JP2017215218A - 計測装置、パターン形成装置及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】計測系内に経時変化や外的変動が発生しても、基板側面位置を高精度に計測する計測装置を提供すること。【解決手段】被検物5の位置を計測する計測装置10であって、被検物5からの計測光、及び、被検物5を保持する保持部6に設けられた基準部材19からの参照光を検出する検出部17と、検出部17が検出した計測光に対応する第1の信号と、検出部17が検出した参照光に対応する第2の信号と、の比較結果に基づいて、基準部材19に対する被検物5の位置を求める演算部18と、を有する。【選択図】図2
Description
本発明は、計測装置、パターン形成装置及び物品の製造方法に関する。
露光装置での基板のアライメントは、基板を搭載しているステージ上に複数配置されたセンサを用いて実行される。このセンサは基板表面の法線方向に対して垂直な方向の基板の側面位置を、接触もしくは非接触で計測する。接触式の場合は、直接側面の位置を計測することができる一方、接触時の応力によりプレートを歪ませる恐れがある。近年は、プレートの薄厚化やオーバーレイの高精度化により、非接触式のセンサが注目されている。特許文献1は、基板側面部の2箇所を光で照明し、2箇所の位置の距離を計測する測定方法を開示している。特許文献2は、基板の端部をホルダ上に設定された少なくとも3か所の基準位置において撮像して、画像情報に基づいて感光基板の投影光学系に対する位置情報を計測するプリアライメント装置を開示している。
しかしながら、特許文献1及び特許文献2においては、気圧、気温、湿度等の変化(外乱)や、計測系内の構成部品またはその支持部材の経時的な変化により、基板側面位置情報に誤差が生じてしまう。
本発明は、例えば、計測系内に経時変化や外的変動が発生しても、基板側面位置を高精度に計測する計測装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の一側面である計測装置は、被検物の位置を計測する計測装置であって、被検物からの計測光、及び、被検物を保持する保持部に設けられた基準部材からの参照光を検出する検出部と、検出部が検出した計測光に対応する第1の信号と、検出部が検出した参照光に対応する第2の信号と、の比較結果に基づいて、基準部材に対する被検物の位置を求める演算部と、を有する。
本発明によれば、例えば、計測系内に経時変化や外的変動が発生しても、基板側面位置を高精度に計測する計測装置を提供することができる。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の計測装置を有する露光装置の図である。露光装置は、パターンを基板上に形成するリソグラフィ装置(パターン形成装置)の一例である。原版1は、パターン投影されるいわゆるマスク(レチクル)であり、本体2に対して不図示の位置合わせ機構でアライメントされ、保持されている。露光照明系3は、原版1を照明している。投影光学系4は、原版1のパターンを基板上に投影結像している。基板5は、投影光学系4の光軸に垂直なXY平面上を移動するステージ7の基板保持部材6上に保持されている。基板保持部材6は、基板を真空で吸着するチャックを有する。ステージ7は、XY方向だけでなく、投影光学系4の光軸方向(Z方向)にも可動で、基板5と原版1の合焦のための駆動系ともなる。駆動部であるステージ7は、レーザ干渉計9とステージ7の一部に載置したミラー8によりY方向の駆動を制御されている。X方向についても不図示であるが同様の構成がとられており、XY平面内での精密な駆動制御がなされている。このような基本構成を含む露光装置に、基板側面位置を計測する計測装置(以下、位置計測装置という)10が付加される。位置計測装置10は、基板保持部材6に固定されており、X、Y、θ方向の基板位置を計測するため、複数配置されている。ステージ7は、レーザ干渉計9の計測結果のみならず、位置計測装置10の計測結果にも基づいて駆動される。
