JP2015061950A - 圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】屈曲に対してさらに高度な耐久性を有する、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を提供すること。【解決手段】屈曲中の応力緩和が低減された、間歇屈曲耐性銅箔。【選択図】図２

Description

本発明は、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法に関する。

電子機器は、通常複数の電子基板で構成されており、これら電子基板同士を電気的に接続するフレキシブルプリント配線板（以下ＦＰＣと記載することがある）が電子基板間に設けられている。フレキシブルプリント配線板は、通常、絶縁基板と、該基板表面に形成された銅製の配線とを備えている。電子基盤同士を接続するフレキシブルプリント配線板には、良好な屈曲性等が求められる。

特に近年では、折りたたみ部分、回転部分、あるいはスライド引き出し部分などの可動部を備えた、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラなどの小型電子機器が普及し、ますます小型化、薄型化、高密度化されることによって、可動部分に使用されるフレキシブルプリント配線板に求められる屈曲性は、さらに高度なものとなってきている。

このようなフレキシブルプリント配線板に求められる特性としては、ＭＩＴ屈曲性に代表される良好な折り曲げ性、及び、ＩＰＣ屈曲性に代表される高サイクル屈曲性があり、従来、このような特性を備えた銅箔や銅−樹脂基板積層体が開発されている（特許文献１〜２）。

例えば、摺動屈曲試験（ＩＰＣ）においては、試験装置を使用して、屈曲回数が１０万回以上にも耐えるという、およそ現実的にはあり得ないような屈曲回数に耐えるフレキシブルプリント配線板が、製品化されている。

特開２０１０−１００８８７号公報 特開２００９−１１１２０３号公報

ところが、摺動屈曲試験（ＩＰＣ）においておよそ現実的にはあり得ないような屈曲回数（例えば１０万回）に耐えるフレキシブルプリント配線板を使用した小型電子機器、例えば折りたたみ型携帯電話やスライド式携帯電話であっても、現実の製品においては、フレキシブルプリント配線板が破断するという故障が、なくなってはいない。膨大な屈曲回数に耐えられるＦＰＣを使用してもなお、現実の製品でこのような故障が生じる原因として、高密度化による部品の接触、他の部品によるＦＰＣの挟み込み、尖った部品の先端による亀裂、設計外の発熱や化学反応による絶縁材の劣化、など、無数の原因が検討され、
対策がなされてきた。

本発明者は、現実の製品において、フレキシブルプリント配線板が破断するという故障が、なくなってはいないことを踏まえて、これらの故障の原因を他に求めるのではなく、
ＦＰＣの銅箔そのものの改良によって、これを解決できるのではないかと考えて、研究開発を進めることとした。

したがって、本発明の目的は、現実の製品においてＦＰＣに使用した場合に、屈曲に対してさらに高度な耐久性を有する、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を提供することにある。

このような状況において、本発明者は、摺動屈曲試験（ＩＰＣ）においておよそ現実的にはあり得ないような屈曲回数（例えば１０万回）に耐えるフレキシブルプリント配線板が、現実の製品（例えば、折りたたみ型携帯電話やスライド式携帯電話）において、実際には、破断する故障が起きることを熟慮し、それでもなお、ＦＰＣのさらなる改良によって、これらの破断を避けることができるのではないかと考えて、鋭意研究を行ってきた。

そして、現在、標準的な試験方法となっている摺動屈曲試験（ＩＰＣ）が、現実の製品の使用環境を反映していないのではないかとの発想を得て、屈曲試験における屈曲回数（単位時間あたり）をむしろ減らして、種々の実験的検討を行ったところ、驚くべきことに、間歇的に屈曲を与えることによって破断が生じやすくなるという現象を見いだした。

そのうえで、本発明者は、この予想外の現象が、銅箔の応力緩和現象によって生じること、薄型化を追求したＦＰＣの銅箔であればこそ、およそ理論的な可能性に過ぎないと思われる応力緩和現象が、現実の製品の破断に、大きな影響を与えていたこと、銅箔の製造において、応力緩和が生じない工夫をすることによって、現実の製品が遭遇する条件下での屈曲に対する耐性が、大きく向上することを見いだして、本発明に到達した。

すなわち、本発明によれば、ＦＰＣの銅箔の応力緩和を減少させる条件を満たすように、銅箔及びＦＰＣを製造することで、間歇的な屈曲に対する耐久性を向上させて、現実の製品が遭遇する条件下でのＦＰＣの破断を低減させることができる。したがって、応力緩和を減少させて、間歇的屈曲耐性を向上させたＦＰＣ及び銅箔は、その具体的な応力緩和の減少の手段によらず、本発明の範囲内にある。

