JP2015092659A - ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 - Google Patents
ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015092659A JP2015092659A JP2014195967A JP2014195967A JP2015092659A JP 2015092659 A JP2015092659 A JP 2015092659A JP 2014195967 A JP2014195967 A JP 2014195967A JP 2014195967 A JP2014195967 A JP 2014195967A JP 2015092659 A JP2015092659 A JP 2015092659A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- terminal
- input
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 148
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 67
- 108091006621 SLC12A1 Proteins 0.000 abstract description 11
- 108091006620 SLC12A2 Proteins 0.000 abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 102100034243 Solute carrier family 12 member 2 Human genes 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 179
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 92
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 51
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 43
- 230000006870 function Effects 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 102100030393 G-patch domain and KOW motifs-containing protein Human genes 0.000 description 18
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 17
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 15
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 15
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 13
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 102000047724 Member 2 Solute Carrier Family 12 Human genes 0.000 description 9
- 101000927793 Homo sapiens Neuroepithelial cell-transforming gene 1 protein Proteins 0.000 description 8
- 101001124937 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor 38B Proteins 0.000 description 8
- 101000631937 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent glycine transporter 2 Proteins 0.000 description 8
- 101000639975 Homo sapiens Sodium-dependent noradrenaline transporter Proteins 0.000 description 8
- 102100028886 Sodium- and chloride-dependent glycine transporter 2 Human genes 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- VWPOSFSPZNDTMJ-UCWKZMIHSA-N nadolol Chemical compound C1[C@@H](O)[C@@H](O)CC2=C1C=CC=C2OCC(O)CNC(C)(C)C VWPOSFSPZNDTMJ-UCWKZMIHSA-N 0.000 description 8
- 101000643391 Homo sapiens Serine/arginine-rich splicing factor 11 Proteins 0.000 description 7
- 102100024991 Tetraspanin-12 Human genes 0.000 description 7
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100057139 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PMR1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100165674 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) bsd1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020944 Sn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