図1は、第1実施形態の計測装置を有する露光装置の図である。露光装置は、パターンを基板上に形成するリソグラフィ装置(パターン形成装置)の一例である。原版1は、パターン投影されるいわゆるマスク(レチクル)であり、本体2に対して不図示の位置合わせ機構でアライメントされ、保持されている。露光照明系3は、原版1を照明している。投影光学系4は、原版1のパターンを基板上に投影結像している。基板5は、投影光学系4の光軸に垂直なXY平面上を移動するステージ7の基板保持部材6上に保持されている。基板保持部材6は、基板を真空で吸着するチャックを有する。ステージ7は、XY方向だけでなく、投影光学系4の光軸方向(Z方向)にも可動で、基板5と原版1の合焦のための駆動系ともなる。駆動部であるステージ7は、レーザ干渉計9とステージ7の一部に載置したミラー8によりY方向の駆動を制御されている。X方向についても不図示であるが同様の構成がとられており、XY平面内での精密な駆動制御がなされている。このような基本構成を含む露光装置に、基板側面位置を計測する計測装置(以下、位置計測装置という)10が付加される。位置計測装置10は、基板保持部材6に固定されており、X、Y、θ方向の基板位置を計測するため、複数配置されている。ステージ7は、レーザ干渉計9の計測結果のみならず、位置計測装置10の計測結果にも基づいて駆動される。
図2を用いて、位置計測装置10の計測原理を説明する。光源11は、500〜1200nm程度の波長の計測光線29を照射している照明部である。光源11から照射された計測用の計測光線29は、コリメーションレンズ12、ハーフミラー13、ミラー14等の光学素子を介して被検物である基板5の側面部(端部)に導光される。そして、基板5の側面部での反射(散乱)光(以下、計測光という)は、レンズ15、レンズ16を介して光検出器17へ導光される。光検出器17で検出された計測光は、演算部18で位置情報をもつ信号波形として認識、記録される。また、ハーフミラー13で反射された一部の光線30は、基板保持部材6に構成されていている基準部材19へ導光される。基準部材19での反射(散乱)光(以下、参照光という)は、レンズ15、レンズ16を介して光検出器17へ導光される。検出部である光検出器17で検出された参照光は、演算部18で位置情報をもつ信号波形として認識、記録される。
位置計測装置10は、基板保持部材6に固定され、基板裏面の法線方向の基板保持部材6側(基板の裏面側)に配置されている。基準部材19の位置は、その側面が基板保持部材6の側面部20と同位置である。基準部材19の形状は、側面と面21が作る角部の面取り処理量が、そこからの参照光が検出器で検出可能な範囲で小さくなるよう加工された形状であることが望ましい。また、基準部材19の材質は、経時的な変質、変形が生じない十分剛性を持つものが望ましい。なお、基板保持部材6の一部が基準部材としての性質を有するようにしてもよい。
通常、基板側面と、表面、裏面の角部には、丸く面取りする50〜1000μm程度のR面取り処理が施されている。そのため、側面部からの計測光には、面取り処理量が大きいほど、また基板側面の法線に対して導光させる光の入射角度が大きいほど、面取りからの反射(散乱)光が多く含まれてしまい、基板側面位置の計測精度が低下してしまう。よって、基板側面の法線に対して導光させる光の入射角度は0〜30度が望ましい。これは、基板5と同様の面取り処理をしている基準部材の場合も同じである。
演算部18で記録した、基板5の側面部の位置情報を持つ位置信号と、基準部材19の位置情報を持つ位置信号の位置関係から、基板5の側面の位置を算出する。位置計測装置10内の構成部品(特にレンズ15、レンズ16、光検出器17)の経時変化、または外的変動(気圧、気温、湿度等)による位置信号の位置関係の変化は、それらの影響による位置信号変化に対して十分小さい。そのため、両者の位置信号の位置関係から安定して基板側面位置の正確な位置を計測することが可能になる。
図3は、位置信号の関係を示す図である。信号Aは基準部材19の位置信号の波形を、信号Bは基板5の側面部の位置信号の波形を示している。そして、信号A’は外乱や位置計測装置10内の構成部品の経時変化の影響を受けたときの基準部材19の位置信号の波形を、信号B’は外乱や位置計測装置10内の構成部品の経時変化の影響を受けたときの基板5の側面部の位置信号の波形を示している。信号Bや信号B’は、基板5の側面部からの計測光に対応する第1の信号である。信号Aや信号A’は、基準部材19からの参照光に対応する第2の信号である。演算部で記録した基板側面の位置情報を持つ位置信号と、基準部材の位置情報を持つ位置信号の位置関係は、それぞれの信号波形の重心位置や強度のピーク位置の位置差から求められる。図3において、例えば、信号Aと信号Bの信号波形のピーク位置の比較結果である位置差Cから、位置関係が求められる。位置差の決定は、位置信号の近似フィッテイング処理後に行ってもよい。
図3において、外乱や位置計測装置10内の構成部品の経時変化の影響を受けたときの位置信号ピーク位置の変化量は、それぞれΔX1とΔX2で表されている。外乱や位置計測装置10内の構成部品の経時変化の影響を受けても、光検出器17上の信号の相対位置は変わらず、ΔX1=ΔX2となる。そのため、位置差Cと経時変化等を受けた場合の位置差C’は等しくなる。なお、基板5、基準部材19からレンズ15までの光軸方向の位置差が大きいと光検出器17の位置でピント差が生じるため、位置信号の波形差が大きくなる可能性がある。波形差が大きくなるとそれぞれの位置信号の位置関係を決定する精度が低下する恐れがあるため、可能な限り前記位置差を小さくするような基板5、基準部材19の構成、配置が望ましい。
