JP2015029059A - 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 - Google Patents
半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 Download PDFInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 136
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 68
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L33/005—Processes
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Abstract
【課題】半導体基板表面への粘着層の残存を抑制する半導体片の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体片の製造方法は、半導体基板Wの表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分を有する表面側の微細溝400、410を異方性ドライエッチングで形成する工程と、表面側の微細溝400、410が形成された表面に粘着層164を有するダイシング用テープを貼り付ける工程と、半導体基板Wの裏面側から表面側の溝に沿って、表面側の微細溝400、410の幅より広い幅の裏面側の溝170を形成する工程と、裏面側の溝170の形成後に表面とダイシング用テープとを剥離する工程とを備える。
【選択図】図7
【解決手段】本発明に係る半導体片の製造方法は、半導体基板Wの表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分を有する表面側の微細溝400、410を異方性ドライエッチングで形成する工程と、表面側の微細溝400、410が形成された表面に粘着層164を有するダイシング用テープを貼り付ける工程と、半導体基板Wの裏面側から表面側の溝に沿って、表面側の微細溝400、410の幅より広い幅の裏面側の溝170を形成する工程と、裏面側の溝170の形成後に表面とダイシング用テープとを剥離する工程とを備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置に関する。
半導体ウエハの裏面側に太いダイシングソーで溝を形成し、半導体ウエハの表面側に細いダイシングソーで溝を形成することで、1枚の半導体ウエハから取得できるチップ数を向上させる方法が知られている(特許文献1)。また、ウエハの表面に化学的なエッチングにより一定の深さの溝を形成し、当該溝と対応するようにウエハの裏面からダイシングブレードにより溝を形成することにより半導体チップの切り出しを行う方法が提案されている(特許文献2、特許文献3)。
本発明は、半導体基板の表面への粘着層の残存を抑制する半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置を提供することを目的とする。
請求項1は、基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分を有する表面側の溝を異方性ドライエッチングで形成する工程と、前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を形成する工程と、前記裏面側の溝の形成後に前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、を備える半導体片の製造方法。
請求項2は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングの強度を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の強度から、当該第1の強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれる保護膜形成用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも少ない第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも多い第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記表面側の溝は、前記第1の溝部分の最下部から、当該最下部の幅よりも狭くならずに前記基板の裏面側に向かう第2の溝部分を有する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記第1の溝部分は、前記保持部材を前記表面に貼り付けた時点において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5に記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、前記第1の溝部分は、切削部材で前記裏面側の溝を形成した後において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5または6に記載の半導体片の製造方法。
請求項8は、前記裏面側の溝は回転する切削部材で形成される請求項1ないし7に記載の半導体片の製造方法。
請求項9は、請求項1ないし8のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法を実施した場合、前記表面と前記保持部材とを剥離した後に前記粘着層が残存するときは、前記製造方法を他の基板に適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。
請求項10は、基板の表面から裏面に向けて異方性ドライエッチングで表面側の溝を形成する工程と、前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を形成する工程と、前記裏面側の溝の形成後に、前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、を備える半導体片の製造方法であって、前記製造方法を実施した場合、前記基板に前記粘着層が残存するときは、前記基板と異なる他の基板に前記製造方法を適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。
請求項11は、請求項1ないし10いずれか1つに記載の製造方法によって製造された少なくとも1つの半導体片を実装する回路基板。
請求項12は、請求項11に記載の回路基板を実装する画像形成装置。
請求項2は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングの強度を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の強度から、当該第1の強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれる保護膜形成用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも少ない第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも多い第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記表面側の溝は、前記第1の溝部分の最下部から、当該最下部の幅よりも狭くならずに前記基板の裏面側に向かう第2の溝部分を有する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記第1の溝部分は、前記保持部材を前記表面に貼り付けた時点において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5に記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、前記第1の溝部分は、切削部材で前記裏面側の溝を形成した後において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5または6に記載の半導体片の製造方法。
請求項8は、前記裏面側の溝は回転する切削部材で形成される請求項1ないし7に記載の半導体片の製造方法。
請求項9は、請求項1ないし8のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法を実施した場合、前記表面と前記保持部材とを剥離した後に前記粘着層が残存するときは、前記製造方法を他の基板に適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。
請求項10は、基板の表面から裏面に向けて異方性ドライエッチングで表面側の溝を形成する工程と、前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を形成する工程と、前記裏面側の溝の形成後に、前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、を備える半導体片の製造方法であって、前記製造方法を実施した場合、前記基板に前記粘着層が残存するときは、前記基板と異なる他の基板に前記製造方法を適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。
請求項11は、請求項1ないし10いずれか1つに記載の製造方法によって製造された少なくとも1つの半導体片を実装する回路基板。
請求項12は、請求項11に記載の回路基板を実装する画像形成装置。
請求項1によれば、基板の表面から一定幅の表面側の溝部分が形成される異方性ドライエッチングを用いる場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項2によれば、異方性エッチングの強度を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成できる。
請求項3によれば、保護膜形成用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項4によれば、エッチング用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項5によれば、第2の溝部分を形成しない場合と比較し、裏面側の溝を形成する際の基板の破損を抑制できる。
