JP2014236163A - 合焦方法、合焦装置、露光方法、およびデバイス製造方法 - Google Patents

合焦方法、合焦装置、露光方法、およびデバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】対象物の表面のうち、下方に位置する部分にも光学系の焦点を高精度で合わせる合焦方法を提供する。
【解決手段】第1面と該第1面より下方に位置する第2面とを含む表面を有する対象物の前記第2面に光学系の焦点を合わせる合焦方法は、前記光学系の光軸に平行な第1方向に対して第1入射角θ1で前記第1面に投光し、前記第1面の面位置を計測する工程と、前記第1方向に対して前記第1角度より小さな第2入射角θ2で前記第2面に投光し、前記第2面の面位置を計測する工程と、前記第1面の面位置の計測結果に基づいて、前記光学系の焦点が前記第1面に合う合焦条件を取得する工程と、前記第1面の面位置の計測結果と前記第2面の面位置の計測結果とに基づいて前記第1面と前記第2面との間の段差量の情報を取得する工程と、前記合焦条件と前記段差量の情報とに基づいて前記光学系の焦点を前記第2面に合わせる工程と、を含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、合焦方法、合焦装置、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写するフォトリソグラフィの手法により製造される。フォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら、マスク上に形成されたパターンを投影光学系を介して基板に転写する。露光装置では、基板上の各露光対象領域(ショット領域)を基板ステージにより投影光学系下の露光位置に移動する毎に、投影光学系の焦点と基板の面位置とのずれを面位置検出器によって検出し、基板の面位置を補正して合焦を行う。
特許文献1には、被検出面に対して平行に近い角度で斜め方向から光束を照射して面位置を検出する斜入射方式の面位置検出器が開示されている。斜入射方式の面位置検出器は、投影光学系を挟んで一方の側に設けられた光束を射出する投光部と、他方の側に設けられた被検出面で反射した前記光束の反射光を受光する受光部とを備えている。被検出面に平行に近い角度で光束を照射するのは、基板上に塗布されたフォトレジスト(感光剤)表面の反射光のみを利用することにより、投影光学系の焦点と基板表面とを正確に合わせるためである。被検出面に対する角度が大きいと、照射した光が屈折してフォトレジスト内に入り、下地の酸化膜層あるいはその下の層にまで達してそこで反射されるために、基板のどこの面を測っているのかがあいまいになる。
斜入射方式の面位置検出器を使用すると、例えば投影光学系を介したTTL(Through The Lens)方式の面位置検出器に比べて投影光学系の影響を受けずに高精度な検出結果を得ることができる。投影光学系は露光光の波長に対してのみ良好に収差が補正されているので、TTL方式の面位置検出器において検出光を露光光と異なる波長とした場合には、諸収差が生じる。一方、面位置の検出光を露光光と同一波長とした場合には、基板上に塗布されたフォトレジストが感光してしまう不都合が生じる。そこで、マイクロデバイスを製造するための露光装置においては、斜入射方式の面位置検出器が用いられる場合が多い。
特開平4−354320号公報
ところで、例えばMEMS等のマイクロデバイスを製造するときに、凹凸形状を持つ基板に構造物を形成することがある。基板の凹部に構造物を形成するために凹部の底部を露光するときに、露光対象領域である凹部の底部に投影光学系の焦点を合わせようとすると、斜入射方式の面位置検出器では、検出光が凸部で蹴られてしまうことがある。そうすると、露光対象領域を経由する検出光が得られず、露光対象領域を合焦できないことがある。また、露光対象領域の周辺に凸部が存在する場合にも、斜入射方式の面位置検出器では、凸部の存在によって露光対象領域を合焦できないことがある。
本発明は、上述の事情に鑑み成されたものであって、対象物の表面のうち下方に位置する部分にも光学系の焦点を高精度で合わせる合焦方法を提供することを目的とする。