- G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/8258—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L21/8206, H01L21/8213, H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/785—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate having a channel with a horizontal current flow in a vertical sidewall of a semiconductor body, e.g. FinFET, MuGFET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、半導体装置の一例としてブートストラップ回路について説明する。
図1は、ブートストラップ回路の構成の一例を示す回路図である。ブートストラップ回路11は、入力端子21、出力端子22、入力端子23、キャパシタ31、ダイオードD31、トランジスタM32、およびインバータINV32を有する。
図3を参照して、ブートストラップ回路11の駆動方法を説明する。図3はブートストラップ回路11の駆動方法の一例を示すタイミングチャートであり、ブートストラップ回路11の動作時の信号波形を示す。ここでは、入力信号(OSG_IN、BSE)のLレベルの電圧はVLであり、Hレベルの電圧はVH(高電源電圧)としている。
t11−t12は、出力端子22のプリジャージが行われる。BSEはLレベルである。t11で、OSG_INが立ち上がると、BSDの整流機能により入力端子21から出力端子22間を電流が流れる。この電流によりBSCが充電されるため、出力端子22の電圧が上昇する。一定期間が経過すると、OSGの電圧はVH1と一定になる。VH1は、VHよりもM31のしきい値電圧(Vth31)分低い電圧である。
BSEがLレベルからHレベルになると、出力端子22が昇圧される。OSGの電圧は、BSCの容量に応じた電圧(ΔVbs)分上昇し、電圧VH2(=VH1+ΔVbs)となる。期間t12−t13のブートストラップ回路11の出力信号OSGが、高電源電圧またはHレベルの信号として用いられる。よって、BSEをHレベルにする期間(t12−t13)は、OSGを出力する回路に応じて決定すればよい。
t13−t14で、BSEのみLレベルにする。BSEをLレベルにすることで、BSCの結合容量により、OSGの電圧は電圧VH1まで低下する。
t14においてOSG_INもLレベルにする。キーパー回路32の動作により、出力端子22は降圧され、VLに維持される。
図4は、ブートストラップ回路の構成例を示す回路図である。図4に示すように、ブートストラップ回路12は、入力端子(21、23、24)、出力端子22、トランジスタM41−M44、キャパシタ(41、42)、インバータ(INV41、INV43、INV44)を有する。トランジスタM41−M44はnチャネル型トランジスタである。インバータ(INV41、INV43、INV44)は、例えば、CMOSトランジスタで構成すればよい。
図5を参照して、ブートストラップ回路12の駆動方法を説明する。図5はブートストラップ回路12の駆動方法の一例を示すタイミングチャートであり、ブートストラップ回路12のブースティング動作時の信号波形を示す。ここでは、入力信号(OSG_IN、BSE1、BSE2)のLレベルの電圧はVLとし、Hレベルの電圧はVHとしている。
OSG_INがHレベルの期間(t21−t25)は、ブートストラップ回路12が動作状態であり、それ以前は、待機状態である。待機状態では、入力信号(OSG_IN、BSE1、BSE2)はLレベルである。INV41の出力がHレベルとなるため、BSD1(トランジスタM41)に順方向の電流が流れるので、BSC1(キャパシタ41)が充電され、ノードSWGはVLからVH5に充電される。VH5は、VHよりもトランジスタM41のしきい値電圧(Vth41)分低い電圧である。OSGの電圧は、キーパー回路43の動作により、VLに維持されている。
t21−t22では、OSG_INのみHレベルにする。BSC1による容量結合によりノードSWGの電圧が上昇され、VH6(=VH5+ΔVbs1)となる。
t23−t24において、BSC2による容量結合により、出力端子22を昇圧する。t23で、BSE2がLレベルからHレベルになると、BSE2の容量値に応じた電圧ΔVbs2分、OSGの電圧も上昇し、電圧VH4=VH3+ΔVbs2となる。
BSE2をLレベルにすることで、BSC2による容量結合の作用で、出力端子22の電圧はVH3=VHに低下する。
t25においてOSG_INもLレベルにする。これにより、全ての入力信号(OSG_IN、BSE1、BSE2)がLレベルとなり、ブートストラップ回路12は待機状態となる。
アレイ状に配列された複数の回路と、回路の配列に対応した制御用信号線と、制御用信号線へ制御信号を出力するドライバ回路を有する半導体装置が知られている。代表的には、複数の画素回路を有するアクティブマトリクス型表示装置(例えば、液晶表示装置エレクトロルミネセンス表示装置)がある。また、複数のメモリセルがアレイ状に配列された記憶装置(代表的には、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ等)がある。
図6Aおよび図6Bは、メモリセルの構成例の一例を示す回路図である。図6Bは、図6Aの論理回路(インバータ)をCMOSトランジスタで構成した例を示している。
図7は、メモリセルの構成の一例を示す回路図である。メモリセル103は、トランジスタMos3およびキャパシタC103を有する。ノードFN3がデータ保持部であり、キャパシタC103の端子が接続されている。トランジスタMos3は、ノードFN3と配線BLを接続するスイッチとして機能し、ゲートが配線WLに接続されている。配線WLに、メモリセル選択用信号として、信号OSGが入力される。
図8は、メモリセルの構成の一例を示す回路図である。メモリセル104は、トランジスタMos4、トランジスタM104およびキャパシタC104を有する。ノードFN4がデータ保持部である。トランジスタMos4は、ノードFN4と配線BLを接続するスイッチとして機能し、ゲートが配線WLに接続されている。配線WLに、信号OSGが入力される。キャパシタC104は、配線WLCとノードFN4間を接続する。配線WLCは、書き込み動作、および読み出し動作時に、C104の端子に一定の電圧を供給するための配線である。トランジスタM104は、pチャネル型トランジスタであり、ゲートがノードFN4に、ソースが配線SLに、ドレインが配線BLに接続されている。