請求項6によれば、粘着層が第3の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項7によれば、裏面側の溝の形成に伴い粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項8によれば、粘着層が残存しやすい場合において、粘着層の残存を抑制できる。
請求項9によれば、異方性ドライエッチングの条件を変更しない場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項10によれば、異方性ドライエッチングの条件を変更しない場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項2によれば、異方性エッチングの強度を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成できる。
請求項3によれば、保護膜形成用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項4によれば、エッチング用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項5によれば、第2の溝部分を形成しない場合と比較し、裏面側の溝を形成する際の基板の破損を抑制できる。
請求項6によれば、粘着層が第3の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項7によれば、裏面側の溝の形成に伴い粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項8によれば、粘着層が残存しやすい場合において、粘着層の残存を抑制できる。
請求項9によれば、異方性ドライエッチングの条件を変更しない場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項10によれば、異方性ドライエッチングの条件を変更しない場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
本発明の半導体片の製造方法は、例えば、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハなどの基板状の部材を分割(個片化)して、個々の半導体片(半導体チップ)を製造する方法に適用される。基板上に形成される半導体素子は、特に制限されるものではなく、発光素子、能動素子、受動素子等を含むことができる。好ましい態様では、本発明の製造方法は、発光素子を含む半導体片を基板から取り出す方法に適用され、発光素子は、例えば、面発光型半導体レーザー、発光ダイオード、発光サイリスタであることができる。1つの半導体片は、単一の発光素子を含むものであってもよいし、複数の発光素子をアレイ状に配置されたものであってもよく、さらに1つの半導体片は、そのような1つまたは複数の発光素子を駆動する駆動回路を包含することもできる。また、基板は、例えば、シリコン、SiC、化合物半導体、サファイア等で構成される基板であることができるが、これらに限定されず、少なくとも半導体を含む基板(以下、総称して半導体基板という)であれば他の材料の基板であってもよい。なお、好ましい態様では、面発光型半導体レーザーや発光ダイオード等の発光素子が形成される、GaAs等のIII−V族化合物半導体基板である。
以下の説明では、複数の発光素子が半導体基板上に形成され、当該半導体基板から個々の半導体片(半導体チップ)を取り出す方法について図面を参照して説明する。なお、図面のスケールや形状は、発明の特徴を分かり易くするために強調しており、必ずしも実際のデバイスのスケールや形状と同一ではないことに留意すべきである。
図1は、本発明の実施例に係る半導体片の製造工程の一例を示すフローである。同図に示すように、本実施例の半導体片の製造方法は、発光素子を形成する工程(S100)、レジストパターンを形成する工程(S102)、半導体基板の表面に微細溝を形成する工程(S104)、レジストパターンを剥離する工程(S106)、半導体基板の表面にダイシング用テープを貼付ける工程(S108)、半導体基板の裏面からハーフダイシングをする工程(S110)、ダイシング用テープに紫外線(UV)を照射し、半導体基板の裏面にエキスパンド用テープを貼付ける工程(S112)、ダイシング用テープを剥離し、エキスパンド用テープに紫外線を照射する工程(S114)、半導体片(半導体チップ)をピッキングし、回路基板等にダイマウントする工程(S116)を含む。図2(A)ないし(D)、および図3(E)ないし(I)に示す半導体基板の断面図は、それぞれステップS100ないしS116の各工程に対応している。
発光素子を形成する工程(S100)では、図2(A)に示すように、GaAs等の半導体基板Wの表面に、複数の発光素子100が形成される。発光素子100は、例えば、面発光型半導体レーザー、発光ダイオード、発光サイリスタ、等である。なお、図面には、発光素子100として1つの領域を示しているが、1つの発光素子100は、個片化された1つの半導体片に含まれる素子を例示しており、1つの発光素子100の領域には、1つの発光素子のみならず、複数の発光素子やその他の回路素子が含まれ得ることに留意すべきである。
図4は、発光素子の形成工程が完了したときの半導体基板Wの一例を示す平面図である。図面には、便宜上、中央部分の発光素子100のみが例示されている。半導体基板Wの表面には、複数の発光素子100が行列方向にアレイ状に形成されている。1つの発光素子100の平面的な領域は、概ね矩形状であり、各発光素子100は、一定間隔Sを有するスクライブライン等で規定される切断領域120によって格子状に離間されている。
発光素子の形成が完了すると、次に、半導体基板Wの表面にレジストパターンが形成される(S102)。図2(B)に示すように、レジストパターン130は、半導体基板Wの表面のスクライブライン等で規定される切断領域120が露出されるように加工される。レジストパターン130の加工は、フォトリソ工程によって行われる。
次に、半導体基板Wの表面に微細な溝が形成される(S104)。図2(C)に示すように、レジストパターン130をマスクに用い、半導体基板Wの表面に一定の深さの微細な溝(以下、便宜上、微細溝または表面側の溝という)140が形成される。このような溝は、例えば、異方性エッチングにより形成でき、好ましくは、異方性ドライエッチングである異方性プラズマエッチング(リアクティブイオンエッチング)により形成される。厚みの薄いダイシングブレードや等方性エッチング等で形成してもよいが、異方性ドライエッチングを用いることで、等方性エッチングで表面側の溝を形成するよりも、幅が狭くても深い溝を形成することができ、かつダイシングブレードを使用したときよりも微細溝周辺の発光素子100に振動や応力等が影響するのを抑制することができるため、好ましい。微細溝140の幅Saは、レジストパターン130に形成された開口の幅とほぼ等しく、微細溝140の幅Saは、例えば、数μmから十数μmである。また、その深さは、例えば、約10μmから100μm程度であり、少なくとも発光素子等の機能素子が形成される深さよりも深く形成される。微細溝140を一般的なダイシングブレードによって形成した場合には、切断領域120の間隔Sが、ダイシングブレード自体の溝幅及びチッピング量を考慮したマージン幅の合計として40ないし60μm程度と大きくなる。一方、微細溝140を半導体プロセスで形成した場合には、溝幅自体が狭いだけでなく切断のためのマージン幅もダイシングブレードを使用した場合のマージン幅より狭くすることが可能となり、言い換えれば、切断領域120の間隔Sを小さくすることができ、このため、発光素子をウエハ上に高密度に配置して半導体片の取得数を増加させることができる。なお、本実施例における「表面側」とは発光素子等の機能素子が形成される面側をいい、「裏面側」とは「表面側」とは反対の面側をいう。
次に、レジストパターンを剥離する(S106)。図2(D)に示すように、レジストパターン130を半導体基板の表面から剥離すると、表面には切断領域120に沿って形成された微細溝140が露出される。なお、微細溝140の形状の詳細については後述する。
次に、紫外線硬化型のダイシング用テープを貼り付ける(S108)。図3(E)に示すように、発光素子側に粘着層を有するダイシング用テープ160が貼り付けられる。次に、基板裏面側からダイシングブレードにより微細溝140に沿ってハーフダイシングが行われる(S110)。ダイシングブレードの位置決めは、基板裏面側に赤外線カメラを配置し、基板を透過して間接的に微細溝140を検知する方法や、基板表面側にカメラを配置し、直接、微細溝140の位置を検知する方法や、その他の公知の方法が利用できる。このような位置決めによって、図3(F)に示すように、ダイシングブレードによりハーフダイシングが行われ、半導体基板の裏面側に溝170が形成される。溝170は、半導体基板の表面に形成された微細溝140に到達する深さを有する。ここで、微細溝140はダイシングブレードによる裏面側に溝170よりも狭い幅で形成されているが、これは、微細溝140を裏面側の溝170よりも狭い幅で形成すれば、ダイシングブレードのみで半導体基板を切断する場合と比較し、一枚のウエハから取得できる半導体片の数が増やせるためである。なお、図2(C)に示す数μmから十数μm程度の微細溝を半導体基板の表面から裏面に至るまで形成できれば、そもそもダイシングブレードを用いて裏面側の溝を形成する必要なないが、そのような深さの微細溝を形成することは容易でない。よって、図3(F)に示すように、ダイシングブレードによる裏面からのハーフダイシングを組み合わせている。
次に、ダイシング用テープへ紫外線(UV)を照射し、またエキスパンド用テープを貼り付ける(S112)。図3(G)に示すようにダイシング用テープ160に紫外線180が照射され、その粘着層が硬化される。その後、半導体基板の裏面にエキスパンド用テープ190が貼り付けられる。
次に、ダイシング用テープを剥離し、エキスパンド用テープに紫外線を照射する(S114)。図3(H)に示すように、ダイシング用テープ160が半導体基板の表面から剥離される。また、基板裏面のエキスパンド用テープ190に紫外線200が照射され、その粘着層が硬化される。エキスパンド用テープ190は、基材に伸縮性を有し、ダイシング後に個片化した半導体片のピックアップが容易になるようにテープを伸ばし、発光素子の間隔を拡張する。
次に、個片化された半導体片のピッキングおよびダイマウントを行う(S116)。図3(I)に示すように、エキスパンド用テープ190からピッキングされた半導体片210が、接着剤やはんだ等の導電性ペーストなどの固定部材220を介して回路基板230上に実装される。