本発明の1つの側面は、第1面と該第1面より下方に位置する第2面とを含む表面を有する対象物の前記第2面に光学系の焦点を合わせる合焦方法であって、前記光学系の光軸に平行な第1方向に対して第1角度をなす第1入射角で前記第1面に投光し前記第1面で反射された光を受光することにより前記第1面の面位置を計測する第1工程と、前記第1方向に対して前記第1角度より小さな第2角度をなす第2入射角で前記第2面に投光し前記第2面で反射された光を受光することにより前記第2面の面位置を計測する第2工程と、前記第1面の面位置の計測結果に基づいて、前記光学系の焦点が前記第1面に合う合焦条件を取得する第3工程と、前記第1面の面位置の計測結果と前記第2面の面位置の計測結果とに基づいて前記第1面と前記第2面との間の段差量の情報を取得する第4工程と、前記合焦条件と前記段差量の情報とに基づいて前記光学系の焦点を前記第2面に合わせる第5工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、対象物の表面のうち下方に位置する部分にも光学系の焦点を高精度で合わせる合焦方法を提供することができる。
第1実施形態の露光装置を示した図である。 第1実施形態における基板上の構造物の一例を示す図である。 第1実施形態の露光方法を示すフローチャートである。 第1実施形態におけるスリット像の例を示す平面図である。 第2実施形態の露光装置を示した図である。 第2実施形態における基板上の構造物の一例を示す図である。 第2実施形態における露光ショット領域内のアライメント計測点の配置を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
〔第1実施形態〕
図1は、本発明の第1実施形態の露光装置の全体構成の概略を模式的に表したものである。露光装置EXは、概略すると以下のように動作する。基板ステージ1は、露光の対象物である基板2を保持して移動可能である。制御部9は、基板ステージ1の位置を管理し、実質的に、投影光学系(光学系)3の投影領域と基板2との相対位置を管理する。制御部9は、面位置計測器6を用いて、投影光学系3の焦点を露光対象領域に合わせる。制御部9および面位置計測器6は、投影光学系3の焦点を基板表面に合わせる合焦装置を構成している。基板2転写用のパターンが形成されたレチクル(マスク)5は、レチクルステージ4上に保持され、不図示の照明光学系はレチクル5を照明する。照明されたレチクル5のパターンは投影光学系3により基板2の上に投影される。
第1実施形態の基板2は、デバイスを製造するための基板である。基板2は、例えば、石英基板やガラス基板、シリコン含有の半導体基板、あるいは材質が異なる2種以上の基板を接合した多層基板等である。ここでは、説明の便宜上、基板2の一方の面を表面と称し、他方の面を裏面Pbと称す。基板2の表面には、トレンチ、ビア等の構造物P1が形成されている。露光装置EXは、構造物P1の内側に収まる凹部に投影光学系3の焦点が合った状態で、この領域を露光する。基板2は、基板本体に形成された膜パターンを含むことがある。この膜パターンは、例えばデバイスの一部を構成する構成要素である。膜パターンの具体例として、電極や配線となる導電膜パターン、スイッチング素子の一部を構成する半導体膜パターン、パッシベーション膜等となる絶縁膜パターン等が挙げられる。基板2は、基板本体に形成された感光膜(フォトレジスト膜)を含むことがある。基板2は、デバイスの製造過程で又は製造後で機能する膜として、例えば露光光等の反射を防止する反射防止膜や、上記の感光膜を保護する保護膜(トップコート膜)等を含むことがある。
以下の説明では、図1に示すXYZ直交座標系に基づいて、各種構成要素の位置関係等を説明する。このXYZ直交座標系において、Z軸方向は投影光学系3の光軸に平行な方向であり、X軸方向及びY軸方向は投影光学系3の光軸に直交する面内で互いに直交する方向である。基板2の表面は、凹部以外の領域における第1面Paと、該第1面より下方に位置する凹部の第2面Pcとを含む。面位置計測器6は、第1面Paの面位置を計測する第1計測器7と第2面Pcの面位置を検出する第2計測器8とを含む。
