JP2011118049A - 露光装置及び当該露光装置により作製されたナノインプリント用モールド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レジスト層がロール表面を被覆してなるロール状の部材にレーザー光でパルス露光してレジスト層に複数の露光部からなる露光パターンを形成する露光装置において、ロール状部材をロールの中心を軸に回転させる回転制御部と、ロール状部材の回転方向における露光パターンをロール状部材の回転と同期した基準信号に基づいて制御し、ロール状部材の回転方向と垂直なロール長手方向に露光を繰り返す露光部とを設ける。
【選択図】図1
Description
スピンドルモーターの回転に同期したエンコーダーの出力パルス数がスピンドルモーター1回転の間に3×105個であるエンコーダーを用い、スピンドルモーターの回転と同期した露光を行った。直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、オートフォーカスを掛けた状態で、ロール長手方向の露光ライン間隔を400nmとして、エンコーダーからの出力パルス1つにつき露光マークを1つ形成した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。本条件で形成した露光部の配列を原子間力顕微鏡(AFM)にて観察した結果、ロール長手方向に露光部の露光開始位置がきれいに揃った、ロール回転方向のピッチが418nmの露光部が形成されていることを確認した。
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数0.7MHz、duty50の信号をオートフォーカスを掛けた状態で、ロール1周に露光した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。この時、露光マーク部は未露光部分に比べ反射率が低下した。この露光ラインを再生専用光ピックアップで再生した信号を基準としスピンドルモーターの回転と同期した露光を行った。ロール長手方向の露光ライン間隔を400nmとして、再生した信号波形の立ち上がり毎に露光用光ピックアップからレーザーをパルス発光することで露光マークを形成した。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果、ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がきれいに揃った、ロール回転方向のピッチが1μmの露光マークが形成されていることを確認した。
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数5.6MHz、duty50の信号をオートフォーカスを掛けた状態で、ロール1周に露光した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。この時、露光マーク部は未露光部分に比べ反射率が低下した。この露光ラインを再生専用光ピックアップで再生した信号を基準としスピンドルモーターの回転と同期した露光を行った。再生にも波長405nmの半導体レーザーを用いた。ロール長手方向の露光ライン間隔を500nmとして、再生した信号波形のパルス2個分の長さで露光用光ピックアップからレーザーをパルス発光し、その後パルス3個分パルス発光させないように露光マークを形成した。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果を図6に示す。その結果、ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がきれいに揃った、ロール回転方向のピッチが625nmで250nmの露光マークが形成されていることを確認した。
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数5.6MHz、duty50の信号をオートフォーカスを掛けた状態でロール1周に露光した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。この時、露光マーク部は未露光部分に比べ反射率が低下した。この露光ラインを再生専用光ピックアップで再生した信号を基準としスピンドルモーターの回転と同期した露光を行った。ロール長手方向の露光ライン間隔を500nmとして、再生した信号波形のパルス4個分の長さで露光用光ピックアップからレーザーをパルス発光し、その後パルス3個分パルス発光させないように露光マークを形成した。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果を図8に示す。その結果、ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がきれいに揃った、ロール回転方向のピッチが875nmで500nmの露光マークが形成されていることを確認した。
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数1.67MHz、duty50の信号をオートフォーカスを掛けた状態で、ロール長手方向の露光ライン間隔を400nmとして、スピンドルモーターの回転と全く同期させずに露光マークを形成した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果、ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がばらばらな、ロール回転方向のピッチが418nmの露光マークが形成されていることを確認した。
[比較例2]
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数1.12MHz、パルス幅360nsecの信号をオートフォーカスを掛けた状態で、ロール長手方向の露光ライン間隔を500nmとして、スピンドルモーターの回転と全く同期させずに露光マークを形成した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果を図7に示す。その結果ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がばらばらな、ロール回転方向のピッチが625nmで250nmの露光マークが形成されていることを確認した。
[比較例3]