以上説明したように、本実施形態によれば、レンズ15、レンズ16、光検出器17など計測系内に経時変化や外的変動が発生しても、基板側面の位置を高精度に計測することができる。
(第2実施形態)
図4は、第2実施形態における位置計測装置10の構成を示す図である。本実施形態では、第1実施形態における基準部材19の代わりに、照明部22を基板保持部材6に配置する。照明部22は、光源23、照明レンズ24、光が通過する開口が設けられたスリット板(開口板)25を有している。スリット板25は、基板保持部材6に固定されており、基準部材として機能する。光源23から照射された光は、照明レンズ24を介してスリット板25を照明する。スリット板25を透過した参照光がハーフミラー26で反射してレンズ15、レンズ16を経て光検出器17へ到達する。この照明部22からの光による位置信号が、第1実施形態の基準部材19からの反射(散乱)光からなる位置信号の代わりとなる。照明部22からの光による位置信号と、基板側面部からの反射(散乱)光からなる位置信号の光検出器17及び演算部18における位置関係の認識、記録を含む処理については第1実施形態と同様に行われる。
図4は、第2実施形態における位置計測装置10の構成を示す図である。本実施形態では、第1実施形態における基準部材19の代わりに、照明部22を基板保持部材6に配置する。照明部22は、光源23、照明レンズ24、光が通過する開口が設けられたスリット板(開口板)25を有している。スリット板25は、基板保持部材6に固定されており、基準部材として機能する。光源23から照射された光は、照明レンズ24を介してスリット板25を照明する。スリット板25を透過した参照光がハーフミラー26で反射してレンズ15、レンズ16を経て光検出器17へ到達する。この照明部22からの光による位置信号が、第1実施形態の基準部材19からの反射(散乱)光からなる位置信号の代わりとなる。照明部22からの光による位置信号と、基板側面部からの反射(散乱)光からなる位置信号の光検出器17及び演算部18における位置関係の認識、記録を含む処理については第1実施形態と同様に行われる。
(第3実施形態)
図2に示されているように、1つの光源から照射された光を基板5の側面部と基準部材19へ分岐して導光する場合、基板保持部材6に基板5が搭載される精度によっては、基準部材19や側面部20と基板側面部の位置が近くなる可能性がある。この場合、光検出器17で検出される基板側面部からの計測光の位置信号と、基準部材からの参照光の位置信号が重複してしまう可能性がある。
図2に示されているように、1つの光源から照射された光を基板5の側面部と基準部材19へ分岐して導光する場合、基板保持部材6に基板5が搭載される精度によっては、基準部材19や側面部20と基板側面部の位置が近くなる可能性がある。この場合、光検出器17で検出される基板側面部からの計測光の位置信号と、基準部材からの参照光の位置信号が重複してしまう可能性がある。
図5は、第3実施形態における位置計測装置10の構成を示す図である。位置信号が重複を抑制するため、本実施形態では、光源から発光した光がハーフミラー13によって分岐された後、基板側面部へ導光される光路中に遮光板27を、基準部材へ導光される光路中に遮光板28を備える。遮光板27及び遮光板28は、光を遮断する遮光部材である。これらの遮光板は、駆動部(不図示)を備えており、例えば、基板側面部を計測して基準部材を計測しない場合、遮光板28を基準部材19への照明光をカットする位置に移動し、遮光板27を基板5の側面部への照明光をカットしない位置に移動する。この結果、光検出器における位置信号の重複を回避できる。また、基板側面部と基準部材を独立して照明できるように光源を2つ構成してもよい。この場合、それぞれの光源の出力のOFF/ONを切り替えることにより、前述にあるような光検出器における位置信号の重複を回避できる。
以上説明したように、本実施形態によれば、レンズ15、レンズ16、光検出器17など計測系内に経時変化や外的変動が発生しても、基板側面の位置を高精度に計測することができ、さらに、計測に用いる位置信号の重複も抑制することができる。
(物品の製造方法に係る実施形態)
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