第1面Paの面位置を検出する第1計測器7について詳しく説明する。第1計測器7は、AF用光源10、コレクタレンズ11、スリット12、投光レンズ13、15、反射ミラー14,17、受光レンズ16,18、検出部19を含んでいる。AF用光源10から射出された検出光L1は、コレクタレンズ11を通ってスリット12を均一に照明する。スリット12を通過した検出光L1は、投光レンズ13,15及び反射ミラー14を介して、基板2の第1面Paに入射する。第1計測器7のうち、AF用光源10から投光レンズ15までが光を第1面Paに投光する投光部を構成する。第1計測器7のうち、受光レンズ16から検出部19までが第1面Paで反射された光を受光する受光部を構成している。第1計測器7により投影光学系3直下の基板表面の面位置を計測するために、第1計測器7の投光部と受光部とは第1方向と直交する方向に沿って投影光学系3を挟んで互いに反対側となるように配置される。スリット12のパターン(開口)は例えば短辺5〜50μm、長辺0.3〜3mm程度の大きさのスリットパターンを用いる。第1面Paにスリットパターンを投影する代わりにスポット光束を照明し、所定面上における結像位置を求める方法も適用可能である。
第1計測器7が投光する光L1が投影光学系3の光軸に平行な方向(第1方向)に対してなす第1角度(第1入射角)θ1は、70°以上である。通常、θ1=75〜85°程度に設定することで、フォトレジスト膜の表面等の第1面Paからの反射光を支配的にし、基板本体からの反射光の強度を小さくすることができる。したがって、より正確に投影光学系3の焦点と第1面Paを合わせることが可能になる。スリット12の像は、投光レンズ15で縮小され、投影光学系3の光軸が第1面Paと交差する位置の近傍に形成される。
第1面Paで反射した検出光L1は、受光レンズ16を通った後に、反射ミラー17で反射して光路が折り曲げられ、受光レンズ18を通って検出部19に入射する。第1面Pa上のスリット結像位置と検出部19の受光面は共役な関係にあり、検出部19上にスリット12像が形成される。検出部19は受光面に入射した検出光L1の光量を検出可能であり、第1面Paの高さ及び傾斜角に起因するずれ量に対応した測定信号が生成される。制御部9は、検出部19からの検出信号に基づき基板ステージ1により基板2の第1面Paの面位置及び傾斜角を高精度に制御する。
第2面Pcの面位置を検出する第2計測器8は、露光対象領域に段差をなす領域が存在する場合であっても露光対象領域となる第2面Pcの面位置を計測するために設けられる。第2計測器8が投光する光L2が第1方向に対してなす第2角度(第2入射角)θ2は、例えば15°以下である。第2計測器8は、入射角が第1計測器7より小さいことを除き、第1計測器7と同等の構成を有しているため、構成の説明を省略する。第2計測器8は、投影光学系3の光軸からずれた位置に配置される。これは、投影光学系3の光軸が基板表面と交差する位置の近傍には、第1計測器7や投影光学系3が配置されているためである。第2計測器8のスリット結像位置を投影光学系3の光軸と合わせることは、第1計測器7あるいは投影光学系3の配置に著しい制約を生じさせるので、事実上困難である。
図2の(a)は、第1実施形態における基板上の構造物P1の一例を示す平面図、(b)は、(a)のB−B’線断面図である。第1実施形態の構造物P1は、基板2の外側に向かって凹となる凹部を含んでいる。構造物P1が、その周辺に凸部を含んでいてもよい。凹部の表面(第2面)Pcは、基板2の凹部以外の表面(第1面)Paに対して段差量d1を有している。基板2の厚みd0は、例えば0.1mm以上10mm以下である。段差量d1は、例えば厚みd0の1/10以上9/10以下である。第1実施形態の構造物P1の凹部の外形は、ほぼ正方形である。構造物P1の凹部の外形は、多角形や楕円形(円形を含む)、多角形の角を丸めた形状等、閉曲線を輪郭とする形状から適宜選択される。凹部の内寸(口径)は、例えば2mm以下あるいは1mm以下であってもよい。凹部の内寸は、構造物の輪郭が収まる最小の矩形を想定したときに、この矩形の短辺の長さで定義してもよい。
