JP2013046020A - 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段13と、酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段14と、フッ素含有ガス供給手段13及び酸素含有ガス供給手段14と接続され、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスを成膜チャンバー11内に供給するプラズマ発生手段15と、成膜チャンバー11からの排ガスを分析する排ガス分析手段19と、排ガス分析手段19の分析結果に基づき、フッ素含有ガス供給手段13、酸素含有ガス供給手段14、及びプラズマ発生手段15を制御する制御手段21と、を有する。
【選択図】図1
Description
このため、定期的なガスクリーニングによって処理チャンバーの内壁に堆積した炭化珪素(堆積層)を除去する方法が提案されている。
つまり、処理チャンバーの温度制御が難しく、コンタミが発生しにくい適切な条件(低温の条件)で付着物を除去することが困難であった。
また、特許文献1,2では、付着物を構成する炭化珪素の除去ができたか否かの判断ができない(言い換えれば、終点検知のシステムがない)ため、処理時間を長くして炭化珪素の除去処理を行なった場合、処理容器が破損する虞があり好ましくなかった。
図1は、本発明の実施の形態に係る炭化珪素成膜装置の概略構成を示す図である。
図1を参照するに、本実施の形態の炭化珪素成膜装置10は、処理チャンバー11と、図示していない加熱手段と、フッ素含有ガス供給手段13と、酸素含有ガス供給手段14と、プラズマ発生手段15と、真空ポンプ16と、ガス管17と、排ガス分析手段19と、制御手段21と、を有する。炭化珪素成膜装置10は、処理チャンバー11内に載置された基板(図示せず)に炭化珪素膜(以下、「炭化珪素膜A」という)を成膜する装置である。
また、炭化珪素膜Aの成膜プロセスでは、熱的特性により1500℃以上の高温に加熱することが必要とされる。このため、処理チャンバー11の内面を構成する部材についても1500℃以上の温度において安定であること求められる。
さらに、コストを考慮すると、処理チャンバー11の内面を構成する部材としては、母材がカーボンであって、かつ母材の表面を炭化ケイ素コートしたものを用いるとよい。
カーボンを炭化珪素コートした部材は、シリコン基板にデバイスを形成する半導体製造装置にも広く使用されており、フッ素含有ガス及び酸素含有ガスに対しても強い耐食性のある材料として実績がある。
炭化珪素は化学的に非常に安定しているため、単にプラズマ化したフッ素含有ガス及びプラズマ化した酸素含有ガスと付着物Bとを接触させただけでは十分な除去能力を得ることは難しい。
しかしながら、これらのガスは温暖化係数(GWP)の大きなガスであるため、温暖化の観点からあまり好ましくない。GWP値の小さいF2やHF等の低環境負荷ガスが好ましい。
プラズマ発生手段15の仕様は、プラズマ発生手段15に供給されるガスの組成、流量、圧力等によって決定される。
なお、排ガス分析手段19として、例えば、フーリエ変換型赤外分光計、紫外線吸収計、質量分析計、ガスクロマトグラフ等の分析計を用いてもよい。
制御手段21は、図示していない記憶部や演算部を有している。該記憶部には、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値、または二酸化炭素の濃度の閾値が格納されている。
一方、炭化珪素コートは、均質な炭化珪素の膜であり、反応は表面からその内部に一様に進んで行くことから、付着物Bに含まれる炭化珪素よりも除去されにくい。
これは、(111)面にはダングリングボンドを持ったSiが存在し、これが反応の起点になりやすいためと推測される。
このため、炭化珪素に含まれる珪素成分及び炭素成分の両方の成分を、フッ素含有ガスのみで除去可能な温度である350℃以上の温度となるように、成膜チャンバー11を加熱する。このように、350℃程度に加熱することで、炭化珪素に含まれる炭素成分とプラズマ発生手段15によりプラズマ化されたフッ素成分が反応し、四フッ化炭素として除去される。
制御手段21は、図示していない記憶部や演算部を有している。該記憶部には、予め入力された四フッ化珪素の濃度の閾値及び四フッ化炭素の濃度の閾値が格納されている。
次に、図1及び図3を参照して、本実施の形態の炭化珪素除去方法について説明する。
始めに、図3に示す処理が開始されると、STEP1では、図1に示す炭化珪素成膜装置10の処理チャンバー11内に、基板(図示せず)が搬入され、処理はSTEP2へと進む。
このとき、排ガス分析手段19が測定した排ガスの濃度の結果に基づいて、炭化珪素の除去処理を停止する。その後、処理はSTEP5へと進む。
これにより、処理チャンバー11の内面に付着するフッ素含有ガス成分や酸素含有ガス成分(STEP4で使用した付着物Bを除去するためのガス)の除去を行うことができる。
なお、加熱パージに使用するH2をArやHe等の希ガスで希釈してもよい。