また、本発明は露光装置に限定されるものではなく、描画装置やインプリント装置などのパターン形成装置(リソグラフィ装置)にも適用することができる。ここで、描画装置は、荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板を描画するリソグラフィ装置であり、インプリント装置は、基板上のインプリント材(樹脂など)をモールドにより成形してパターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。また、基板は、Siウエハに限定されるものではなく、SiC(シリコンカーバイド)、サファイア、ドーパントSi、ガラス基板などであってもよい。
また、本発明は露光装置に限定されるものではなく、描画装置やインプリント装置などのパターン形成装置(リソグラフィ装置)にも適用することができる。ここで、描画装置は、荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板を描画するリソグラフィ装置であり、インプリント装置は、基板上のインプリント材(樹脂など)をモールドにより成形してパターンを基板に形成するリソグラフィ装置である。また、基板は、Siウエハに限定されるものではなく、SiC(シリコンカーバイド)、サファイア、ドーパントSi、ガラス基板などであってもよい。
10 位置計測装置
17 光検出器
18 演算部
19 基準部材
17 光検出器
18 演算部
19 基準部材
Claims (10)
- 被検物の位置を計測する計測装置であって、
前記被検物からの計測光、及び、前記被検物を保持する保持部に設けられた基準部材からの参照光を検出する検出部と、
前記検出部が検出した前記計測光に対応する第1の信号と、前記検出部が検出した前記参照光に対応する第2の信号と、の比較結果に基づいて、前記基準部材に対する前記被検物の位置を求める演算部と、を有することを特徴とする計測装置。 - 前記比較結果は、第1の信号および第2の信号の強度のピーク位置の差、または第1の信号および第2の信号の重心位置の差であることを特徴とする請求項1に記載の計測装置。
- 前記被検物および前記基準部材へ光を照射する照明部を備える、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記基準部材は、前記照明部から照射された光を、前記検出部へ導光することができる位置、材質及び形状を有していることを特徴とする請求項3に記載の計測装置。
- 前記照明部から前記被検物、及び、前記基準部材に照射する光をそれぞれ遮光する遮光部材を有する
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の露光装置。 - 前記被検物へ光を照射する第1照明部と、
前記保持部に設けられた第2照明部と、
前記第2照明部からの光を通過させる開口が設けられた、前記基準部材としての開口板と、を備え、
前記検出部は、前記開口板の開口からの参照光を検出することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の計測装置。 - 前記照明部から照射された光が、前記被検物または前記基準部材に入射する入射角度は、各側面の法線方向に対して0〜30度であることを特徴とする請求項4乃至5のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記計測光及び前記参照光を、前記検出部に導光する光学素子を備えることを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の計測装置と、
基板を保持する基板保持部と、を有し、
前記計測装置は、前記基板保持部に固定され、
前記計測装置で、前記基板の側面の位置を計測することを特徴とするパターン形成装置。 - 請求項9に記載のパターン形成装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016109635A JP2017215218A (ja) | 2016-06-01 | 2016-06-01 | 計測装置、パターン形成装置及び物品の製造方法 |
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ID=60575529
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- 2016-06-01 JP JP2016109635A patent/JP2017215218A/ja active Pending
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