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数0.80MHz、パルス幅715nsecの信号をオートフォーカスを掛けた状態で、ロール長手方向の露光ライン間隔を500nmとして、スピンドルモーターの回転と全く同期させずに露光マークを形成した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果を図9に示す。その結果ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がばらばらな、ロール回転方向のピッチが875nmで500nmの露光マークが形成されていることを確認した。
[比較例4]
直径40mmの熱反応型レジストが被覆されたロールを線速度0.7m/secで回転させ、スピンドルモーターのZ相信号を基準にライトゲートを作製し、周波数0.80MHz、パルス幅715nsecの信号をオートフォーカスを掛けない状態で、ロール長手方向の露光ライン間隔を500nmとして、スピンドルモーターの回転と全く同期させずに露光マークを形成した。露光には波長405nmの半導体レーザーを用いた。本条件で形成した露光マークの配列をAFMにて観察した結果、ロール長手方向に露光マークの露光開始位置がばらばらな、ロール回転方向のピッチが875nmで500nmの露光マークが形成されていることを確認した。またオートフォーカスが掛かっていないので、ロール長手方向に±10mmの範囲で、各露光マークの長さは500nm±20nmのばらつきがあった。
12 露光制御部
13 回転制御部
41 ロール状部材
42 読取り部
43 露光制御部
44 回転制御部
Claims (18)
- レジスト層がロール表面を被覆してなるロール状部材にレーザー光でパルス露光して前記レジスト層に複数の露光部からなる露光パターンを形成する露光装置であって、
前記ロール状部材を前記ロールの中心を軸に回転させる回転制御部と、
前記ロール状部材の回転方向における前記露光パターンを前記回転制御部の回転と同期した基準信号に基づいて制御し、前記ロール状部材の回転方向と垂直なロールの長手方向に露光を繰り返す露光制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。 - 前記基準信号が前記回転制御部の回転に同期したエンコーダーからの出力パルスであることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記基準信号が予め前記レジスト層に形成された参照露光パターンを再生することで生成されることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 少なくとも2個以上の光ピックアップにより前記参照露光パターンの再生と前記レジスト層の露光が同時に行われることを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
- 前記基準信号が予め異なる複数の周期の種類に応じて前記レジスト層に形成された複数の参照露光パターンを再生することで生成されることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の露光装置。
- 異なる複数の基準信号に基づいて各々に予め設定された露光本数の露光ラインを形成することを特徴とする請求項5に記載の露光装置。
- 前記ロール部材の回転方向における前記露光部の長さ及び間隔の少なくとも一方が前記基準信号の出力パルスに対して複数個のパルス長で制御されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ロール長手方向に繰り返し露光される前記露光部の露光開始位置が、前記基準信号のスタートパルスからパルス数をカウントし、1種類のパルス数が露光開始パルスとして設定され、設定露光開始パルスの立ち上がりまたは立ち下がりのいずれか一方を基準としていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ロール長手方向に繰り返し露光される前記露光部の露光開始位置が、前記基準信号のスタートパルスからパルス数をカウントし、異なる2種類以上のパルス数が設定され1ライン毎に順次設定露光開始パルス数が1周毎に異なり、設定露光開始パルスの立ち上がりまたは立ち下がりのいずれか一方を基準としていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ロール部材の回転方向に周期的に露光される前記露光パターンのピッチ及び前記露光部のサイズが50nm以上1μm以下であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の露光装置。
- 前記ロール表面を被覆する前記レジスト層が熱反応型レジストからなることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の露光装置。
- 前記レーザーの波長が550nm以下であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載の露光装置。
- 前記レーザーが対物レンズにより収束されその焦点深度内に前記ロール基材表面が存在するようにオートフォーカスされることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の露光装置。
- 前記レーザーが半導体レーザーであることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の露光装置。
- 前記レーザーがXeF、XeCl,KrF、ArF、F2エキシマレーザーであることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の露光装置。
- 前記レーザーがNd:YAGレーザーの2倍波、3倍波、4倍波であることを特徴とする請求項1〜13のいずれかに記載の露光装置。
- 請求項1〜16のいずれかに記載の露光装置により作製されたロールツーロールナノインプリント用モールド。
- モールドに形成された露光パターンのピッチおよび露光部のサイズが50nm以上1μm以下であることを特徴とする請求項17に記載のロールツーロールナノインプリント用モールド。
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