第1実施形態では高アスペクトな凹凸を有した微小構造物に対応させるため、第2計測器8の検出光L2の入射角θ2を15°以下としている。例えば、基板2の厚みd0が1mm、段差量d1が0.9mm、凹部の内寸(口径)が1mmとし、露光対象面すなわち合焦対象面が構造物P1の表面(第2面)Pcを含むとする。また、基板表面に投影されるスリットパターンサイズが0.5mm程度であるとする。そうすると、この場合、検出部27上に第2面Pcを経由したスリット22像を形成するための入射角条件はθ2≦tan−1{(1−0.5)/2/0.9}=15.5°となる。したがって、第1入射角θ1が70°以上である第1計測器7の検出光L1は、図2(b)に示すように、構造物P1で蹴られてスリット像が形成できないが、第2計測器8の検出光L2は第2面Pcを経由したスリット像を検出部19上に形成可能である。
検出光L2は、入射角θ2が小さいのでフォトレジスト表面からの反射光だけでなく、基板本体からの反射光も検出される。そこで、投影光学系3の焦点を第2面Pcに正確に合わせるため、事前に露光評価等により、正しい合焦位置に対するずれ量を補正しておけばよい。例えば、基板ステージ1のZ座標の条件を変えて露光を行い、露光結果が最も良いときのZ座標を投影光学系3の焦点が第2面Pcが合っている状態として、このときの検出信号を予め取得しておく。第1実施形態の制御部9は、基板表面に段差を有する第2面Pcが存在しても、第1面Paの面位置を計測する第1計測器7と第2面Pcの面位置を計測する第2計測器8を併用することにより、投影光学系3の焦点を露光対象面に合わせることが可能である。したがって、第1実施形態の露光装置EXは、露光対象領域を合焦状態で露光することができる。
次に、第1実施形態における合焦方法を含む露光方法の一例について図3のフローチャートに従い説明する。第1実施形態では、露光対象面は、第2面Pcであるとする。第1実施形態では、露光処理を行う前に合焦処理を行う。第1実施形態の合焦処理は、仮合焦処理(S1〜S2)と、測定処理(S3〜S6)と、補正処理(S7〜S9)と、を含む。仮合焦処理を行うS1〜S2で、制御部9は、第1計測器7によって投影光学系3の焦点を第1面Paに合わせる。測定処理を行うS3〜S6で、制御部9は、第2計測器8によって露光対象面である第2面Pcと第1面Paとの段差量の情報を取得する。補正処理を行うS7〜S9で、制御部9は、第1計測器7によって第1面Paに合焦した状態からS5で求めた段差量に基づいて第2面Pcを第1面Paの位置に移動させる。
露光装置EXは、制御部9が各部を制御することによって、合焦処理及び露光処理を行う。制御部9は、仮合焦処理、測定処理及び補正処理を行うときに、各処理で動作する各部の制御を実行させるプログラムに従って、露光装置EXの各部を制御する。
第1実施形態では、露光処理面すなわち露光処理時における合焦対象面は第2面Pcであり、第1面Paは基板2の第2面以外の表面である。第1面Paは、スリット12の像全体を投影可能な領域における面であるので、第1面Paに高精度に合焦することが可能である。
図4の(a)は、仮合焦処理で制御部9が基板ステージ1の位置を制御するために、S1で第1計測器7により検出されたスリット像の例を模式的に示す平面図である。基板表面上で互いに異なる複数の投影位置ch1〜ch5のそれぞれにおけるスリット12の像(12a〜12e)の検出結果に基づいて、制御部9は、投影光学系3を第1面Paに合焦したときの基板ステージ1のZ座標を投影位置ごとに求める。なお、スリット12の像全体を投影可能な領域が狭い場合、投影位置ch1〜ch5のうちの任意の投影位置の計測データから近似平面を計算するという方法も取ることができる。
第1実施形態では、S1で、サンプルショット領域において第1面Paの面位置を第1計測器7により計測する(第1工程)。S2で、制御部9は、S1の計測結果に基づき、例えば最小2乗近似等の方法で第1面Paの近似平面を計算し、投影光学系3が第1面Paの近似平面と合焦する条件を求め(第3工程)、合焦条件を満たすように基板ステージ1をZ方向に駆動する(第6工程)。
仮合焦処理は複数の基板2のうちの1つに対して行って、得られた推定値を複数の基板2で共通の値として用いてもよい。すなわち、1枚の基板2で求められた投影光学系3を基板表面に合焦させるための基板ステージ1のZ座標及び傾斜角を用いて、他の基板2の基板表面に投影光学系3を合焦させてもよい。
第1面Paの補正されたZ位置及び傾斜角を保持しつつ、制御部9は、S3で、基板ステージ1によって基板2をXY方向に駆動する。その後、S4で、制御部は、第2計測器8によって各ショット領域の第2面Pcの面位置を計測する(第2工程)。