図9は、メモリセルの構成の一例を示す回路図である。メモリセル105は、トランジスタMos5、トランジスタM105、トランジスタM106およびキャパシタC105を有する。ノードFN5がデータ保持部である。トランジスタMos5は、ノードFN5と配線BLを接続するスイッチとして機能し、ゲートが配線WLに接続されている。配線WLに、信号OSGが入力される。配線BLとキャパシタC105の端子との間が、トランジスタM105、M106により接続されている。トランジスタM105のゲートは配線RWLに接続され、トランジスタM106のゲートはノードFN5に接続されている。また、キャパシタC105の他方の端子はノードFN5に接続されている。
図10は、記憶装置の構成の一例を示すブロック図である。記憶回路200は、メモリセルアレイ210、ローデコーダ221、ワード線ドライバ回路222、ビット線ドライバ回路230、出力回路240、バックアップ/リカバリ(Bk/Rc)ドライバ回路250、コントロールロジック回路260、およびパワースイッチ回路270を有する。
記憶回路200では、各メモリセル100がバックアップ用のメモリ回路を備えているため、メモリセルアレイ210のパワーゲーティングに連動して、バックアップおよびリカバリを行うことが可能である。以下、図12、図13を参照して、記憶回路200のバックアップ、およびリカバリ動作について説明する。
図12は、記憶回路200のバックアップ動作の一例を示すタイミングチャートである。信号OSGが、Bk/Rcドライバ回路250で生成され、配線BRLに出力される信号である。
待機状態では、PSWがHレベルであり、メモリセルアレイ210にVDDが供給されている状態である。CLKが記憶回路200に供給されているが、ワード線ドライバ回路222、ビット線ドライバ回路230はで、信号の生成を停止している。メモリセルアレイ210の各配線WLはLレベルであり、配線BL、BLBには、プリチャージ回路232により、プリチャージ電圧(VDD)が供給される。
PSWをHレベルにして、メモリセルアレイ210にVDDが供給されている状態で、バックアップが行われる。信号PGが立ち上がると、Bk/Rcドライバ回路250において、図12に示すように、ブートストラップ回路12を駆動する信号(OSG_IN,BSE1、BSE2)が生成され、全ての行のブートストラップ回路12に同じタイミングで、それらの信号が出力される。BSE2がHレベルの期間(t32−t33)、信号OSGが最大振幅となり、全てのメモリセル100において、トランジスタMos1、Mos2がオン状態となる。これにより、メモリセル100のノードNET1、NET2で保持されているデータが、ノードFN1、ノードFN2に書き込まれる。そして、t34でPGがLレベルとなると、Bk/Rcドライバ回路250は、OSG_IN、BSE1をLレベルにする。これにより、Bk/Rcドライバ回路250の出力信号OSGがLレベルとなり、全てのメモリセル100において、トランジスタMos1、Mos2がオフ状態となり、ノードFN1、ノードFN2にてデータが保持される状態となる。これにより、バックアップ動作が完了する。
t34において、パワースイッチ回路270の制御信号PSWがLレベルとなり、メモリセルアレイ210への電源供給が遮断される。
図13は、記憶回路200のリカバリ動作の一例を示すタイミングチャートである。
t41以前は、パワースイッチ回路270の制御信号PSWがLレベルであり、メモリセルアレイ210への電源供給が遮断されている。
記憶回路200を電源遮断状態から待機状態に復帰するため、バックアップされているデータをメモリセル100のフリップフロップ(INV101、INV102、M101、M102)に書き戻す。t41でBk/Rcドライバ回路250の制御信号PGがHレベルとなる。期間t41−t45において、バックアップと同様に、Bk/Rcドライバ回路250は、信号(OSG_IN、BSE1、BSE2)を生成し、各行のブートストラップ回路12に出力する。
リカバリの完了後、メモリセルアレイ210は、電源遮断前の状態に復帰し、待機状態となる。
標準的なSRAMに対して、記憶回路200の異なる構成は、メモリセル100に一対のメモリ回路(Mos1、C101)(Mos2、C102)が設けられており、また、Bk/Rcドライバ回路250、およびパワースイッチ回路270を有する点である。実施の形態3で示すように、メモリセル100は、標準的なSRAMのメモリセルにメモリ回路(Mos1、C101)(Mos2、C102)を積層して設けることができるため、メモリセルアレイ210の面積オーバヘッドは0%とすることが可能である。よって記憶回路200の面積オーバヘッドは、Bk/Rcドライバ回路250、およびパワースイッチ回路270によるものであるので、10%未満(例えば、7%程度)に抑えることが可能である。
本実施の形態では、OSトランジスタとSiトランジスタを含む半導体装置の具体的なデバイス構造について説明する。
図14Aは、OSトランジスタとSiトランジスタを含む半導体装置のデバイス構造の一例を示す断面図である。図14Aには、このような半導体装置として記憶回路200を示している。なお、図14Aは、記憶回路200を特定の切断線で切った断面図ではなく、記憶回路200の積層構造を説明するための図面である。図14Aには、代表的に、記憶回路200のメモリセル100を構成するINV101、トランジスタMos1、キャパシタC101を示している。トランジスタMp11及びトランジスタMn11は、INV101を構成するSiトランジスタであり、Mp11はpチャネル型であり、Mn11はnチャネル型である。INV101上に、トランジスタMos1およびキャパシタC101が積層されている。
半導体装置を構成するSiトランジスタや、OSトランジスタの構造は、図14Aに限定されるのもではない。例えば、OSトランジスタに、バックゲートを設けてもよい。この場合、導電体(645、656、665)と、導電体(721−724)の間に、絶縁層およびその絶縁層上にバックゲートを構成する導電体を形成すればよい。
本実施の形態では、OSトランジスタに用いられる酸化物半導体について説明する。
まずは、CAAC−OS膜について説明する。
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
本発明の一形態に係るブートストラップ回路は、電圧または信号生成回路として、様々な半導体装置に組み込むことが可能である。例えば、アクティブマトリクス型表示装置のドライバ回路や、記憶回路のドライバ回路に組み込むことができる。
21、23、24 入力端子
