JP2015106802A

JP2015106802A - 弾性表面波フィルタ

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Publication number: JP2015106802A
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Inventors: 豊田　祐二; Yuji Toyoda; 祐二豊田
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Abstract

【課題】下層配線と上層配線との間に発生する寄生容量を低減できる、弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】弾性表面波フィルタは、圧電基板２０と、下層配線６０と、上層配線７０と、層間絶縁膜８０とを備えている。下層配線６０は、圧電基板２０上に設けられている。上層配線７０は、下層配線６０に交差している。上層配線７０は、下層配線６０とは電位が異なっている。層間絶縁膜８０は、下層配線６０および上層配線７０の間に設けられている。下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０は、上層配線７０の幅Ｗ１以下の幅Ｗ２を有する部分を有している。
【選択図】図２

Description

本発明は、弾性表面波フィルタに関し、特に、下層配線と上層配線とが立体的に交差した構造を備えている弾性表面波フィルタに関する。

従来、弾性表面波フィルタは、たとえば特開２００４−２８２７０７号公報（特許文献１）に開示されている。上記文献には、互いに電位の異なる下層配線と上層配線とが、層間絶縁膜を間に挟むことにより、互いに導通することなく交差している構成が開示されている。

特開２００４−２８２７０７号公報

上記文献の図９および図１７（ｂ）には、上層配線の線幅に対して層間絶縁膜の幅を大きくした構成が記載されている。上記文献の図９を本願の図１０として示すように、層間絶縁膜の領域を広くすると、下層配線と上層配線との立体交差部の上下配線間に発生する寄生容量が大きくなる。この寄生容量を経由して上層配線から下層配線へ不要な信号が漏洩すると、弾性表面波フィルタの特性が悪化するという問題がある。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、下層配線と上層配線との間に発生する寄生容量を低減できる、弾性表面波フィルタを提供することである。

本発明に係る弾性表面波フィルタは、圧電基板と、下層配線と、上層配線と、層間絶縁膜とを備えている。下層配線は、圧電基板上に設けられている。上層配線は、下層配線に交差している。上層配線は、下層配線とは電位が異なっている。層間絶縁膜は、下層配線および上層配線の間に設けられている。下層配線の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜は、上層配線の幅以下の幅を有する部分を有している。

上記弾性表面波フィルタにおいて好ましくは、下層配線の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜の全体が、上層配線の幅以下の幅を有している。

上記弾性表面波フィルタにおいて好ましくは、層間絶縁膜は、上層配線に接触する上面と、下層配線に接触する下面とを有している。下層配線の延びる方向に沿う断面視において、上面は、上層配線の幅よりも小さい幅を有している。

上記弾性表面波フィルタにおいて好ましくは、下層配線の延びる方向に沿う断面視において、下面は、上面よりも大きい幅を有している。

上記弾性表面波フィルタにおいて好ましくは、下層配線の延びる方向に沿う断面視において、下面は、上層配線の幅よりも小さい幅を有している。

上記弾性表面波フィルタにおいて好ましくは、層間絶縁膜は、上層配線に接触する上面と、下層配線に接触する下面とを有している。下層配線の延びる方向に沿う断面視において、上面は、下面よりも大きい幅を有している。

本発明の弾性表面波フィルタによると、下層配線と上層配線との間に発生する寄生容量を低減することができる。

実施の形態１の弾性表面波フィルタを示す平面図である。図１に示す弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、下層配線の延びる方向に沿う断面図である。図１に示す弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、上層配線の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態２の弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、下層配線の延びる方向に沿う断面図である。図４に示す立体交差部の平面図である。実施の形態３の弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、下層配線の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態４の弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、下層配線の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態５の弾性表面波フィルタにおける立体交差部の、下層配線の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態６の弾性表面波フィルタにおける、立体交差部の分解斜視図である。従来の弾性表面波フィルタにおける立体交差部の断面図である。

以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１の弾性表面波フィルタ１１を示す平面図である。図１を参照して、弾性表面波フィルタ１１は、圧電基板２０を備えている。圧電基板２０は、矩形板状であり、主表面である表面２０ａと、対向する２つの端辺２０Ａ，２０Ｂとを有している。圧電基板２０は、たとえば、ＬｉＴａＯ_３基板、ＬｉＮｂＯ_３基板、水晶基板などにより構成することができる。以下の実施の形態では、圧電基板２０がＬｉＴａＯ_３基板により構成されている例について説明する。