予め第1面PaのZ位置及び傾斜角が高精度に補正されているので、第2計測器8による面位置計測の計測レンジを狭くすることが可能になり、計測精度の向上が達成できる。第1計測器7と第2計測器8とは基板上でXY方向に離れて配置されているため、ステージ定盤の平面度や変形の影響があると、基板ステージ1の駆動によって基板表面がZ座標方向に変動してしまう。そのため、基板ステージ1のXY位置に対するZ座標方向の変動分を予め計測しておき、その計測データは、基板ステージ1のZ座標と対応付けたテーブルとしてメモリーに保存しておく。第2計測器8の位置まで基板ステージ1が駆動した場合には、制御部9は、このメモリー内のテーブルを用いて基板ステージ1のZ座標を補正駆動する。
図4の(b)は、測定処理で基板ステージ1の位置を制御するときに、第2面Pcに投影される第2計測器8のスリット22の像の例を模式的に示す平面図である。制御部9は、S4で、第2面Pc上の1つの位置に投影されたスリット22の像22a〜22e像を検出部27によって検出した検出結果に基づいて、第2面Pcの面位置を計測する。S5で、制御部9は、第1面Paの面位置と、第2面Pcの面位置との差分を求めることにより、第1面Paと第2面Pcとの段差量を取得し(第4工程)、記憶部に段差量の情報を格納する。S4〜S5の処理は指定された基板内の対象ショット領域のすべてについて繰り返し実行される(S6)。
補正処理において、制御部9は、まずS7で、基板ステージ1によって基板2を露光領域に駆動する。S8で、制御部9は、第1計測器7のスリット12の像を基板表面に投影し、検出部19によるこの像の検出結果から、投影光学系3が第1面Paに合焦する基板ステージ1のZ座標を求める。次に、S9で、制御部9は、第1面Paと第2面Pcとの段差量に基づいて、投影光学系3が第2面Pcに合焦するように基板ステージ1の位置を制御する(第5工程)。制御部9は、第1面Paと第2面Pcとの段差量を示す情報をメモリーから読み出す。制御部9は、投影光学系3が第1面Paに合焦している状態から、基板ステージ1が段差量だけ投影光学系3に近づくように、基板ステージ1の位置を制御する。すなわち、制御部9は、投影光学系3が合焦対象面である第2面Pcに合焦する基板ステージ1のZ座標を段差量を用いて求める。制御部9は、補正処理S7〜S9を行った後、S10で、1つの対象ショット領域を露光処理し、S7〜S10の補正処理および露光処理を、基板内の全ショット領域に対して繰り返し実行する。
構造物P1が凸部であってその頂面に投影光学系3を合焦するには、投影光学系3が凸部以外の基板表面に合焦している状態から、頂面と基板表面との段差量だけ基板ステージ1が投影光学系3から遠ざかるように基板ステージ1を制御すればよい。
第1実施形態ではショット領域ごとに第1面Paと第2面Pcとの段差量を取得している。しかし、複数のショット領域のうち一部のショット領域で段差量を求め、一部のショット領域の段差量求を関数近似などすることにより段差量のXY方向の分布を求めて、段差量の情報を取得することも可能である。
〔第2実施形態〕
次に、本発明の第2実施形態を図5に示す。符号で図1と同じものは、機能が同じものである。第2実施形態においても第1実施形態同様に、露光対象領域に第2面Pcを持つ領域が存在する場合に第2面Pcの面位置を計測する場合について説明する。第1実施形態との相違点は、第2実施形態がアライメント検出器ASを含んだ構成であり、第2実施形態では、第2面の位置のマッピングとショット領域の配列の情報を取得するグローバルアライメントとを同時に行うことができる。
アライメント検出器ASの構成要素について詳しく説明する。アライメント検出器ASは、アライメント検出器用ASの照明光源28や、対物レンズ34等の光学系を備えている。照明光源28は、ハロゲンランプなどを用いた広帯域波長の光や、He−Neレーザーなどを用いた単色光を供給する。照明光源28から射出された照明光は、照明系レンズ29を介してハーフミラー30で反射され、結像レンズ前群31aへ入射する。照明光は更に、リレーレンズ32を介して反射ミラー33で反射され、対物レンズ34へ入射する。対物レンズ34で集光された照明光は、観察可能範囲内に位置決めされた基板2上にあるアライメントマークMを照明する。