22 出力端子
31 キャパシタ
32 キーパー回路
41、42 キャパシタ
43、44 キーパー回路
100、103−105 メモリセル
200 記憶回路
201 ブロック
210 メモリセルアレイ
221 ローデコーダ
222 ワード線ドライバ回路
230 ビット線ドライバ回路
231 カラムデコーダ
232 プリチャージ回路
233 センスアンプ
234 書き込み回路
240 出力回路
250 バックアップ/リカバリ(Bk/Rc)ドライバ回路
260 コントロールロジック回路
270 パワースイッチ回路
Claims (5)
- 第1、第2の信号が入力される第1、第2の入力端子と、
出力端子と、
第1のトランジスタと、
第1のキャパシタと、
第1の回路と、
を有し、
前記第1のキャパシタは、一方の端子が前記第2の入力端子に、他方の端子が前記出力端子に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1の入力端子と前記出力端子間を接続し、かつ、前記第1の入力端子から前記出力端子へ順方向の電流が流れるようにダイオード接続されており、
前記第1の回路は、前記第1の信号が入力され、前記第1の信号がハイレベルである場合、前記出力端子の電圧をローレベルに維持する機能を有することを特徴とするブートストラップ回路。 - 第1、第2の信号が入力される第1、第2の入力端子と、
出力端子と、
第1、第2のトランジスタと、
第1のキャパシタと、
第1のインバータと、
を有し、
前記第1のキャパシタは、一方の端子が前記第2の入力端子に、他方の端子が前記出力端子に接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1の入力端子と前記出力端子間を接続し、かつ、前記第1の入力端子から前記出力端子へ順方向の電流が流れるようにダイオード接続されており、
前記第2のトランジスタは、前記出力端子と第1の電圧が入力される配線間を接続し、ゲートが前記第1のインバータの出力ノードに接続され、
前記第1のインバータの入力ノードは、前記第1の入力端子に接続されていることを特徴とするブートストラップ回路。 - 第1乃至第3の信号が入力される第1乃至第3の入力端子と、
出力端子と、
第1、第2のトランジスタと、
第1、第2のキャパシタと、
第1のインバータと、
第1、第2の回路
を有し、
前記第3の入力端子が前記第1のインバータの入力ノードに接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1のインバータの出力ノードと前記第2のトランジスタのゲートを接続し、かつ、当該出力ノードから当該ゲートへ順方向の電流が流れるようにダイオード接続されており、
前記第2のトランジスタは、前記第1の入力端子と前記出力端子間を接続し、
前記第1のキャパシタは、一方の端子が前記第1の入力端子に、他方の端子が前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第2のキャパシタは、一方の端子が前記第2の入力端子に、他方の端子が前記出力端子に接続され、
前記第1の回路は、前記第1の信号が入力され、前記第1の信号がハイレベルである場合前記出力端子の電圧をローレベルに維持する機能を有し、
前記第2の回路は、前記第1のインバータからの信号が入力され、当該信号がハイレベルである場合前記第2のトランジスタのゲート電圧をローレベルに維持する機能を有することを特徴とするブートストラップ回路。 - 第1乃至第3の信号が入力される第1乃至第3の入力端子と、
出力端子と、
第1乃至第4のトランジスタと、
第1、第2のキャパシタと、
第1乃至第3のインバータと、
を有し、
前記第3の入力端子が前記第1のインバータの入力ノードに接続され、
前記第1のトランジスタは、前記第1のインバータの出力ノードと前記第2のトランジスタのゲートを接続し、かつ、当該出力ノードから当該ゲートへ順方向の電流が流れるようにダイオード接続されており、
前記第1のキャパシタは、一方の端子が前記第1の入力端子に、他方の端子が前記第2のトランジスタのゲートに接続され、
前記第2のキャパシタは、一方の端子が前記第2の入力端子に、他方の端子が前記出力端子に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第1の入力端子と前記出力端子間を接続し、かつ、前記第1の入力端子から前記出力端子へ順方向の電流が流れるようにダイオード接続されており、
前記第3のトランジスタは、前記出力端子と第1の配線間を接続し、ゲートが前記第2のインバータの出力ノードに接続され、
前記第2のインバータの入力ノードは、前記第1の入力端子に接続され、
前記第4のトランジスタは、前記第2のトランジスタのゲートと第2の配線間を接続し、ゲートが前記第3のインバータの出力ノードに接続され、
前記第3のインバータの入力ノードは、前記第1のインバータの出力ノードに接続され、
前記第1、第2の配線には第1の電圧が入力されることを特徴とするブートストラップ回路。 - チャネルが酸化物半導体層に形成される第5のトランジスタと、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載のブートストラップ回路と、
を有し、
前記ブートストラップ回路の前記出力端子から出力される信号が、前記第5のトランジスタのゲートに入力されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014195967A JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2014-09-26 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013207452 | 2013-10-02 | ||
JP2013207452 | 2013-10-02 | ||
JP2014195967A JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2014-09-26 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015092659A true JP2015092659A (ja) | 2015-05-14 |
JP6581765B2 JP6581765B2 (ja) | 2019-09-25 |
Family
ID=52739518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014195967A Active JP6581765B2 (ja) | 2013-10-02 | 2014-09-26 | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9715906B2 (ja) |
JP (1) | JP6581765B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017121051A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 回路、半導体装置、プロセッサ、電子部品および電子機器 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015025499A1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 出光興産株式会社 | 酸化物半導体基板及びショットキーバリアダイオード |
US9379710B2 (en) * | 2014-02-27 | 2016-06-28 | Arm Limited | Level conversion circuit and method |
US9294096B2 (en) | 2014-02-28 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6525421B2 (ja) * | 2014-03-13 | 2019-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6616102B2 (ja) | 2014-05-23 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置及び電子機器 |
US9773832B2 (en) | 2014-12-10 | 2017-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
JP6717604B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、中央処理装置及び電子機器 |
US10389961B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device and electronic device |
US9935633B2 (en) * | 2015-06-30 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US11043543B2 (en) | 2015-07-07 | 2021-06-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor and touch panel |
TWI724231B (zh) * | 2016-09-09 | 2021-04-11 | 日商半導體能源硏究所股份有限公司 | 記憶體裝置及其工作方法、半導體裝置、電子構件以及電子裝置 |
US9742408B1 (en) | 2016-09-23 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Dynamic decode circuit with active glitch control |
US10374604B1 (en) * | 2018-08-12 | 2019-08-06 | International Business Machines Corporation | Dynamic decode circuit low power application |
WO2020201860A1 (ja) | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215568A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-08-05 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置のバックバイアス電圧発生回路 |
JPH10500543A (ja) * | 1994-05-05 | 1998-01-13 | マイクロン テクノロジー インク | 高レベル出力制御機能を有するnmos出力バッファ |
JP2005318513A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | レベルシフタ及びこれを利用した平板表示装置 |
JP2008193545A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびシフトレジスタ回路 |
JP2013008438A (ja) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置、記憶装置の駆動方法 |
Family Cites Families (108)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
US5012132A (en) * | 1989-10-05 | 1991-04-30 | Xicor, Inc. | Dual mode high voltage coupler |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US7253675B2 (en) | 2005-03-08 | 2007-08-07 | Texas Instruments Incorporated | Bootstrapping circuit capable of sampling inputs beyond supply voltage |
US7176742B2 (en) | 2005-03-08 | 2007-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Bootstrapped switch with an input dynamic range greater than supply voltage |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
KR101775180B1 (ko) | 2010-02-12 | 2017-09-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 구동 방법 |