次に、ダイシングブレードによるハーフダイシングの詳細について説明する。図5は、図3(F)に示すダイシングブレードによるハーフダイシングをしたときの拡大された断面図を上下反転した状態を示している。なお、図3は、基板表面に形成された発光素子100を強調して表示したが、図5は、基板表面に発光素子を明示していないが、発光素子は図3のときと同様に基板表面に形成されているものとする。
図5に示すように、ダイシングブレード300は、微細溝140に沿って、回転しながら半導体基板Wを裏面から切削して、半導体基板W内に溝170を形成する。ダイシングブレード300は、例えば、円盤状の切削部材であり、ここには、先端部が一定の厚みをもつ例が示されているが、先端部が先細りするようなダイシングブレードであってもよい。ダイシングブレード300により形成された溝170(カーフ幅)は、ダイシングブレード300の厚みとほぼ等しい幅を有し、当該溝170は、微細溝140に通じる深さに加工される。なお、ダイシングブレード300は、半導体基板Wの外側で、半導体基板Wの裏面と平行な方向の位置合わせがされる。更に、半導体基板Wの裏面と垂直な方向Yに所定量だけ移動されることで、溝170と微細溝140との接続部に形成される段差により形成される段差部800が、Y方向に所望の厚みTを有するように半導体基板Wの厚み方向の位置合わせがなされる。そして、半導体基板Wの外側で位置合わせがなされた後、ダイシングブレード300を回転させた状態で、ダイシングブレード300または半導体基板Wの少なくとも一方を、半導体基板Wの裏面と平行な方向に移動させることで、半導体基板Wに溝170を形成する。なお、段差部800は、溝170と微細溝140との接続部に形成される段差と半導体基板Wの表面との間の部分であるが、言い換えると、溝170の幅と微細溝140の幅との差により形成される庇形状の部分である。
ダイシングブレード300によるハーフダイシングが行われるとき、基板表面には、ダイシング用テープ160が貼り付けられる。ダイシング用テープ160は、テープ基材162と、その上に積層された粘着層164とを含む。粘着層164は、紫外線硬化型樹脂から構成され、紫外線が照射される前までは、一定の粘度または粘性を有し、紫外線が照射されると硬化してその粘着性が失われる性質を有する。このため、ダイシング用テープ160が貼り付けられたとき、粘着層164は、微細溝140を含む基板表面に接着し、ダイシング後に半導体片が離脱しないようにこれらを保持する。
図5の切断ラインA2において、半導体基板Wの切削中、ダイシングブレード300の回転やダイシングブレード300と半導体基板Wの相対的な移動などにより、溝170の内壁を介して半導体基板Wに振動Bおよび切削圧力Pが印加される。切削圧力Pにより半導体基板WがY方向に押圧されると、粘性のある粘着層164が流動して微細溝140内に入り込む。また、振動Bが微細溝140の近傍に伝達されることで、粘着層164の流動を助長する。さらに、ダイシングブレード300による切削では、切粉混じりの切削水流(ジェット水流)が溝170に供給され、この切削水流により微細溝140が拡張する方向に圧力P1を受けるため、粘着層164の進入がさらに助長され得る。その結果、後述する本実施例の順テーパ形状を有さない微細溝の場合、例えば、約5μmの幅の微細溝140内に、約10μm程度の進入深さで粘着層164が入り込む場合がある。そこで、本実施例では、半導体片の取得数を向上させる等の理由で表面側の溝幅を裏面側の溝幅よりも狭して半導体片を製造する方法であっても、裏面側の溝が回転する切削部材で形成される場合には、半導体片の取得数が若干犠牲になるものの、後述する順テーパ形状の微細溝を形成するようにしている。
なお、ダイシングが終了した切断ラインA1では、隣の切断ラインA2の切削中に、微細溝140が幅方向に狭まるような圧力を受けるため、微細溝140に入り込んだ粘着層164がさらに内部に入り込みやすくなると考えられる。切断前の反対側の切断ラインA3では、粘着層164が貼付されただけであるため、微細溝140内に粘着層164が入り込む量は相対的に少ないと考えられる。
ダイシングブレード300によるハーフダイシングが終了すると、基板裏面にエキスパンド用テープ190が貼り付けられ、次に、ダイシング用テープ160へ紫外線180が照射される。紫外線が照射された粘着層164は硬化し、その粘着力が失われる(図3(G))。次に、ダイシング用テープが基板表面から剥離される。図6は、ダイシング用テープを剥離するときの粘着層の残存を説明する断面図である。基板裏面に貼付されたエキスパンド用テープ190、テープ基材192と、その上に積層された粘着層194とを含み、切断された半導体片は粘着層194によって保持されている。
ダイシング用テープ160と基板表面とが剥離されるとき、微細溝140内に入り込んだ粘着層164aは、深い位置まで進入しているため、その一部が十分に紫外線によって照射されず、未硬化になってしまう場合がある。未硬化の粘着層164は、粘着性を有しているため、粘着層164が基板表面から剥離されるとき、未硬化の粘着層164aが切れ、粘着層164aが微細溝140内に残存したり、あるいは基板表面に再付着して残存し得る。また、仮に硬化した状態であっても、粘着層164aは狭い微細溝に深く侵入しているため、剥離する際の応力によりちぎれて残存し得る。もし、残存した粘着層164bが発光素子の表面に再付着されてしまうと、発光素子の光量に低下をきたし、発光素子が不良品とされ、歩留まりが低下することになる。また、発光素子以外の半導体チップであっても、粘着層164bが残存することでチップの外観検査等で不良と判定されるなど、その他の悪影響が想定される。このため、ダイシング用テープの剥離時に、粘着層164a、164bが基板表面に残存することは好ましいものではない。本実施例では、基板表面に形成される微細溝の形状を後述するように順テーパ形状に変更することで、ダイシング用テープの剥離時に粘着層が微細溝内や基板表面などに残存するのを抑制するようにする。
なお、複数の発光素子100がメサ形状で形成されている場合、発光素子100が凸部を形成し、発光素子100と他の発光素子100との間が凹部となり、この凹部に微細溝140が形成されることが多い。このような構成では、凸部だけでなく、凹部に形成された微細溝140の入り口部分にも粘着層164を追従させるように貼りつけることで、切粉混じりの切削水流が基板表面側に侵入しないようにする構成が考えられる。ただし、微細溝140の入り口部分に粘着層164を追従させるようにするためには、十分な厚みの粘着層164を有するダイシング用テープが必要となるため、これにより粘着層164がより微細溝140の深くに入り込みやすくなる。よって、このような粘着層164が微細溝140の深くに入り込みやすい条件において、後述する本実施例の順テーパ形状の微細溝を適用することにより、粘着層164の残存に対してより高い効果が得られる。
また、半導体基板の表面から垂直な微細溝を形成した場合において、粘着層164が微細溝の溝幅の距離よりも深く侵入する場合、つまり、粘着層164のうち微細溝内の粘着層164aの形状が縦長になる場合は、縦長にならない場合と比較し、粘着層164を剥離する際に、微細溝内の粘着層164aの根元部分にかかる応力によりちぎれやすく、残存しやすくなると考えられる。よって、本実施例の順テーパ形状を適用しない場合において微細溝内の粘着層164aの形状が縦長になるような微細溝の幅や粘着層164の厚み等の製造条件において、後述する本実施例の順テーパ形状の微細溝を適用することにより、粘着層164の残存に対してより高い効果が得られる。
次に、本発明の実施例による好ましい微細溝の形状について説明する。図7(A)は、本実施例の第1の好ましい微細溝の形状を示す断面図、図7(B)は、図7(A)の微細溝内に進入した粘着層への紫外線照射を説明する図である。
図7(A)に示すように、本実施例の微細溝400は、基板表面の開口幅Sa1から深さDの底部の幅Sa2(Sa1>Sa2)まで、開口幅Sa1が狭くなるように傾斜した対向する直線状の側面402、404を含む(このような傾斜を順テーパ形状という)。言い換えると、微細溝400は、半導体基板Wの表面の開口幅Sa1から深さDに至るまで幅が徐々に狭くなる形状を有している。開口幅Sa1は、例えば、おおよそ数μm〜十数μm程度である。深さDは、発光素子などの回路が形成される深さよりも深く、裏面側から溝170を形成した場合に、溝170と微細溝400との幅の差により形成される段差部800が破損しない深さとする。微細溝400が浅すぎる場合は、裏面側から溝170を形成したときに、ダイシングブレード300による応力によって段差部800が破損する場合があるため、破損しない深さとする必要がある。一方、微細溝400が深すぎる場合は、深い溝によって半導体基板の強度が弱くなるため、微細溝140を形成した後の工程での半導体基板Wの取り扱いが浅い場合と比べて難しくなる。よって、必要に以上に深く形成しないことが好ましい。そのような深さDは、一般的な厚みの半導体基板であれば、例えば、10μmから100μm程度である。また、微細溝400は、好ましくは、異方性ドライエッチングにより形成され、側面402、404の傾斜角は、フォトレジストの形状やエッチング条件等を変更することで適宜選択可能である。
図7(B)に示すように、ダイシングブレード300の切削によりカーフ幅Sbの溝170が形成され、溝170が微細溝400に繋がる。溝170の幅(カーフ幅Sb)は、例えば20〜60μm程度である。ダイシングブレード300からの圧力や振動等の応力によって、粘着層164の一部が順テーパ形状の微細溝400内に進入し、エキスパンド用テープの貼り付け後に、基板表面側からの紫外線180によってダイシング用テープ160が照射される。このとき、微細溝400が順テーパ形状に加工されているため、紫外線180は、半導体基板Wによって遮蔽されることなく、微細溝400内の粘着層164aを十分に照射し、微細溝400内の粘着層164aが硬化され易くなる。その結果、ダイシング用テープ160と基板表面とを剥離するとき、微細溝400内の粘着層164aは、微細溝400の開口幅が同じであっても、垂直形状の場合と比較して粘着性を失っており、基板表面および微細溝400から離脱され易く、粘着層が基板表面に再付着することが抑制される。さらに微細溝400の順テーパ形状は、溝形状が傾斜しているため、微細溝400内に押し込まれた粘着層164aが硬化されていない場合であっても垂直な微細溝と比較して抜け易くなり、粘着層164aの離脱を助長する。