したがって、本発明は、次の（１）〜 にある。
（１）
屈曲中の応力緩和が低減された、間歇屈曲耐性銅箔。
（２）
２５℃で０．２％の変形に対し、次の式Ｉ：
（Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀ ≦ ２５（％） （式Ｉ）
（ただし、Ｔ₀は初期応力、Ｔ₅は５時間後の応力を表す）
の条件を満たす、（１）に記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（３）
圧延平行断面からみて、観察断面積１０００μｍ²あたりの結晶粒界の長さが２００μｍ以下である、間歇屈曲耐性銅箔。
（４）
圧延平行断面からみて、観察断面積１０００μｍ²あたりの結晶粒界の長さが２００μｍ以下である、（１）又は（２）に記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（５）
６０〜１０５ＧＰａの範囲のヤング率を有する、（１）〜（４）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（６）
銅箔が、銅及び不可避不純物を含有してなる銅箔である、（１）〜（５）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（７）
銅箔が、銅及び不可避不純物を含有し、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅箔である、（１）〜（５）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（８）
銅箔が、無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅箔である、（１）〜（５）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（９）
銅箔が、無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅箔である、（１）〜（５）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１０）
銅箔が、圧延銅箔である、（１）〜（９）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１１）
銅箔が、加工度９６％以上で圧延されてなる圧延銅箔である、（１）〜（１０）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１２）
銅箔が、フレキシブルプリント配線板用の銅箔である、（１）〜（１１）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１３）
フレキシブルプリント配線板中に積層された、（１）〜（１１）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１４）
銅箔が、銅張積層板用の銅箔である、（１）〜（１１）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
（１５）
銅張積層板中に積層された、（１）〜（１１）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。

さらに、本発明は、次の（２１）〜 にもある。
（２１）
１６０〜４００℃で１秒間〜１時間の加熱処理後に、（１）〜（１４）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
（２２）
２００℃で３０分間の加熱処理、又は３５０℃で１秒間の加熱処理の後に、（１）〜（１４）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
（２３）
（１）〜（１０）、（１１）、（１２）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔が積層されてなる、フレキシブルプリント配線板。
（２４）
（１）〜（１０）、（１３）、（１４）のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔が積層されてなる、銅張積層板。

さらに、本発明は、次の（３１）〜 にもある。
（３１）
銅のインゴットを鋳造する工程、
銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を行う工程、
を含む、圧延銅箔の製造方法。
（３２）
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を行う工程において、
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延における総加工度（最終圧延加工度）を、９６％以上とする、（３１）に記載の製造方法。
（３３）
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
最後に行う焼鈍が、５℃／秒以上４０℃／秒以下の昇温速度で行われる、（３１）〜（３２）のいずれかに記載の製造方法。
（３４）
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
最後に行う焼鈍の直前に行う冷間圧延が、６０％〜９０％の加工度（総加工度）で行われる、（３１）〜（３３）のいずれかに記載の製造方法。
（３５）
銅のインゴットが、銅及び不可避不純物を含有してなる銅のインゴットである、（３１）〜（３４）のいずれかに記載の製造方法。
（３６）
銅のインゴットが、銅及び不可避不純物を含有し、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅のインゴットである、（３１）〜（３５）のいずれかに記載の製造方法。
（３７）
銅のインゴットが、無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅のインゴットである、（３１）〜（３４）のいずれかに記載の製造方法。
（３８）
銅のインゴットが、無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅のインゴットである、（３１）〜（３４）、（３７）のいずれかに記載の製造方法。

さらに、本発明は、次の（４１）〜 にもある。
（４１）
（３１）〜（３６）のいずれかの製造方法によって製造された圧延銅箔を、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間、加熱処理する工程、
を含む、間歇屈曲耐性銅箔の製造方法。
（４２）
（３１）〜（３６）のいずれかの製造方法によって製造された圧延銅箔を、基体樹脂と積層する工程、
基体樹脂と積層された圧延銅箔を、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間、加熱処理する工程、
を含む、間歇屈曲耐性フレキシブルプリント配線板の製造方法。
（４３）
（３１）〜（３６）のいずれかの製造方法によって製造された圧延銅箔を、基体樹脂と積層する工程、
基体樹脂と積層された圧延銅箔を、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間、加熱処理する工程、
を含む、銅張積層板の製造方法。

さらに、本発明は、次の（５１）〜 にもある。
（５１）
（３１）〜（３６）のいずれかの製造方法によって製造された圧延銅箔。
（５２）
（４１）の製造方法によって製造された間歇屈曲耐性銅箔。
（５３）
（４２）の製造方法によって製造された間歇屈曲耐性フレキシブルプリント配線板。
（５４）
（４３）の製造方法によって製造された銅張積層板。

本発明によれば、間歇屈曲耐性銅箔を得ることができ、現実の製品においてＦＰＣに使用した場合に、屈曲に対してさらに高度な耐久性を有する、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を得ることができる。本発明による間歇屈曲耐性銅箔を備えたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を使用した電子機器は、その可動部となるＦＰＣが、現実の製品における使用状況を反映した屈曲耐性を備えているために、連続的な屈曲に対する耐性のみが考慮されていた従来の製品と比較して、耐久性、信頼性に優れたものとなっている。

図１は銅箔の曲げの内面と外面の状態を示す説明図である。 図２はヒステリシスループのずれを説明する説明図である。 図３は結晶粒界の観察のための圧延平行断面の電子顕微鏡写真である。

以下に、好適な実施の態様をあげて、本発明を詳細に説明する。
上述のように、従来、銅箔の屈曲性評価は連続した屈曲運動で行われていた。しかし、本発明者は、連続的な屈曲に比べて間歇的な屈曲では、少ない屈曲回数で銅箔が破断する場合があることを見いだした。そして、この破断寿命の変化が、銅箔の応力緩和現象に起因することを見いだして、本発明に到達したものである。

