JP2014525480A - 蛍光体組成物およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

低量の特定微量元素を有する発光性セラミック素子を本明細書に開示する。出願人らは、驚くべきことに、より低い内部量子効率IQEの原因が、特定微量元素であり得、非常に低量(例えば50ppm以下)であってもIQEに大幅な悪影響をもたらし得ることを見いだした。いくつかの実施形態において、発光性セラミック素子は、ガーネットホスト材料およびある量のCeドーパントを含む。発光性セラミック素子は、いくつかの実施形態において、組成物におけるNaの量が約67ppm未満であり、組成物におけるMgの量が約23ppm未満であり、組成物におけるFeの量が約21ppm未満であり得る。
【選択図】図7

Description

(関連出願の相互参照)
この出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれている2011年8月16日に出願された米国出願第61/524,278号の優先権を主張するものである。
本出願は、低量の特定微量元素を有する発光性セラミック材料に関する。
発光ダイオード(LED)、有機エレクトロルミネセントデバイス(OEL)と呼ばれることもある有機発光ダイオード(OLED)、および無機エレクトロルミネセントデバイス(IEL)などの固体発光デバイスは、フラットパネルディスプレイ、様々な機器の表示器、標識、および装飾用イルミネーションなどの様々な用途に広く利用されてきた。これらの発光デバイスの発光効率が向上し続けると、自動車のヘッドライトおよび一般的な照明などの、はるかに高い輝度強度を必要とする用途がまもなく実現可能になる場合がある。これらの用途には、白色LEDは、有望な候補の1つであり、大いに注目されてきた。
内部量子効率(IQE)は、発光性材料により作り出された光子の、同材料によって吸収された光子に対する比である。IQE値が大きくなると、照明装置のエネルギー効率が向上し得るが、高IQEの蛍光体を確実に得るのは困難であり得る。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、低量の特定微量元素を有する発光性組成物を含む。いくつかの実施形態において、組成物は、ガーネットホスト材料と、発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすのに有効な量のCeドーパントとを含む。いくつかの実施形態において、組成物におけるNaの量は、約67ppm未満である。いくつかの実施形態において、組成物におけるMgの量は、約23ppm未満である。いくつかの実施形態において、組成物におけるFeの量は、約21ppm未満である。
いくつかの実施形態において、組成物におけるBの量は、約9ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるPの量は、約113ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるKの量は、約54ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるTiの量は、約28ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるCrの量は、約2.7ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるCuの量は、約1.5ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるZrの量は、約1600ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるSbの量は、約18ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるBaの量は、約74ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるLaの量は、約17ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるSmの量は、約1.2ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるDyの量は、約6.9ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるHoの量は、約7.0ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるPtの量は、約2.0ppm未満である。
いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料は、式A 12:式中、Aは、Li、K、Ag、Tl、Ca、Sr、Mn、Co、Cd、Pb、Sc、Y、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb、In、BiおよびZrからなる群から選択され、Bは、Li、Ca、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Sc、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Rh、Al、Ga、In、Ti、Zr、Ru、Sn、Nb、Ta、SbおよびTeから選択され、Bは、Li、Co、Zn、Cd、Al、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、V、NbおよびAsからなる群から選択され、Xは、OおよびFからなる群から選択される;によって表される。
いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料は、YAl12、(Y1−x,Gd(Al1−y,Ga12、LuAl12、TbAl12およびCaScSi12:式中、xは約0.00から約0.50の範囲であり、yは約0.00から約0.50の範囲である;から選択される。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料は、YAl12である。
いくつかの実施形態において、Ceドーパントの量は、約0.1原子%から約10原子%の範囲である。
いくつかの実施形態において、組成物は、焼結セラミック素子である。
いくつかの実施形態において、発光性セラミック素子は、約10μmから約1mmの範囲の厚さを有する。
いくつかの実施形態において、組成物は粉末である。
いくつかの実施形態において、粉末は、透明マトリックスに分散されている。
いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量は、発光性セラミック素子の少なくとも約90重量%である。
いくつかの実施形態において、発光性セラミック素子は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたとき、少なくとも約85%の内部量子効率(IQE)を有する。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、本出願に開示する組成物のいずれかを青色または紫外放射線に曝露することを含む。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、青色または紫外放射線を発するように構成された光源と、本出願に開示する組成物のいずれかとを含む照明装置であって、組成物が、青色または紫外放射線の少なくとも一部を受けるように構成されている、照明装置を含む。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、ガーネットホスト材料またはその化学量論的前駆体と、Ceドーパントまたはその前駆体とを有する組成物を焼結することを含む発光性セラミック素子の製造方法であって、組成物が低量の特定元素を含む方法を含む。いくつかの実施形態において、組成物におけるNaの量は、約67ppm未満である。いくつかの実施形態において、組成物におけるMgの量は、約23ppm未満である。いくつかの実施形態において、組成物におけるFeの量は、約21ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるBの量は、約9ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるPの量は、約113ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるKの量は、約54ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるTiの量は、約28ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるCrの量は、約2.7ppm未満である、請求項31に記載の方法。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるCuの量は、約1.5ppm未満である、請求項31に記載の方法。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるZrの量は、約1600ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるSbの量は、約18ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるBaの量は、約74ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるLaの量は、約17ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるSmの量は、約1.2ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるDyの量は、約6.9ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるHoの量は、約7.0ppm未満である。
いくつかの実施形態において、該組成物におけるPtの量は、約2.0ppm未満である。
いくつかの実施形態において、組成物は、硝酸イットリウム、酸化イットリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択されるガーネットホスト材料の第1の前駆体と、酸化アルミニウム、硝酸アルミニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択されるガーネットホスト材料の第2の前駆体とを含む。
いくつかの実施形態において、組成物は、硝酸セリウムまたは酸化セリウムを含む。
いくつかの実施形態において、組成物は、YAl12、(Y,Gd)(Al,Ga)12、LuAl12、TbAl12およびCaScSi12からなる群から選択されるガーネットホスト材料を含む。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、ガーネットホスト材料と、発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすのに有効な量のCeドーパントとを有する発光性組成物を含む。いくつかの実施形態において、組成物におけるNaの量は、約67ppm未満であり、組成物におけるMgの量が約23ppm未満であり、組成物におけるFeの量が約21ppm未満であり、組成物におけるBの量が約9ppm未満であり、組成物におけるPの量が約113ppm未満であり、組成物におけるKの量が約54ppm未満であり、組成物におけるTiの量が約28ppm未満であり、組成物におけるCrの量が約2.7ppm未満であり、組成物におけるCuの量が約1.5ppm未満であり、組成物におけるZrの量が約1600ppm未満であり、組成物におけるSbの量が約18ppm未満であり、組成物におけるBaの量が約74ppm未満であり、組成物におけるLaの量が約17ppm未満であり、組成物におけるSmの量が約1.2ppm未満であり、組成物におけるDyの量が約6.9ppm未満であり、組成物におけるHoの量が約7.0ppm未満であり、組成物におけるPtの量が約2.0ppm未満である。
成形および焼結によって発光性セラミック素子を形成する一実施形態の調製フローチャートを示す。 積層を含む、発光性セラミックを形成する一実施形態の調製フローチャートを示す。 本明細書に開示する発光性組成物を含んでいてよい照明装置の例である。 本明細書に開示する発光性組成物を含んでいてよい照明装置の例である。 どのようにして内部量子効率(IQE)を求め得るかの例である。 本明細書に開示する発光性素子の実施形態である。 実施例1〜29のサンプル1〜29中の全不純物の関数としてのIQE値を示すグラフである。全不純物は、Zr、Mo、HfおよびWを除く表1〜8に列挙されているすべての不純物を含む。x軸は、400ppmを超えて伸びていないため、400ppmより多い全不純物を有するサンプルは示されていない。 実施例1〜29のサンプル1〜29中のB、Na、Mg、P、K、Ti、Cr、Fe、Cu、Sb、Ba、La、Sm、Dy、HoおよびPt(「カルプリット」)の全量の関数としてのIQE値を示すグラフである。x軸は、400ppmを超えて伸びていないため、400ppmより多い列挙元素を有するサンプルは示されていない。