なお、加熱パージに使用するプラズマ化したH2をArやHe等の希ガスで希釈してもよい。
また、この時の加熱温度としては、STEP4の処理時の成膜チャンバー11の温度をそのまま継続してもよいし、多少加熱してもよい。
また、STEP6において、炭化珪素膜Aを全ての基板に成膜していないと否定判定(Yesと判定)された場合、処理は、STEP1へと戻り、再度、STEP1の処理が行われる。
これにより、炭化珪素除去装置を用いて付着物Bの除去を行わなかった場合と比較して、炭化珪素膜Aの成膜の生産性を向上させることができる。
まず、第1のサンプルとして炭化珪素C(処理チャンバー11の内面を構成する部材の表面となる炭化珪素コートに相当する)よりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着したカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、第2のサンプルとして炭化珪素Cよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着していないカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、第3のサンプルとして市販の一般的な炭化珪素Eのカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、を準備した。
このときの処理条件としては、フッ素含有ガスとして三フッ化窒素(流量が100sccm)、酸素含有ガスとして酸素(流量が500sccm)、プラズマ発生手段15を2.56GHz(印加電力1000W)、処理チャンバー11内の圧力を2torr、処理時間を10分間とした。また、上記処理を行う際、第1〜第3のサンプルとプラズマ発生手段15との距離は15cmとした。
先に説明した第1〜第3のサンプルをそれぞれ4枚準備し、処理チャンバー11の温度を100℃、200℃、250℃、300℃、400℃とし、これ以外は、上記処理条件を用いて付着物Bの除去処理を行い、このときのエッチング速度を求めた。この結果を表2に示す。
この実験結果から、三フッ化窒素及び酸素を用いた処理では、処理チャンバー11の温度として300℃が最も好ましいことが確認できた。
次に、第1〜第3のサンプル(付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当する)とプラズマ発生手段15との距離を変化させて、付着物Bの除去処理を行い、炭化珪素C,D,Eのエッチング速度を調べた。このとき、第1〜第3のサンプル(付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当する)とプラズマ発生手段15との距離は、20cm、25cm、40cm、50cm、60cmに変えた。この結果を、表3に示す。
まず、第1のサンプルとして炭化珪素C(処理チャンバー11の内面を構成する部材の表面となる炭化珪素コートに相当する)よりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着したカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、第2のサンプルとして炭化珪素Cよりなり、該炭化珪素Cの表面に炭化珪素Dを含む付着物Bが付着していないカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、第3のサンプルとして市販の一般的な炭化珪素Eのカットサンプル(縦10mm×横10mm×厚さ2mm)と、を準備した。
このときの処理条件としては、フッ素含有ガスとして三フッ化窒素(流量が100sccm)、プラズマ発生手段15を2.56GHz(印加電力1000W)、処理チャンバー11内の圧力を2torr、処理時間を10分間とした。
また、上記処理を行う際、第1〜第3のサンプル(付着物Bが付着した成膜チャンバー11の内面に相当する)とプラズマ発生手段15との距離を90cmとした。また、上記所定の温度として、300℃、350℃、400℃、450℃を使用した。
本実験結果からは、三フッ化窒素を用いた場合、処理チャンバー11の温度としては400℃が最も好ましいことが確認できた。
次に、第1〜第3のサンプル(成膜チャンバー11の内面に相当する)とプラズマ発生手段15との距離を変化させて、付着物Bの除去処理を行い、炭化珪素C,D,Eのエッチング速度を調べた。このとき、第1〜第3のサンプルとプラズマ発生手段15との距離は、15cm、40cm、60cm、100cm、110cmに変えた。この結果を、表5に示す。
ただし、三フッ化窒素及び酸素を用いた処理と比較して、エッチング速度の減少傾向は緩やかなものとなった。一般的に、酸素ラジカルはフッ素ラジカルよりもその寿命は短いと言われており、本結果も同様な傾向となった。
本実験結果から、三フッ化窒素及びアルゴンを用いた処理では、少なくとも100cm以下が好ましいことが確認できた。
Claims (12)