圧電基板２０の表面２０ａ上には、第１の弾性波フィルタ部２１と、第２の弾性波フィルタ部２２とが形成されている。第１の弾性波フィルタ部２１は、圧電基板２０の端辺２０Ａ側に配置されている。第２の弾性波フィルタ部２２は、圧電基板２０の端辺２０Ｂ側に配置されている。圧電基板２０の表面２０ａ上にはまた、入力パッド電極３１と、出力パッド電極３２と、グラウンド電極５１，５２とが形成されている。

第１の弾性波フィルタ部２１は、ＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）群２１０と、反射器２１４，２１５とを含んでいる。ＩＤＴ群２１０は、複数のＩＤＴ２１１，２１２，２１３を有している。ＩＤＴ２１１、ＩＤＴ２１２およびＩＤＴ２１３は、弾性表面波の伝播方向に順に並べられている。ＩＤＴ２１１〜２１３は、互いの電極指がそれぞれ隣り合うように対向配置された、一対の櫛歯電極を有している。

反射器２１４は、ＩＤＴ群２１０の弾性表面波の伝播方向の一方に配置されている。反射器２１５は、ＩＤＴ群２１０の弾性表面波の伝播方向の他方に配置されている。第１の弾性波フィルタ部２１は、弾性表面波の伝播方向に沿って、反射器２１４、ＩＤＴ２１１、ＩＤＴ２１２、ＩＤＴ２１３および反射器２１５を順に並べて配置することにより、形成されている。第１の弾性波フィルタ部２１は、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。

第２の弾性波フィルタ部２２は、ＩＤＴ群２２０と、反射器２２４，２２５とを含んでいる。ＩＤＴ群２２０は、複数のＩＤＴ２２１，２２２，２２３を有している。ＩＤＴ２２１、ＩＤＴ２２２およびＩＤＴ２２３は、弾性表面波の伝播方向に順に並べられている。ＩＤＴ２２１〜２２３は、互いの電極指がそれぞれ隣り合うように対向配置された、一対の櫛歯電極を有している。

反射器２２４は、ＩＤＴ群２２０の弾性表面波の伝播方向の一方に配置されている。反射器２２５は、ＩＤＴ群２２０の弾性表面波の伝播方向の他方に配置されている。第２の弾性波フィルタ部２２は、弾性表面波の伝播方向に沿って、反射器２２４、ＩＤＴ２２１、ＩＤＴ２２２、ＩＤＴ２２３および反射器２２５を順に並べて配置することにより、形成されている。第２の弾性波フィルタ部２２は、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。

入力パッド電極３１と第１の弾性波フィルタ部２１とは、入力信号配線７１により接続されている。入力信号配線７１は、入力パッド電極３１と、ＩＤＴ２１２の端辺２０Ａ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。出力パッド電極３２と第２の弾性波フィルタ部２２とは、出力信号配線７２により接続されている。出力信号配線７２は、出力パッド電極３２と、ＩＤＴ２２２の端辺２０Ｂ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。

グラウンド電極５１と第１の弾性波フィルタ部２１とは、接地配線６１により接続されている。接地配線６１は、グラウンド電極５１と、ＩＤＴ２１１，２１３の端辺２０Ａ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。グラウンド電極５１と第２の弾性波フィルタ部２２とは、接地配線６２により接続されている。接地配線６２は、グラウンド電極５１と、ＩＤＴ２２１，２２３の端辺２０Ｂ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。

グラウンド電極５２と第１の弾性波フィルタ部２１とは、接地配線７３により接続されている。接地配線７３は、グラウンド電極５２と、ＩＤＴ２１２の端辺２０Ｂ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。グラウンド電極５２と第２の弾性波フィルタ部２２とは、接地配線７４により接続されている。接地配線７４は、グラウンド電極５２と、ＩＤＴ２２２の端辺２０Ａ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。

第１の弾性波フィルタ部２１と第２の弾性波フィルタ部２２とは、段間接続配線７５，７６により、縦続接続されている。段間接続配線７５は、ＩＤＴ２１１の端辺２０Ｂ側の櫛歯電極と、ＩＤＴ２２１の端辺２０Ａ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。段間接続配線７６は、ＩＤＴ２１３の端辺２０Ｂ側の櫛歯電極と、ＩＤＴ２２３の端辺２０Ａ側の櫛歯電極とを電気的に接続している。