本発明者の検討によれば、銅箔を繰返し屈曲すると、銅箔表面には引張応力と圧縮応力が交互に働く。連続した屈曲であれば、何度屈曲を繰り返しても、作用する引張／圧縮応力は同程度である。この状態で行っていた屈曲試験が、従来に行われていた屈曲試験である。しかし、間歇的な屈曲の場合は、屈曲と屈曲の間に応力緩和が起こり、ヒステリシスループが低応力側にずれてくるため、屈曲を再開したときにヒステリシスループが元とずれ、結果として応力振幅が大きくなる。これが、間歇的な屈曲で連続的な屈曲よりも短寿命になる原因であるとの結論に、本発明者は到達した。

この現象を説明する説明図を、図１に示す。図１は、銅箔の曲げの内側と外側を想定して、外面（外側表面）と内面（内側表面）にわけた場合に、外面が引っ張り状態となっていること、内面が圧縮状態となっていることを示す説明図である。図示されているように、外面は引っ張り状態にあるために、この状態が維持されれば、やがてこの引っ張り状態での応力緩和が生じ、その結果、外面に関してはヒステリシスループが圧縮側にずれた状態となる。一方、図示されているように、内面は圧縮状態となっているために、この状態が維持されれば、やがてこの圧縮状態での応力緩和が生じ、その結果、内面に関しては、ヒステリシスループが引っ張り側にずれた状態となる。

このようなヒステリシスループのずれを説明する説明図を、図２に示す。図２の横軸は変形、縦軸は応力を表す。図２では、上部、中央部、下部の３つのヒステリシスループが示されている。中央部のヒステリシスループは、屈曲を連続的に行った場合のヒステリシスループである。応力緩和によるずれが生じなければ、本来、ヒステリシスループはこの中央部のループとして位置する。従来から行われている連続的な屈曲試験では、いわばこのヒステリシスループに沿って、例えば１０万回の屈曲試験を行っていた。だから、ＦＰＣの現実の小型電子機器での使用が、このようなヒステリシスループに沿って行われるならば、ＦＰＣはいずれも例えば１０万回超の屈曲に耐えて、メーカー各社が期待した通りの耐久性能を示したはずである。

図２の上部のヒステリシスループは、銅箔を屈曲させて時間の経過とともに応力緩和が生じた後にみられる、銅箔の内面側が応力緩和によってずれた後のヒステリシスループである。図２の下部のヒステリシスループは、銅箔を屈曲させて時間の経過とともに応力緩和が生じた後にみられる、銅箔の外面側が応力緩和によってずれた後のヒステリシスループである。このように、銅箔を屈曲させて保持し、時間の経過とともに応力緩和が生じた場合には、おなじ一つの銅箔の、外面側と内面側とで、このように異なったヒステリシスループを有することになる。

さらにこの後に、銅箔を逆側へと屈曲させて、すなわち、先ほどの外側を今度は内側となるように、先ほどの内側を今度は外側となるように屈曲させた場合には、図２の上部のヒステリシスループから下部のヒステリシスループへ、同時に、下部のヒステリシスループから上部のヒステリシスループへと、それぞれのヒステリシスループを超えた大きな振幅を銅箔の両面に与えることになる。さらにその後、再び銅箔を逆側へ屈曲させて保持すれば、再びそれぞれのヒステリシスループを超えた大きな振幅を銅箔の両面に与えることになり、結局、このように間歇的な屈曲を続ければ、両面に交互に応力緩和が生じ、応力、ひずみ振幅が増大してしまう。図２の矢印は、このようなヒステリシスループのずれ（振幅）が生じることを表している。このように間歇的な屈曲を続けると、中央部のヒステリシスループだけを循環するように、連続的な屈曲を行った場合よりも、過酷な歪みを銅箔に与えることとなり、その結果、連続的な屈曲であれば耐えられたはずの屈曲回数に満たずに、銅箔が破損することになる。

そこで、このような破損を避けるためは、銅箔の応力緩和特性を改善すればよいとのアイデアに、本発明者は到達した。したがって、本発明は、応力緩和を減少させ、あるいは応力緩和が生じることを防ぐことによって、銅箔の間歇的な屈曲性を向上させること、さらにそれによって間歇的な屈曲性が向上した銅箔（ＦＰＣ中の銅箔を含む）にある。本明細書では、銅箔の間歇的な屈曲性を向上させるための具体的な実施の態様をあげて、本発明を説明するが、本発明は、このようにしてあげた具体的な実施の態様に限定されるものではない。

さらに、本発明者は、このような破損を避けるため、銅箔のヤング率を低減することで、変形量に対する応力変化を小さくすることができるというアイデアに到達した。これによって、仮に応力緩和が起こった場合にも、応力、ひずみ振幅の増大を抑制することができる。したがって、本発明は、銅箔のヤング率を低減することで銅箔の間歇的な屈曲性を向上させること、さらにそれによって間歇的な屈曲性が向上した銅箔（ＦＰＣ中の銅箔を含む）にもある。この点においても、本明細書では、銅箔の間歇的な屈曲性を向上させるための具体的な実施の態様をあげて、本発明を説明するが、本発明は、このようにしてあげた具体的な実施の態様に限定されるものではない。