- 表面粗さRaが10未満で、(111)面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、
フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、
酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給手段と、
前記フッ素含有ガス供給手段及び前記酸素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガス及び前記酸素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガス及びプラズマ化した前記酸素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、
前記成膜チャンバーから排出される排ガスを分析する排ガス分析手段と、
前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、前記酸素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、
を含み、
前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5〜1.5の範囲内であり、かつ(111)面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置。 - 前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、20cm以下であることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素成膜装置。
- 前記プラズマ化したフッ素含有ガス及び前記プラズマ化した酸素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを250〜300℃の温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の炭化珪素成膜装置。
- 前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び二酸化炭素を分析することを特徴とする請求項1ないし3のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。
- 表面粗さRaが10未満で、(111)面の占める比率が0.5以下であり、かつ厚さが200μm以上の炭化珪素コートで被覆されると共に、基板に炭化珪素膜を成膜する際に炭化珪素を含む付着物が内面に付着した成膜チャンバーと、
フッ素含有ガスを供給するフッ素含有ガス供給手段と、
前記フッ素含有ガス供給手段と接続され、前記フッ素含有ガスをプラズマ化させると共に、プラズマ化した前記フッ素含有ガスを前記成膜チャンバー内に供給するプラズマ発生手段と、
前記成膜チャンバーからの排ガスを分析する排ガス分析手段と、
前記排ガス分析手段の分析結果に基づき、前記フッ素含有ガス供給手段、及び前記プラズマ発生手段を制御する制御手段と、
を含み、
前記炭化珪素を含む付着物は、表面粗さRaが10以上で、SiCのみもしくはSiCとSiとの混合物でSi/Cの比が0.5〜1.5の範囲内であり、かつ(111)面の占める比率が0.5以上であることを特徴とする炭化珪素成膜装置。 - 前記成膜チャンバーの内面と前記プラズマ発生手段との間の距離が、100cm以下であることを特徴とする請求項5記載の炭化珪素成膜装置。
- 前記プラズマ化したフッ素含有ガスが供給される段階において、前記成膜チャンバーを350〜400℃の温度で加熱する加熱手段を設けたことを特徴とする請求項5または6記載の炭化珪素成膜装置。
- 前記排ガス分析手段として非分散式赤外線式分析計を用いると共に、前記非分散式赤外線式分析計により四フッ化珪素及び四フッ化炭素を分析することを特徴とする請求項5ないし7のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。
- 前記炭化珪素コートに替えて炭化タンタルコートを用いることを特徴とする請求項1ないし8のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置。
- 請求項1ないし9のうち、いずれか1項記載の炭化珪素成膜装置を用いた炭化珪素除去方法であって、
前記基板に前記炭化珪素膜を成膜後、前記炭化珪素コートの表面に付着した前記炭化珪素を含む付着物を選択的に除去することを特徴とする炭化珪素除去方法。 - 前記付着物を除去後で、かつ前記炭化珪素膜を成膜する前に、前記成膜チャンバー内をH2による加熱パージ処理することを特徴とする請求項10記載の炭化珪素除去方法。
- 前記H2をプラズマ化させることを特徴とする請求項11記載の炭化珪素除去方法。
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