接地配線６１，６２は、下層配線６０を構成している。下層配線６０は、圧電基板２０の表面上に設けられている。入力信号配線７１、出力信号配線７２、接地配線７３，７４、および段間接続配線７５，７６は、上層配線７０を構成している。上層配線７０は、その一部が下層配線６０と交差し、層間絶縁膜８０を介在させて下層配線６０上に載置されている。上層配線７０のうち、層間絶縁膜８０の上に載った部分では、圧電基板２０と上層配線７０とが互いに直接接触していない、つまり互いに離隔していることになる。

図１に示す例では、弾性表面波フィルタ１１は、２つの立体交差部９０を含んでいる。第１の立体交差部９１において、グラウンド電極５１に接続された接地配線６１と、入力パッド電極３１に接続された入力信号配線７１とが、立体的に交差している。第２の立体交差部９２において、グラウンド電極５１に接続された接地配線６２と、出力パッド電極３２に接続された出力信号配線７２とが、立体的に交差している。

第１の立体交差部９１において、接地配線６１は圧電基板２０の端辺２０Ａに沿って延びており、入力信号配線７１は端辺２０Ａに直交する方向に沿って延びている。第１の立体交差部９１では、圧電基板２０の表面２０ａ上に設けられた接地配線６１と、接地配線６１とは電位の異なる入力信号配線７１とが、互いに直交している。圧電基板２０の厚み方向における、接地配線６１と入力信号配線７１との間には、層間絶縁膜８１が設けられている。

第２の立体交差部９２において、接地配線６２は圧電基板２０の端辺２０Ｂに沿って延びており、出力信号配線７２は端辺２０Ｂに直交する方向に沿って延びている。第２の立体交差部９２では、圧電基板２０の表面２０ａ上に設けられた接地配線６２と、接地配線６２とは電位の異なる出力信号配線７２とが、互いに直交している。圧電基板２０の厚み方向における、接地配線６２と出力信号配線７２との間には、層間絶縁膜８２が設けられている。

図２は、図１に示す弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、下層配線６０の延びる方向に沿う断面図である。図２における下層配線６０の断面図は、下層配線６０の延びる方向と、圧電基板２０の表面２０ａの法線方向とを含む面により切断された下層配線６０の断面から得られる。図３は、図１に示す弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、上層配線７０の延びる方向に沿う断面図である。

図３に示す、上層配線７０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０は下層配線６０を覆って設けられており、略台形状の外形を有している。層間絶縁膜８０は、上層配線７０の断線を抑制するために、テーパ状の斜面を有している。

一方、図２に示すように、層間絶縁膜８０は、紙面垂直方向に延びる上層配線７０の線幅方向（図２中の左右方向）において、一部がくびれた形状を有している。このくびれ形状の最深部８３の幅Ｗ２は、上層配線７０の幅Ｗ１と比較して、より小さくなっている。

図２に示す下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０は、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有する部分と、上層配線７０の幅Ｗ１よりも大きい幅を有する部分とを有している。層間絶縁膜８０のうち、上層配線７０の幅Ｗ１よりも大きい幅を有する部分は、立体交差部９０を平面視した場合に、上層配線７０からはみ出る。図２に示すように、平面視において上層配線７０からはみ出る層間絶縁膜８０の一部は、圧電基板２０の厚み方向において、上層配線７０と下層配線６０との距離よりも小さい厚みを有している。

立体交差部９０の近傍において、層間絶縁膜８０の幅が減少しており、その結果、層間絶縁膜８０の一部が空気に置き換えられている。上層配線７０の幅Ｗ１の領域内において、下層配線６０と上層配線７０との間に、層間絶縁膜８０よりも誘電率の小さい空気の層が設けられており、下層配線６０と上層配線７０とは空気の層を介して互いに対向して交差している。これにより、下層配線６０と上層配線７０との間に層間絶縁膜８０が充満している構成と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の寄生容量値を小さくすることができる。

一方、立体交差部９０において、下層配線６０の上方に配置されている上層配線７０は、層間絶縁膜８０によって下方から支持されている。層間絶縁膜８０は、立体交差部９０において上層配線７０を支持する、支持体としての機能を発揮している。

したがって、本実施の形態の弾性表面波フィルタ１１は、立体交差部９０における構造体としての強度を損ねることなく、寄生容量値を小さくすることにより通過帯域外の減衰特性の悪化を抑制することができる。立体交差部９０を平面視した場合に上層配線７０と重なる領域の全てに層間絶縁膜８０が存在する構成とすることにより、立体交差部９０の強度をより向上でき、立体交差部９０の形状をより安定させることができる。