［応力緩和］
応力緩和とは、一定の温度、一定の歪みの条件下で、金属に負荷された応力が、時間とともに減少してゆく現象をいう。

応力緩和は、ミクロには、材料中の転位の移動によって起こる現象である。このような転位の移動は、結晶粒界において生じやすい。そこで、本発明者は、応力緩和の減少を実現する手段として、銅箔の結晶粒界の長さを減少させることを行い、これによって、間歇的な屈曲に対する耐性を向上させることを実現した。

［粒界長］
結晶粒界の長さ（粒界長）は、例えば、２００℃で３０分間焼鈍後の銅箔をＣＰ（Ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ ｐｏｌｉｓｈｅｒ）を用いて圧延平行断面を出し、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ 日本電子株式会社製ＪＸＡ８５００Ｆ）を用いて、ステップ幅０．５μｍ、加速電圧１５ｋＶ、ＷＤ２３ｍｍ、電流５×１０^-8Ａで観察範囲１０００μｍ²の結晶方位を測定し、隣接する測定点との結晶方位差が１５度以上ある場合を結晶粒と見做し、観察範囲に含まれる結晶粒界長さを測定して、求めることができる。

好適な実施の態様において、圧延平行断面からみて観察断面積１０００μｍ²あたりの結晶粒界の長さが、例えば２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは９０μｍ以下、さらに好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下とすることができる。応力緩和の減少の観点からは、結晶粒界の長さは小さいほど好ましい。一方、好適な実施の態様において、結晶粒界の長さは、例えば、０．１μｍ以上、例えば、１．０μｍ以上、例えば、５．０μｍ以上とすることができる。銅箔の強度の観点からは、結晶粒界の長さはこれ以上の値であることが好ましい。

結晶粒界の長さを示すために、観察した圧延平行断面の電子顕微鏡写真の一例を、図３として示す。図３には、上、中、下の３つの断面写真が、横長の写真として示されている。図３の上の断面写真には、結晶粒界がほとんど見られない。結晶粒界がほとんどみられないこのサンプル片は、良好な間歇屈曲耐性を示した（ＯＫ）。なお、銅箔は極めて薄いために、電子顕微鏡写真を得るために銅箔に支持体をあてて観察しており、上の断面写真の最上部の黒い部分はその支持体と銅箔との隙間であり、その直下の白い部分は、支持体である。図３の下の断面写真では、多数の結晶粒界が見られる。多数の結晶粒界が見られるこのサンプル片は、間歇屈曲耐性に劣るものであった（ＮＧ）。図３の中の断面写真では、中程度の結晶粒界が見られる。このサンプル片は、間歇屈曲耐性では、上記の下の断面写真のサンプルよりは優れたものであったが、上記の上の断面写真のサンプルよりは劣るものとなっていた。

［応力緩和率］
応力緩和率は、例えば、２００℃で３０分間焼鈍後の銅箔を、プレシジョンカッターを用いて幅１２．７ｍｍの短冊状に切り出し、引張試験機（株式会社島津製作所製ＡＧＳ−Ｘ）を用いて、チャック間距離５０ｍｍで固定し、チャック間距離を５０．１ｍｍまで引き伸ばして応力の変化を２５℃で測定して、ｔ時間後に得られた応力Ｔ_tと初期（０時間後）の応力Ｔ₀との差分を、初期の応力Ｔ₀で除したもの｛（Ｔ₀−Ｔ_t）／Ｔ₀｝を、ｔ時間後の応力緩和率（％）として求めることができる。

好適な実施の態様において、本発明に係る間歇屈曲耐性銅箔の応力緩和率（％）は、ｔ＝５時間とした場合に、２５℃で０．２％の変形に対し、次の式Ｉ：
（Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀ ≦ ２５（％） （式Ｉ）
（ただし、Ｔ₀は初期応力、Ｔ₅は５時間後の応力を表す）
の条件を満たすものとすることができ、さらに好ましくは、次の式ＩＩ：
（Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀ ≦ ２０（％） （式ＩＩ）
の条件を満たすものとすることができる。さらに好ましくは、（Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀の値を、１９％以下とすることができる。

［ヤング率］
ヤング率は、例えば、共振式測定器（日本テクノプラス株式会社製ＴＥ−ＲＴ）を用いて測定することができる。本発明の好適な実施の態様において、間歇屈曲耐性銅箔のヤング率は、例えば、６０〜１０５ＧＰａ、好ましくは７０〜１０５ＧＰａ、さらに好ましくは７０〜１００ＧＰａ、さらに好ましくは７０〜９０ＧＰａ、さらに好ましくは７５〜８５ＧＰａの範囲とすることができる。

［組成］
本発明の銅箔の組成は、応力緩和を減少できる組成であれば、使用することができる。例えば、銅及び不可避不純物を含む純銅を使用することができる。好適な実施の態様において、銅箔の組成として、ＪＩＳ−Ｈ３１００の合金番号Ｃ１１００に規格するタフピッチ銅又はＪＩＳ−Ｈ３１００の合金番号Ｃ１０２０に規格する無酸素銅を組成とすることができる。このような純銅に近い組成とすると、銅箔の導電率が低下せず、ＦＰＣやＣＯＦに適する。通常、圧延銅箔に含まれる酸素濃度は、タフピッチ銅の場合は０．０１〜０．０５質量％、無酸素銅の場合は０．００１質量％以下である。また、無酸素銅としてＪＩＳ−Ｈ３５１０の合金番号Ｃ１０１１に規格する無酸素銅を用いることもできる。