図7(C)は、本実施例の第2の好ましい微細溝の形状を示す断面図である。第2の好ましい微細溝410は、基板表面の開口幅Sa1から深さDの途中の幅Sa2まで順方向に傾斜した対向する側面412、414の溝部分と、幅Sa2から底部までのほぼ垂直な対向する側面412a、414aの溝部分とを含む。側面412、414による傾斜した溝部分の深さDは、ダイシング用テープ160が貼りつけられた時点で、粘着層164が進入する深さよりも深いことが好ましい。深さDよりも深い溝部分の幅は順テーパ形状の溝幅よりも狭いため、ダイシングブレードの振動や応力による溝幅の変動の比率が順テーパ形状の溝部分よりも大きくなる。よって、ダイシング用テープ160が貼りつけられた時点で既に深さDよりも深い溝部分に粘着層164が侵入している場合、ダイシングブレードの振動や応力により溝のより深くまで粘着層164が侵入し得る。よって、深さDは、ダイシング用テープ160が貼りつけられた状態において、粘着層164が進入する深さよりも深いことが好ましい。
また、深さDは、ダイシングブレードで裏面側の溝が形成された後において、粘着層164が深さDよりも深い溝部分に侵入していない状態を保てる深さであることが好ましい。これは、深さDよりも深い溝部分に粘着層164が侵入している場合、剥離の際に、より残存しやすくなるためである。なお、微細溝全体の深さなど、その他の条件は図7(A)と同じである。
ここで、図7(A)のように順テーパ形状のみにより、微細溝を深く形成しようとすると、開口部Sa1を広くする必要がある。また、開口部Sa1を狭いまま順テーパ形状のみで微細溝400を深く形成しようとするとテーパ角が急角度になるため、微細溝400内に粘着層164が残留し易くなる。一方、図7(C)の形状では、開口部Sa1の幅は微細溝内に粘着層が残留しがたい幅に保ちつつ、所望の深さの微細溝を形成しやすくなる。所望の深さの微細溝を形成できれば、裏面側から微細溝410の幅よりも広い幅の溝170を形成した場合に、微細溝の深さが浅い場合と比べて段差部の破損が抑制される。
なお、図7(C)では、順テーパ形状の最下部から基板の裏面に向けて、ほぼ垂直で幅が変わらない溝部分を開示しているが、垂直である必要はなく、順テーパ形状の最下部の幅よりも狭くならずに半導体基板の裏面に向かう形状であればよい。このような形状であれば、図7(A)に開示する構成と比較し、微細溝の開口幅を広げなくても、所望の深さの微細溝410が形成しやすくなる。
また、半導体基板の表面から垂直な微細溝を形成した場合において、粘着層164が微細溝の溝幅の距離よりも深く侵入する場合、つまり、粘着層164のうち微細溝内の粘着層164aの形状が縦長になる場合は、縦長にならない場合と比較し、粘着層164を剥離する際に、微細溝内の粘着層164aの根元部分にかかる応力によって、残存しやすくなる。よって、垂直な微細溝形を形成した際に微細溝内の粘着層164aの形状が縦長になるような、微細溝の幅や粘着層164の厚み等の製造条件において、図7(C)のように微細溝の入り口部分を順テーパ形状とするのが好ましい。すなわち、順テーパ形状の溝部分よりも下方に位置する溝部分の溝幅が、微細溝410全体がこの溝幅で形成されていると仮定した場合において粘着層が入り込む深さよりも狭い幅である場合に、その溝の入り口部分を順テーパ形状とすれば、粘着層164の残存に対してより高い効果が得られる。
図7(C)の微細溝に対して、ダイシングブレード300の切削によりカーフ幅Sbの溝170を形成すると、図7(D)に示すように、溝170が微細溝410に繋がる形状となる。図7(B)のときと同様に、粘着層164の一部164aが微細溝410内に進入するが、微細溝410の順テーパ形状の溝部分(側面412、414)の深さDを、粘着層164aが入り込む深さよりも深く形成すれば、微細溝410内の粘着層164aは紫外線によって十分に照射され、硬化され易い。このため、ダイシング用テープの剥離時に、微細溝410や基板表面に粘着層が残存することが抑制される。また、微細溝410の側面が傾斜を有するため、微細溝410内に押し込まれた粘着層164aが硬化されていない場合であっても抜け易くなり、粘着層164aの離脱を助長する。
図8(A)は、本実施例の第3の好ましい微細溝の形状を示す断面図である。同図に示すように、第3の好ましい微細溝420は、第2の好ましい微細溝410の垂直形状の溝部分を逆テーパ形状の溝部分に変更したものである。すなわち、微細溝420は、基板表面の開口幅Sa1から深さDの途中の幅Sa2まで順方向に傾斜した対向する側面422、424の溝部分と、幅Sa2から底部の幅Sa3まで逆方向に傾斜した対向する側面422a、424aの溝部分とを含む。Sa1>Sa2、Sa3>Sa2の関係にある。Sa1とSa3との関係は任意であるが、好ましくは、Sa3>Sa1である。また、微細溝の深さなどの条件は、図7(A)ないし図7(D)と同じである。なお、ダイシングブレード300による溝170を形成する際に、微細溝420と溝170が確実に接続されるようにするため、ダイシングブレード300の先端部は、図8(A)に示すように、微細溝420の最下部よりも、半導体基板Wの表面により近い位置まで切削する。この場合においては、後に説明するダイシングブレード300による応力の関係から、微細溝420と溝170との境界部分での微細溝420の幅が、深さDにおける微細溝420の幅よりも広いことが好ましい。
図8(B)に示すように、ダイシングブレード300による切断中に、微細溝420内に粘着層164の一部164aが進入するが、微細溝420を、粘着層164aが微細溝420内に入り込む深さよりも大きい深さDの順テーパ形状の溝部分(側面422、424)を有するように形成すれば、微細溝420内の粘着層164aは紫外線によって十分に照射され、硬化され易い。このため、ダイシング用テープの剥離時に、粘着層が微細溝420や基板表面に残存することが抑制される。また、微細溝420の側面が傾斜を有するため、微細溝420内に押し込まれた粘着層164aが硬化されていない場合であっても抜け易くなり、粘着層164aの離脱を助長する。
このように本実施例によれば、微細溝400、410、420は、少なくとも基板表面の開口幅が底部に向けて狭くなるような順テーパ形状の溝部分を含んで構成されるため、ダイシング用テープの粘着層が微細溝内に入り込んだとしても、順テーパ形状でない場合と比較して、微細溝内の粘着層の全体を紫外線で照射し、硬化させその粘着性を失わせ易くなる。更に、順テーパ形状であるため、ダイシング用テープの剥離時に、順テーパ形状でない場合と比較して、粘着層が途切れることが抑制され、一体となって微細溝や基板表面から剥離され易くなる。
なお、図7(A)ないし(D)、図8(A)、(B)は、微細溝の特徴を分かり易く説明するために模式的に描かれたものであり、実際に形成される微細溝の側面等には、段差や凹凸が含まれたり、曲線形状で形成されたりすることに留意すべきである。例えば、表面側の微細溝は、幅が直線的に徐々に狭くなる形状として開示しているが、直線的である必要はなく、幅が徐々に狭くなる形状であれば、曲線を有する形状などであってもよい。また、例えば、階段状に徐々に狭くなる形状であってもよい。ただし、階段状に徐々に狭くなる形状よりも連続的に徐々に狭くなる形状の方が、粘着層の残存を抑制する観点からは好ましい。
また、図7(A)ないし(D)、図8(A)、(B)は、いずれの図も、基板表面の開口幅Sa1が溝170の幅よりも狭い形態を開示しているが、これは、基板表面の開口幅Sa1が溝170の幅よりも狭い構成であれば、溝170の幅のままフルダイシングする方法と比較し半導体片の取得数を増やすことができるためである。ここで、一般的には、半導体片の取得数を増やすためには、表面側の溝は等方性エッチングやダイシングブレードで表面側の溝を形成するよりも、より幅が狭く垂直な形状の溝が形成しやすい異方性ドライエッチングで形成するのがよいが、異方性ドライエッチングを採用することで、単に、幅が狭く垂直な溝形状を形成してしまうと、粘着層の残存の観点からは好ましくない。一方、粘着層の残存に着目すると、幅が狭く垂直な形状の溝となる異方性ドライエッチングで表面側の溝を形成するよりも、微細溝の開口が垂直な形状にならない等方性エッチングなどで形成するのがよいが、等方性エッチングでは、幅が狭く深い溝は形成しにくい。そこで、本実施例では、異方性ドライエッチングであっても、図7(A)ないし(D)、図8(A)、(B)に示す形状の微細溝を形成することで、半導体片の取得数向上と粘着層の残存抑制の両立が図れる。
図9(A)、(B)は、微細溝が逆テーパ形状に加工されたときの比較例である。図9(A)に示すように、微細溝500は、開口幅Sa1よりも底部の幅Sa2が大きくなるように対向する傾斜した側面502、504を有する、いわゆる逆テーパ形状の溝に加工されている。図9(B)に示すように、逆テーパ形状の微細溝500内に粘着層164の一部164aが進入したとき、開口幅Sa1の間口が狭くなるため、紫外線180の一部が半導体基板Wによって遮蔽され易く、粘着層164aの周縁部165(図中、塗潰し部分)に紫外線が十分に照射されず、ある未硬化の粘着層165が多く残り易くなる。このため、ダイシング用テープの剥離のときに、順テーパ形状である場合と比較して、粘着性のある粘着層165が途切れ易く、微細溝内に残存したり、あるいは基板表面等に再付着してしまう。さらに、逆テーパ形状であるため、微細溝500内に押し込まれた硬化した粘着層164がスムースに抜け難くなる。
図9(C)、(D)は、微細溝がほぼ垂直形状に加工されたときの比較例である。図9(C)に示すように、微細溝510は、基板表面の開口幅Sa1の垂直な対向する側面512、514を含む、いわゆる垂直形状の溝に加工されている。図9(D)に示すように、垂直形状の微細溝510内に進入された粘着層164aは、微細溝の幅Sa1に対して深く内部に入り込んでいるため、順テーパ形状である場合と比較して、粘着層164aの全体が十分に紫外線180によって照射されず、その周縁部の一部の粘着層166が未硬化になり易い。未硬化の粘着層166は、図9(A)の逆テーパ形状のときの粘着層165より少ないが、このような粘着層166は、ダイシング用テープの剥離時に、微細溝510や基板表面に残存、あるいは再付着し得る。
次に、本実施例の微細溝の第1の製造方法について説明する。図10は、図7(A)に示す微細溝の製造方法の工程を示す断面図である。図10(A)に示すように、複数の発光素子が形成された半導体基板W(GaAs基板)の表面に、フォトレジスト600が塗布される。フォトレジスト600は、例えば、粘性100cpiのi線レジストであり、数μm程度の厚さに形成される。公知のフォトリソ工程、例えばi線ステッパー、TMAH2.38%の現像液を用いて、フォトレジスト600に開口610が形成される。開口610は、図2(A)において説明したように切断領域120を露出させるために形成され、また、開口610の幅は、ほぼ一定であり、すなわち開口610は、ほぼ垂直な側壁を有する。
次に、図10(B)に示すように、フォトレジスト600が軟化するような高温でフォトレジスト600をベークし、順テーパ形状の側面の開口610Aに加工する。具体的には、ベーク温度とベーク時間を調整して、フォトレジストの開口の形状を、基板の表面からフォトレジストの上面に至るまで徐々に幅が広くなる形状となるようにする。すなわち、基板表面から見たときに開口が逆テーパ形状となるように形成する。条件は、例えば、ベーク温度が110℃、ベーク時間が2分である。なお、基板の表面からフォトレジストの上面に至るまで徐々に幅が広くなる形状のフォトレジストを形成できれる方法であれば、露光時にグレーマスクを使用するなどの他の方法で形成してもよい。