次に、本実施の形態の弾性表面波フィルタ１１の製造工程について、立体交差部９０の形成に焦点を当てて説明する。

まず、圧電基板２０として、４２°ＹカットＬｉＴａＯ_３基板を準備する。圧電基板２０の表面２０ａは、予め鏡面研磨しておく。

圧電基板２０の表面２０ａ上に、レジストを塗布、露光、現像してマスクパターンを形成し、Ａｌ、Ｃｕの順に成膜した後、マスクパターンとマスクパターン上のＡｌ／Ｃｕ膜とを除去するリフトオフ法により、第１の弾性波フィルタ部２１、第２の弾性波フィルタ部２２、および下層配線６０を形成する。または、圧電基板２０の表面２０ａ上に成膜したＡｌ／Ｃｕ膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンに従ってＡｌ／Ｃｕ膜を加工した後に、不要となったレジストパターンを除去する、ドライエッチング法を用いてもよい。

次に、下層配線６０のうち、下層配線６０と上層配線７０とを立体交差させたい箇所に、ポリイミドを主成分とする層間絶縁膜８０を形成する。層間絶縁膜８０は、感光性ポリイミドを用い、フォトリソグラフィーを行なうことで形成する。

続いて、上述したリフトオフ法を用いて、Ｔｉ／Ａｌの積層膜からなる上層配線７０を形成する。レジストとしてノボラック系の樹脂が用いられ、ＴｉおよびＡｌは蒸着によって成膜される。このとき、上層配線７０の一部が、層間絶縁膜８０上に延びて下層配線６０と交差するように形成される。この場合の上層配線７０の線幅は、層間絶縁膜８０の幅よりも小さく設定されている。

次いで、ポリイミドの有機現像液に浸漬させて、層間絶縁膜８０であるポリイミド膜をある一定量膜減りさせる。このとき、上層配線７０がマスクの役割を果たし、ウェットエッチング工法と同様のメカニズムにより、露出しているポリイミド膜のみが膜減りすることになる。その後、３００℃１時間の条件で熱処理し、ポリイミド膜を硬化させる。

これにより、図２，３に示す、下層配線６０と上層配線７０とが層間絶縁膜８０を介して立体的に交差する立体交差部９０が形成される。層間絶縁膜８０を膜減りさせる処理により、図２に示すように層間絶縁膜８０にくびれ形状が形成され、くびれ形状の最深部８３の幅Ｗ２が上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい形状を、形成することができる。ウェットエッチングによりくびれ形状が形成されるので、層間絶縁膜８０の幅Ｗ２が上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい形状を、低コストで製造することができる。上層配線７０を形成した後に層間絶縁膜８０の一部を除去することにより、層間絶縁膜８０に対して上層配線７０が位置ずれする不具合を回避でき、安定して所望の構造を得ることができる。

（実施の形態２）
図４は、実施の形態２の弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、下層配線６０の延びる方向に沿う断面図である。図５は、図４に示す立体交差部９０の平面図である。実施の形態２の層間絶縁膜８０は、下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、一定の幅Ｗ２を有している。層間絶縁膜８０の幅Ｗ２は、上層配線７０の幅Ｗ１と、等しくなっている。

実施の形態２の層間絶縁膜８０は、下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、上層配線７０の幅Ｗ１よりも大きい幅を有する部分を有していない。層間絶縁膜８０は、その全体が、上層配線７０の幅Ｗ１と等しい幅Ｗ２を有している。

図４に示すように、層間絶縁膜８０は、上層配線７０に接触する上面８４と下層配線６０に接触する下面８５とを有している。上層配線７０と下層配線６０とが交差する立体交差部９０において、上面８４と下面８５とは、共に平坦な形状を有している。立体交差部９０において、上面８４と下面８５とは、同じ形状に形成されており、したがって等しい面積を有している。上層配線７０の下面、すなわち圧電基板２０の表面２０ａに対向する側の面は、立体交差部９０において、その全面が層間絶縁膜８０の上面８４に面接触している。

