JP2007270305A - 電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金およびCu−Cr−Si系合金箔 - Google Patents
電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金およびCu−Cr−Si系合金箔 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】質量率でCr:0.15〜0.5%、Si:0.02〜0.15%を含有すると共に、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、Cr、Si添加量の質量比Cr/Siが3.5〜8.0であり、銅母相中に存在する析出物の平均粒子径が10nm〜100nmであることを特徴とする高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金であり、必要に応じて、Mg:0.02〜0.1%を添加できる。
Description
(a)薄い板厚においても高い接触圧を生じるための十分な強度を有すること。
(b)導電率が高く、通電時にジュール熱の発生しにくいこと、また、発生する熱を放散しやすいこと。
(c)応力緩和率が低く、高温下で長期間使用しても接触圧が低下しないこと。
(d)厳しい曲げ加工を行っても曲げ部に割れや肌あれを生じないこと。
(e)高いばね応力まで使用できるようにばね限界値が高いこと。
(a)薄い板厚においても十分な強度を有すること。
(b)導電率が高く、配線抵抗損失が少ないこと。
(c)繰り返し曲げや折り曲げ加工を行っても割れを生じないこと。
(d)薄い板厚においてもピンホールなどの欠陥が生じないこと。
Cu−Cr−Si系銅合金は析出硬化型合金であり、溶体化処理後に時効させることにより銅母相中にCrシリサイド析出物を析出させて強度の向上を図っている。Niシリサイド析出物を利用したCu−Ni−Si系銅合金より高導電性を示し、Cr析出物を利用したCu‐Cr系銅合金より高強度を示す。また、SiはZrより制御しやすい合金でありCu−Cr−Zr系銅合金より優れた製造性を示す。
(2)質量率でCr:0.15〜0.5%、Si:0.02〜0.15%、Mg:0.02〜0.1%を含有すると共に、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、Cr、Si添加量の質量比Cr/Siが3.5〜8.0であり、銅母相中に存在する析出物の平均粒子径が10nm〜100nmであることを特徴とする高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金である。
(3)引張強度が、500MPa以上かつ導電率が、80%IACS以上である上記(1)に記載の高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金である。
(4)引張強度が、530MPa以上かつ導電率が、75%IACS以上である上記(2)に記載の高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金である。
(5)上記(1)〜(4)に記載の電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金箔である。
Cr、Si
本発明の合金は、溶体化処理後、時効させることにより、銅母相中にCrシリサイド析出物が析出して強度向上に寄与するとともに高導電性をも備えるものである。Crは含有量が0.15%未満ではその作用による寄与が得られず、0.5%を超える添加で更なる強度の向上は得られない。0.15%を超える添加で更なる強度上昇は得られず、多量の添加は導電性を低下させる。
さらに、Sn、Zn等の第三元素の添加は、強度に寄与するまで添加すると導電率の低下をまねくため、好ましくはない。
しかしながら、本発明における第三元素の添加なし合金の有する高い導電率を若干低下させるも、75%IACS以上でかつ本発明における第三元素の添加なし合金よりも強度が必要な場合や応力緩和特性を向上させるため必要とされるばね材用途などには、強度、および応力緩和特性を向上させる元素としてMgを0.02〜0.1質量%添加することが可能である。0.02%未満では強度向上の効果が得られず、0.10%を超えると導電率が低下する。
本発明では、第三元素の添加を行わないかわりに、析出物の微細化により強度の向上を図ることを特徴とする。即ち、析出強化は析出物の粒子径と粒子の分布状態により強度が決まり、粒子径が10nm未満と小さすぎる場合、変形抵抗としての効果が小さくなるため強度が低下し、粒子径が100nmより大きくなると粒子分布が疎になるため強度が低下する。Crシリサイド析出物は平均粒径が10nm〜100nmであると高強度が得られ、さらに15nm〜50nmであることがより好ましい。
Crシリサイド析出物は粒子径が100nmより大きい場合に高導電性を示すが、本発明はCrシリサイド析出物の平均粒径が10nm〜100nmで、さらに15nm〜50nmであってもMgの添加なしでは、80%IACS以上、Mgの添加があっても75%IACS以上の高導電性を示す。析出物の粒子径が微細であっても高導電性を得られるのはCrシリサイドが数多く密に析出しているためであり、従来合金よりも高導電性である上に高強度を示す。
本発明の合金の製造工程順は、溶解鋳造、均質化焼鈍、熱間圧延、溶体化処理、時効処理、冷間圧延、歪取焼鈍である。なお、冷間圧延は、時効処理の後だけではなく、熱間圧延、溶体化処理、歪取焼鈍後にも必要に応じて行うことができる。
本発明は、上記の製造工程のうち、時効処理工程において時効処理を2段階の温度で行うとことによって達成されるものである。
即ち、時効処理を300℃で一度保持した後に400〜600℃で0.5〜15時間焼鈍することにある。さらには、300℃までの昇温速度は10℃/min以上、時効処理後の冷却速度は200℃まで3℃/min以下に制御することがより好ましい。
また、溶体化処理については、従来条件でも本発明の実施は可能であるが、750〜1000℃で材料温度が所定温度に達した後、1〜5分保持し急冷し、このとき、200℃までの冷却速度を8℃/s以上に制御することがより好ましい。また、溶体化、時効条件で導電率と析出物の平均径のバランスが取れない場合は溶体化処理後に加工度10〜95%の冷間圧延を行い、時効処理を行うことができる。
実施例、比較例の各板材試料について、TEM 暗視野像で金属組織を観察し、析出物の大きさを測定した。本発明では観察像の最長径を析出物の粒子径と定義し、無作為に選択された複数の視野から1000個以上の析出物について測定して平均値を得た。測定は5nm以下の析出物については測定が困難であるため、1000nm以上の析出物は溶体化、時効処理で析出したものではないために測定の対象外とした。測定結果は表1、2に示されている。観察は時効処理後に行うことが好ましいが、各種端子、コネクタ、リレーまたはスイッチ等に加工した最終製品で行っても良い。
JIS Z2241に従い、圧延方向の引張強度を測定した。試料はJISに従って作製した。測定結果は表1、2に示されている。
導電率の測定
四端子法にて、試料の導電率を求めた。測定結果は表1、2に示されている。
従来の製造法である1段の時効により作られた比較例5、6、7では、析出物の平均粒子径を本発明の範囲外となり、導電性に優れるものは強度に劣った。
Claims (5)
- 質量率でCr:0.15〜0.5%、Si:0.02〜0.15%を含有すると共に、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、Cr、Si添加量の質量比Cr/Siが3.5〜8.0であり、銅母相中に存在する析出物の平均粒子径が10nm〜100nmであることを特徴とする高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金。
- 質量率でCr:0.15〜0.5%、Si:0.02〜0.15%、Mg:0.02〜0.1%を含有すると共に、残部がCu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、Cr、Si添加量の質量比Cr/Siが3.5〜8.0であり、銅母相中に存在する析出物の平均粒子径が10nm〜100nmであることを特徴とする高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金。
- 引張強度が、500MPa以上かつ導電率が、80%IACS以上である請求項1に記載の高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金
- 引張強度が、530MPa以上かつ導電率が、75%IACS以上である請求項2に記載の高導電性電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金
- 請求項1〜4に記載の電気・電子部品用Cu−Cr−Si系合金箔。
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