次に、図10(C)に示すように、順テーパ形状の開口610Aが形成されたレジストパターン600をエッチング用のマスクに用い、半導体基板Wを異方性ドライエッチングする。好ましい態様では、リアクティブイオンエッチング(RIE)装置として誘導結合プラズマ(ICP)が用いられる。エッチング条件は、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)のパワー500W、バイアスパワー50W、圧力3Pa、エッチングガスとして、Cl2=150sccm、BCl3=50sccm、C4F8=20sccm、基板温度20℃、エッチング時間40分である。このエッチングにより、基板表面では、開口が逆テーパ形状であるレジストの厚みの薄い部分から厚い部分に向けて徐々にエッチングされる領域が横方向に広がっていくため、開口610Aの形状が転写された順テーパ形状の微細溝620が形成される。次に、図10(D)に示すように酸素アッシングにより、レジスト600が除去される。
次に、本実施例の微細溝の第2の製造方法について説明する。図11は、図7(A)に示す微細溝の他の製造方法の工程を示す断面図である。図11(A)に示すように、半導体基板W(GaAs基板)上に、フォトレジスト700が塗布され、切断領域を露出する開口710が形成される。この工程は、例えば図10(A)の工程と同様である。
次に、図11(B)に示すように、開口710が形成されたレジストパターン700をエッチング用のマスクに用い、半導体基板Wを異方性ドライエッチングすることで、基板表面に第1の溝部分720を形成する。好ましい態様では、リアクティブイオンエッチング(RIE)装置として誘導結合プラズマ(ICP)が用いられる。エッチング条件は、例えば、誘導結合プラズマ(ICP)のパワー500W、バイアスパワー50W、圧力3Pa、エッチングガスとして、Cl2=150sccm、BCl3=50sccm、C4F8=50sccmである。公知のようにCF系のガスを添加することで、エッチングと同時に側壁に保護膜730が形成される。反応ガスのプラズマによりラジカル、イオンが生成されるが、溝720の側壁はラジカルのみでアタックされ、底部はラジカルおよびイオンの両方でアタックされるためエッチングされ易くなり、異方性エッチングが達成される。
エッチング装置の出力、ガスの流量、時間などのエッチング条件を最適化し、側壁に形成される保護膜730が適切な厚さになるように調整する。保護膜730が薄くなるように調整すると垂直な溝や逆テーパ形状の溝となり、厚くなるように調整すると、図11(C)に示すような順テーパ形状の微細溝740を形成することができる。一例として、エッチングガスに含まれる側壁保護膜形成用のガスであるCF系のガスの流量を増やすと、保護膜730が厚くなり、順テーパ形状を形成しやすい。
次に、本実施例の微細溝の第3の製造方法について説明する。図12は、図7(C)に示す微細溝の製造方法の工程を示す断面図である。この製造方法では、図12(A)に示すように、半導体基板W(GaAs基板)上に形成されるフォトレジスト750の形状が、図10や図11のフォトレジストと異なる。すなわち、フォトレジスト750の開口760が、半導体基板Wの表面から上方に向けて徐々に幅が広くなる第1のフォトレジスト部分752と、第1のフォトレジスト部分752の上端から、第1のフォトレジスト部分752における開口の幅が広がる角度よりも狭い角度で上方に延びる第2のフォトレジスト部分754とを有している。なお、ここでの「上方」とは、半導体基板の表面を上方に向けた場合の上方を指す。
このような形状のフォトレジスト750は、例えば、グレーマスクを利用して形成される。まず、半導体基板W(GaAs基板)上にフォトレジストを塗布する。その後、切断領域を露出する開口を形成する際にグレーマスクを用いて開口させる領域の中心部と周辺部で露光量を異ならせる。具体的には、開口させる領域の中心部には一定の光量が露光されるようにするとともに、中心部の外延から開口させる領域の外延に向けては露光量が徐々減少するように設定する。更に、周辺部の外側である開口をさせない領域には露光がされないようにする。ネガ型のフォトレジストを利用する場合は露光量が逆になるようにすればよい。また、開口の形成に伴う応力やその他の作用を利用して、結果的に、半導体基板Wの表面から上方に向けて徐々に幅が広くなる第1のフォトレジスト部分752と第1のフォトレジスト部分752の上端から第1のフォトレジスト部分752の角度よりも上方に向けて延びる第2のフォトレジスト部分754とを有するフォトレジストが形成できるのであれば、そのような方法で形成してもよい。なお、いずれの方法においても、フォトレジストを形成した後のベークは行わなくてもよいし、所望の形状が崩れない範囲で行ってもよい。
次に、図12(B)に示すように、開口760が形成されたレジストパターン750をエッチング用のマスクに用い、半導体基板Wを異方性ドライエッチングする。エッチングの条件は、例えば、本実施例の微細溝の第1の製造方法や第2の製造方法と同じ条件が適用できる。ここで、レジストパターン750は、基板表面から上方に向けて逆テーパ形状の開口を有する第1のフォトレジスト部分752を有しているので、逆テーパ形状の厚みの薄い部分から厚い部分に向けて徐々にエッチングされる領域が横方向に広がっていき、図12(B)に示すように、フォトレジストの開口760の形状が転写された順テーパ形状の微細溝770が形成される。この時、エッチングガスに含まれるCF系のガスにより、図11(B)と同様に、エッチングと同時に側壁に保護膜780が形成される。
次に、更にエッチングを進めるが、この際、半導体基板Wの上面から垂直方向に延びる第2のフォトレジスト部分754のみが残っている状態であるため、図12(B)に示す順テーパ形状の溝はその角度を保ったまま継続しては形成されず、図12(C)に示すように、微細溝770の入り口部分に順テーパ形状を保ちつつ、下方に延びる溝部分790が形成される。なお、実施例の微細溝の第1の製造方法や第3の製造方法では、半導体基板Wの表面から上方に向けて徐々に幅が広くなる開口を有するフォトレジストを利用しているので、微細溝の第2の製造方法のように、順テーパ形状の溝を形成すようにエッチング条件が適正化されていない場合であっても、順テーパ形状の溝が形成しやすい。
以上の工程を経て、図12(C)に示すような、半導体基板Wの表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分770と、第1の溝部分770の最下部から、この最下部の幅よりも狭くならずに半導体基板Wの裏面に向かう第2の溝部分790を含む微細溝が形成できる。なお、第2のフォトレジスト部分754は垂直に上方に延びる形状以外であってもよい。例えば、第1のフォトレジスト部分752における開口の幅が広がる角度よりも狭い角度で上方に延びる形状であれば垂直である必要はない。このような形状であれば、図7(A)に示すような順テーパのみの微細溝の構成と比較し、微細溝の入り口部分を順テーパ形状に保ちつつ、所望の深さの微細溝を形成しやすい。
次に、本実施例の微細溝の第4の製造方法として、図8(A)に示す微細溝の製造方法について説明する。図8(A)に示すような順テーパ形状の溝部分と逆テーパ形状の溝部分とを含む微細溝を形成する場合、まずは、本実施例の微細溝の第1、第2、または第3の製造方法等を利用して、順テーパ形状の溝部分を形成する。その後、順テーパ形状の溝部分を形成したエッチング条件よりも溝幅を広く形成できるエッチング条件、すなわち、溝の側壁方向へのエッチング強度が強いエッチング条件に切り替えて、エッチングを継続する。溝幅を広く形成できるエッチング条件に切り替えることで、順テーパ形状が既に形成されている溝部分は、その側壁に形成された保護膜により溝幅が広がることが抑制される一方、順テーパ形状の溝部分と連通する下方には、より幅の広い溝部分が下方に延びるように形成される。
ここで、溝幅を広くするためには、エッチングガスに含まれるエッチング用のガスであるCl2の流量を増やしてもよいし、側壁保護膜を形成するためのガスであるC4F8(CF系ガス)の流量を減らしてもよい。少なくとも一方の流量を変えればよい。すなわち、少なくとも一方のエッチングガスの流量を切り替えれることで、溝幅を変えればよい。言い換えると、順テーパ形状の溝部分の形成時及び逆テーパ形状の溝部分の形成時の両方において、エッチングガスに含まれる側壁保護用のガス及びエッチング用のガスの両方を供給するものの、それぞれの流量を変えればよい。そして、このような流量の設定を、順テーパ形状の溝部分を形成する前に予め設定しておくことで、順テーパ形状の溝部分及び逆テーパ形状の溝部分を一連の連続したエッチング工程にて形成できる。また、エッチング装置の出力を変えるなどして、溝幅を広くするようにエッチング条件を適正化してもよい。
なお、上記したレジスト形状を転写するエッチング方法、および側壁保護膜を形成するエッチング方法は本実施例における製造方法の典型的な一例を示すものであり、本実施例の微細溝の製造方法は、必ずしも図10ないし図12に示す製造工程に限定されるものではなく、また、様々な組み合わせが可能である。例えば、本実施例の微細溝の第1ないし第3の製造方法において、本実施例の微細溝の第4の製造方法のように、エッチング条件を途中で切り替えてもよい。微細溝の形成途中で、それまでの形成で使用しているエッチング強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強いエッチング条件に切り替えることで、微細溝の途中から順テーパ形状の角度が狭くなり、溝の側面が基板面に対して、より垂直に近くなる。このようにエッチング条件に切り替えることで、図7(C)や図8(A)のような形状、すなわち、順テーパ形状の溝部分と、この溝部分の最下部からこの最下部の幅よりも狭くならずに半導体基板Wの裏面に向かう溝部分とを有する微細溝を形成することができる。また、図7(C)や図8(A)のような形状を形成する場合は、エッチング条件の切り替えは1回だけである必要はなく、必要に応じて複数回実施してもよい。
次に、本実施例による順テーパ形状の溝部分と逆テーパ形状の溝部分とを有する微細溝420(図8)の副次的な効果について説明する。図13(A)は、図3(F)に示すダイシングブレードによるハーフダイシングをしたときの断面図、図13(B)は、図13(A)に示される段差部の拡大図、図13(C)は、段差部の破損を示している。