好適な実施の態様において、銅箔の組成としては、上記純銅に近い組成に対して、さらに、Ａｇ及びＳｎの群から選ばれる１種以上を合計５００質量ｐｐｍ以下含有してもよい。ただしＳｎの含有量は３００ｐｐｍ以下であることが好ましい。圧延銅箔へのＡｇ又はＳｎの合計添加量が５００質量ｐｐｍを超えると、導電率が低下すると共に再結晶温度が上昇し、最終焼鈍において再結晶粒の成長が抑制され、粒界長が長くなる場合がある。ＡｇとＳｎの合計添加量の下限は特に規定しないが、通常、合計２０質量ｐｐｍ以上である。

好適な実施の態様において、上記純銅に近い組成の銅に、例えば上記タフピッチ銅又は上記無酸素銅に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶの群から選ばれる一種以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有させてもよい。

なお、上記純銅に近い組成の銅に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶの群から選ばれる一種以上の元素を合計で５００質量ｐｐｍ以上添加し、たとえば６００℃以上の高温で３０分以上の熱処理を加えることで再結晶粒を成長させ、応力緩和特性を改善することも可能である。しかし、この工程では、銅張積層板を製造するために再結晶後の軟質銅箔と樹脂とを積層しなければならない点で有利ではない。

［銅箔の製造］
本発明に係る銅箔（間歇屈曲耐性銅箔）の製造は、上述のように、応力緩和が低減された銅箔として製造できる方法であれば、特に制限なく行うことができる。好適な実施の態様において、例えば、上述した組成の銅（銅合金）を用いて、銅のインゴットを鋳造する工程、銅のインゴットを熱間圧延する工程、熱間圧延された銅のインゴットに冷間圧延と焼鈍を１回以上行う工程、仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を行う工程、を含む製造方法によって圧延銅箔を製造して、この圧延銅箔に対して、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間加熱処理する工程、を行うことによって、間歇屈曲耐性銅箔として製造することができる。また上記１６０〜４００℃で１秒間〜１時間の加熱処理は、銅箔と樹脂層とを接合する銅張積層板の製造工程での熱処理をかねても良い。

この熱間圧延された銅のインゴットに冷間圧延と焼鈍を１回以上行う工程では、冷間圧延と焼鈍を適宜繰り返して、所望の厚みとすることができる。好適な実施の態様において、この焼鈍のうち、最後に行う焼鈍、すなわち、仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を行う工程の直前に行われる焼鈍は、昇温速度が５℃／秒以上４０℃／秒以下とすることが好ましい。昇温速度が５℃／秒以下の場合、結晶粒の粗大化がおこり、再結晶組織が不均一となる。一方４０℃／秒以上の場合、微細な再結晶粒がそれぞれ成長するため、再結晶組織が不均一となる。

好適な実施の態様において、上記の最後に行う焼鈍の直前に行う圧延において、加工度（総加工度）を、例えば９０％以下、好ましくは８９％以下、さらに好ましくは８８％以下とすることができ、例えば６０％以上、好ましくは６５％以上、さらに好ましくは６７％以上とすることができる。このような範囲とすることにより当該焼鈍工程後に均一な再結晶組織ができ、最終圧延工程において適正な圧延組織を作ることが出来る。最後に行う焼鈍の直前に行う圧延工程の総加工度が９０％を超えると、過度に集合組織が発達し、焼鈍工程後の結晶粒が粗大化しやすい。

好適な実施の態様において、仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を行う工程では、この最後の冷間圧延における総加工度（最終圧延加工度）を、９６％以上、好ましくは９７％以上、さらに好ましくは９７．５％以上とすることができる。

なお、本発明におけるそれぞれの圧延工程においては、ひとつの圧延工程が、圧延ロールに材料を複数回通過させて（複数回のパスによって）実施されてもよいことは、当業者の理解するところである。そこで、本願明細書においては、ある圧延工程の加工度とは、このような複数回のパスによって圧延工程が行われる場合に、複数回のパスによって実現される総合的な加工度を意味するものであり、その圧延工程に含まれているいずれかの１回のパスの加工度（１パス加工度）を意味するものではないことを明確にするために、ある圧延工程の加工度を、総加工度と記載することがある。

好適な実施の態様において、圧延銅箔に対して、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間加熱処理する工程は、例えば２００〜４００℃で１秒間〜３０分間、例えば２００℃で３０分間、例えば３５０℃で１秒間の加熱処理として行うことができる。なお、加熱時間は1秒間より短い、例えば０．１秒間〜１秒間でもよい。この加熱処理によって、上記の最後の冷間圧延を受けた圧延銅箔が、応力緩和が低減された、本発明に係る間歇屈曲耐性銅箔となる。この加熱処理は、圧延銅箔に対する独立の工程として行ってもよいが、例えば、銅張積層板を製造するために樹脂を積層するために、フィルム状の樹脂を熱圧着する際に、この加熱処理条件となるように加熱処理してもよく、あるいは、例えば、銅張積層板を製造するために樹脂を積層するために、樹脂材料を塗工して熱硬化させてフィルム層を形成させる際に、この加熱処理条件となるように加熱処理してもよい。

