JP2015040156A - グラフェン形成方法および形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ステップS101で、炭化シリコン(SiC)基板を用意する(第1工程)。次に、ステップS102で、SiC基板の表面の所望の加工箇所にパルスレーザーを照射して所望の箇所にグラフェンを形成する(第2工程)。例えば、波長248nmでパルス幅55nsのパルスパルスレーザーを照射する。光源としては、KrFエキシマパルスレーザーを用いればよい。
【選択図】 図1
Description
次に、グラフェン形成方法を実施するための形成装置について図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態における形成装置の構成を示す構成図である。この形成装置は、まず、ステージ201,レーザー光源202,エネルギー制御部203,ビーム形状制御部204,全反射ミラー205,半反射ミラー206,集光レンズ207を備える。
Claims (6)
- SiC基板を用意する第1工程と、
前記SiC基板の表面の所望の加工箇所にパルスレーザーを照射して前記所望の箇所にグラフェンを形成する第2工程と
を備えることを特徴とするグラフェン形成方法。 - 請求項1記載のグラフェン形成方法において、
前記第2工程では、前記パルスレーザーの照射パルス数および照射フルエンスを制御することで、形成される前記グラフェンの層数を制御することを特徴とするグラフェン形成方法。 - 請求項1または2記載のグラフェン形成方法において、
前記第2工程では、前記パルスレーザーの照射箇所を酸素を含まない雰囲気とすることを特徴とするグラフェン形成方法。 - 請求項3記載のグラフェン形成方法において、
前記酸素を含まない雰囲気は、アルゴンガス雰囲気であることを特徴とするグラフェン形成方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載のグラフェン形成方法の前記パルスレーザーを照射する形成装置であって、
前記基板を載置するステージと、
パルス形状を制御した前記パルスレーザーを前記グラフェンの所望の加工箇所に照射するレーザー照射手段と
を備えることを特徴とする形成装置。 - 請求項5記載の形成装置において、
前記パルスレーザーの照射箇所を所望とする酸素を含まない雰囲気とするガスを前記加工箇所に供給するガス供給手段を備えることを特徴とする形成装置。
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