JP2015005563A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 122
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 claims description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007774 anilox coating Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910001960 metal nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上とゲート電極上とにわたって形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層上に形成された半導体層と、絶縁体層上と半導体層上とにわたって形成されたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁体層と半導体層とソース電極及びドレイン電極との上に複数のトランジスタにわたってストライプ形状に形成された保護層とを有し、半導体層における、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル部を流れる電流の方向と直交する方向の長さを規定する両端は、保護層のストライプ幅を規定する両端と一致し、保護層における、ストライプ形状の形成方向は、チャネル部を流れる電流の方向と平行な方向である。
【選択図】図6
Description
2…ゲート電極
3…キャパシタ電極
4…ゲート絶縁体層
5…半導体層
6…ソース電極
7…ドレイン電極
8…保護層
9…保護層、ソース電極、ドレイン電極に被覆されていない半導体層
10…薄膜トランジスタ
20…薄膜トランジスタ
30…薄膜トランジスタ
40…薄膜トランジスタ
50…薄膜トランジスタ
60…薄膜トランジスタ
Claims (14)
- 基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記基板上と前記ゲート電極上とにわたって形成されたゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上に形成された半導体層と、
前記絶縁体層上と前記半導体層上とにわたって形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁体層と前記半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極との上に複数のトランジスタにわたってストライプ形状に形成された保護層とを有し、
前記半導体層における、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネル部を流れる電流の方向と直交する方向の長さを規定する両端は、前記保護層のストライプ幅を規定する両端と一致し、
前記保護層における、ストライプ形状の形成方向は、前記チャネル部を流れる電流の方向と平行な方向であることを特徴とする、薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層が有機物を含む材料からなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が金属酸化物を含む材料からなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が有機物を含む材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が無機物を含む材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が有機物と無機化合物の混合物を含む材料からなることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ。
- 複数のトランジスタが形成された薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記基板上と前記ゲート電極上とにわたってゲート絶縁体層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層上に半導体層を形成する工程と、
前記絶縁体層上と前記半導体層上とに複数のトランジスタにわたってソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁体層と前記半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極との上に複数のトランジスタにわたって保護層を形成する工程と、
前期半導体層の保護層で被覆されていない箇所を除去する工程とを有し、
前記半導体層を形成する工程では、前記半導体層を前記複数のトランジスタにわたって前記ゲート電極の延伸方向に垂直方向に、かつ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネル部に対して前記チャネル部を流れる電流の方向と直交する延伸方向を有するようにストライプ形状に形成し、
前記保護層を形成する工程では、前記半導体層と直交する方向に延伸するストライプ形状に形成することを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記半導体層が塗布法にて形成されることを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記保護層が塗布法にて形成されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層の除去方法が有機系溶剤、無機系溶剤、及びこれらの混合溶液で洗い流すことを特徴とする請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層の除去方法が有機系溶剤、無機系溶剤、及びこれらの混合溶液の蒸気にさらすことで除去することを特徴とする請求項7乃至請求項10のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートのいずれか1つ以上であることを特徴とする請求項8または9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1乃至請請求項12のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタと、
前記ソース極上と前記ドレイン電極上とに形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、を有する画像表示装置。 - 前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置のいずれか1つ以上の表示媒体であることを特徴とする請求項13に記載の画素表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013128563A JP6217162B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005563A true JP2015005563A (ja) | 2015-01-08 |
JP6217162B2 JP6217162B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=52301244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013128563A Active JP6217162B2 (ja) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置 |
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