［フレキシブルプリント配線板］
本発明の銅箔（間歇屈曲耐性銅箔）は、上記のように優れた間歇屈曲耐性を有するものであり、フレキシブルプリント配線板の導電性の配線部分として、好適に使用できるものである。したがって、本発明は、上記銅箔を積層して備えた、フレキシブルプリント配線板にもある。

フレキシブルプリント配線板は、一般に、導電性の配線が、絶縁性の樹脂に積層されてなり、フレキシブルで屈曲性を有する。配線は、必要により接着層を介して、絶縁性の基材の樹脂層に積層される。本発明に係る銅箔は、どのような積層の態様においても、優れた間歇屈曲耐性を示すものであるので、本発明のフレキシブルプリント配線板は、本発明に係る銅箔を積層して備えたものであれば、種々の具体的な態様をとることができる。好適な実施の態様において、例えば、フィルム状の樹脂層に本発明の銅箔を接着したものであってもよく、本発明の銅箔に樹脂材料を塗工してフィルム状に成膜したものであってもよい。樹脂層には、フレキシブルプリント配線板に使用可能な樹脂を、特に制限なく使用することができる。好適な実施の態様において、例えば、ポリイミド樹脂を使用することができる。

本発明のフレキシブルプリント配線板は、例えば、次のように製造することができる。圧延銅箔の片面に、ポリアミック酸を主体とするポリイミド前駆体を塗布し、乾燥、及び硬化を行い、ポリイミド樹脂層と銅箔層との銅張積層板に加工して、フォトリソグラフィーによって所定の回路を形成して、さらに銅箔層による配線側の面にポリイミドフィルムを接着して、フレキシブルプリント配線板とすることができる。上記銅張積層板において、銅箔の層が間歇屈曲耐性銅箔となっていればよく、そのためには、上記圧延銅箔として、ポリイミド樹脂層の形成のための加熱処理によって、例えば２００℃３０分の加熱処理を受けて、本発明に係る間歇屈曲耐性銅箔となる銅箔を使用すればよい。また、例えば、圧延銅箔の片面に、ポリイミドフィルムを接着して、ポリイミド樹脂層と銅箔層との銅張積層板に加工して、後のフォトリソグラフィー以後の手順を行って、フレキシブルプリント配線板としてもよい。この場合にも、上記銅張積層板において、銅箔の層が間歇屈曲耐性銅箔となっていればよく、そのためには、上記圧延銅箔として、ポリイミドフィルムの接着のための加熱処理によって、例えば２００℃３０分の加熱処理を受けて、本発明に係る間歇屈曲耐性銅箔となる銅箔を使用すればよい。

本発明による間歇屈曲耐性銅箔及びこれを用いたフレキシブルプリント配線板は、携帯電話やノートパソコン、カメラの鏡筒部の配線部材、ＨＤＤなどの電子機器の可動部や、自動加工機やロボットアームなどの産業用機械にも好適に用いることができる。

以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。

［銅箔の製造］
無酸素銅（ＪＩＳ合金番号Ｃ１０２０）（OFC：Oxygen−Free Copper）またはタフピッチ銅（ＪＩＳ合金番号Ｃ１１００）（TPC：Tough−Pitch Copper）を溶解し、必要に応じて表１に示す元素を添加して鋳造し、厚さ２００ｍｍ、幅６００ｍｍのインゴットを作製した。インゴットを厚さ１０ｍｍまで熱間圧延後に、冷間圧延と焼鈍を適宜繰り返して、仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延における加工度（最終圧延加工度）を、それぞれ表１に記載の通りとして、圧延銅箔を製造した。このときの最終圧延加工度、及び箔厚は、それぞれ表１に記載の通りである。

また、最終の冷間圧延の直前の焼鈍工程の直前に行う圧延工程の総加工度および、最終の冷間圧延の直前の焼鈍工程における昇温速度を表１の通りとした。なお、昇温速度の「○」は昇温速度が５℃／秒以上４０℃／秒以下であることを意味する。また、比較例７の「×」は４０℃／秒を超えた昇温速度で焼鈍したことを意味する。

［評価］
得られた圧延銅箔に対して、２００℃で３０分間焼鈍を行った後に、あるいは、評価用ＦＰＣを作成して、後述するヤング率、粒界長、応力緩和率、屈曲性（連続屈曲、間歇屈曲）の評価に供した。得られた結果は、表１及び表２にまとめた。ただし実施例２及び比較例２については、ロール温度を３５０℃に調整したラミネート加工機をポリイミドおよびカバーレイを積層せずに通箔することで焼鈍し、後述の評価用ＦＰＣを作製する場合の熱処理と同様に熱処理を行った。このときの熱処理時間は１秒間とした。

［ヤング率］
ヤング率は共振式測定器（日本テクノプラス株式会社製ＴＥ−ＲＴ）を用いて測定した。

［粒界長］
上記条件（２００℃又は３５０℃）で焼鈍後の銅箔をＣＰ（Ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ ｐｏｌｉｓｈｅｒ）を用いて圧延平行断面を出し、ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ 日本電子株式会社製ＪＸＡ８５００Ｆ）を用いて、ステップ幅０．５μｍ、加速電圧１５ｋＶ、ＷＤ２３ｍｍ、電流５×１０^-8Ａで観察範囲１０００μｍ²の結晶方位を測定した。隣接する測定点との結晶方位差が１５度以上ある場合を結晶粒界と見做し、観察範囲に含まれる結晶粒界長さを測定した。