(発明の詳細な説明)
高い内部量子効率を有する発光性セラミック材料を一貫して製造できることは、困難な取り組みであり得る。不明な理由により、より高いIQEを有する発光性セラミック材料と明らかに同じ条件下で製造されているにもかかわらず、発光性セラミック材料のIQEが実質的により低くなり得ることがある。出願人らは、驚くべきことに、より低いIQEの原因が特定微量元素であり得、非常に低量(例えば50ppm以下)であってもIQEに大幅な悪影響をもたらし得ることを見いだした。従って、IQEを低下させるとして出願人らによって確認された特定微量元素が低量である発光性セラミック材料を開示する。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、ガーネットホスト材料およびある量のCeドーパントを有する組成物を含む。組成物は、例えば、透明マトリックス中に配された発光性焼結セラミックまたは発光性粉末であり得る。該量のCeドーパントは、発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすのに有効であり得る。いくつかの実施形態において、該量のCeドーパントは、発光性組成物が、約400nmと約500nmとの間の波長を有する光に曝露されると発光をもたらすことができる。いくつかの実施形態において、該量のCeドーパントは、発光性組成物が、約435nmと約475nmとの間の波長を有する光に曝露されると発光をもたらすことができる。いくつかの実施形態において、該量のCeドーパントは、発光性組成物が、約440nmと約470nmとの間の波長を有する光に曝露されると発光をもたらすことができる。いくつかの実施形態において、該量のCeドーパントは、発光性組成物が、約455nmの波長を有する光に曝露されると発光をもたらすことができる。
発光性組成物は、いくつかの実施形態において、約67ppm未満のNaと、約23ppm未満のMgと、約21ppm未満のFeとを有してもよい。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、9ppm未満のBを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、113ppm未満のPを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、54ppm未満のKを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、28ppm未満のTiを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、2.7ppm未満のCrを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、1.5ppm未満のCuを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、1600ppm未満のZrを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、18ppm未満のSbを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、74ppm未満のBaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、17ppm未満のLaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、1.2ppm未満のSmを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、6.9ppm未満のDyを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、7.0ppm未満のHoを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、2.0ppm未満のPtを有する。
いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約60ppm未満のNaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、17ppm未満のMgを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、4ppm未満のFeを有する。
組成物は、例えばアセンブリを焼結することによって調製され、発光性素子を形成することができる。したがって、「発光性素子」または「発光性セラミック素子」は、一般には、照明の目的で使用することができる最終的な発光性材料を記載しているが、「アセンブリ」は、焼結されて発光性セラミックを形成することができる複合体である。さらに以下に論述するように、発光性セラミック素子に見いだされる微量元素の量を、アセンブリを調製するのに使用される材料に基づいて制御することができる。組成物は、例えば粉末であってもよい。いくつかの実施形態において、粉末は、フローベースの熱化学的合成経路(例えば、レーザ熱分解、火炎溶射、溶射熱分解およびプラズマ合成)などの従来の手段によって調製される。粉末に見いだされる微量元素の量を、プロセスの出発材料に基づいて制御することができる。
発光性組成物中のガーネットホスト材料は、IQEを減少させる相当量の金属(例えば、Na、MgおよびFe)を含まないならば、特に限定されない。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、蛍光体を含む。本開示に鑑みて、当業者は、いくつかの因子に基づき、例えば、異なる種類の蛍光体の吸収および発光スペクトルを考慮することによる所望の白色点(すなわち色温度)について、発光性組成物のための蛍光体の種類を選択することができるであろう。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料は、式A 12によって表され得る。Aを十二面体配座部位と記載することができ、Bを八面体配座部位と記載することができ、Bを四面体部位と記載することができる。例えば、その全体が参照により本明細書に組み込まれている「Lattice Parameters and Ionic Radii of the Oxide and Fluoride Garnets」、Langley,Richardら、J.of Solid State Chemistry(30):79〜82(1979年)を参照されたい。