KR101767037B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2017-08-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 승압 회로 및 승압 회로를 포함하는 rfid 태그 |
WO2011108374A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP5846789B2 (ja) | 2010-07-29 | 2016-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5674594B2 (ja) | 2010-08-27 | 2015-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の駆動方法 |
-
2014
- 2014-09-26 JP JP2014195967A patent/JP6581765B2/ja active Active
- 2014-09-30 US US14/502,209 patent/US9715906B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06215568A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-08-05 | Gold Star Electron Co Ltd | 半導体メモリ装置のバックバイアス電圧発生回路 |
JPH10500543A (ja) * | 1994-05-05 | 1998-01-13 | マイクロン テクノロジー インク | 高レベル出力制御機能を有するnmos出力バッファ |
JP2005318513A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | レベルシフタ及びこれを利用した平板表示装置 |
JP2008193545A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびシフトレジスタ回路 |
JP2013008438A (ja) * | 2011-05-20 | 2013-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 記憶装置、記憶装置の駆動方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017121051A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 回路、半導体装置、プロセッサ、電子部品および電子機器 |
JP2022046818A (ja) * | 2015-12-25 | 2022-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、プロセッサ、電子部品及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9715906B2 (en) | 2017-07-25 |
US20150091629A1 (en) | 2015-04-02 |
JP6581765B2 (ja) | 2019-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6581765B2 (ja) | ブートストラップ回路、およびブートストラップ回路を有する半導体装置 | |
US10490258B2 (en) | Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board and electronic device | |
US10114611B2 (en) | Semiconductor device | |
US9876499B2 (en) | Semiconductor device, electronic component, and electronic device | |
US9990997B2 (en) | Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device | |
US10090031B2 (en) | Semiconductor device comprising memory circuit and selection circuit | |
JP2020043349A (ja) | 半導体装置 | |
US20150370313A1 (en) | Semiconductor device | |
US10950297B2 (en) | Semiconductor device, electronic component, and electronic device | |
US10388796B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US10177142B2 (en) | Circuit, logic circuit, processor, electronic component, and electronic device | |
JP6591739B2 (ja) | 演算処理装置の駆動方法 | |
US10032492B2 (en) | Semiconductor device, driver IC, computer and electronic device | |
US9900006B2 (en) | Semiconductor device, computer, and electronic device | |
JP6709042B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9401364B2 (en) | Semiconductor device, electronic component, and electronic device | |
JPWO2018220471A1 (ja) | 記憶装置及びその動作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190902 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6581765 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |