₀₆’（＝ｂ₀₆−β₀₆）に基づいて結像光束の輝
度分布の不均一性を検査することが好ましい。

【００５７】また、本実施形態の第２検査方法では、検
査結果に対するコマ収差および球面収差の影響を低減す
るために、結像光学系のコマ収差および球面収差を予め
補正した後に、６μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の
値ｂ₀₆を０に追い込む。そして、定数項の値ｂ₀₆を０に
追い込んだときの３μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項
の値ｂ₀₃（あるいはｂ₀₃’）に基づいて、結像光束の輝
度分布の不均一性を検査することが好ましい。あるい
は、３μｍＬ／Ｓパターンに対する定数項の値ｂ ₀₃を０
に追い込み、そのときの６μｍＬ／Ｓパターンに対する
定数項の値ｂ₀₆（あるいはｂ₀₆’）に基づいて結像光束
の輝度分布の不均一性を検査することが好ましい。

【００５８】図４は、検査用パターンの像を光電検出し
て得られる信号のライン部の波形とスペース部の波形と
の関係を説明する図である。結像光束の輝度分布が均一
であるような光学的な理想状態の場合、図４（ｂ）に示
すように、たとえば３μｍＬ／Ｓパターンの像や６μｍ
Ｌ／Ｓパターンの像を光電検出して得られる信号のライ
ン部の波形とスペース部の波形とがほぼ一致する。しか
しながら、結像光束の輝度分布が不均一である場合、図
４（ｂ）に示すように、パターン像を光電検出して得ら
れる信号のライン部の波形とスペース部の波形とが線Ａ
に関して線対称になる。

【００５９】そこで、本実施形態の第３検査方法では、
パターン像を光電検出して得られる信号のライン部の波
形とスペース部の波形との線対称な関係に基づいて、結
像光束の輝度分布の不均一性を検査する。なお、図２
（ｃ）に示すように、結像光学系にコマ収差が残存して
いると、ライン部の波形とスペース部の波形とで最大信
号強度Ｉ_maxが異なり、Ｑ値が発生することになる。し
たがって、本実施形態の第３検査方法では、ライン部の
波形とスペース部の波形とで最大信号強度Ｉ_maxがほぼ
一致し且つＱ値がほぼ０になるように追い込んだ後に、
ライン部の波形とスペース部の波形との線対称な関係に
基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検査すること
が好ましい。

【００６０】次に、本実施形態の検査方法の検査結果に
基づいて、結像光束の輝度分布の均一性を悪化させてい
る光学部材を調査する調整方法について説明する。図５
は、本実施形態の調整方法において結像光束の輝度分布
の均一性を悪化させている光学部材を調査するのに用い
られる観察工具の構成を概略的に示す図である。図５
（ａ）を参照すると、第１観察工具は、Ｙ方向用ＣＣＤ
１５の撮像面（またはＸ方向用ＣＣＤ１６の撮像面）５
０に対して位置決めされたレンズ５１とＣＣＤ５２とで
構成されている。ここで、ＣＣＤ５２の撮像面は、結像
光学系の瞳面（結像開口絞り１７の位置）と光学的に共
役に配置されている。

【００６１】一方、図５（ｂ）を参照すると、第２観察
工具は、結像光学系のフォーカス面（ウェハＷの表面位
置）５５に対して位置決めされたレンズ５６とＣＣＤ５
７とで構成されている。ここで、ＣＣＤ５７の撮像面
は、照明光学系の瞳面（照明開口絞り３の位置）と光学
的に共役に配置されている。こうして、本実施形態の調
整方法では、適当なレンズ成分を光軸方向に移動させな
がら、第１観察工具や第２観察工具を用いて、結像光束
の輝度分布の均一性を悪化させている光学部材を調査す
ることができる。

【００６２】そして、本実施形態の調整方法では、上述
の調査結果に基づいて、結像光束の輝度分布の均一性を
悪化させている光学部材を光学調整することができる。
具体的には、指紋やゴミの付着している光学部材の光学
面を清掃したり、傷や脈理のある光学部材を交換した
り、断線のないライトガイドに交換したりする。また、
ライトガイド２として液体ファイバーを用い、その角度
調整を行う。さらに、ライトガイド２の射出端側に、必
要に応じて拡散板を設置する。

