JP2015001397A5 - - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Inorganic materials [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006011 modification reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000029578 entry into host Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
有機樹脂の可視光領域における屈折率は一般的に１．４〜１．５前後であり、酸化物や窒化物などセラミックスの同屈折率は樹脂の屈折率より大きいものが多い。特に高屈折率材料である酸化チタン（ＴｉＯ２：ルチル型では、ｎ＝２．８程度）の微粒子を添加した場合にはシンチレータ光の散乱能が極めて高く、解像度低下を抑える効果が特に大きい。
添加するセラミックス粒子の粒径は、シンチレータ光の波長との関係で、その１／２程度の前後の粒径がＭｉｅ散乱領域といわれて最も散乱が生じ易い。すなわち効果が大きい。シンチレータ光の波長に対して概ね１桁以上小さい粒径で光の散乱は生じにくくなり効果が小さくなる。またシンチレータ光の波長に対してセラミックスの粒径が大きい場合は、幾何光学的な屈折による散乱は期待できるが、粒径が大きくなるほど平滑化層中に添加できるセラミックス微粒子の個数密度が小さくなることから、必然的に単位体積当りの散乱能は低減する。これらのことから、シンチレータ光の波長に対して概ね１／１０〜１０倍程度の平均粒径を持ったセラミックス微粒子が散乱体としては好適である。
図１５は、本実施形態による放射線検出器の高温高湿試験におけるイニシャルの輝度とＣＴＦを示すグラフである。
解像度の低下に関しては、ＣｓＩ：Ｔｌ膜のピラー構造中に樹脂材料が染み込んでライトガイド効果を減じ、ピラー間でシンチレータ光のクロストークを生じて解像度の低下を招いていると考えられる。特にポリパラキシリレンのＣＶＤ膜を防湿層とした場合には、図１０に示すようにピラー間へのポリパラキシリレンの侵入は深い。これは、気相成膜によるためにモノマー分子がピラーの深くまで侵入できる事によると思われる。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013124655A JP6226579B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| CN201480033641.5A CN105283779B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-06 | 辐射检测器及制造它的方法 |
| PCT/JP2014/065125 WO2014199925A1 (ja) | 2013-06-13 | 2014-06-06 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| TW103120599A TWI518352B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-13 | Radiation detector and manufacturing method thereof |
| US14/962,730 US9810791B2 (en) | 2013-06-13 | 2015-12-08 | Radiation detector and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013124655A JP6226579B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015001397A JP2015001397A (ja) | 2015-01-05 |
| JP2015001397A5 true JP2015001397A5 (ja) | 2016-07-14 |
| JP6226579B2 JP6226579B2 (ja) | 2017-11-08 |
Family
ID=52022221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013124655A Active JP6226579B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 放射線検出器及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9810791B2 (ja) |
| JP (1) | JP6226579B2 (ja) |
| CN (1) | CN105283779B (ja) |
| TW (1) | TWI518352B (ja) |
| WO (1) | WO2014199925A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10712454B2 (en) * | 2014-07-25 | 2020-07-14 | General Electric Company | X-ray detectors supported on a substrate having a metal barrier |
| JP6671839B2 (ja) * | 2014-10-07 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び撮像システム |
| US9761439B2 (en) * | 2014-12-12 | 2017-09-12 | Cree, Inc. | PECVD protective layers for semiconductor devices |
| JP2017161408A (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータ、シンチレータパネルおよび放射線画像変換パネル |
| JP6715055B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-07-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器及びシンチレータパネル |
| JP2017192090A (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器 |
| WO2017209190A1 (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 三菱ケミカル株式会社 | 放射線像変換スクリーン及びフラットパネルディテクタ |
| CN109659385A (zh) | 2017-10-10 | 2019-04-19 | 群创光电股份有限公司 | 感测装置 |
| JP6659182B2 (ja) * | 2018-07-23 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| JP7108364B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-07-28 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器、放射線検出器の製造方法および装置、並びにシンチレータパネル、シンチレータパネルの製造方法および装置 |
| JP7240998B2 (ja) * | 2018-11-13 | 2023-03-16 | キヤノン電子管デバイス株式会社 | 放射線検出モジュール、放射線検出器、及び放射線検出モジュールの製造方法 |
| CN116904183A (zh) * | 2020-09-30 | 2023-10-20 | 株式会社博迈立铖 | 闪烁体结构体及其制造方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4101781A (en) * | 1977-06-27 | 1978-07-18 | Hewlett-Packard Company | Stable fiber optic scintillative x-ray screen and method of production |
| US5179284A (en) * | 1991-08-21 | 1993-01-12 | General Electric Company | Solid state radiation imager having a reflective and protective coating |
| JP3310688B2 (ja) | 1992-02-27 | 2002-08-05 | 株式会社トプコン | 走査型電子顕微鏡 |
| JP3405706B2 (ja) | 1997-02-14 | 2003-05-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出素子 |
| EP0903590B1 (en) | 1997-02-14 | 2002-01-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detection device and method of producing the same |
| JP3269802B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2002-04-02 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換パネル |
| JP2000131444A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Canon Inc | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法 |
| JP4234303B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2009-03-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| EP1300694B1 (en) | 2000-05-19 | 2011-03-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detector and method of manufacture thereof |
| DE10054680B4 (de) | 2000-11-03 | 2007-04-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines zweidimensionalen Detektorarrays zur Detektion elektromagnetischer Strahlung |
| JP4594188B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-12-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP2006017742A (ja) * | 2005-08-24 | 2006-01-19 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP4886245B2 (ja) | 2005-08-26 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 放射線検出器 |
| JP2008170374A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| JP5022805B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-09-12 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器 |
| JP4764407B2 (ja) | 2007-11-20 | 2011-09-07 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP4825848B2 (ja) | 2008-07-11 | 2011-11-30 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 反射膜用組成物、反射膜、およびｘ線検出器 |
| KR101325812B1 (ko) | 2009-12-18 | 2013-11-08 | 도시바 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 방사선 검출기와 그 제조 방법 |
| JP5358509B2 (ja) | 2010-04-15 | 2013-12-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器モジュール |
| JP2012177624A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出装置の製造方法 |
| JP5744941B2 (ja) * | 2012-03-12 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置及び放射線画像撮影システム |
| JP6200171B2 (ja) | 2012-06-04 | 2017-09-20 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び撮像システム |
-
2013
- 2013-06-13 JP JP2013124655A patent/JP6226579B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-06 WO PCT/JP2014/065125 patent/WO2014199925A1/ja active Application Filing
- 2014-06-06 CN CN201480033641.5A patent/CN105283779B/zh active Active
- 2014-06-13 TW TW103120599A patent/TWI518352B/zh active
-
2015
- 2015-12-08 US US14/962,730 patent/US9810791B2/en active Active
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