アライメントマークMからの反射散乱光は、対物レンズ34を介し反射ミラー33で反射された後、リレーレンズ32へ入射する。更に、その反射散乱光は、結像レンズ前群31aを介し、ハーフミラー30を透過した後、結像レンズ後群31bで集光され、CCD(Charge Coupled Device)等の撮像素子32の撮像面にアライメントマークMの像を形成する。撮像素子32は、その撮像面に形成されたアライメントマークMの像の出力信号を制御部9へ送る。制御部9は、撮像素子32からの出力信号を信号処理することで基板2上のアライメントマークMの位置を検出し、基板内に形成されたショット領域の配列情報を取得する。制御部9は、このショット領域の配列の情報に基づいてステージ駆動機構(不図示)により基板ステージ1を駆動し、基板2を投影光学系3の露光領域に移動させる。
図6の(a)は、第2実施形態における基板上の構造物P2の一例を示す平面図であり、(b)は(a)のB−B’線断面図である。第2実施形態の構造物P2は、その凹部の領域の底面PbにアライメントマークMを含んでいる。ここで、第2実施形態に係る露光方法の一例について説明する。第2実施形態の合焦処理も、第1計測器7により投影光学系3を第1面Paへ仮合焦する処理と、第2計測器8により構造物P1の第2面Pcと第1面Paとの段差量を求める処理と、段差量に基づいて第1面Paの面位置に第2面Pcを移動させる補正処理とを行う。
仮合焦処理後の測定処理において、制御部9は、第2計測器8を用いて第2面Pcの面位置を計測し、第1面Paと第2面Pcとの段差量を算出する。そして、制御部9は、仮合焦処理び測定処理の結果から、第1面Paと第2面Pcとの段差量を求める。制御部9は、段差量の情報をメモリーに格納する。
段差量を求めるための第2計測器による計測は、例えば図7でハッチングを施した4つのショット領域のアライメントマーク位置M1〜M4におけるアライメント計測と同時に行うことが可能である。計測されたアライメントマークM1〜M4におけるθ方向の回転角度の精度を向上させるためには、XY方向の計測スパンを広げた方が良い。そこで、上記の4つのショット領域は、通常、基板2の外周に近いショット領域とする。
なお、アライメントマークMが第2面Pcに近接して、第2計測器8のスリットパターンの像全体を第2面Pcに投影できないことがある。そのような場合は、アライメント検出器ASによりアライメントマークMを観察した後、基板ステージ1を微小量駆動してスリットパターンの像全体が第2面Pc面に投影するようにすれば良い。補正処理では、制御部9は、アライメント計測で取得したショット領域の配列情報に基づいて基板2を移動後、第1計測器7による第1面Paの面位置の計測結果に基づいて投影光学系3を第1面Paに合焦させる基板ステージ1のZ座標を求める。
次に、制御部9は、投影光学系3が第1面Paに合焦している状態から、第1面Paと第2面Pcとの段差量だけ基板ステージ1が投影光学系3に近づくように、基板ステージ1の位置を制御する。以上のように、第2実施形態によれば、アライメント計測と同時に合焦対象領域である第2面Pcの面位置の計測を可能としており、第1実施形態の効果に加えてスループットの向上を果たすことができる。
〔デバイス製造方法〕
デバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

Claims (10)

  1. 第1面と該第1面より下方に位置する第2面とを含む表面を有する対象物の前記第2面に光学系の焦点を合わせる合焦方法であって、
    前記光学系の光軸に平行な第1方向に対して第1角度をなす第1入射角で前記第1面に投光し前記第1面で反射された光を受光することにより前記第1面の面位置を計測する第1工程と、
    前記第1方向に対して前記第1角度より小さな第2角度をなす第2入射角で前記第2面に投光し前記第2面で反射された光を受光することにより前記第2面の面位置を計測する第2工程と、
    前記第1面の面位置の計測結果に基づいて、前記光学系の焦点が前記第1面に合う合焦条件を取得する第3工程と、
    前記第1面の面位置の計測結果と前記第2面の面位置の計測結果とに基づいて前記第1面と前記第2面との間の段差量の情報を取得する第4工程と、