以上説明した実施の形態２の弾性表面波フィルタ１１では、層間絶縁膜８０の全体が、上層配線７０の幅Ｗ１以下の幅Ｗ２を有している。その結果、図５に示すように、平面視において、層間絶縁膜８０は上層配線７０からはみ出しておらず、層間絶縁膜８０は視認できなくなっている。これにより、下層配線６０を覆って設けられる層間絶縁膜８０の量をより低減できるので、下層配線６０と上層配線７０との間の寄生容量値をより低減することができる。また、上層配線７０の下面全体が層間絶縁膜８０に接触しているため、上層配線７０と層間絶縁膜８０との接着強度を向上でき、上層配線７０と層間絶縁膜８０との剥離の発生を抑制することができる。

次に、実施の形態２の弾性表面波フィルタ１１の製造工程について、立体交差部９０の形成に焦点を当てて説明する。

圧電基板２０として、４２°ＹカットＬｉＴａＯ_３基板を準備する。圧電基板２０の表面２０ａ上に、接着層としてのＴｉおよび主電極としてのＡｌ／Ｃｕで構成される第１の弾性波フィルタ部２１、第２の弾性波フィルタ部２２、および下層配線６０を形成する。形成方法には、実施の形態１と同様のリフトオフ法またはドライエッチング法を用いる。

次に、層間絶縁膜８０としてＳｉＯ_２をスパッタリングで成膜する。下層配線６０のうち、下層配線６０と上層配線７０とを立体交差させたい箇所以外の部分から、ＳｉＯ_２膜をドライエッチングでエッチング除去する。

続いて、リフトオフ法を用いて、Ｔｉ／Ａｌの積層膜からなる上層配線７０を形成する。このとき、上層配線７０の一部が、層間絶縁膜８０上に延びて下層配線６０と交差するように形成される。この場合の上層配線７０の線幅は、層間絶縁膜８０の幅よりも小さく設定されている。

その後、ＣＦ_４ガスを用いてドライエッチングを行ない、上層配線７０をマスクとして層間絶縁膜８０をエッチング除去する。

これにより、図４，５に示す、下層配線６０と上層配線７０とが層間絶縁膜８０を介して立体的に交差する立体交差部９０が形成される。層間絶縁膜８０をドライエッチングする処理により、図４に示すように、下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０の幅Ｗ２が上層配線７０の幅Ｗ１と等しい形状を、形成することができる。ドライエッチングにより層間絶縁膜８０が成形されるので、層間絶縁膜８０の形状を安定させることができ、したがって、寄生容量値のばらつき、および弾性表面波フィルタ１１の特性のばらつきを、小さくすることができる。

（実施の形態３）
図６は、実施の形態３の弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、下層配線６０の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態３では、図６に示す下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０の上面８４は、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有している。層間絶縁膜８０の下面８５もまた、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅を有している。このため、層間絶縁膜８０の全体が、上層配線の幅Ｗ１よりも小さい幅を有している。

立体交差部９０において、層間絶縁膜８０の下面８５は、上面８４よりも大きい幅を有している。図６に示す層間絶縁膜８０の断面は、上底が下底よりも小さい台形形状を有している。

実施の形態３の弾性表面波フィルタ１１では、図４に示す実施の形態２と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の層間絶縁膜８０がより低減されており、層間絶縁膜８０のうち空気に置き換えられた部分が増大している。これにより、実施の形態２と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の寄生容量値をより小さくすることができる。

（実施の形態４）
図７は、実施の形態４の弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、下層配線６０の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態４では、図７に示す下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０の下面８５は、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有している。層間絶縁膜８０の上面８４は、上層配線７０と幅Ｗ１と等しい幅を有している。このため、層間絶縁膜８０の全体が、上層配線の７０幅Ｗ１以下の幅を有している。

立体交差部９０において、層間絶縁膜８０の上面８４は、下面８５よりも大きい幅を有している。図７に示す層間絶縁膜８０の断面は、下底が上底よりも小さい台形形状を有している。

実施の形態４の弾性表面波フィルタ１１では、図４に示す実施の形態２と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の層間絶縁膜８０がより低減されており、層間絶縁膜８０のうち空気に置き換えられた部分が増大している。これにより、実施の形態２と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の寄生容量値をより小さくすることができる。

また、実施の形態４の弾性表面波フィルタ１１では、図６に示す実施の形態３と比較して、上層配線７０の下面のうち、より大きい面積が層間絶縁膜８０に接触している。これにより、上層配線７０と層間絶縁膜８０との接着面積が確保できるので、上層配線７０と層間絶縁膜８０との接着強度を向上でき、上層配線７０と層間絶縁膜８０との剥離の発生を抑制することができる。