Aは、例えば、Li、K、Ag、Tl、Ca、Sr、Mn、Co、Cd、Pb、Sc、Y、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb、In、BiまたはZrであり得る。Bは、例えば、Li、Ca、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Sc、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Rh、Al、Ga、In、Ti、Zr、Ru、Sn、Nb、Ta、SbまたはTeであり得る。Bは、例えば、Li、Co、Zn、Cd、Al、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、V、NbまたはAsであり得る。XはOまたはFであり得る。いくつかの実施形態において、AはYまたはTbである。いくつかの実施形態において、AはYである。いくつかの実施形態において、BおよびBは同じである。いくつかの実施形態において、BはAlである。いくつかの実施形態において、BはAlである。いくつかの実施形態において、XはOである。
ガーネットホスト材料は、いくつかの実施形態において、YAl12、(Y1−x,Gd(Al1−y,Ga12、LuAl12、(Tb1−x,Gd(Al1−y,Ga12またはCaScSi12:式中、xは約0.00から約0.50の範囲であり、yは約0.00から約0.50の範囲である;であり得る。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料は、YAl12である。
いくつかの実施形態において、ガーネットは、組成A12:式中、AおよびBは、独立に、三価の金属から選択される;を有していてよい。いくつかの実施形態において、Aは、限定されないが、Y、Gd、La、LuおよびTbを含めた元素から選択され得、Bは、限定されないが、Al、Ga、SiおよびInを含めた元素から選択され得る。いくつかの実施形態において、ガーネットは、少なくとも1つの元素、好ましくは希土類金属でドープされる。いくつかの実施形態において、希土類金属はCeである。有用な蛍光体の非限定的な例としては、YAl12:Ce、(Y,Tb)Al12:Ceおよび(Y,Gd)(Al,Ga)12:Ceが挙げられる。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、RF熱プラズマ合成YAl12:Ce3+(YAG:Ce)を含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、(Y1−x−y,Gd,CeAl12:式中、0≦x<.50、および0<y<0.05;を含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、(Y1−x−y,Gd,CeAl12:式中、0≦x<.45、および0<y<0.045;を含む。いくつかの実施形態において、セラミック層は、(Y1−x−y,Gd,CeAl12:式中、0≦x<.40、および0<y<0.04;を含む。いくつかの実施形態において、セラミック層は、(Y0.64Gd0.35Ce0.01Al12、(Y0.64Gd0.35Ce0.004Al12または(Y0.64Gd0.35Ce0.002Al12を含む。
発光性組成物におけるCeドーパントの量も変動し得る。当業者は、発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすCeドーパントの量を容易に決定することができる。いくつかの実施形態において、Ceドーパントの量は、約0.01原子%から約10原子%の範囲である。Ceドーパントの量は、例えば、少なくとも約0.02原子%、少なくとも約0.04原子%、少なくとも約0.05原子%、少なくとも約0.075原子%、または少なくとも約0.1原子%であり得る。Ceドーパントの量は、例えば、約10原子%以下、約5原子%以下、約2原子%以下であり得る。
組成物が発光性セラミック素子である実施形態において、発光性素子の厚さは、例えば、焼結されて発光性セラミック素子を与えるためアセンブリの大きさによって調整されてよい。いくつかの実施形態において、発光性セラミック素子の厚さは、約5μmから約1mmの範囲である。発光性セラミック素子の厚さは、例えば、少なくとも約10μm、少なくとも約15μm、または少なくとも約20μmであってよい。発光性セラミック素子の厚さは、例えば、約1mm以下、約900μm以下、約800μm以下、約750μm以下、約600μm以下、または約500μm以下であってよい。
いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量は、発光性組成物の少なくとも約90重量%である。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量は、発光性組成物の少なくとも約95重量%である。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量は、発光性組成物の少なくとも約97重量%である。いくつかの実施形態において、ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量は、発光性組成物の少なくとも約99重量%である。
発光性組成物は、低量の様々な他の微量元素(例えば、B、K、Ti、Cr、Cu、Ba、Zr、La、Sm、P、Dy、Hoおよび/またはPt)を場合により含んでいてもよい。様々な微量元素は、好ましくは特定の閾値未満であってよいが、本出願は、低量のこれら様々な微量元素を含む発光性組成物に限定されない。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、B、K、Ti、Cr、Cu、Ba、Zr、La、Sm、P、Dy、HoおよびPtなどの様々な微量元素について、記載の閾値より多くの量を有することになる。