【００６３】次に、本実施形態の検査方法の検査結果に
基づいて、ウェハマークＷＭの位置検出結果（すなわち
ウェハＷの位置検出結果）を補正する補正方法について
説明する。本実施形態の補正方法では、上述のように結
像光束の輝度分布の均一性を悪化させている光学部材を
光学調整した後に、あるいは結像光束の輝度分布の均一
性を悪化させている光学部材を光学調整することなく、
前述の検査方法の検査結果に基づいて、ウェハマークＷ
Ｍの位置検出結果（すなわちウェハＷの位置検出結果）
を補正することができる。具体的には、結像光束の輝度
分布均一性のデータと、計測するウェハマークＷＭの情
報（ピッチ、デューティ、段差、反射率など）とから発
生する誤差を求めて補正を行う。

【００６４】また、上述の調整方法では、結像光束の輝
度分布の均一性を悪化させている光学部材を光学調整す
ることにより、結像光束の輝度分布の不均一性を補正し
ているが、結像光学系中に輝度分布の不均一性を補正す
るための補正光学部材を配置する構成であっても良い。
たとえば、図１に示した位置検出装置の結像光学系にお
ける結像光束の輝度分布が図６に示されるように不均一
なものであった場合、当該結像光学系の瞳位置（結像光
学系の最終像面に対してフーリエ変換の関係にある位
置、図１では第１対物レンズ８と第２対物レンズ１０と
の間の光路中、およびリレーレンズ１２とリレーレンズ
１３との間の光路中の位置）に、図６の輝度分布とは逆
傾向の透過率分布を持つ濃度フィルタを配置する。図７
は、この濃度フィルタの透過率分布を示す図である。

【００６５】ここで、結像光学系における結像光束の輝
度分布の測定に際しては、図５に示した観察工具を用い
る。図５の観察工具のＣＣＤ５７の撮像面には、結像光
学系の像面へ向かう光束の開口内における輝度分布を２
次元的に展開した分布が形成される。従って、ＣＣＤ５
７によって、ＣＣＤ５７の撮像面上に形成される強度分
布を測定し、この強度分布を反転させた分布を求める。
次に、この反転分布に基づいて、濃度フィルタの透過率
分布を算出し、濃度フィルタの作成を行う。濃度フィル
タの作成に際しては、光透過性の基板上に遮光性または
光透過性の微小ドットの集合体を形成し、この微小ドッ
トの密度の疎密で透過率分布を表現する手法を用いるこ
とができる。この構成により、結像光束の輝度分布の不
均一性を補正することができる。

【００６６】なお、上述の例では、結像光束の輝度分布
の不均一性を補正するための補正手段としての濃度フィ
ルタを結像光学系の内部に設けたが、その代わりに、或
いはそれに加えて、結像光束の輝度分布の不均一性を補
正するための補正手段としての濃度フィルタを照明光学
系の内部に設けても良い。このとき、濃度フィルタは、
照明光学系中の瞳位置（被照射面としてのマークに対し
てフーリエ変換の関係となる位置、図１では照明開口絞
り３の位置、および照明リレーレンズ６と第１対物レン
ズ８との間の光路中の位置）に配置することが好まし
い。

【００６７】また、上述の例では、結像光学系を介した
結像光束の輝度分布を均一にするように補正したが、こ
の輝度分布を所定の分布となるように補正しても良い。
また、上述の例では、結像光束の輝度分布を透過率分布
で制御したが、この輝度分布を反射率分布で制御しても
良い。なお、この手法を、前述の調整方法や位置検出結
果を補正する補正方法と組み合わせても良い。

【００６８】なお、上述の各実施形態では、ウェハマー
クを落射照明しているが、これに限定されることなく、
ウェハマークを透過照明する位置検出装置に本発明を適
用することもできる。また、上述の各実施形態では、Ｘ
方向マーク検出とＹ方向マーク検出とにそれぞれ別のＣ
ＣＤを用いているが、１つのＣＣＤでＸ方向マーク検出
とＹ方向マーク検出との双方を行ってもよい。なお、上
述の各実施形態では、検査用のマークとしてＬ／Ｓ（ラ
イン・アンド・スペース）パターンを用いたが、検査用
マークとしてはＬ／Ｓパターンに限定されることなく、
たとえば孤立パターンを用いても良い。

【００６９】また、上述の各実施形態では、露光装置に
おける感光性基板の位置検出を行っているが、これに限
定されることなく、位置検出すべき一般的な物体に形成
された物体マークの位置検出、たとえば特開平６−５８
７３０号公報、特開平７−７１９１８号公報、特開平１
０−１２２８１４号公報、特開平１０−１２２８２０号
公報、および特開２０００−２５８１１９号公報などに
開示される重ね合わせ精度測定装置やパターン間寸法測
定装置に本発明を適用することもできる。