半導体基板Wの表面には、上記したように、複数の発光素子100が形成され、各発光素子100は、間隔Sのスクライブライン等で規定される切断領域120によって離間されている。切断領域120には、異方性ドライエッチングにより幅Saの微細溝140(図9(C)に示す垂直形状の溝)が形成されている。カーフ幅Sbのダイシングブレード300を回転させながら、半導体基板Wの裏面から切削することで、半導体基板Wには、カーフ幅Sbとほぼ等しい幅の溝170が形成される。カーフ幅Sbは、微細溝140の幅Saよりも大きいため、溝170が形成されたとき、切断領域120には、幅Sbと幅Saの差、言い換えると微細溝140と溝170の側面の位置の差によって、厚さTの片持ち梁状の段差部800が形成される。もし、ダイシングブレード300の中心と微細溝140の中心が完全に一致しているならば、段差部800の横方向に延在する長さは、(Sb−Sa)/2である。
ダイシングブレード300による切断が行われるとき、ダイシングブレード300の先端部の平坦な面が半導体基板WをY方向に押圧することで、段差部800には力Fが印加され、これにより段差部800のコーナー部Cに応力が集中する。コーナー部Cへの応力がウエハの破壊応力を超えたとき、図13(C)に示すように段差部800の破損(欠け、亀裂あるいはピッキング等)が生じる。特に、GaAs等の化合物半導体基板は、シリコン基板よりも強度が弱いため、段差部800に破損が生じ易い。もし、段差部800に破損が生じるならば、段差部800の切断のためのマージンMを確保しなければならず、これは、切断領域120の間隔SをマージンMと等しいかそれよりも大きくしなければならないことを意味し、半導体片の取得数が低下する。従って、段差部800の破損を抑制することが好ましい。
段差部800の破損を生じさせる応力に影響が高い因子には、主に次の3つが考えられる。第1に、ダイシングブレードの先端部の形状、第2に、段差部800の厚さT、第3に、段差部における段差の大きさ、すなわち、ある所定の厚みのダイシングブレード300を使用する場合は、微細溝140と溝170との位置ずれ量である。ダイシングブレードの先端部の形状により段差部への応力を低下させるには、どのような形状が最適なのかを評価しなければならない。また、段差部800の厚さTを大きくすることで、段差部800のコーナー部の破壊強度を増加させることが可能であるが、微細溝140を異方性ドライエッチングにより形成する場合には、微細溝140の深さに制限があり、段差部800の厚さTを一定以上大きくすることは難しい。さらに、微細溝140の中心と溝170の中心間の位置ずれは、ダイシングブレードの位置決め精度等、製造装置の加工精度に起因するものであり、量産する上で位置ずれには一定のバラツキが生じてしまう。
上記した図8(A)に示すような本実施例の微細溝420は、順テーパ形状の溝部分の下方に逆テーパ形状の溝部分を有するため、言い換えれば、微細溝の底部の幅が基板表面と平行な方向に拡張されるため、製造装置の加工精度による位置ずれが発生した場合であっても、段差部800への応力を緩和させ、段差部800の破損の発生を抑制することができる。
このような微細溝420が形成されたときの段差部の応力緩和について説明する。図14(A)は、ダイシングブレード300の中心と微細溝420の中心が一致し、両者の位置ずれがないとき、図14(B)は、両者の位置ずれが生じているときの切断例である。また、ダイシングブレード300によるカーフ幅Sbは、微細溝420の逆テーパ形状の溝部分の幅Sa3(図8を参照)よりも大きい関係にある(Sa3<Sb)。
図14(A)に示すように、ダイシングブレード300により、基板裏面に溝170が形成されたとき、溝170は、微細溝420に繋がる。好ましい態様では、ダイシングブレード300は、切削時において、微細溝420の幅Sa3と幅Sa2との間に先端部が位置するように、半導体基板Wに垂直な方向の位置決めがなされる。言い換えると、ダイシングブレード300の先端部は、少なくとも微細溝420には到達するが、幅Sa2を規定する深さには到達しないよう位置決めされている。ダイシングブレード300の位置ずれが少ない場合、溝170と微細溝420の境界に、溝170の内側に延在する段差810が形成される。段差810の幅は、逆テーパ形状の溝部分が形成されないとき比較して小さくなるため、ダイシングブレード300の先端部と段差810との接触面積が小さくなり、段差810がダイシングブレードから受ける力Fが減少する。この結果、段差810を介して段差部800へ印加される応力が減少され、段差部800の破損の発生が抑制される。また、図14(B)に示すように、ダイシングブレード300の位置ずれが生じたとき、微細溝420の一方の側に比較的大きな幅の段差部820が形成され得るが、この場合にも、逆テーパ形状の溝部分が形成されないときと比較して、段差810の幅を小さくすることができるので、段差部800の破損の発生を抑制することができる。
図14(C)、(D)は、微細溝420の幅Sa3がダイシングブレード300の厚み(カーフ幅Sb)よりも大きいときの切断例である。逆テーパ形状の溝部分の少なくとも一部は、カーフ幅Sbよりも大きい幅Sa3を包含している。図14(C)は、第2の溝部分520とダイシングブレード間に位置ずれが生じていない理想的な切断を示しており、お互いの溝の接続位置において、カーフ幅Sbよりも微細溝の幅の方が大きければ、溝170の内側に延在する段差部は形成されず、お互いの溝の接続位置における溝170の外側に延在する段差部830が形成される。このため、ダイシングブレード300の先端部は段差部830と非接触となり、ダイシングブレード300からの力は段差部830へ伝達されず、段差部800の破損の発生が抑制される。
図14(D)に示すように、ダイシングブレード300に位置ずれが生じた場合であっても、位置ずれ量が一定範囲以下であれば、溝170の外側に延在する段差部840が形成されるため、ダイシングブレード300から段差部840を介して段差部800へ応力が印加されない。仮に、位置ずれ量が一定範囲を超えた場合であっても、逆テーパ形状の溝部分が形成されない場合と比較すれば、段差部の幅が減少されるので、段差部800への応力が軽減されることになる。
上記したような段差部の破損を抑制し得る微細溝の形状は、逆テーパ形状に限らず、その底部が拡張されるような形状であれば、他の形状であってもよい。図15に、本実施例の微細溝の他の形状の断面を示す。図15(A)に示す微細溝430は、開口幅Sa1から深さD1の幅Sa2(Sa1>Sa2)に向けて傾斜する対向する直線状の側面を含む順テーパ形状の溝部分430Aと、溝部分430Aの下方に接続され、深さD2の球面状の側面を有する幅広部分430Bとを有する。幅広部分430Bの基板表面と平行な方向の対向する側壁間の最大径Sa3は、Sa2よりも大きい。また、順テーパ形状の溝部分430Aの深さD1は、ダイシング用テープの粘着層が入り込む深さよりも大きい。
図15(B)に示す微細溝440は、開口幅Sa1から深さD1の幅Sa2(Sa1>Sa2)に向けて傾斜する対向する直線状の側面を含む順テーパ形状の溝部分430Aと、溝部分440Aの下方に接続され、深さD2のほぼ直線状の側面を有する矩形状の幅広部分440Bとを有する。幅広部分440Bは、図15(A)に示す幅広部分430Bの球面状の側面を直線状に変化させたものであり、幅広部分440Bの幅Sa3は、基板表面と平行な方向の対向する側壁間の距離であり、この距離は、Sa2よりも大きい。また、順テーパ形状の溝部分440Aの深さD1は、ダイシング用テープの粘着層が入り込む深さよりも大きい。なお、ここには示す幅広部分の形状は例示であって、幅広部分の形状は、微細溝の途中の幅Sa2よりも大きな幅をもつ形状であれば良く、幅広部分は楕円状、あるいはフラスコ状であってもよい。図15(A)、(B)に示す微細溝430、440は、好ましくは異方性エッチングおよび等方性エッチングを用いて形成することができる。
図16は、本発明の実施例に係る半導体片の製造方法の他の例を示すフローである。図16は、図1の一連の製造方法を量産工程で実施する前の事前準備(設計方法)を含めた全体の製造工程を示すフローである。まず、試作工程において図1に示したフローに従って半導体基板を個片化処理する(S300)。このとき、半導体基板を完全に個片化する必要はなく、最低限、粘着層の残存の度合いを確認できる工程まで進めればよい。次に、粘着層の残存の度合いを確認し、問題があるか否かを判断する(S310)。ここでは、粘着層が全く残存していないことが望ましいが、仮に残存していたとしても、量産工程において許容できる程度の残存量であれば問題ないと判断してもよい。また、複数の基板を個片化処理し、より多くの結果に基づき問題の有無を判断することが好ましい。そして、問題ないと判断した場合は、その製造条件を量産工程における製造条件として使用する(S330)。仮に問題があると判断した場合は、製造条件を変更する(S320)。なお、ここでの製造条件とは、製造上、粘着層の残存に影響を与える製造上の条件を言う。
S320では、粘着層の残存が低減するように製造条件を変更する。例えば、半導体基板の表面側の微細溝を構成する順テーパの形状を、粘着層の残存がより残存しにくい形状となるように変更する。具体的には、順テーパ形状の角度を溝の深さ方向に対して緩い角度に変更したり、同じ角度であっても、より深くまで順テーパの形状となるように変更したり、半導体基板表面での開口の幅を広く変更したりする。このような変更を個別に、または組み合わせて行うことで、粘着層がより残存しにくい形状となるようにする。このためには、そのような形状となるように、フォトレジストの形状やエッチング条件等の形状に影響を与える要素の少なくとも1つを変更する。なお、順テーパ形状の角度を溝の深さ方向に対して緩い角度に変更するとは、半導体基板の表面と順テーパ形状を形成する溝の側面との角度を小さくすることである。
S320において製造条件を変更した後、再度、試作工程において半導体基板を個片化処理する(S300)。そして、再度、粘着層の残存の度合い確認し、問題あるか否か判断する(S310)。問題ある場合は、問題なくなるまでS300ないしS320のステップを繰り返す。S310において、問題ないと判断した場合は、その製造条件を量産工程における製造条件として使用する(S330)。
なお、初回のS300においては、半導体基板の表面側の微細溝は、順テーパ形状であってもよいし、順テーパ形状を有さない微細溝、例えば、垂直な微細溝であってもよい。すなわち、初回のS300においては、フォトレジストの形状やエッチング条件等は、順テーパ形状を形成しないものであってもよい。そして、順テーパ形状を有さない微細溝において、粘着層の残存が問題とならない場合は、量産工程でも、順テーパ形状を有さない微細溝を使用すればよく、粘着層の残存が問題となる場合は、S320において、順テーパ形状を形成するように製造条件を変更すればよい。
