JP6682263B2 - 検出装置、露光装置および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1実施形態に係る検出装置を含む露光装置の概略図である。露光装置は、照明光学系3と、投影光学系4と、基板ステージ7とを備える。照明光学系3は、露光装置本体2に対して不図示のアライメント機構により位置合わせされた原版1を照明する。原版1は、例えば、露光されるべき微細なパターン(例えば回路パターン)が描画されたガラス製の原版である。基板ステージ7は、基板5を保持する基板保持部6を備え、投影光学系4の光軸(Z軸)に垂直なXY平面上を移動する。基板5は、例えば、ガラス基板である。原版1のパターンは、投影光学系4を介して基板5上の露光領域に転写される。基板ステージ7は、XY方向だけでなく、Z方向にも可動で、基板5と原版1の合焦のための駆動系ともなる。また、基板ステ−ジ7上には、ミラー8が載置され、レ−ザ干渉計9を用いてX方向の駆動が制御されている。Y方向についても不図示であるが同様の構成がとられており、XY平面内での精密な駆動制御がなされている。
次に、本発明の第2実施形態に係る検出方法について説明する。上記の第1実施形態は、裏面反射光21の各偏光信号が等しくなるように入射角度を設定できることが前提となる。これに対して、本実施形態では、入射角度の設定に自由度がない場合や、部品(材質)、組立、調整等の誤差が生じて裏面反射光21の各偏光信号を等しくすることができない場合に対応できる点を特徴とする。
次に、本発明の第3実施形態に係る検出方法について説明する。第1実施形態では、裏面反射光21のp偏光およびs偏光を等しい条件に設定することを特徴としていた。本実施形態では、裏面反射光21のp偏光と表面反射光20のs偏光が等しく、裏面反射光21のs偏光と表面反射光20のp偏光が等しい条件に設定することで基板5の表面位置を精度よく検出できることを特徴とする。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
12 偏光調整部
15 偏光分離部
16、17 位置センサ(検出部)
22 投射系
23 受光系
Claims (10)
- 被検物の被検面の法線に対し斜め方向から検出光を投射する投射系と、該被検物による反射光を受光する受光系とを有し、前記受光系により得られたデータに基づいて前記被検面の位置を検出する検出装置であって、
前記反射光は、前記被検面で反射した表面反射光と、前記被検面を透過し前記被検物の裏面で反射した裏面反射光とを含み、
前記受光系は、前記反射光を第1の偏光成分と第2の偏光成分とに分離する偏光分離部と、前記第1の偏光成分および前記第2の偏光成分を検出する検出部と、を備え、
前記投射系または前記受光系は、前記検出部により得られる、前記裏面反射光の第1の偏光成分と、前記裏面反射光の第2の偏光成分と、が等しくなるように構成され、
前記検出部により得られた前記第1の偏光成分を示すデータと前記第2の偏光成分を示すデータとの差分データに基づいて前記位置を算出する演算部を含むことを特徴とする検出装置。 - 前記投射系は、前記検出光の第1の偏光成分の前記裏面における反射率と第2の偏光成分の前記裏面における反射率とが等しくなるように前記被検面に対し前記検出光を投射することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記投射系または前記受光系は、前記裏面反射光の第1の偏光成分と、前記裏面反射光の第2の偏光成分と、が等しくなるように前記反射光の偏光状態を調整する偏光調整部を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の検出装置。
- 前記投射系または前記受光系は、前記検出部が検出する前記表面反射光の第1の偏光成分の光強度を表す波形データの形状と、前記検出部が検出する前記表面反射光の第2の偏光成分の光強度を表す波形データの形状とが相似関係となるように構成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検出装置。
- 被検物の被検面の法線に対し斜め方向から検出光を投射する投射系と、該被検物による反射光を受光する受光系とを有し、前記受光系により得られたデータに基づいて前記被検面の位置を検出する検出装置であって、
前記反射光は、前記被検面で反射した表面反射光と、前記被検面を透過し前記被検物の裏面で反射した裏面反射光とを含み、
前記受光系は、前記反射光を第1の偏光成分と第2の偏光成分とに分離する偏光分離部と、前記第1の偏光成分および前記第2の偏光成分を検出する検出部と、を備え、
前記投射系または前記受光系は、
前記検出部が検出する前記裏面反射光の第1の偏光成分の光強度を表す波形データの形状と、前記検出部が検出する前記表面反射光の第2の偏光成分の光強度を表す波形データの形状とが相似関係となり、
前記検出部が検出する前記表面反射光の第1の偏光成分の光強度を表す波形データの形状と、前記検出部が検出する前記裏面反射光の第2の偏光成分の光強度を表す波形データの形状とが相似関係となるように構成され、
前記検出部により得られた前記第1の偏光成分を示すデータと前記第2の偏光成分を示すデータとの差分データに基づいて前記法線方向の位置を算出する演算部を含むことを特徴とする検出装置。 - 前記演算部は、前記裏面反射光の第1の偏光成分と前記表面反射光の第2の偏光成分とを打ち消す、または前記表面反射光の第1の偏光成分と前記裏面反射光の第2の偏光成分とを打ち消すようにして前記差分データを得ることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。
- 前記投射系は、前記検出光の第1の偏光成分の前記裏面における反射率と第2の偏光成分の前記表面における反射率とが等しくなり、前記検出光の第2の偏光成分の前記裏面における反射率と第1の偏光成分の前記表面における反射率とが等しくなるように前記被検面に対し前記検出光を投射することを特徴とする請求項5または6に記載の検出装置。
- 前記投射系または前記受光系は、前記検出部が検出する各偏光成分の光強度が前記相似関係となるように前記反射光の偏光状態を調整する偏光調整部を含むことを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の検出装置。
- 原版のパターンを基板上の露光領域に転写する露光装置であって、
被検面としての前記基板の面の位置を検出する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の検出装置を含む
ことを特徴とする露光装置。 - 請求項9に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記露光された前記基板を現像する工程と、を含む
ことを特徴とする物品の製造方法。
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