［応力緩和率］
得られた圧延銅箔をプレシジョンカッターを用いて幅１２．７ｍｍの短冊状に切り出して、前記条件（２００℃又は３５０℃）で焼鈍し、引張試験機（株式会社島津製作所製ＡＧＳ−Ｘ）を用いて、チャック間距離５０ｍｍで固定した。その後、チャック間距離を５０．１ｍｍまで引き伸ばして（０．２％変形に相当する）荷重の変化を２５℃で測定した。ｔ時間後に得られた応力Ｔ_tと初期（０時間後）の応力Ｔ₀との差分を、初期の応力Ｔ₀で除したもの｛（Ｔ₀−Ｔ_t）／Ｔ₀｝を、応力緩和率（％）として得た。ｔ＝５時間の場合の応力緩和率（％）を表２に示す。

［屈曲性評価］
圧延加工で得られた銅箔をポリイミドフィルム（ニッカン工業株式会社製ニカフレックス：ポリイミド厚み１２．５μｍ、接着剤厚み１５μｍ）と熱圧着（２００℃、３０分）し、銅張積層板を得た。得られた銅張積層板をエッチングし、回路幅１００μｍのＦＰＣとした後、カバーレイ（ニッカン工業株式会社製ニカフレックス：ポリイミド厚み１２．５μｍ、接着剤厚み１５μｍ）を回路面に熱圧着（２００℃、３０分）し、評価用ＦＰＣを作製した。ただし実施例２及び比較例２については、圧延加工で得られた銅箔を上記ポリイミドフィルムと、ロール温度３５０℃に調整したラミネート加工機をもちいて銅張積層板を作製し、上記と同様の手法でＦＰＣとした後、上記カバーレイをロール温度３５０℃に調整したラミネート加工機をもちいて回路面に圧着し、評価用ＦＰＣを作製した。なお、このときの加熱時間は合計１秒間であった。

屈曲試験は摺動速度毎分１２０回とし、室温環境で行った。屈曲時に銅箔にかかる歪を揃えるため、曲げ半径は、銅箔厚みが１８μｍの場合は１．５ｍｍ、１２μｍの場合は１．０ｍｍ、９μｍの場合は０．７５ｍｍとし、それぞれ破断までの回数で評価した。試料に通電し、導通遮断によって破断を検出した。連続屈曲では、破断回数が１０万回未満であれば×、１０万回以上３０万回未満であれば○、３０万回以上であるものを◎とした。また間歇屈曲では、５時間間隔で連続１０００回の屈曲を行い、破断回数が５万回未満であれば×、５万回以上１０万回未満であれば○、１０万回以上であれば◎とした。

本発明によれば、間歇屈曲耐性銅箔を得ることができ、現実の製品においてＦＰＣに使用した場合に、屈曲に対してさらに高度な耐久性を有する、圧延銅箔、銅張積層板、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を得ることができる。本発明による間歇屈曲耐性銅箔を備えたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を使用した電子機器は、その可動部となるＦＰＣが、現実の製品における使用状況を反映した屈曲耐性を備えているために、連続的な屈曲に対する耐性のみが考慮されていた従来の製品と比較して、耐久性、信頼性に優れたものとなっている。本発明は、産業上有用な発明である。

［発明の態様］
本発明は、以下の態様にもある。
［１］
屈曲中の応力緩和が、
２５℃で０．２％の変形に対し、次の式Ｉ：
（Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀ ≦ ２５（％） （式Ｉ）
（ただし、Ｔ₀は初期応力、Ｔ₅は５時間後の応力を表す）
の条件を満たす、間歇屈曲耐性銅箔。
［２］
圧延平行断面からみて、観察断面積１０００μｍ²あたりの結晶粒界の長さが２００μｍ以下である、間歇屈曲耐性銅箔。
［３］
圧延平行断面からみて、観察断面積１０００μｍ²あたりの結晶粒界の長さが２００μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［４］
６０〜１０５ＧＰａの範囲のヤング率を有する、［１］〜［３］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［５］
銅箔が、銅及び不可避不純物を含有してなる銅箔である、［１］〜［４］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［６］
銅箔が、銅及び不可避不純物を含有し、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅箔である、［１］〜［４］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［７］
銅箔が、無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅箔である、［１］〜［４］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［８］
銅箔が、無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅箔である、［１］〜［４］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［９］
銅箔が、圧延銅箔である、［１］〜［８］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［１０］
銅箔が、加工度９６％以上で圧延されてなる圧延銅箔である、［１］〜［９］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［１１］
フレキシブルプリント配線板中に積層された、［１］〜［１０］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
［１２］
１６０〜４００℃で１秒間〜１時間の加熱処理後に、［１］〜［１１］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
［１３］
２００℃で３０分間の加熱処理、又は３５０℃で１秒間の加熱処理の後に、［１］〜［１１］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
［１４］
［１］〜［１１］のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔が積層されてなる、フレキシブルプリント配線板。
［１５］
銅のインゴットを鋳造する工程、
銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
最後に行う焼鈍が、５℃／秒以上４０℃／秒以下の昇温速度で行われる、製造方法。
［１６］
銅のインゴットを鋳造する工程、
銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
最後に行う焼鈍の直前に行う冷間圧延が、６０％〜９０％の加工度（総加工度）で行われる、製造方法。
［１７］
銅のインゴットを鋳造する工程、
銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
最後に行う焼鈍が、５℃／秒以上４０℃／秒以下の昇温速度で行われ、
最後に行う焼鈍の直前に行う冷間圧延が、６０％〜９０％の加工度（総加工度）で行われる、製造方法。
［１８］
銅のインゴットが、銅及び不可避不純物を含有してなる銅のインゴットである、［１５］〜［１７］のいずれかに記載の製造方法。
［１９］
銅のインゴットが、銅及び不可避不純物を含有し、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅のインゴットである、［１５］〜［１８］のいずれかに記載の製造方法。
［２０］
銅のインゴットが、無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅のインゴットである、［１５］〜［１７］のいずれかに記載の製造方法。
［２１］
銅のインゴットが、無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、
Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅のインゴットである、［１５］〜［１７］及び［２０］のいずれかに記載の製造方法。
［２２］
［１５］〜［２１］のいずれかに記載の製造方法によって製造された圧延銅箔を、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間、加熱処理する工程、
を含む、間歇屈曲耐性銅箔の製造方法。