なお、微細溝の形状として、図7(C)に示す形状を採用する場合は、S310において、粘着層の残存を判断するのではなく、粘着層が図7(C)における深さDよりも深く侵入しているか否かを判断してもよい。そして、侵入している場合は、S320において、侵入しないような順テーパ形状となるように製造条件を変更してもよい。このように、粘着層の残存に関係なく、つまり、粘着層が残存していない場合であっても、より粘着層が残存しにくい形状とすることで、製造ばらつきや製造条件が変動した場合であっても、粘着層が残存しにくくなる。
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
例えば、裏面側の溝170を、表面側の微細溝の近傍までは達するが、表面側の微細溝に連通しない深さで形成してもよい。すなわち、図3(F)の裏面側の溝170を形成する工程で、半導体基板の厚みの一部分を残して裏面側の溝170を形成してもよい。この場合、その後の工程で、半導体基板に引っ張り応力や曲げ応力などの応力を加えて、残った一部分を割ることで半導体基板を分割するようにすればよい。このような半導体片の製造方法においても、図8(A)のような逆テーパ形状を備えることで、残った一部分を割るために応力を加えたときに、表面側の微細溝と裏面側の溝170との間に残っている厚み部分のみが割れやすくなり、その他の意図しない部分に割れが拡大することが抑制され、その結果、半導体基板の破損が抑制される。
また、本発明の好ましい実施の形態では、いずれも基板表面の開口幅Sa1が裏面側の溝170の幅よりも狭い形態を開示している。これは、溝170の幅のままフルダイシングする方法と比較し、半導体片の取得数を増やすために好ましい形態である。一方、表面側の微細溝における粘着層の残存を抑制する観点からは、基板表面の開口幅Sa1と裏面側の溝170の幅との関係は任意であり、同じ幅であってもよいし、溝170の幅の方が狭くてもよい。
また、裏面側の溝170を形成する回転する切削部材の先端形状としては、回転方向から見た先端断面が矩形形状のもののみならず、半円状の形状や、その他の先細りした形状であってもよい。また、裏面側の溝170を形成する切削部材として、レーザー装置等の、回転しながら基板に当接する切削部材以外の切削部材を使用してもよい。すなわち、裏面側の溝170をレーザー加工で形成してもよい。
また、本発明の表面側の微細溝の応用例として、裏面側の溝170を形成せずに、半導体基板の裏面から、半導体基板の表面側の微細溝に至るまで研磨することで半導体基板を分割してもよい。更には、半導体基板の裏面から、半導体基板の表面側の微細溝に至る途中まで研磨し、その後に半導体基板に引っ張り応力や曲げ応力などの応力を加えて、残った部分を割ることで半導体基板を分割してもよい。また、本発明の製造方法は、ガラスやポリマー等の半導体を含まない基板から個々の素子を個片化する場合に適用してもよい。
100:発光素子
120:切断領域(スクライブライン)
130:レジストパターン
140:微細溝
160:ダイシング用テープ
162:テープ基材
164:粘着層
170:溝
190:エキスパンド用テープ
210:半導体チップ
300:ダイシングブレード
400、410,420、430、440:本実施例の微細溝
402、404、412、414、412a、414a:側面
500、510:比較例の微細溝
502、504、512、514:側面
600、700、750:フォトレジスト
610、710、760:開口
620、740:微細溝
720、770:第1の溝部分
730、780:保護膜
752:第1のフォトレジスト部分
754:第2のフォトレジスタ部分
790:第2の溝部分
800:段差部
810:段差
120:切断領域(スクライブライン)
130:レジストパターン
140:微細溝
160:ダイシング用テープ
162:テープ基材
164:粘着層
170:溝
190:エキスパンド用テープ
210:半導体チップ
300:ダイシングブレード
400、410,420、430、440:本実施例の微細溝
402、404、412、414、412a、414a:側面
500、510:比較例の微細溝
502、504、512、514:側面
600、700、750:フォトレジスト
610、710、760:開口
620、740:微細溝
720、770:第1の溝部分
730、780:保護膜
752:第1のフォトレジスト部分
754:第2のフォトレジスタ部分
790:第2の溝部分
800:段差部
810:段差
請求項1は、基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分と、当該第1の溝部分と連通する下方に位置し、当該第1の溝部分の最下部よりも広い幅を有する第2の溝部分とを有する表面側の溝を異方性ドライエッチングで形成する工程と、前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を、回転する切削部材で形成する工程と、前記裏面側の溝の形成後に前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、を備える半導体片の製造方法。
請求項2は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングの強度を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の強度から、当該第1の強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれる保護膜形成用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも少ない第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも多い第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記第1の溝部分は、前記保持部材を前記表面に貼り付けた時点において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記第1の溝部分は、切削部材で前記裏面側の溝を形成した後において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項1または5に記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の製造方法によって製造された少なくとも1つの半導体片を実装する回路基板。
請求項8は、請求項7に記載の回路基板を実装する画像形成装置。
請求項2は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングの強度を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の強度から、当該第1の強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれる保護膜形成用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも少ない第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも多い第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記第1の溝部分は、前記保持部材を前記表面に貼り付けた時点において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記第1の溝部分は、切削部材で前記裏面側の溝を形成した後において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項1または5に記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、請求項1ないし6いずれか1つに記載の製造方法によって製造された少なくとも1つの半導体片を実装する回路基板。
請求項8は、請求項7に記載の回路基板を実装する画像形成装置。
請求項1によれば、基板の表面から一定幅の表面側の溝部分が形成される異方性ドライエッチングを用いる場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。さらに第2の溝部分を形成しない場合と比較し、裏面側の溝を形成する際の基板の破損を抑制できる。
請求項2によれば、異方性エッチングの強度を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成できる。
請求項3によれば、保護膜形成用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項4によれば、エッチング用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項5によれば、粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項6によれば、裏面側の溝の形成に伴い粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項2によれば、異方性エッチングの強度を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成できる。
請求項3によれば、保護膜形成用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項4によれば、エッチング用のガスの量を切り替えない場合と比較し、表面側の溝の開口幅が同じ場合であっても、より深い溝を形成しやすい。
請求項5によれば、粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
請求項6によれば、裏面側の溝の形成に伴い粘着層が第2の溝部分に侵入する場合と比較し、粘着層の残存を抑制できる。
Claims (12)
- 基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の溝部分を有する表面側の溝を異方性ドライエッチングで形成する工程と、
前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、
前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を形成する工程と、
前記裏面側の溝の形成後に前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、
を備える半導体片の製造方法。 - 前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングの強度を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の強度から、当該第1の強度よりも溝の側壁方向または下方へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1に記載の半導体片の製造方法。
- 前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれる保護膜形成用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも少ない第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
- 前記表面側の溝の形成途中で、前記異方性ドライエッチングに使用するエッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量を、前記表面側の溝の幅が前記基板の表面から裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第1の流量から、当該第1の流量よりも多い第2の流量に切り替えて、前記表面側の溝を形成する請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記表面側の溝は、前記第1の溝部分の最下部から、当該最下部の幅よりも狭くならずに前記基板の裏面側に向かう第2の溝部分を有する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記第1の溝部分は、前記保持部材を前記表面に貼り付けた時点において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5に記載の半導体片の製造方法。
- 前記第1の溝部分は、切削部材で前記裏面側の溝を形成した後において、前記粘着層が前記第2の溝部分に進入しない深さを有する請求項5または6に記載の半導体片の製造方法。
- 前記裏面側の溝は回転する切削部材で形成される請求項1ないし7に記載の半導体片の製造方法。
- 請求項1ないし8のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法を実施した場合、前記表面と前記保持部材とを剥離した後に前記粘着層が残存するときは、前記製造方法を他の基板に適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。
- 基板の表面から裏面に向けて異方性ドライエッチングで表面側の溝を形成する工程と、
前記表面側の溝が形成された前記表面に粘着層を有する保持部材を貼り付ける工程と、
前記基板の裏面側から前記表面側の溝に沿って、前記表面側の溝の幅より広い幅の裏面側の溝を形成する工程と、
前記裏面側の溝の形成後に、前記表面と前記保持部材とを剥離する工程と、
を備える半導体片の製造方法であって、
前記製造方法を実施した場合、前記基板に前記粘着層が残存するときは、前記基板と異なる他の基板に前記製造方法を適用する際に、前記基板における前記第1の溝部分の形状よりも粘着層が残存しにくい第1の溝部分の形状となるように、前記異方性ドライエッチングの条件を変更して前記他の基板に第1の溝部分を形成する半導体片の製造方法。 - 請求項1ないし10いずれか1つに記載の製造方法によって製造された少なくとも1つの半導体片を実装する回路基板。
- 請求項11に記載の回路基板を実装する画像形成装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014108982A JP5637330B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
EP14820467.0A EP3018702A4 (en) | 2013-07-01 | 2014-06-26 | Semiconductor piece manufacturing method, circuit board including semiconductor piece, and image forming apparatus |
KR1020157033408A KR20160026860A (ko) | 2013-07-01 | 2014-06-26 | 반도체편의 제조 방법, 반도체편을 포함하는 회로 기판 및 화상 형성 장치 |
CN201480034349.5A CN105340064B (zh) | 2013-07-01 | 2014-06-26 | 半导体片制造方法、包括半导体片的电路板和成像设备 |
PCT/JP2014/067015 WO2015002064A1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-06-26 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
US14/885,447 US9455173B2 (en) | 2013-07-01 | 2015-10-16 | Semiconductor piece manufacturing method |
US15/085,286 US9673080B2 (en) | 2013-07-01 | 2016-03-30 | Semiconductor piece manufacturing method |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013137829 | 2013-07-01 | ||
JP2013137829 | 2013-07-01 | ||
JP2014108982A JP5637330B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5637330B1 JP5637330B1 (ja) | 2014-12-10 |
JP2015029059A true JP2015029059A (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=52145626
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014108982A Active JP5637330B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
JP2014108983A Active JP5637331B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
JP2014108981A Active JP5637329B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
JP2014205524A Active JP5664820B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-10-06 | 半導体片の製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014108983A Active JP5637331B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
JP2014108981A Active JP5637329B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-05-27 | 半導体片の製造方法、半導体片を含む回路基板および画像形成装置 |
JP2014205524A Active JP5664820B1 (ja) | 2013-07-01 | 2014-10-06 | 半導体片の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9455173B2 (ja) |
EP (1) | EP3018702A4 (ja) |
JP (4) | JP5637330B1 (ja) |
KR (1) | KR20160026860A (ja) |
CN (1) | CN105340064B (ja) |
WO (1) | WO2015002064A1 (ja) |
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- 2014-05-27 JP JP2014108981A patent/JP5637329B1/ja active Active
- 2014-06-26 KR KR1020157033408A patent/KR20160026860A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-06-26 EP EP14820467.0A patent/EP3018702A4/en not_active Withdrawn
- 2014-06-26 CN CN201480034349.5A patent/CN105340064B/zh active Active
- 2014-06-26 WO PCT/JP2014/067015 patent/WO2015002064A1/ja active Application Filing
- 2014-10-06 JP JP2014205524A patent/JP5664820B1/ja active Active
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JP2015039015A (ja) | 2015-02-26 |
JP2015029060A (ja) | 2015-02-12 |
EP3018702A4 (en) | 2017-06-21 |
US20160211180A1 (en) | 2016-07-21 |
JP5637330B1 (ja) | 2014-12-10 |
EP3018702A1 (en) | 2016-05-11 |
CN105340064B (zh) | 2018-04-03 |
JP2015029058A (ja) | 2015-02-12 |
JP5637329B1 (ja) | 2014-12-10 |
CN105340064A (zh) | 2016-02-17 |
US9455173B2 (en) | 2016-09-27 |
KR20160026860A (ko) | 2016-03-09 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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