（実施の形態５）
図８は、実施の形態５の弾性表面波フィルタ１１における立体交差部９０の、下層配線６０の延びる方向に沿う断面図である。実施の形態５では、図８に示す下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、層間絶縁膜８０の上面８４は、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２を有している。層間絶縁膜８０の下面８５もまた、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さい幅を有している。

実施の形態５の層間絶縁膜８０は、下層配線６０の延びる方向に沿う断面視において、一定の幅Ｗ２を有している。層間絶縁膜８０の幅Ｗ２は、上層配線７０の幅Ｗ１よりも小さくなっている。このため、層間絶縁膜８０の全体が、上層配線の幅Ｗ１よりも小さい幅を有している。

実施の形態５の弾性表面波フィルタ１１では、図６に示す実施の形態３、および図７に示す実施の形態４と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の層間絶縁膜８０がさらに低減されており、層間絶縁膜８０のうち空気に置き換えられた部分が増大している。これにより、実施の形態３，４と比較して、下層配線６０と上層配線７０との間の寄生容量値をさらに小さくすることができる。

（実施の形態６）
図９は、実施の形態６の弾性表面波フィルタ１１における、立体交差部９０の分解斜視図である。これまでの実施の形態においては、下層配線６０の延びる方向に沿う断面視を参照して、層間絶縁膜８０の断面形状について説明した。層間絶縁膜８０の断面形状は、下層配線６０の線幅方向、すなわち上層配線７０の延びる方向において、一様である必要はなく、形状を変化させてもよい。

図９に示す例では、層間絶縁膜８０は、矩形状の上面８４を有している。一方、層間絶縁膜８０の下面８５は、台形形状に形成されている。そのため、下層配線６０の延びる方向に沿う層間絶縁膜８０の断面形状は、図９中の手前側から奥側へ向かうにつれて、徐々にその面積を縮小している。層間絶縁膜８０は、下層配線６０を覆う領域内で、実施の形態１〜５の断面形状が三次元的に組み合わされた形状を有していてもよい。

このような形状に層間絶縁膜８０を成形しても、下層配線６０の延びる方向に沿ういずれかの断面において、層間絶縁膜８０が上層配線７０の幅Ｗ１以下の幅を有する部分を有していれば、上述した寄生容量値を小さくできる効果を、同様に得ることができる。

以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の構成を適宜組合せてもよい。また、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１１弾性表面波フィルタ、２０圧電基板、２０Ａ，２０Ｂ端辺、２０ａ表面、２１第１の弾性波フィルタ部、２２第２の弾性波フィルタ部、３１入力パッド電極、３２出力パッド電極、５１，５２グラウンド電極、６０下層配線、６１，６２，７３，７４接地配線、７０上層配線、７１入力信号配線、７２出力信号配線、７５，７６段間接続配線、８０，８１，８２層間絶縁膜、８３最深部、８４上面、８５下面、９０立体交差部、９１第１の立体交差部、９２第２の立体交差部、２１０，２２０ＩＤＴ群、２１１〜２１３，２２１〜２２３ＩＤＴ、２１４，２１５，２２４，２２５反射器、Ｗ１，Ｗ２幅。

Claims

圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた下層配線と、
前記下層配線に交差する、前記下層配線と電位の異なる上層配線と、
前記下層配線および前記上層配線の間に設けられた層間絶縁膜とを備え、
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記層間絶縁膜は、前記上層配線の幅以下の幅を有する部分を有している、弾性表面波フィルタ。
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記層間絶縁膜の全体が、前記上層配線の幅以下の幅を有している、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。
前記層間絶縁膜は、前記上層配線に接触する上面と、前記下層配線に接触する下面とを有し、
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記上面は、前記上層配線の幅よりも小さい幅を有している、請求項１または２に記載の弾性表面波フィルタ。
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記下面は、前記上面よりも大きい幅を有している、請求項３に記載の弾性表面波フィルタ。
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記下面は、前記上層配線の幅よりも小さい幅を有している、請求項３または４に記載の弾性表面波フィルタ。
前記層間絶縁膜は、前記上層配線に接触する上面と、前記下層配線に接触する下面とを有し、
前記下層配線の延びる方向に沿う断面視において、前記上面は、前記下面よりも大きい幅を有している、請求項１から３のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ。