JP2015050436A - ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents

ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015050436A
JP2015050436A JP2013183373A JP2013183373A JP2015050436A JP 2015050436 A JP2015050436 A JP 2015050436A JP 2013183373 A JP2013183373 A JP 2013183373A JP 2013183373 A JP2013183373 A JP 2013183373A JP 2015050436 A JP2015050436 A JP 2015050436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
sic
epitaxial wafer
based material
baking
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013183373A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6226648B2 (ja
Inventor
道哉 小田原
Michiya Odawara
道哉 小田原
裕 田島
Yutaka Tajima
裕 田島
大祐 武藤
Daisuke Muto
大祐 武藤
賢治 百瀬
Kenji Momose
賢治 百瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2013183373A priority Critical patent/JP6226648B2/ja
Priority to US14/913,865 priority patent/US20160208414A1/en
Priority to PCT/JP2014/071380 priority patent/WO2015033752A1/ja
Priority to CN201480042773.4A priority patent/CN105408985B/zh
Publication of JP2015050436A publication Critical patent/JP2015050436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6226648B2 publication Critical patent/JP6226648B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】高い生産効率で、高品質なＳｉＣエピタキシャルウェハを製造することができるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において２．０?１０−３Ｐａ以下の真空度で真空ベークする工程と、前記コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、前記エピタキシャルウェハ製造装置内にＳｉＣ基板を配置し、そのＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法に関する。
一般に半導体や半導体素子の製造工程などの、基板上に薄膜を形成する工業的手法として化学的気相成長法が用いられている。この化学的気相成長法を用いて、作製された半導体は産業上多くの分野で利用されている。
例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に対して、バンドギャップが約３倍、絶縁破壊電界強度が約１０倍、熱伝導度が約３倍という優れた物性を有しており、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
このようなＳｉＣデバイスの製造には、通常、ＳｉＣエピタキシャルウェハが用いられる。このＳｉＣエピタキシャルウェハは、昇華再結晶法等を用いて作製されたＳｉＣ単結晶基板（ＳｉＣウェハ）の面上に、ＳｉＣ半導体デバイスの活性領域となるＳｉＣ単結晶薄膜（ＳｉＣエピタキシャル層）をエピタキシャル成長させることで作製される。
また、エピタキシャルウェハの製造装置としては、チャンバー内に原料ガスを供給しながら、加熱されたＳｉＣウェハの面上にＳｉＣエピタキシャル層を堆積成長させる化学的気相成長（ＣＶＤ）装置が用いられる。
ＳｉＣのエピタキシャル成長は、１５００℃以上の高温で行われる。そのため、エピタキシャルウェハの製造装置の部材としては、耐熱性に優れなおかつ熱伝導率の良いグラファイト（カーボン）材料や、グラファイト基材の表面をＴａＣ等でコーティングされたものが一般に使用されている。
しかしながら、これらの炭素系材料の部材は通常一定量の窒素を内包している。窒素は、ＳｉＣ等の化合物半導体に取り込まれるとドーパントとなってしまうため、炭素系材料の部材を有する製造装置で製造されたエピタキシャルウェハを用いて半導体デバイスを製造すると、その特性を劣化させる。
特許文献１には、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置内において、エピタキシャル成長前に、グラファイトサセプタを真空ベークすることで、グラファイトサセプタ内に内包する窒素を低減すること、及び、内包する窒素低減後のグラファイトサセプタの表面にＳｉ及びＳｉＣの少なくとも一方の被膜をコートすることが開示されている。また、特許文献２には、ハロゲンガス雰囲気下で炭素系材料を圧力１００Ｐａ以下、１８００℃以上で熱処理し、炭素系材料中の窒素を放出させた後、希ガス雰囲気下で室温まで冷却する低窒素濃度炭素系材料の製造方法が開示されている。また、特許文献３には、ウェハを載置する部分の少なくとも一部が炭化タンタル又は炭化タンタル被覆黒鉛材である、炭化珪素被覆黒鉛材のサセプタが開示されている。
特開２００３−０８６５１８号公報 特開２００２−２４９３７６号公報 特開２００６−０６０１９５号公報
しかし、特許文献２に開示されているようにコーティングされていない無垢の炭素系材料部材に対して低窒素濃度処理を施しても、大気中に暴露すると、炭素系材料部材が大気中の窒素を吸収してしまうため、窒素を含有する雰囲気（大気等）から遮断した状態で、部材を取り扱う必要がある。一般に生産現場では、実際に成膜を行うエピタキシャルウェハ製造装置内で真空ベークを行い、大気中に部材が暴露されることを防いでいる。この場合、真空ベーク中はエピタキシャルウェハ製造装置で成膜することができなくなり、生産効率が著しく低下する。
また、ウェハを装置内に出し入れする際にも、環境をグローブボックスのようなＡｒ環境中に置くか、又は一度ロードロック室等でＡｒ置換処理後に炉内に搬送することで、窒素ガスの炉内への持ち込みを極力抑制し、無垢の炭素系材料部材への窒素ガスの再付着および侵入を防ぐ必要があった。
一方、特許文献１や特許文献３に開示されているように、従来から炭素系材料部材への窒素ガスによる影響を抑制する手段として、ＳｉＣやＴａＣ等で炭素系材料部材をコーティングすることが実施されてきた。しかしながら、エピタキシャルウェハの製造中に、コーティング形成上の不具合および破損等に起因した炭素系材料部材内の窒素ガスの脱離が発生し、堆積成長させるエピタキシャル膜のキャリア濃度制御性が不安定になる場合があった。
例えば、市販のＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置に使用されるＴａＣコーティングされた炭素系材料部材は、装置内にその新品を装着して、ＳｉＣエピタキシャルウェハを作製した場合、ウェハ内の初期のキャリア濃度バックグラウンドは４×１０１７ｃｍ−３程度と、ＳｉＣデバイスに用いるＳｉＣエピタキシャルウェハとしての適正なキャリア濃度バックグラウンド（１×１０１６ｃｍ−３以下）の値に比べ非常に高くなる。
なお、ここで、キャリア濃度バックグラウンドとは、新品の炭素系材料部材をエピタキシャルウェハ製造装置に装着し、ＳｉＣエピタキシャル膜をアンドープで作製した際の、ＳｉＣのキャリア濃度を意味する。
また、コーティングされた炭素系材料部材は、５〜２０μｍ程度のグレインが緻密に凝集し隙間なく炭素系材料部材をコーティングしているため、コーティングが新しい新品の状態で、十分に内包する窒素を脱離させるためには、長時間のベーキングが必要である。そのため、生産現場ではエピタキシャルウェハ製造装置内で１週間程度はエージング処理（真空ベーク）が行われてきた。この間、製品（エピタキシャルウェハ）の製造を行うことができなくなり、生産効率が著しく落ちてしまうという問題があった。
ＳｉＣデバイスのキラー欠陥となる表面欠陥は、装置の内壁や装置内の部材に堆積したデポ堆積物がエピタキシャル成長プロセス中に飛来してエピタキシャル膜に取り込まれるパーティクルが主因の一つである。ＴａＣコート炭素系材料部材の交換直後はかかるデポ堆積物が少なく、表面欠陥密度が低い高品質のエピタキシャルウェハを作製するためには有利である。しかしながら、部材の交換直後はエージング処理を行う必要があるため、エピタキシャルウェハの作製を行うことができず、高品質のエピタキシャルウェハ作製に適した期間を有効活用できないという問題もあった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、生産効率を高く、かつＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置内で用いる部材を真空ベークした後に大気環境中に暴露することが可能となることで取り扱いが容易なエピタキシャルウェハの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の手段を提供する。
（１）コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において２．０×１０−３Ｐａ以下の真空度で真空ベークする工程と、前記コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、前記エピタキシャルウェハ製造装置内にＳｉＣ基板を配置し、そのＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を有するＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（２）前記真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下であることを特徴とする（１）に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（３）前記真空ベークを１４００℃以上の温度で行うことを特徴とする（１）又は（２）のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（４）前記真空ベークを１０時間以上行うことを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一つに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（５）前記真空ベークを、１５００℃での窒素分圧が１．０×１０−７Ｐａ以下になるまで行うことを特徴とする（１）〜（４）のいずれか一つに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（６）前記コーティングされた炭素系材料部材が、サセプタ、サテライト、シーリング、イグゾーストリング、からなる群から選択されたいずれかを含むことを特徴とする（１）〜（５）のいずれか一つに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
（７）前記コーティングが、ＴａＣまたはＳｉＣを用いてなされていることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか一つに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法によれば、コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において真空ベークする工程を有する構成を採用したので、通常、コーティングされた炭素系材料部材を交換後に、エピタキシャルウェハ製造装置内で約１週間のエージング処理（真空ベーク）を必要とし、そのエピタキシャルウェハ製造装置の占有時間を無くすことができる。これにより、通常生産ロスとなっていた約１週間を全て生産に利用することができるようになり、生産効率を著しく向上することができる。
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法によれば、コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において２．０×１０−３Ｐａ以下の真空度で真空ベークする工程を有する構成を採用したので、従来、コーティングされた炭素系材料部材から、内包する窒素を脱離させるために約１週間の真空ベークが必要であったが、１４００℃以上の温度で真空ベークすることにより、実用的な１０時間程度の時間で行うことができ、真空ベークの時間を大幅に短縮することができる。
この真空ベーク時間の短縮により、新品のコーティングされた炭素系材料部材のコーティング表面が比較的清浄な期間を利用することが可能となる。ＳｉＣデバイスのキラー欠陥となる表面欠陥は、装置内の内壁部分に堆積したデポ堆積物がパーティクル発生源となってエピタキシャル成長プロセス中に飛来する事が主因であるが、コーティング表面にデポ堆積物が少ない交換直後の炭素系材料部材は表面欠陥密度の低いエピタキシャルウェハを作製するために非常に有利であり、この期間を利用することにより、結晶性の高いエピタキシャルウェハを形成することができる。
さらに真空ベーク後のコーティングされた炭素系材料部材は、コーティングにより炭素系材料の表面を緻密に保護されているため、一旦純化処理（内包する窒素を脱離させる脱ガス処理、真空ベーク）を行えば、数か月程度大気中に保管しても窒素ガスの再侵入は発生せず、良好なキャリ濃度バックグラウンドを得られる。そのため、純化処理後のコーティングされた炭素系材料部材を一定期間ストックしておくことが可能である。これは生産性の面で非常に有利である。
また、本発明は、専用のベーク炉でコーティングされた炭素系材料部材の真空ベーク処理を行っているため、ベーク炉からエピタキシャルウェハ製造装置へ搬送する必要がある。前述のように、コーティングされた炭素系材料部材は、コーティングによりグラファイトの表面を緻密に保護されているため、大気中に露出することができ、搬送時の環境を気にする必要がなく、作業性の面でも非常に有利である。エピタキシャルウェハ製造装置と連結していない専用のベーク炉から、コーティングされた炭素系材料部材を大気に晒した後、エピタキシャルウェハ製造装置に設置することができる。
ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置におけるＴａＣコーティングされた炭素系材料部材交換に伴う、成膜されたＳｉＣウェハのキャリア濃度、表面欠陥密度の推移を示すグラフであり、（ａ）は距離濃度の推移、（ｂ）は表面欠陥密度の推移を模式的に示したグラフである。 ＴａＣコーティングされたグラファイトの表面を光学顕微鏡で観察したものであり、（ａ）は新品の表面であり（ｂ）は１６００℃で２００時間加熱した後の表面である。 本発明で適用した専用ベーク炉の一実施形態を示す模式図であり、（ａ）は断面模式図、（ｂ）は平面模式図である。 本発明で用いられる化学的気相成長装置の一例を示す断面模式図である。 ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材を交換直後から、積算加熱時間に対する成膜されたＳｉＣウェハのキャリア濃度の推移を、真空ベークの有無で比較した結果を示すグラフである。 ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材の真空ベーク条件による、分子量２８のガス（窒素）分圧の時間変化を示すグラフである。 ＴａＣコーティングされた炭素系部材の全部又は一部を真空ベークし、交換した直後のＳｉＣエピタキシャル成長でのキャリア濃度バックグラウンドの平均値を示した図であって、（ａ）部材を真空ベークしていない（初期状態）場合の値であり、（ｂ）部材交換直後に目標とする値であり、（ｃ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１５００℃で１００時間真空ベークした場合の値であり、（ｄ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１５００℃で２００時間真空ベークした場合の値であり、（ｅ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１６００℃で２００時間真空ベークした場合の値であり、（ｆ）サセプタを除く炭素部材３種類を１７００℃２００時間真空ベーキングし、サセプタのみ部材ベーキングなしの場合の値であり、（ｇ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１７００℃で２００時間真空ベークした場合の値である。 ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材の部材毎による、分子量２８のガス（窒素）分圧の時間変化を示すグラフである。 真空度１．０×１０−５Ｐａで、２００時間真空ベークした場合の、窒素分圧及びキャリア濃度バックグラウンドの温度依存性を示すグラフである。
以下、本発明を適用したエピタキシャルウェハの製造方法について、図面を用いてその構成を説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
本発明のエピタキシャルウェハの製造方法は、コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において２．０×１０−３Ｐａ以下の真空度で真空ベークする工程と、コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、エピタキシャルウェハ製造装置内にＳｉＣ基板を配置し、そのＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。
「炭素系材料部材」における炭素系材料は、グラファイト、パイロリティックグラファイト等の炭素（カーボン）を主成分とする材料全般を意味する。すなわち、カーボン材料、炭素材料等の名称で特定される材料全般を意味する。
図１（ａ）は、図４に一例を示す従来のＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置において、純化処理（真空ベーク）を行わずに、通常の生産サイクルで、ＴａＣコーティングされた炭素系材料からなる４種類の部材（サセプタ２４、サテライト２６、シーリング２２、イグゾーストリング２３、上記の部材に付随する小さな部品がある場合は、それらを上記部材に含め一つのユニットと考える）を用いて作製した、ＳｉＣエピタキシャルウェハにおけるキャリア濃度（ＳｉＣエピタキシャル膜中のキャリア濃度）の推移を示したグラフである。
縦軸はＳｉＣエピタキシャルウェハ内のキャリア濃度であり、縦軸は積算加熱時間（エピ成長に伴う加熱の積算時間）である。上記４種類のＴａＣコーティングされた炭素系材料部材の交換直後を０時間とし、２ヵ月後までのキャリア濃度バックグラウンド（故意のドーピングを行わないで実施したエピタキシャル成長でのキャリア濃度）の推移を示している。図１（ａ）において、◇と□のプロット及び破線がキャリア濃度を表しており、プロット◇と□の違いは、エピタキシャル膜の厚さが違うだけであり、その厚さは◇＜□の関係である。
図１（ｂ）はダウンフォールに起因したＳｉＣエピタキシャル膜中の表面欠陥密度の変化の推移イメージを表している。ここで、ダウンフォールとは、装置内の内壁部分に堆積したデポ堆積物がパーティクル発生源となってエピタキシャル成長プロセス中に飛来し、エピタキシャル成長膜に取り込まれ、欠陥となるものを意味する。図１（ａ）と図１（ｂ）の横軸は共通であり、リアクターの中の黒鉛部材を新品に交換した時を起点とした積算加熱時間である。この積算加熱時間は、エピタキシャル成長の時間（エピタキシャル成長と同様の加熱条件（温度・真空度）でベーキングを行った場合は、それも含める）である。尚、この場合の真空度は、通常ＳｉＣのエピタキシャルで用いられる１０4Ｐａ程度の減圧状態で、本願の真空ベーク炉で用いられる真空度より大きく高い圧力条件である。
図１（ａ）の例では、当該部材交換から積算加熱時間が1００時間程度までキャリア濃度のバックグラウンドは急速に低下し、それ以降安定化している。このバックグラウンドキャリア濃度は、1回のエピタキシャル成長で行う成長膜厚には関係なく、また、ドーピングを行なったエピタキシャル成長（図にはプロットせず）を間に入れてもその傾向には影響はなく、積算加熱時間でほぼ決まっている。
一方、ダウンフォールに起因する表面欠陥は、図１（ｂ）の例では、加熱時間が５００時間経過したあたりから不安定になって増加傾向を示し、最終的には急激に増加する。これは、成膜を繰り返すことにより装置内に堆積するデポ堆積物の絶対量が多くなり、デポ堆積物が成膜中にパーティクルとしてウェハ面上に再飛来し、ダウンフォールの密度が増すこと、ＴａＣコートが劣化し、デポ堆積物と共に部材から剥離することが原因と考えられる。
一般に、ＳｉＣエピタキシャルウェハは、高耐圧品で１．２×１０１５ｃｍ−３以下（図１に示したラインＡ）、通常品で１．０×１０１６ｃｍ−３以下（図１に示したラインＢ）、汎用品で１．１×１０１６ｃｍ−３以下（図１に示したラインＣ）のキャリア濃度バックグラウンドである必要があるが、当該部材交換から１週間までの期間において形成されるＳｉＣエピタキシャルウェハは、通常品としても利用することができないものとなっている。
また、ダウンフォールに起因する表面欠陥があるエピタキシャルウェハは製品とはならないため、当該部材が使用できる期間は、積算加熱時間に対して上限が限られている。
そのため、生産現場では当該部材交換後一定期間は、ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置においてはエピタキシャルウェハの製造を行うことができず、ベーキングやダミーエピタキシャル成長を行って積算加熱時間を累積させる対応を取っていた。エピタキシャル成長装置の各部材をベーキングに用いる場合、装置上の制約及びその後のエピタキシャル成長への影響から、エピタキシャル成長の温度や圧力の条件で行われる。このエピタキシャル成長装置を用いた加熱処理は、その期間が全て生産に寄与しない稼働時間として、生産ロスとなっていた。当該部材は、上述のように、パーティクルに起因する表面欠陥の増加の点から、使用できる積算加熱時間の制約があるため、このバックグラウンドキャリア濃度の安定化のための生産ロスは極めて大きな問題であった。
しかしながら、当該生産ロスは当該分野においては、ＳｉＣエピタキシャルウェハを製造するための必要コストとして考えられていたところがあり、そのためか、本発明者もそれを抜本的に解消するための他の研究を知らない。
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、かかる生産ロスを抜本的に解消するものである。
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法では、コーティングされた炭素系材料部材を用いるが、コーティングされた部材では、コーティングされていない無垢の部材に比べて、部材に内包するガスを脱ガスすること難しい。言い換えると、部材に内包するガスを脱ガスするには、部材をコーティングすることは不利である。従って、部材をコーティングするにしても、特許文献１に開示されているように、部材に内包する窒素を低減した後に、部材にコーティングすることが望ましいと考えられていた。
本発明者は、コーティングされた炭素系材料部材について、内包する窒素の脱ガスが十分になされる場合があること、そして、その真空ベークの条件を見出したのである。そして、コーティングされた炭素系材料部材について一旦、十分に窒素の脱ガスした後窒素含有雰囲気に晒しても、脱ガスの効果を維持できることを見出したのである。本願発明は、コーティングされた炭素系材料部材は、コーティングされていても一定条件のベーキングで脱ガスすることが出来、かつ部材を窒素含有雰囲気（空気）にさらしても、実質的には再吸着による窒素の悪影響がない様なコーティングが存在するという新たな知見に基づくものである。
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法では、上記の生産ロスを解消するために、ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置とは別個の専用の真空ベーク炉を用いる。そして、その専用の真空ベーク炉を用いて、所定の真空ベーク条件で脱ガス（純化処理）を行う。
専用ベーク炉で真空ベークする時の真空度は２．０×１０−３Ｐａ以下である。高真空であればあるほど、脱窒素には有利であり、その真空度は１．０×１０−４Ｐａ以下であることがより好ましく、１．０×１０−５Ｐａ以下であることがさらに好ましく、１．０×１０−６Ｐａ以下であることがもっと好ましく、１．０×１０−７Ｐａ以下であることがよりもっと好ましい。下限は特に制約はないが、１．０×１０−８より高い真空度を得るためには排気装置が高価になるので、それ以上の圧力が好ましい。なお、２．０×１０−３Ｐａ以下の真空度であれば、ターボ分子ポンプやＱＭＳ（４重極質量分析装置）等の真空装置が安定的に稼働することが可能な範囲とするためである。一般の真空ベークは、ドライポンプ等を用いることが多いが、本発明における真空ベークは、コーティングされた炭素系材料部材から内包窒素を脱離させるために、高真空以上の真空で真空ベークを行っている。本発明で行う真空ベークの際の真空度としてはドライポンプだけで達せされる真空度以上の真空を達成できるターボ分子ポンプやイオンゲッターポンプ等を用いる。
また、真空ベーク時の温度は、１４００℃以上であることが好ましく、１５００℃以上であることがより好ましく、１６００℃以上であることがさらに好ましい。１４００℃以下では、内包する窒素量が十分に脱離するまでに非常に時間がかかってしまう。１７００℃を超える温度は、通常の安価な抵抗加熱では容易に達成することができないのでコスト等の観点からは１７００℃以下の温度することが好ましい。また、あまり高温にしすぎると、ＳｉＣコートされた部材では、コーティングが割れて剥離してしまい、使用できなくなることもある。１４００℃以上の加熱は、抵抗加熱の他に、高周波加熱など一般に使用されるものを用いても良い。
真空ベークの時間は、１０時間以上行うことが好ましい。１０時間以上では、４重極質量分析装置（ＱＭＳ）で検出される窒素ガス分圧が、初期の１／２〜１／８まで減少し、十分に内包する窒素が脱離されていると考えることができるためである。また真空ベーク時間は、長ければ長い程内包する窒素を脱離することは可能であり、窒素の脱ガスの効果を高める観点では、２０時間以上であることがより好ましく、３０時間以上であることがさらに好ましく、それ以上の時間とすることがもっと好ましいということになる。この観点で好ましい時間としては例えば、図８の横軸に示した時間が目安になる。一方、生産性の観点からは短い方が好ましい。従って、生産性の観点から決められる時間を上限として真空ベークを行ってもよい。例えば、その上限として、１００時間、１５０時間、２００時間などとしてもよい。
真空ベークは、窒素分圧が１．０×１０−７Ｐａ以下になるまで行うことが好ましい。１．０×１０−７Ｐａ以下であれば、ＳｉＣウェハをＳｉＣ半導体デバイスとして使用するために十分低いバックグラウンドとなるためである。窒素分圧は、ＱＭＳ（４重極質量分析装置）で測定することができる。
コーティングされた炭素系材料部材は、炭素系材料の表面に厚さ１０〜５０μｍがコーティングされていることが好ましい。１０μｍ未満の場合はコーティング材料の初期粒径が小さく、十分にグラファイト材料表面を被覆できない為、純化処理後に折角脱離させた窒素ガスの再侵入が発生してしまう。５０μｍを超えた場合はコーティング表面のクラックが発生しやすく、部材寿命をかえって短くしてしまう。
図２は、グラファイト表面に厚さ２０μｍのＴａＣ膜をコーティングされた部材の光学顕微鏡写真を示す。図２に示すように、直径２０μｍ程度のグレインが凝集して形成されていることが分かる。それぞれのグレインは隙間なく配列して、グラファイト表面を覆っており、このコーティングにより部材の耐久性を向上させている。
一方、このコーティングは炭素系材料部材の表面を緻密に覆っているため、真空ベークによる部材に内包する窒素ガスの脱離を阻害する。そのため、一般に使用されるドライポンプ程度の真空度（１Ｐａ〜数１００Ｐａ）では、十分に窒素ガスを脱離するのが困難であり効率的ではない。本発明では、高真空環境下で実施する事により、短時間での窒素ガスの脱離を実現している。
一度窒素ガスの脱離を行うと、コーティングされた炭素系材料部材は、大気中に取り出すことができる。コーティングされていない炭素系材料部材の場合、大気中に取り出すと、大気中の窒素を部材内再吸収してしまうが、コーティングされた炭素系材料部材の場合、コーティングにより炭素系材料部材の表面を緻密に保護されているため、大気中に取り出しても、内包した窒素を少ないままで維持することができる。
そのため、真空ベークした炭素系材料部材を大気中にストックしておくことができる。また専用ベーク炉からＳｉＣエピタキシャル製造装置へ搬送する際に、周囲の環境を考慮に入れる必要もない。
コーティングされた炭素系材料部材は、例えば、一般にエピタキシャル成長に用いられる、ＳｉＣやＴａＣでコーティングされた炭素系材料部材を利用することができる。
（専用ベーク炉）
図３は、本発明で用いられる専用ベーク炉の一例を示す模式図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
本発明で用いられる専用ベーク炉は、例えば、図３（ａ）（ｂ）に示すような専用ベーク炉１０であり、ＳＵＳ製のチャンバー１と、チャンバー１から繋がる排気ライン２と、ドライポンプ及びターボ分子ポンプからなる排気設備３と、排気時の窒素ガスを分析するための４重極質量分析装置（ＱＭＳ）４とを有する。排気ライン２から排気設備３によって、ＳＵＳ製チャンバー１内を排気減圧することが可能である。
ＳＵＳ製のチャンバー１は、蓋部１ａと本体部１ｂとフランジ部１ｃからなり、周囲には冷却用に流水が流れる流路を有している（図示略）。蓋部１ａと本体部１ｂは、真空排気時に大気の侵入を防ぐために、Ｏリング等で密着する。フランジ部１ｃは、中央部にガスの導入ノズルと放射温度計用モニターポートを備えている（図視略）。さらに、チャンバー内部には、遮熱板５とヒーター６とトレー７とトレーを保持するレール８とを有している。
遮熱板５は高融点金属板が１０枚以上積層したものからなり、高温になる炉内と外部とを熱的に遮断し、かつチャンバー１内を一定の温度に保温するために設けている。
ヒーター６はグラファイトからなり、抵抗加熱方式のヒーターである。抵抗加熱方式の場合、１７００℃程度の温度まで実現することが可能である。またヒーター６は、ＩＮ側ヒーター６ａとＯＵＴ側ヒーター６ｂの２領域に分割されており、炉内の雰囲気の均熱化に対応している。
トレー７はグラファイトからなり、上部にエピタキシャルウェハ製造装置用のコーティングされた炭素系材料部材を載置するものである。蓋部１ｂを本体部１ｃに対して閉じた際に、トレー７はトレー保持用のレール８の上にほぼ水平に設置される。トレー７の温度は、フランジ部１ｃに設置された放射温度計用モニターポートによって、モニターすることが可能である。
排気設備３は，ドライポンプとターボ分子ポンプからなり、一般に１０−１〜１０−６ Ｐａ程度の高真空な真空度まで実現することができる。通常、エピタキシャルウェハ製造装置内に設置される部材（治具）のベーキングを行う際、真空引きはドライポンプ程度で行うものであり、ターボ分子ポンプとドライポンプで真空引きを行うことはない。本発明では、かかる排気設備を用いることで高真空まで引いて真空ベークを行う。
排気設備３により、排気減圧されたチャンバー内の空気は、排気ライン２を通過する際に、排気ラインに設置された４重極質量分析装置（ＱＭＳ）４を同時に通過する。この際に、排気されている脱ガス成分およびその分圧を解析し、窒素ガスの脱離レベルを定期的にモニターすることが可能である。
（エピタキシャルウェハ製造装置）
図４は、本発明で用いられるエピタキシャルウェハ製造装置の一例を示す断面模式図である。
本発明で用いられるエピタキシャルウェハ製造装置は、例えば、図４に示すようなＣＶＤ（化学的気相成長）装置２０であり、図示を省略する減圧排気可能なチャンバー（成膜室）内に、原料ガスＧを供給しながら、加熱されたウェハＷの面上に膜（図示せず。）を堆積成長させるものである。例えば、ＳｉＣをエピタキシャル成長させる場合、原料ガスＧには、Ｓｉ源にシラン（ＳｉＨ４）、炭素（Ｃ）源にプロパン（Ｃ３Ｈ８）を含むものを用いることができ、さらに、キャリアガスとして水素（Ｈ２）を含むものを用いことができる。尚、図４は、リアクター内部の主要部分の構成を図示したものであり、これらは減圧排気可能なＳＵＳ製のチャンバー（図示せず）の中に納められる形になっている。
具体的に、このＣＶＤ装置２０は、チャンバーの内部において、複数のウェハＷが載置される搭載プレート２１と、この搭載プレート２１との間で反応空間Ｋを形成するように、搭載プレート２１の上面に対向して配置されたシーリング（天板）２２と、搭載プレート２１およびシーリング２２の外側に位置して、反応空間Ｋの周囲を囲むように配置されたイグゾーストリング２３とを備えている。イグゾーストリング２３は、反応空間Ｋに対して周壁を形成しており、イグゾーストリング２３に形成された複数の孔（排気孔）を通して、反応空間Ｋから、キャリアガスを排気する構造をもつ。
搭載プレート２１は、円盤状のサセプタ（回転台）２４と、このサセプタ下面２４ｂ中央部に取り付けられた回転軸２５とを有し、サセプタ２４は、この回転軸２５と一体に回転自在に支持されている。サテライト２６がある部分を除くサセプタ上面２４ａには、その上面の一部または大部分を覆う薄板状の部材である一つまたは複数のカバーディスク（図示せず）を配置してもよい。カバーディスクは、サセプタ２４に直接ＳｉＣデポ物が付着するのを防止することができる。カバーディスクは、サセプタに付随する部品として、サセプタユニットに含める。
また、サセプタ上面２４ａ側には、ウェハＷが載置されるサテライト（円盤状のウェハ支持台）２６を収容する複数の凹状の収容部２７が設けられている。
収容部２７は、平面視（サセプタ上面２４ａ側から見て）円形状をなし、サセプタ２４の周方向（回転方向）に等間隔に複数並んで設けられている。図４では、収容部２７が等間隔に６個並んで設けられている場合を例示する。
また、サテライト２６は、サセプタ２４の収容部２７の内径よりも僅かに小さい外径を有し、収容部２７の底面の中央部にあるピン状の小突起（図示せず）によって下から支えられることにより、サセプタ２４の収容部２７に、各々の中心軸周りに回転自在に支持されている。
また、ウェハ載置後のウェハＷ上面は、サセプタ上面２４ａと同一面か、それよりも下側にあることが好ましい。ウェハＷがサセプタ上面２４ａより高い場合、ウェハ端部で原料ガスの流れの乱れ（層流の乱れ）が生じやすく、ウェハ端部の成膜された膜の特性が内側と差が生じてしまう場合がある。サテライト上面の外周には図に示すようなリングを配置し、ウェハをサテライト中央部に固定する様にして、サテライトユニットを構成してもよい。
そして、搭載プレート２１は、いわゆるプラネタリ（自公転）方式を採用している。搭載プレート２１は、図示を省略する駆動モータにより回転軸２５が回転駆動されると、サセプタ２４がその中心軸周りに回転駆動される。複数のウェハ支持台２６は、原料ガスとは別の駆動用ガスが各々のサテライト２６の下面と収容部との間に供給されることにより、各々の中心軸周りに回転駆動される仕組みとなっている（図示せず）。これにより、複数のウェハ支持台２６に載置された各ウェハＷに対して均等に成膜を行うことが可能である。
シーリング２２は、搭載プレート２１のサセプタ２４と略一致した径を有する円盤状の部材であり、サセプタ２４の上面と相対向しながら、搭載プレート２１との間で扁平状の反応空間Ｋを形成している。イグゾーストリング２３は、搭載プレート２１およびシーリング２２の外周部を取り囲むリング状の部材である。イグゾーストリング２３は、複数の孔（図では両端の貫通孔として示されている）を通して、反応空間Ｋを外側にある排気空間に通じさせている。
ＣＶＤ装置２０は、サテライト２６に載置されたウェハＷを加熱する加熱手段として、高周波誘導加熱により搭載プレート２１およびシーリング２２を加熱するための誘導コイル２９を備えている。この誘導コイル２９は、搭載プレート２１（サセプタ２４）の下面およびシーリング２２の上面に、それぞれ近接した状態で対向配置されている。
そして、このＣＶＤ装置２０では、図示を省略する高周波電源から誘導コイル２９に高周波電流が供給されると、搭載プレート２１（サセプタ２４およびサテライト２６）およびシーリング２２が高周波誘導加熱により加熱されて、これら搭載プレート２１およびシーリング２２からの輻射や、サテライト２６からの熱伝導等により、サテライト２６に載置されたウェハＷを加熱することが可能となっている。
なお、搭載プレート２１（サセプタ２４およびサテライト２６）およびシーリング２２及びイグゾーストリング２３には、高周波誘導加熱に適した材料として、耐熱性に優れなおかつ熱伝導率の良いグラファイト（カーボン）材料からなるものを用いることができ、さらにグラファイト（カーボン）からのパーティクル等の発生を防ぐため、表面がＳｉＣやＴａＣ等でコーティングされたものを好適に用いることができる。
このグラファイトからなる搭載プレート２１（サセプタ２４およびサテライト２６）およびシーリング２２には、窒素が内包されており、この窒素は、ＳｉＣ半導体等の化合物半導体に対してドーパントとなるため、製造されるＳｉＣデバイスの特性を著しく劣化させる。そのため、この窒素を低減するために真空ベークを行う必要がある。本発明では、真空ベークを専用のベーク炉で行うことで、真空ベークによるエピタキシャルウェハ製造装置の占有時間を無くし、かつ真空ベークに要する時間も大幅に低減することを実現することができる。
また、加熱手段としては、上述した高周波誘導加熱によるものに限らず、抵抗加熱よるもの等を用いてもよい。また、加熱手段は、搭載プレート２１（サセプタ２４）の下面側およびシーリング２２の上面側に配置された構成に限らず、これらのいずれか一方側のみに配置された構成とすることも可能である。
ＣＶＤ装置２０は、チャンバー内に原料ガスＧを供給するガス供給手段として、シーリング２２の上面中央部から反応空間Ｋ内に原料ガスＧを導入するガス導入管（ガス導入口）３０を備えている。このガス導入管３０は、円筒状に形成されて、シーリング２２の中央部に設けられた円形状の開口部を持つ支持リング３１を貫通した状態で、その先端部（下端部）が反応空間Ｋの内側に臨んで配置されている。
また、ガス導入管３０の先端部（下端部）には、拡径方向に突出されたフランジ部３０ａが設けられている。このフランジ部３０ａは、ガス導入管３０の下端部から鉛直下向きに放出された原料ガスＧを、その対向するサセプタ２４との間で水平方向に放射状に流すためのものである。
そして、このＣＶＤ装置２０では、ガス導入管３０から放出された原料ガスＧを反応空間Ｋの内側から外側に向かって放射状に流すことで、ウェハＷの面内に対して平行に原料ガスＧを供給することが可能となっている。また、チャンバー内で不要になったガスは、イグゾーストリング２３設けられた排気孔からチャンバーの外へと排出することが可能となっている。
ここで、シーリング２２は、誘導コイル２９により高温で加熱されるものの、その内周部（支持リング３１で支えられた中央部側）が原料ガスＧを導入するために低温とされたガス導入管３０とは非接触とされている。また、シーリング２２は、ガス導入管３０の外周部に取り付けられた支持リング（支持部材）３１の上に、その内周部が載置されることによって、鉛直上向きに支持されている。さらに、このシーリング２２は、上下方向に移動させることが可能となっている。
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
図５は、実際に真空ベークを行ったコーティングされた炭素系材料部材と、真空ベークを行っていない炭素系材料部材とそれぞれを用いて、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜した際の、ＳｉＣエピタキシャルウェハのキャリア濃度バックグラウンドの推移を示す。この際、ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置は、大略図４に示すようなＡｉｘｔｒｏｎ社製のプラネタリタイプのＳｉＣ−ＣＶＤ成長装置を用いた。当該装置において、コーティングされた炭素系材料部材は、サセプタユニット（図４の符号２４）、サテライトユニット（図４の符号２６）、シーリングユニット（図４の符号２２）、イグゾーストリングユニット（図４の符号２３）の４種類が主たる部材であり、４種類の部材一式全て真空ベークを行った。コーティングは、厚さ２０μｍのＴａＣコーティングを施した。真空ベークの条件は、専用のベーク炉を用い、１５００℃で２００時間行った。ＳｉＣのエピタキシャル成長は１５００〜１５５０℃、キャリアガスにＨ２を使用し、その雰囲気圧力が１００〜２００ｍｍｂａｒで行った。
真空ベークを行っていないＴａＣコートの炭素系材料部材（図５の凡例における「ベーク無しエピ」）は、積算加熱時間（エピ成長の積算時間）が７０時間程度経過しても、成膜されたＳｉＣウェハのキャリア濃度バックグラウンドは、１．１×１０１６ｃｍ−３以上あり、汎用品仕様のウェハを生産することもできない。一方、真空ベークを行ったＴａＣコートの炭素系材料部材（ベーク炉純化部材と記載）では、積算加熱時間が約３時間（６μｍのエピタキシャル成長を２サイクル分）程度の時間で、通常品仕様（１．０×１０１６ｃｍ−３以下）のウェハを生産することが可能となった。さらに、図５には記載していないが、通常のサイクルでエピタキシャル成長を繰り返して行った場合、約１週間で高耐圧仕様（１．２×１０１５ｃｍ−３以下）のウェハを生産することが可能となった（真空ベークを行っていないＴａＣコートの炭素系材料部材では、１か月程度必要）。
図６は、ＴａＣコートされた炭素系材料部材一式（前述の４種類の部材）を真空ベーク時の温度を変えて処理した際の、４重極質量分析装置（ＱＭＳ）でモニターした分子量２８のガス（窒素）分圧を示した図である。真空ベークの温度は、１５００℃、１６００℃および１７００℃のそれぞれとし、２００時間まで行った。また、１６００℃と１７００℃は１００時間のものも行った。最終的な窒素分圧を同じ温度で比較するための、１６００℃のものは２００時間及び１００時間終了後に１５００℃に温度を下げた時の窒素ガス分圧を、１７００℃のものは、２００時間及び１００時間終了後に１６００℃及び１５００℃に温度を下げた時の窒素ガス分圧を測定し、それらを同じ図６の中に示した。例えば、凡例において、「１７００℃（１００ｈ）１６００℃測定」と記載しているものは、１７００℃で１００時間真空ベーク後、１６００℃に温度を下げたときの窒素ガス分圧を測定した値を示す。
図６より、全ての条件で処理時間が長くなるのと共に、窒素分圧が減少しているのがわかる。また、真空ベーク後に同じ温度（１５００℃）まで下げた状態で測定した窒素分圧を比較すると、ベーキング温度が高い程、最終的な窒素分圧は少なくなっている。また、１６００℃で２００時間真空ベークするより、１７００℃で１００時間真空ベークした方が、同じ温度にした状態で測定した最終的な窒素分圧は少なくなっており、真空ベークの時間を長くする事より、温度を高くすることの方が効果的であることが分かる。
ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置用のＴａＣコーティングされた炭素系材料部材一式を１７００℃、２００時間を真空ベークした際の、最終的な到達真空度は１．０７×１０−５Ｐａ、１５００℃にした状態で測定した窒素ガス分圧は４．０４×１０−９Ｐａだった。これらの真空ベーク後のＴａＣコーティングされた炭素系材料部材一式をエピタキシャルウェハ製造装置に装着し、ＳｉＣエピタキシャル膜をアンドープで形成し、キャリア濃度のバックグラウンドを評価したところ、Ｃ／Ｓｉの低いステップバンチングフリー条件で４．２７×１０１５ｃｍ−３を得た。なお、ステップバンチングとは、表面において原子ステップ（通常２〜１０原子層程度）が集まって合体する現象をいい、この表面の段差自体を指すこともある。ここで、ステップバンチングフリー条件の一例は例えば、特許第４９５９７６３号公報、特許第４８８７４１８号公報に開示されている。
比較のため、１５００℃、１６００℃で同時間処理した時の到達真空度はそれぞれ１．０１×１０−５Ｐａ、１．１９×１０−５Ｐａ、１５００℃にした状態で測定した窒素ガス分圧はそれぞれ３．８９×１０−８Ｐａ、７．１２×１０−９Ｐａであった。また、得られたキャリア濃度バックグラウンドは１．０２×１０１６ｃｍ−３、８．５１×１０１５ｃｍ−３だった。これより、処理温度が高くなる程、窒素ガス分圧は小さくなり、キャリア濃度バックグラウンドは良好な数値となった。
図７は、ＳｉＣエピタキシャルウェハ製造装置におけるＴａＣコーティングされた炭素系材料部材として上記の４種類の部材のそれぞれを、種々の条件で真空ベークを行った後、その真空ベークした部材をエピタキシャルウェハ製造装置に装着し、ＳｉＣエピタキシャル膜をアンドープで作成し、キャリア濃度のバックグラウンドを測定した結果である。
図７の（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ、（ａ）部材を真空ベークしていない（初期状態）場合の値であり、（ｂ）部材交換直後に目標とする値であり、（ｃ）Ａｉｘｔｒｏｎ社製のプラネタリタイプのＳｉＣ−ＣＶＤ成長装置においてコーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１５００℃で１００時間真空ベークした場合の値であり、（ｄ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１５００℃で２００時間真空ベークした場合の値であり、（ｅ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１６００℃で２００時間真空ベークした場合の値であり、（ｆ）サセプタを除く炭素部材３種類を１７００℃２００時間真空ベーキングし、サセプタのみ部材ベーキングなし、（ｇ）コーティングされた炭素系材料部材からなる４種類の部材一式全てを１７００℃で２００時間真空ベークした場合の値である。これらは、それぞれ新品の部材一式を用いて、専用の真空ベーク炉にて各条件真空ベークを行った後の、最初のＳｉＣエピタキシャル成長で得られたバックグラウンドキャリア濃度である。
これから、ベーキング温度が高い方が、またベーキングの時間が長い方が、最初に行ったエピタキシャル成長のキャリア濃度が低いという結果になっている。また、サセプタだけベーキングを行わなかった場合にキャリア濃度が高く、サセプタのベーキングがキャリア濃度へ与える影響が大きいことがわかる。すなわち、エピタキシャル成長装置の中の部品で、炭素系材料で構成され、エピ成長中に高温になり、その体積が大きく、エピタキシャルウェハの近傍に配置された部品に対して、真空ベーキングの効果が顕著である。
図８は、ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材を、１７００℃、かつ開始時１．４×１０−４Ｐａ、終了時３．６×１０−５Ｐａの条件で真空ベーク処理した際の、窒素ガス分圧を測定した結果を示している。図８の凡例における「部材一式１」「部材一式２」「部材一式３」「部材一式４」は、それぞれ４種類の部材（サセプタ２４、サテライト２６、シーリング２２、イグゾーストリング２３、上記の部材に付随する小さな部品がある場合は、それらを上記部材に含め一つのユニットと考える）からなる。そのため、図８は４種類の部材を有する部材一式を４つ用意し、真空ベークを行った場合の、窒素ガス分圧の変化を測定した結果を示している。
１７００℃でベーキングを開始した時の真空度や窒素分圧は、部材によって差がみられるが、一定時間真空ベーキングを行った処理後の到達真空度は一定のレベルに収束する傾向がある。これは、新品のＴａＣコーティングされた炭素系材料部材は、その材料や保管状態などの履歴により、放出する窒素の量がばらついているが、一定条件以上の真空ベーキングを行うことにより、そのばらつきを解消することができ、ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材の初期状態のばらつきに起因していたＳｉＣエピタキシャル層のキャリア濃度のばらつきを低減させることができることを示している。
図７および図８から、顕著な効果の出始める真空ベーク処理時間として、１０時間以上であることが好ましい。最初の１０時間でＱＭＳ検出窒素ガス分圧が１／２〜１／４に低下し、キャリア濃度バックグラウンドが十分下がると考えられるためである。さらに部材の初期ばらつきを解消するために、１００時間以上の真空ベーキング処理時間を行うことがより好ましい。
図９は、ＳｉＣエピタキシャル成長層のキャリア濃度のバックグラウンドの、ＴａＣコーティングされた炭素系材料部材（上記４種類の部材）の真空ベーク温度依存性及び真空ベーキング後、１５００℃にして測定した最終的な窒素分圧を示すグラフである。
真空ベークの真空度は１．０×１０−５Ｐａで、時間はそれぞれ２００時間行った。その結果、温度が上昇するほど最終的な窒素ガス分圧は減少し、それに対応してＳｉＣエピタキシャル成長層のキャリア濃度のバックグラウンドは下がり、良好な膜が成膜されていることが分かる。
１ チャンバー
１ａ 蓋部
１ｂ 本体部
１ｃ フランジ部
２ 排気ライン
３ 排気設備
４ ４重極質量分析装置（ＱＭＳ）
５ 遮蔽板
６ ヒーター
６ａ ＩＮ側ヒーター
６ｂ ＯＵＴ側ヒーター
７ トレー
８ レール
１０ 専用ベーク炉
２０ ＣＶＤ（化学的気相成長）装置
２１ 搭載プレート
２２ シーリング
２３ イグゾーストリング
２４ サセプタ
２５ 回転軸
２６ サテライト
２７ 収容部
２９ 誘導コイル
３０ ガス導入管
３０ａ フランジ部
３１ 支持リング
Ｗ ウェハ
Ｇ 原料ガス

Claims (7)

  1. コーティングされた炭素系材料部材を、専用の真空ベーク炉において２．０×１０−３Ｐａ以下の真空度で真空ベークする工程と、
    前記コーティングされた炭素系材料部材を、エピタキシャルウェハ製造装置に設置する工程と、
    前記エピタキシャルウェハ製造装置内にＳｉＣ基板を配置し、そのＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる工程と、を有するＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  2. 前記真空度が１．０×１０−５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  3. 前記真空ベークを１４００℃以上の温度で行うことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  4. 前記真空ベークを１０時間以上行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  5. 前記真空ベークを、１５００℃での窒素分圧が１．０×１０−７Ｐａ以下になるまで行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  6. 前記コーティングされた炭素系材料部材が、サセプタ、サテライト、シーリング、イグゾーストリングからなる群から選択されたいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
  7. 前記コーティングが、ＴａＣまたはＳｉＣを用いてなされていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
JP2013183373A 2013-09-04 2013-09-04 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 Active JP6226648B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013183373A JP6226648B2 (ja) 2013-09-04 2013-09-04 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US14/913,865 US20160208414A1 (en) 2013-09-04 2014-08-13 METHOD FOR PRODUCING SiC EPITAXIAL WAFER
PCT/JP2014/071380 WO2015033752A1 (ja) 2013-09-04 2014-08-13 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
CN201480042773.4A CN105408985B (zh) 2013-09-04 2014-08-13 SiC外延晶片的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013183373A JP6226648B2 (ja) 2013-09-04 2013-09-04 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015050436A true JP2015050436A (ja) 2015-03-16
JP6226648B2 JP6226648B2 (ja) 2017-11-08

Family

ID=52628232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013183373A Active JP6226648B2 (ja) 2013-09-04 2013-09-04 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160208414A1 (ja)
JP (1) JP6226648B2 (ja)
CN (1) CN105408985B (ja)
WO (1) WO2015033752A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017017247A (ja) * 2015-07-03 2017-01-19 昭和電工株式会社 成膜装置
JP2017165615A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 住友電気工業株式会社 炭化珪素のエピタキシャル成長装置
KR20190026473A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 에피택셜 웨이퍼 제조 장치
JP2019091750A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US10582600B2 (en) 2016-08-31 2020-03-03 Gigaphoton Inc. Droplet collection device
US10748763B2 (en) 2017-09-29 2020-08-18 Fuji Electric Co., Ltd. Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device
KR20230033116A (ko) * 2021-08-27 2023-03-08 주식회사 안머터리얼즈 다공성 물질의 제조를 위한 열팽창 반응기

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11832521B2 (en) 2017-10-16 2023-11-28 Akoustis, Inc. Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
EP3892762A1 (en) * 2016-04-28 2021-10-13 Kwansei Gakuin Educational Foundation Vapour-phase epitaxial growth method, and method for producing substrate equipped with epitaxial layer
US10224224B2 (en) 2017-03-10 2019-03-05 Micromaterials, LLC High pressure wafer processing systems and related methods
US10847360B2 (en) 2017-05-25 2020-11-24 Applied Materials, Inc. High pressure treatment of silicon nitride film
US10622214B2 (en) 2017-05-25 2020-04-14 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
WO2018222771A1 (en) 2017-06-02 2018-12-06 Applied Materials, Inc. Dry stripping of boron carbide hardmask
US10269571B2 (en) 2017-07-12 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating nanowire for semiconductor applications
US10179941B1 (en) 2017-07-14 2019-01-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
US10276411B2 (en) * 2017-08-18 2019-04-30 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
KR102405723B1 (ko) 2017-08-18 2022-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 및 고온 어닐링 챔버
WO2019055415A1 (en) 2017-09-12 2019-03-21 Applied Materials, Inc. APPARATUS AND METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURES USING A PROTECTIVE BARRIER LAYER
US10643867B2 (en) 2017-11-03 2020-05-05 Applied Materials, Inc. Annealing system and method
WO2019094481A1 (en) 2017-11-11 2019-05-16 Micromaterials Llc Gas delivery system for high pressure processing chamber
CN111373519B (zh) 2017-11-16 2021-11-23 应用材料公司 高压蒸气退火处理设备
CN111432920A (zh) 2017-11-17 2020-07-17 应用材料公司 用于高压处理系统的冷凝器系统
JP7299898B2 (ja) 2018-01-24 2023-06-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 高圧アニールを用いたシーム修復
CN111902929A (zh) 2018-03-09 2020-11-06 应用材料公司 用于含金属材料的高压退火处理
US10714331B2 (en) 2018-04-04 2020-07-14 Applied Materials, Inc. Method to fabricate thermally stable low K-FinFET spacer
US10950429B2 (en) 2018-05-08 2021-03-16 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US10566188B2 (en) 2018-05-17 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Method to improve film stability
US10704141B2 (en) 2018-06-01 2020-07-07 Applied Materials, Inc. In-situ CVD and ALD coating of chamber to control metal contamination
US10748783B2 (en) 2018-07-25 2020-08-18 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US10675581B2 (en) 2018-08-06 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
WO2020092002A1 (en) 2018-10-30 2020-05-07 Applied Materials, Inc. Methods for etching a structure for semiconductor applications
CN112996950B (zh) 2018-11-16 2024-04-05 应用材料公司 使用增强扩散工艺的膜沉积
WO2020117462A1 (en) 2018-12-07 2020-06-11 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11618968B2 (en) * 2020-02-07 2023-04-04 Akoustis, Inc. Apparatus including horizontal flow reactor with a central injector column having separate conduits for low-vapor pressure metalorganic precursors and other precursors for formation of piezoelectric layers on wafers
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11319546A (ja) * 1998-03-13 1999-11-24 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2002249376A (ja) * 2000-12-18 2002-09-06 Toyo Tanso Kk 低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法
JP2003086518A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Toshiba Corp 炭化珪素膜のｃｖｄ方法、ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置用サセプター
WO2006008941A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Toyo Tanso Co., Ltd. サセプタ
JP2007243024A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法
JP2009117646A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びベーキング方法
JP2011243710A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Bridgestone Corp 成膜装置
JP2013046020A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Taiyo Nippon Sanso Corp 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0996145A3 (en) * 1998-09-04 2000-11-08 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor substrate
DE10322182A1 (de) * 2003-05-16 2004-12-02 Blue Membranes Gmbh Verfahren zur Herstellung von porösem, kohlenstoffbasiertem Material
JP4387159B2 (ja) * 2003-10-28 2009-12-16 東洋炭素株式会社 黒鉛材料、炭素繊維強化炭素複合材料、及び、膨張黒鉛シート
US8574528B2 (en) * 2009-09-04 2013-11-05 University Of South Carolina Methods of growing a silicon carbide epitaxial layer on a substrate to increase and control carrier lifetime

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11319546A (ja) * 1998-03-13 1999-11-24 Canon Inc プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2002249376A (ja) * 2000-12-18 2002-09-06 Toyo Tanso Kk 低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法
JP2003086518A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Toshiba Corp 炭化珪素膜のｃｖｄ方法、ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置用サセプター
WO2006008941A1 (ja) * 2004-07-22 2006-01-26 Toyo Tanso Co., Ltd. サセプタ
JP2007243024A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長装置を用いた処理方法
JP2009117646A (ja) * 2007-11-07 2009-05-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及びベーキング方法
JP2011243710A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Bridgestone Corp 成膜装置
JP2013046020A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Taiyo Nippon Sanso Corp 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017017247A (ja) * 2015-07-03 2017-01-19 昭和電工株式会社 成膜装置
JP2017165615A (ja) * 2016-03-16 2017-09-21 住友電気工業株式会社 炭化珪素のエピタキシャル成長装置
US10582600B2 (en) 2016-08-31 2020-03-03 Gigaphoton Inc. Droplet collection device
KR20190026473A (ko) * 2017-09-05 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 에피택셜 웨이퍼 제조 장치
KR102509205B1 (ko) 2017-09-05 2023-03-13 주식회사 엘엑스세미콘 에피택셜 웨이퍼 제조 장치
US10748763B2 (en) 2017-09-29 2020-08-18 Fuji Electric Co., Ltd. Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device
JP2019091750A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
JP7055004B2 (ja) 2017-11-13 2022-04-15 昭和電工株式会社 ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
KR20230033116A (ko) * 2021-08-27 2023-03-08 주식회사 안머터리얼즈 다공성 물질의 제조를 위한 열팽창 반응기
KR102564121B1 (ko) 2021-08-27 2023-08-08 주식회사 안머터리얼즈 다공성 물질의 제조를 위한 열팽창 반응기

Also Published As

Publication number Publication date
JP6226648B2 (ja) 2017-11-08
WO2015033752A1 (ja) 2015-03-12
CN105408985A (zh) 2016-03-16
US20160208414A1 (en) 2016-07-21
CN105408985B (zh) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6226648B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
US10176987B2 (en) SiC epitaxial wafer and method for manufacturing the same
US20120231615A1 (en) Semiconductor thin-film manufacturing method, semiconductor thin-film manufacturing apparatus, susceptor, and susceptor holder
JP5616364B2 (ja) 化学気相成長システムおよび化学気相成長プロセス
EP2741316B1 (en) Epitaxial wafer manufacturing device and manufacturing method
JP2003086518A (ja) 炭化珪素膜のｃｖｄ方法、ｃｖｄ装置及びｃｖｄ装置用サセプター
JP2013521655A (ja) 傾斜縁を有するウエハキャリア
US11482416B2 (en) Vapor phase growth method
JP6541257B2 (ja) 炭化珪素膜の成膜装置のクリーニング方法
JP6562546B2 (ja) ウェハ支持台、ウェハ支持体、化学気相成長装置
CN110117814A (zh) 具有低密度c空位缺陷的碳化硅外延的制备方法
JP6335683B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置
JP2012248764A (ja) Ｃｖｄ装置
CN115595552B (zh) 用于等离子蚀刻设备的碳化硅环及碳化硅环的成型工艺
JP2011044744A (ja) 炭化珪素半導体
JP2021103720A (ja) エピタキシャル膜成長用ウエハ、エピタキシャル膜成長方法、除去方法、および、エピタキシャルウエハの製造方法
JP2015122540A (ja) 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置
JP2022095138A (ja) サセプタ、基板処理装置および基板処理方法
JP2015015399A (ja) ウェハ支持台、およびそのウェハ支持台が用いられてなる化学的気相成長装置
JP2008198857A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170912

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6226648

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350