Claims (12)

1. 屈曲中の応力緩和が、
   ２５℃で０．２％の変形に対し、次の式Ｉ：
   （Ｔ₀−Ｔ₅）／Ｔ₀ ≦ ２５（％） （式Ｉ）
   （ただし、Ｔ₀は初期応力、Ｔ₅は５時間後の応力を表す）
   の条件を満たす、間歇屈曲耐性銅箔であって、
   銅箔が、
   銅及び不可避不純物を含有してなる銅箔であるか；
   銅及び不可避不純物を含有し、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅箔であるか；
   無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅箔であるか；又は
   無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅箔である、間歇屈曲耐性銅箔。
2. 圧延平行断面からみて、観察断面積１０００μｍ²あたりの、方位差が１５度以上の結晶粒界の長さが２００μｍ以下である、間歇屈曲耐性銅箔。
3. ６０〜１０５ＧＰａの範囲のヤング率を有する、請求項１又は２に記載の間歇屈曲耐性銅箔。
4. 銅箔が、加工度９６％以上で圧延されてなる圧延銅箔である、請求項１〜３のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
5. フレキシブルプリント配線板中に積層された、請求項１〜４のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔。
6. １６０〜４００℃で１秒間〜１時間の加熱処理後に、請求項１〜５のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
7. ２００℃で３０分間の加熱処理、又は３５０℃で１秒間の加熱処理の後に、請求項１〜５のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔となる、銅箔。
8. 請求項１〜５のいずれかに記載の間歇屈曲耐性銅箔が積層されてなる、フレキシブルプリント配線板。
9. 銅のインゴットを鋳造する工程、
   銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
   熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
   仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
   を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
   熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
   最後に行う焼鈍が、５℃／秒以上４０℃／秒以下の昇温速度で行われ、
   銅のインゴットが、
   銅及び不可避不純物を含有してなる銅のインゴットであるか；
   銅及び不可避不純物を含有し、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅のインゴットであるか；
   無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅のインゴットであるか；又は
   無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅のインゴットである、製造方法。
10. 銅のインゴットを鋳造する工程、
    銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
    熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
    仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
    を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
    熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
    最後に行う焼鈍の直前に行う冷間圧延が、６０％〜９０％の加工度（総加工度）で行われ、
    銅のインゴットが、
    銅及び不可避不純物を含有してなる銅のインゴットであるか；
    銅及び不可避不純物を含有し、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅のインゴットであるか；
    無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅のインゴットであるか；又は
    無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅のインゴットである、製造方法。
11. 銅のインゴットを鋳造する工程、
    銅のインゴットを、熱間圧延する工程、
    熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程、
    仕上げ厚みとするための最後の冷間圧延を、総加工度（最終圧延加工度）を９６％以上として、行う工程、
    を含む、圧延銅箔の製造方法であって、
    熱間圧延された銅のインゴットに、冷間圧延と焼鈍を、１回以上行う工程において、
    最後に行う焼鈍が、５℃／秒以上４０℃／秒以下の昇温速度で行われ、
    最後に行う焼鈍の直前に行う冷間圧延が、６０％〜９０％の加工度（総加工度）で行われ、
    銅のインゴットが、
    銅及び不可避不純物を含有してなる銅のインゴットであるか；
    銅及び不可避不純物を含有し、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ含有してなる銅のインゴットであるか；
    無酸素銅又はタフピッチ銅からなる銅のインゴットであるか；又は
    無酸素銅又はタフピッチ銅に、さらに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｂ、及びＶからなる群から選択された１以上の元素を合計で２０〜５００質量ｐｐｍ添加してなる銅のインゴットである、製造方法。
12. 請求項９〜１１のいずれかに記載の製造方法によって製造された圧延銅箔を、１６０〜４００℃で１秒間〜１時間、加熱処理する工程、
    を含む、間歇屈曲耐性銅箔の製造方法。