【００７０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の結像光学
系の検査方法では、たとえば関数Ｑ（Ｚ）の定数項の値
ｂ₀と偶数次数項の係数ｂ₂またはｂ₄との関係に基づい
て、結像光束の輝度分布の不均一性を簡便に検査するこ
とができる。また、本発明の位置検出装置の調整方法で
は、結像光学系における結像光束の輝度分布の不均一性
を簡便に検査し、その検査結果に基づいて光学調整を行
うことができる。

【００７１】さらに、本発明の位置検出装置の補正方法
では、結像光学系における結像光束の輝度分布の不均一
性を簡便に検査し、その検査結果に基づいて位置検出結
果を補正することができる。したがって、本発明の露光
装置および露光方法では、上述の調整方法または補正方
法によって調整または補正された高精度な位置検出装置
を用いて感光性基板を高精度に位置検出し、ひいてはマ
スクと感光性基板とを高精度にアライメントして、良好
な投影露光を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態にかかる位置検出装置を備え
た露光装置の構成を概略的に示す図である。

【図２】本実施形態の検査方法において用いられる検査
用パターンの構成、およびパターン像を光電検出して得
られる信号の左右エッジの強度差を表すＱ値の求め方を
説明する図である。

【図３】結像光学系のフォーカス位置に対する検査用パ
ターンの位置を変化させたときのＱ値の変動特性を示す
図である。

【図４】検査用パターンの像を光電検出して得られる信
号のライン部の波形とスペース部の波形との関係を説明
する図である。

【図５】本実施形態の調整方法において結像光束の輝度
分布の均一性を悪化させている光学部材を調査するのに
用いられる観察工具の構成を概略的に示す図である。

【図６】結像光学系における結像光束の輝度分布が不均
一な様子を示す図である。

【図７】輝度分布の不均一性を補正するための補正光学
部材としての濃度フィルタの透過率分布を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ハロゲンランプ２ライトガイド３照明開口絞り５照明視野絞り７ハーフプリズム８第１対物レンズ９反射プリズム１０第２対物レンズ１１指標板１４ＸＹ分岐ハーフプリズム１５，１６ＣＣＤ１７結像開口絞り１８信号処理系３０レチクルステージ３１ウェハホルダ３２Ｚステージ３３ＸＹステージ３４ステージ制御系３５主制御系３６キーボードＩＬ露光用照明系ＲレチクルＰＡパターン領域ＰＬ投影光学系ＷウェハＷＭウェハマーク

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】結像光学系の検査方法において、前記結像光学系の光軸に沿って所定のパターンの位置を
変化させつつパターン像を光電検出する第１工程と、前記パターン像を光電検出して得られる信号の左右エッ
ジの強度差を表すＱ値を、前記結像光学系のガウス像面
に対応するフォーカス位置に対する前記パターンのデフ
ォーカス量Ｚに関する所定次数の関数に近似する第２工
程と、前記関数の定数項の値と前記関数の偶数次数項の係数と
の関係に基づいて、前記結像光学系を介した結像光束の
輝度分布の不均一性を検査する第３工程とを含むことを
特徴とする検査方法。
【請求項２】前記第３工程は、前記結像光学系のコマ
収差および球面収差に基づいて前記定数項の値および前
記係数を補正する工程と、補正された前記定数項の値と
補正された前記係数との関係に基づいて結像光束の輝度
分布の不均一性を検査する工程とを含むことを特徴とす
る請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】前記第１工程に先立って、前記結像光学
系のコマ収差および球面収差を補正する工程を含むこと
を特徴とする請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】結像光学系の検査方法において、所定のパターンの像を前記結像光学系を介して光電検出
する第１工程と、前記パターン像を光電検出して得られる信号の左右エッ
ジの強度差を表す定数Ｑ値と、第１のライン幅を有する
第１パターンに対して得られる第１定数項の値と、第２
のライン幅を有する第２パターンに対して得られる第２
定数項の値との関係に基づいて、前記結像光学系を介し
た結像光束の輝度分布の不均一性を検査する第２工程と
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項５】前記第１パターンの計測時のフォーカス
位置Ｚ１は前記第１パターンに対する前記結像光学系の
ガウス像面に対応する第１フォーカス位置を基準とし、
前記第２パターンの計測時のフォーカス位置Ｚ２は前記
第２パターンに対する前記結像光学系のガウス像面に対
応する第２フォーカス位置を基準とすることを特徴とす
る請求項４に記載の検査方法。
【請求項６】前記第２工程は、前記結像光学系のコマ
収差および球面収差に基づいて前記第１定数項の値およ
び前記第２定数項の値を補正する工程と、補正された前
記第１定数項の値と補正された前記第２定数項の値との
関係に基づいて結像光束の輝度分布の不均一性を検査す
る工程とを含むことを特徴とする請求項４に記載の検査
方法。
【請求項７】前記第１工程に先立って、前記結像光学
系のコマ収差および球面収差を補正する工程を含むこと
を特徴とする請求項４または６に記載の検査方法。
【請求項８】結像光学系の検査方法において、前記結像光学系を介して所定のパターンの像を光電検出
する第１工程と、前記パターン像を光電検出して得られる信号におけるラ
イン部の波形とスペース部の波形との関係に基づいて、
前記結像光学系を介した結像光束の輝度分布の不均一性
を検査する第２工程とを含むことを特徴とする検査方
法。
【請求項９】前記第１工程において、前記ライン部の
波形の最大強度と前記スペース部の波形の最大強度とが
ほぼ一致するように前記パターンを前記結像光学系に対
して位置決めすることを特徴とする請求項８に記載の検
査方法。
【請求項１０】位置検出すべき物体に設けられたマー
クからの光に基づいてマーク像を形成する結像光学系
と、前記マーク像を光電検出する光電検出器とを備えた
位置検出装置の調整方法において、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検査方法を用い
て前記結像光学系における結像光束の輝度分布の不均一
性を検査する検査工程と、前記検査工程で得られた検査
結果に基づいて、前記輝度分布の均一性を悪化させている光学部材を調査する調査工程とを含むことを特
徴とする調整方法。
【請求項１１】前記調査工程で得られた調査結果に基
づいて、前記光学部材を光学調整する調整工程をさらに
含むことを特徴とする請求項１０に記載の調整方法。
【請求項１２】所定のパターンが形成されたマスクを
照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感
光性基板上に形成するための投影光学系と、前記感光性
基板の位置を検出するための請求項１０または１１に記
載の調整方法で調整された位置検出装置とを備えている
ことを特徴とする露光装置。
【請求項１３】所定のパターンが形成されたマスクを
照明し、照明された前記マスクのパターン像を感光性基
板上に露光する露光方法において、請求項１０または１１に記載の調整方法で調整された位
置検出装置を用いて前記感光性基板の位置を検出するこ
とを特徴とする露光方法。
【請求項１４】位置検出すべき物体に設けられたマー
クからの光に基づいてマーク像を形成する結像光学系
と、前記マーク像を光電検出する光電検出器とを備えた
位置検出装置の補正方法において、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検査方法を用い
て前記結像光学系における結像光束の輝度分布の不均一
性を検査する検査工程と、前記検査工程で得られた検査結果に基づいて、前記物体
の位置検出結果を補正する補正工程とを含むことを特徴
とする補正方法。
【請求項１５】所定のパターンが形成されたマスクを
照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感
光性基板上に形成するための投影光学系と、前記感光性
基板の位置を検出するための請求項１４に記載の補正方
法で補正される位置検出装置とを備えていることを特徴
とする露光装置。
【請求項１６】所定のパターンが形成されたマスクを
照明し、照明された前記マスクのパターン像を感光性基
板上に露光する露光方法において、請求項１４に記載の補正方法で補正される位置検出装置
を用いて前記感光性基板の位置を検出することを特徴と
する露光方法。
【請求項１７】位置検出すべき物体に設けられたマー
クからの光に基づいてマーク像を形成する結像光学系
と、前記マーク像を光電検出する光電検出器とを備えた
位置検出装置の検査方法において、前記結像光学系に対して所定波長の検査光を導く第１工
程と、前記検査光に基づいて、前記結像光学系を介した
結像光束の輝度分布の不均一性を検査する第２工程とを
含むことを特徴とする検査方法。
【請求項１８】位置検出すべき物体に設けられたマー
クからの光に基づいてマーク像を形成する結像光学系
と、前記マーク像を光電検出する光電検出器とを備えた
位置検出装置において、請求項１７に記載の検査方法で検査されたことを特徴と
する位置検出装置。
【請求項１９】位置検出すべき物体に設けられたマー
クに対して照明光を供給する照明光学系と、前記マーク
からの光に基づいてマーク像を形成する結像光学系と、
前記マーク像を光電検出する光電検出器とを備えた位置
検出装置において、前記結像光学系は、前記結像光学系を介した結像光束の
不均一性を補正するための補正手段を有することを特徴
とする位置検出装置。
【請求項２０】所定のパターンが形成されたマスクを
照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感
光性基板上に形成するための投影光学系と、前記感光性
基板の位置を検出するための請求項１８または１９に記
載の位置検出装置とを備えていることを特徴とする露光
装置。
【請求項２１】位置検出すべき物体に設けられたマー
クの像を光電検出する工程を含む位置検出方法におい
て、請求項１７に記載の検査方法の結果に基づいて、前記物
体の位置検出結果を補正することを特徴とする位置検出
方法。