    前記合焦条件と前記段差量の情報とに基づいて前記光学系の焦点を前記第2面に合わせる第5工程と、
    を含むことを特徴とする合焦方法。
  2. 前記第1工程および前記第3工程を実行した後に、前記第3工程で取得された前記合焦条件に基づいて前記光学系の焦点が前記第1面に合うように前記対象物を前記第1方向に沿って移動する第6工程をさらに含み、
    前記第6工程で前記合焦条件を満たしている前記対象物の前記第1方向における位置を保持しつつ前記第2工程を実行し、その後に前記第4工程を実行し、
    前記第5工程で、前記合焦条件を満たしている前記対象物を前記第1方向に沿って前記段差量だけ移動する、ことを特徴とする請求項1に記載の合焦方法。
  3. 前記第1面は、前記第2面を取り囲むように設定される、ことを特徴とする請求項1または2に記載の合焦方法。
  4. 前記第1角度は70°以上であり、前記第2角度は15°以下である、ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の合焦方法。
  5. 前記第1面の面位置を計測する第1計測器は、光を前記第1面に投光する投光部と前記第1面で反射された光を受光する受光部とを含み、前記投光部と前記受光部とは、前記第1方向と直交する方向に沿って前記光学系を挟んで互いに反対側となるように配置され、前記第2面の面位置を計測する第2計測器は、前記光学系の光軸からずれた位置に配置されている、ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の合焦方法。
  6. 第1面と該第1面より下方に位置する第2面とを含む表面を有する対象物の前記第2面に光学系の焦点を合わせる合焦装置であって、
    前記光学系の光軸に平行な第1方向に対して第1角度をなす第1入射角で前記第1面に投光し前記第1面で反射された光を受光することにより前記第1面の面位置を計測する第1計測器と、
    前記第1方向に対して前記第1角度より小さな第2角度をなす第2入射角で前記第2面に投光し前記第2面で反射された光を受光することにより前記第2面の面位置を計測する第2計測器と、
    前記第1面の面位置の計測結果に基づいて前記光学系の焦点が前記第1面に合う合焦条件を取得し、前記第1面の面位置の計測結果と前記第2面の面位置の計測結果とに基づいて前記第1面と前記第2面との間の段差量の情報を取得し、前記合焦条件と前記段差量の情報とに基づいて前記光学系の焦点を前記第2面に合わせる制御部と、
    を備えることを特徴とする合焦装置。
  7. 基板上の複数のショット領域のそれぞれに露光を行う露光方法であって、
    前記複数のショット領域のそれぞれは、第1面と該第1面より下方に位置する第2面とを含む表面を有し、
    前記露光方法は、
    請求項1ないし5のいずれか1項に記載の合焦方法によって投影光学系の焦点を対象ショット領域の前記第2面に合わせる工程と、
    前記工程で前記投影光学系の焦点に合わされた前記対象ショット領域の前記第2面を露光する工程と、
    を含む、ことを特徴とする露光方法。
  8. 前記第3工程で、前記複数のショット領域のうち一部のショット領域の前記第2面の面位置を計測し、前記第4工程で、前記一部のショット領域の前記第2面の面位置の計測結果を用いて前記対象ショット領域の前記第2面の段差量を推定する、ことを特徴とする請求項7に記載の露光方法。
  9. 前記複数のショット領域のうち一部のショット領域の前記第2面が存在する領域には、アライメントマークが設けられており、
    前記投影光学系の焦点を対象ショット領域の前記第2面に合わせる工程は、前記アライメントマークを計測し、該アライメントマークの計測結果に基づいてショット領域の配列の情報を取得する工程を含む、ことを特徴とする請求項7または8に記載の露光方法。
  10. 請求項7ないし9のいずれか1項に記載の露光方法によって基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された基板を現像する工程と、
    を含む、ことを特徴とするデバイス製造方法。
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