いくつかの実施形態において、発光性組成物は、11ppm未満のFeを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、4ppm未満のFeを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、14ppm未満のNaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、10ppm未満のMgを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、3ppm未満のMgを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、5ppm未満のBを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、20ppm未満のPを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、25ppm未満のKを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、3ppm未満のTiを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、1ppm未満のCrを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、500ppm未満のZrを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、2ppm未満のSbを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、5ppm未満のBaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、2ppm未満のLaを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、4ppm未満のDyを有する。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、3ppm未満のHoを有する。
発光性組成物は、いくつかの実施形態において、出願人らが、量子効率を大幅に減少させないことを発見した様々な元素を含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約0.4ppmのGaを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約40ppmのCaを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約20ppmのMoを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約0.7ppmのSeを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約0.8ppmのZnを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約20ppmのEuを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約90ppmのEuを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約5ppmのTbを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約5ppmのLuを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約15ppmのHfを含む。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、少なくとも約15ppmのWを含む。組成物は、上記の量で量子効率を大幅に減少させないこれらの元素の2種以上を含んでいてよい。
上記のように、本明細書に開示する発光性組成物の1つの利点は、優れた内部量子効率を示すことができることである。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約85%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約87%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約89%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約90%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約93%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約95%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約97%の内部量子効率(IQE)を示す。いくつかの実施形態において、発光性組成物は、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたときに少なくとも約98%の内部量子効率(IQE)を示す。
当業者に公知の標準的な方法を使用して、発光性素子を調製することができる。例えば、2つ以上のキャストテープを積層および焼結することによって、発光性素子を形成してよい。2つ以上のキャストテープを積層および焼結する例および方法は、いずれもその全体が参照により本明細書に組み込まれている米国特許第7,514,721号および米国公開第2009/0108507号に開示されている。別の例として、蛍光体混合物を成形および焼結することによって、発光性素子を調製してよい。これらの手順の非限定的な例は、いずれもその全体が参照により本明細書に組み込まれている米国公開第2009/0212697号および米国出願第13/050,746号に開示されている。焼結セラミック素子は多結晶質であってよい。本出願の発光性素子は、いくつかの実施形態において、上記の低量の微量元素を有する原料を使用して得られてよい。
蛍光体混合物を成形および焼結することによって、発光性素子を調製してもよい。発光性素子およびその製造方法の例は、その全体が参照により本明細書に組み込まれている米国公開第2009/0212697号に開示されている。図1は、成形および焼結によって複合体を形成する一実施形態の調製フローチャートを示す。
まず、本明細書に記載されている第1のガーネット蛍光体および第2のガーネット蛍光体などの原料ガーネット蛍光体粉末を与える。本明細書に記載されているフローベースの熱化学的合成経路などの任意の従来の方法または好適な方法によって、原料粉末を調製してよい。いくつかの実施形態において、複合体を製造するのに使用される蛍光体材料の原料粉末は、典型的には約1000nm以下、好ましくは約500nm以下、より好ましくは約200nm以下の平均粒径を有するナノサイズの粒子である。粒径が約1000nmを超えると、このような大きな粒径は、高温および高圧の焼結条件においても互いに容易に融着しないため、全光透過率を約50%より高くすることが非常に困難であり得る。その結果として、セラミック板に多くの空隙が残存する傾向がある。一方、ナノサイズの粒子は、互いに容易に融着することができるため、微細で空隙のないセラミック板を調製することが可能になる。
原料は、得られる蛍光体セラミック板の同じ組成または結晶構造を有する必要はない。例えば、YAG:Ce発光性素子は、YAG:Ce粉末、Y−Al−O−Ce含有非晶質粉末、YAlO:CeおよびAl粉末の混合物、Y、AlおよびCeO粉末の混合物、ならびにそれらの組合せを使用することによって製造されてよい。
いくつかの実施形態において、所望により焼結特性を向上させるために少量のフラックス材(焼結助剤)を使用してよい。いくつかの実施形態において、焼結助剤としては、限定されないが、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)、コロイダルシリカ、酸化リチウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化ホウ素またはフッ化カルシウムを挙げることができる。さらなる焼結助剤としては、限定されないが、NaClまたはKClなどのアルカリ金属ハロゲン化物、および尿素などの有機化合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、焼結セラミック板は、重量百分率で約0.01%と約5%との間、約0.05%と約5%との間、約0.1%と約4%との間、または約0.3%と約1%との間のフラックス材または焼結助剤を含む。焼結助剤を原料と混ぜることができる。例えば、いくつかの実施形態において、オルトケイ酸テトラエチル(TEOS)を原料に添加して、所望の量の焼結助剤を得ることができる。一実施形態において、約0.05重量%から約5重量%のTEOSを発光性素子に与える。いくつかの実施形態において、TEOSの量は、約0.3重量%と約1重量%との間であってよい。
いくつかの実施形態において、ガラス転移温度を低下させ、かつ/またはセラミックの可撓性を向上させるために、様々な可塑剤が含まれていてもよい。可塑剤の非限定的な例としては、フタル酸ビス(2−エチルヘキシル)、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ビス(n−ブチル)、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチルおよびフタル酸ジ−n−ヘキシルなどのジカルボン酸/トリカルボン酸エステル系可塑剤;アジピン酸ビス(2−エチルヘキシル)、アジピン酸ジメチル、アジピン酸モノメチルおよびアジピン酸ジオクチルなどのアジペート系可塑剤;セバシン酸ジブチルなどのセバケート系可塑剤、およびマレエート;マレイン酸ジブチル;マレイン酸ジイソブチル;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールおよびそのコポリマーなどのポリアルキレングリコール;ベンゾエート;エポキシド化植物油;N−エチルトルエンスルホンアミド、N−(2−ヒドロキシプロピル)ベンゼンスルホンアミドおよびN−(n−ブチル)ベンゼンスルホンアミドなどのスルホンアミド;リン酸トリクレジルおよびリン酸トリブチルなどの有機ホスフェート;ジヘキサン酸メチレングリコールおよびジヘプタン酸テトラエチレングリコールなどのグリコール/ポリエーテル;クエン酸トリエチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリブチル、クエン酸トリオクチル、クエン酸アセチルトリオクチル、クエン酸トリヘキシル、クエン酸アセチルトリヘキシル、クエン酸ブチリルトリヘキシルおよびクエン酸トリメチルなどのクエン酸アルキル;アルキルスルホン酸フェニルエステル;ならびにそれらの混合物が挙げられる。
いくつかの実施形態において、バインダ樹脂および溶媒を原料粉末に時折添加することによって混合および成形プロセスをより容易にすることができる。バインダは、加熱されている組成物の粒子の接着性を向上させて複合体を形成する任意の物質である。バインダのいくつかの非限定的な例としては、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルブチラール、ポリスチレン、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、ポリ酢酸ビニル、ポリ酪酸ビニル、および他の水溶性ポリマーなどが挙げられる。すべてではないがいくつかの状況において、バインダは、焼結段階の間に前駆体混合物から完全に除去または排除され得るのに十分に揮発性であることが有用であり得る。使用できる溶媒としては、限定されないが、水、低級アルカノール、例えば、限定されないが、変性エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールおよびそれらの混合物が挙げられ、好ましくは変性エタノール、キシレン、シクロヘキサノン、アセトン、トルエンおよびメチルエチルケトン、ならびにそれらの混合物が挙げられる。
乳鉢および乳棒、ボールミル粉砕機、ビーズミル粉砕機または他の同等の機器を使用して混合プロセスを実施することができる。積層プロセスでは、タブレット成形、熱間等静圧圧縮成形(HIP)、冷間等静圧圧縮成形(CIP)またはロール−ツーロール積層プロセス用の簡単なダイを利用することができる。いくつかの実施形態において、制御された量の原料粉末を金型に投入した後に、加圧して発光性素子を形成する。
単一の金型、または2つ以上の積み重ね金型をアセンブリとして使用し、続いて焼結して、複合体を形成する。金型の配置および数は、最終的な複合体の構成を決定する。得られる蛍光体材料の融点を超えない高温でアセンブリを焼結する。
任意の種類の好適なセラミック焼結技術を使用して、半透明セラミック板を調製することができる。いくつかの実施形態において、加圧しながら焼結を実施してもよい。温度プロファイル、雰囲気、圧力および継続時間などの焼結条件は、蛍光体材料の種類に左右される。いくつかの実施形態において、アセンブリを、約1000℃から約1900℃の範囲の温度で焼結する。例えばYAG、LuAGおよびTAGガーネット材料では、アセンブリを約1650〜1850℃で焼結することができる。例えば、ケイ酸Luガーネット材料をより低い温度、例えば約1300から約1550℃で焼結することができる。いくつかの実施形態において、アセンブリを、少なくとも約2時間にわたって焼結する。いくつかの実施形態において、アセンブリを、約50時間以下にわたって焼結する。
2つ以上のキャストテープを積層および焼結することによって、発光性素子を形成してもよい。いくつかの実施形態において、キャストテープは、本明細書に記載されている低量の微量元素を含む。2つ以上のキャストテープを積層および焼結する例および方法は、いずれもその全体が参照により本明細書に組み込まれている米国特許第7,514,721号および米国公開第2009/0108507号に開示されている。図2は、積層および焼結によってセラミック板を形成する一実施形態の調製フローチャートを示す。
まず、原料の粒径(例えば、YAGを形成するためのYおよびAlなどの硝酸塩または酸化物系原料)を場合により調整して、溶媒の蒸発の間に毛管力によってキャストテープにおける亀裂を低減することができる。例えば、原料粒子をプレアニーリングすることによって粒径を調整して、所望の粒径を得ることができる。原料粒子を約800℃から約1800℃(または、より好ましくは1000℃から約1500℃)の温度範囲でプレアニーリングして、所望の粒径を得ることができる。プレアニーリングは、真空、空気、O、H、H/Nまたは希ガス(例えば、He、Ar、Kr、Xe、Rnまたはそれらの組合せ)中で行ってよい。ある実施形態において、原料(例えば、YAGを形成するためのYおよびAl)の各々が、ほぼ同じ粒径になるように調整される。別の実施形態において、粒子は、約0.5m/gから約20m/g(好ましくは約1.0m/gから約10m/g、または、より好ましくは約3.0m/gから約6.0m/g)の範囲のBET表面積を有する。
次いで、後にテープにキャストするためのスラリーを調製してよい。予め製造された蛍光体(例えば、本明細書に記載されているフローベースの熱化学的合成経路によって調製された蛍光体)および/または化学量論量の原料と様々な成分とを混ぜて混合物を形成することができる。混合物の成分の例としては、限定されないが、ドーパント、分散剤、可塑剤、バインダ、焼結助剤および溶媒が挙げられる。ドーパント、焼結助剤、可塑剤、バインダおよび溶媒は、成形および焼結プロセスに関して上述したものと同じであってよい。
いくつかの実施形態において、分散剤は、魚油、長鎖ポリマー、ステアリン酸、酸化メンハーデン魚油、コハク酸などのジカルボン酸、モノオレイン酸ソルビタン、エタン二酸、プロパン二酸、ペンタン二酸、ヘキサン二酸、ヘプタン二酸、オクタン二酸、ノナン二酸、デカン二酸、o−フタル酸、p−フタル酸およびそれらの混合物であり得る。
次いで、例えば、混合物を約0.5時間から約100時間(好ましくは、約6時間から約48時間、または、より好ましくは約12時間から約24時間)の範囲の時間にわたってボールミル粉砕することによって、混合物を粉砕に付してスラリーを形成してよい。ボールミル粉砕には、混合物中に混ぜられた成分以外の材料を含むミル粉砕ボールを利用してもよい(例えば、ミル粉砕ボールは、YAGを形成する混合物ではZrOであってよい)。ある実施形態において、ボールミル粉砕は、濾過によってある時間後のミル粉砕ボールを単離すること、または他の公知の単離方法を含む。いくつかの実施形態において、スラリーは、約10cPから約5000cP(好ましくは約100cPから約3000cP、または、より好ましくは約200cPから1000cP)の範囲の粘度を有する。
第3に、スラリーを剥離基材(例えばシリコーンがコートされたポリエチレンテレフタレート基材)にキャストしてテープを形成してよい。例えば、ドクターブレードを使用してスラリーを移動担体上にキャストし、乾燥してテープを形成してよい。ドクターブレードと移動担体との間のギャップを変化させることによって、キャストテープの厚さを調整することができる。いくつかの実施形態において、ドクターブレードと移動担体との間のギャップは、約0.125mmから約1.25mm(好ましくは約0.25mmから約1.00mm、または、より好ましくは約0.375mmから約0.75mm)の範囲である。一方、移動担体の速度は、約10cm/分から約150cm/分(好ましくは約30cm/分から約100cm/分、または、より好ましくは約40cm/分から約60cm/分)の範囲のレートを有することができる。移動担体速度、およびドクターブレードと移動担体との間のギャップを調整することによって、テープを約20μmから約300μmの厚さにすることができる。キャスティング後に、場合によりテープを所望の形状に切断してもよい。
2つ以上のテープを積層してアセンブリを形成する。積層工程は、2つ以上のテープを積み重ね(例えば2から100個のテープを積み重ねる)、積み重ねたテープを熱および一軸圧力(例えば、テープ表面に垂直な圧力)に付すことを含むことができる。例えば、積み重ねたテープをテープに含有されるバインダのガラス転移温度(T)を超えて加熱し、金属ダイを使用して一軸圧縮してよい。いくつかの実施形態において、一軸圧力は、約1から約500MPa(好ましくは約30MPaから約60MPa)の範囲である。いくつかの実施形態において、熱および圧力は、約1分から約60分(好ましくは約15分から約45分、または、より好ましくは約30分)の範囲の時間にわたって加えられる。積層工程は、例えば成型ダイを使用して、様々な形状(例えば穴もしくは柱)またはパターンをアセンブリ内に形成することを場合により含んでいてよい。
アセンブリのいくつかの実施形態は、本出願に記載されている低量の微量原子を有することを含む。例えば、アセンブリは、約67ppm未満のNaと、約23ppm未満のMgと、約21ppm未満のFeとを有していてよい。特定の理論に縛られるわけではないが、アセンブリにおけるあらゆる微量元素が、焼結後に得られる発光性素子に残存すると考えられる。従って、前駆体材料中に低量の微量原子を維持することで、本出願の範囲内の発光性元素を提供することができる。(例えば、さらなる層を付加することによって)アセンブリの厚さを調整して、発光性素子の厚さを変動させてよい。
アセンブリを加熱して、発光性素子を形成してよい。加熱工程は、脱バインダ処理プロセスおよび焼結プロセスを含んでもよい。脱バインダ処理プロセスは、アセンブリ中の有機成分の少なくとも一部を分解すること(例えば、アセンブリ中のバインダおよび可塑剤を揮発させること)を含む。例として、アセンブリを約0.1℃/分から約10℃/分(好ましくは約0.3℃/分から約5℃/分、または、より好ましくは約0.5℃/分から約1.5℃/分)のレートで約300℃から約1200℃(好ましくは約500℃から約1000℃、または、より好ましくは約800℃)の範囲の温度に空気中で加熱してよい。この加熱工程の例は、約30分から約300分の範囲の時間にわたって該温度を維持することを含んでもよく、該時間は、アセンブリの厚さに基づいて選択されてよい。
加熱工程は、発光性素子を形成するための焼結プロセスも含む。アセンブリを約1時間から約100時間(好ましくは約2時間から約10時間)の範囲の時間にわたって約1200℃から約1900℃(好ましくは約1300℃から約1800℃、または、より好ましくは約1350℃から約1700℃)の範囲の温度にて真空、空気、O、H、H/Nまたは希ガス(例えば、He、Ar、Kr、Xe、Rnまたはそれらの組合せ)中で焼結してよい。いくつかの実施形態において、脱バインダ処理プロセスおよび焼結プロセスは、単一の工程で遂行される。
発光性素子の透過率を向上させるために、任意の再酸化工程を含めてもよい。再酸化は、複合体を約1℃/分から約20℃/分(好ましくは約4℃/分)の加熱速度で、約30分から約300分(好ましくは約2時間)にわたって約1000℃から約1500℃(好ましくは約1400℃)の範囲の温度にて酸素または空気に曝露することを含むことができる。
フローベースの熱化学的合成経路(例えば、レーザ熱分解、火炎溶射、溶射熱分解およびプラズマ合成)などの従来の手段によって、発光性組成物を粉末に調製してよい。例として、高周波誘導結合熱プラズマ合成は、化学量論量の硝酸塩系原料を有する水溶液を霧化し、次いで高周波プラズマトーチを使用して、前駆体材料を蒸発および分解することを含む。これらの材料は核化して粒子となり、それらを(例えば適宜のフィルタを使用して)単離し、(例えば1000℃以上の炉において)アニーリングして、材料を所望の蛍光体に変換してよい。高周波プラズマトーチを使用してナノ粒子を製造する方法は、いずれもその全体が参照により本明細書に組み込まれている「Thermal Treatment for Inorganic Materials」という名称の米国出願第12/175,389号、および「Method and Apparatus of Producing Nanoparticles using Nebulized Droplet」という名称の米国出願第12/131,844号に開示されている。
乳鉢および乳棒、ボールミル粉砕機、ビーズミル粉砕機または他の好適な方法を使用するなどして、粉砕によって、組成物を粒状化するか、または粉末に形成してよい。蛍光体組成物を、例えば直径が約10μm未満、約200nm未満、約500nm未満、または約1000nm未満の平均粒径を有する粉末に形成してよい。
いくつかの実施形態は、光源と、光源により発された放射線の少なくとも一部を受けるように構成された発光性組成物とを有する照明装置を提供する。発光性組成物は、以上に開示したもののいずれかのなどの低量の特定微量元素を有していてよい。
光源は、いくつかの実施形態において、青色放射線を発するように構成されていてよい。青色放射線は、例えば、約360nmと約500nmとの間に発光ピークの波長を有していてよい。いくつかの実施形態において、光源は、約450nmと約500nmとの間に発光ピークの波長を有する放射線を発する。いくつかの実施形態は、半導体LEDである光源を含む。例として、光源は、電源に接続されたAlInGaN系単結晶半導体材料であってよい。
図3Aは、本明細書に開示する発光性組成物を含んでいてよい照明装置の例である。サブマウント10は、その上に取り付けられた従来のベースLEDなどの光源15を有する。光源15は、光源15から発された光の少なくとも一部を受けるカプセル化蛍光体粉末20に隣接する。エポキシなどの任意のカプセル材樹脂25は、光源15およびカプセル化蛍光体粉末20の上に配置される。カプセル化蛍光体粉末20は、本明細書に開示する組成物のいずれか1つであってもよい。
図3Bは、本明細書に開示する発光性素子を含んでいてよい照明装置の例である。光源15は、光源15から発される光の少なくとも一部を受ける発光層30に隣接する。任意のカプセル材樹脂25は、光源15および発光層30の上に配置される。発光層30は、本出願に開示する発光性素子のいずれかを含むことができる。
本明細書に開示するいくつかの実施形態は、本出願に開示する組成物のいずれかを青色放射線に曝露することを含む、光の生成方法である。発光性セラミックは、以上に開示したもののいずれかなどの低量の特定微量元素を有していてよい。青色放射線は、例えば、約360nmと約500nmとの間に発光ピークの波長を有していてよい。いくつかの実施形態において、青色放射線は、約450nmと約500nmとの間に発光ピークの波長を有する。
以下の実施例においてさらなる実施形態をより詳細に開示するが、これらは、特許請求の範囲を限定することを何ら意図していない。
(実施例1:発光性セラミックサンプル1の調製および評価)
0.1497モル(57.337g)の硝酸イットリウム(III)六水和物(純度99.9%、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)、0.25モル(93.785g)の硝酸アルミニウム九水和物(純度99.97、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)および0.0003モル(0.13g)の硝酸セリウム(III)六水和物(純度99.99、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)を1000mlの脱イオン水に溶解した後、30分間超音波処理して、完全に透明な溶液を調製した。
この0.4Mの前駆体溶液を、液体ポンプを使用して霧化プローブを介してプラズマ反応チャンバ内に送り込んだ。いずれの蒸着実験も、3.3MHzで動作するRF誘導プラズマトーチ(TEKNA Plasma System,Inc PL−35)を用いて実施した。蒸着実験では、チャンバ圧力を25kPa〜35kPa付近に保ち、RF発生器プレート出力を10〜12kWの範囲とした。プレート出力も蒸着圧力もユーザ制御パラメータである。アルゴンを旋回シースガスおよび中心プラズマガスとしてガス導入口からプラズマトーチに導入した。シースガス流量を30slm(標準毎分リットル)で維持し、中心ガス流量が10slmであった。
放射状霧化プローブ(TEKNA Plasma System,Inc SDR−772)を使用して反応物質の注入を実施した。反応物質の注入時にプローブをプラズマプルームの中央に配置した。蒸着時に反応物質を10ml/分のレートでプラズマプルームに供給した。アルゴンを15slmの流量で送られる霧化ガスとして、液体反応物質の霧化を実施した。霧化プローブへの冷却水の供給を4slmの流量および1.2MPaの圧力で維持した。
Bruker AXSマイクロ回折計(CuKα)を用いて得られたX線回折(XRD)スペクトルを使用して蒸着粒子の結晶相を調べた。得られたスペクトルをYAG、YAPおよび非晶質材料の標準スペクトルと比較して、得られた材料を識別した。国立標準技術研究所(NIST)標準YAG(粉末回折標準に関する合同委員会[JCPDS」)カード番号00−33−00400およびイットリウムアルミニウムペロブスカイト標準JCPDSカード番号00−54−0621の標準スペクトルを使用した。得られたサンプルの結晶相は、非晶質およびイットリウムアルミニウムペロブスカイト(YAP)の混合物として識別された。
Micrometrics型式Gemini2365ガスソープトメータにより取得したデータに基づいて、16.6m/gと測定されたBET表面積から平均粒径(Dave)を求めた。得られたサンプルのDaveは、5.55g/ccのYAP密度に基づき65nmであった。
ポリマーバインダおよびYAGを含有するグリーンシートを調製する前に、それぞれ、GSL−1700X−80アルミナ管状炉(MTI Corporation、カリフォルニア州Richmond)を使用して、アルミナ燃焼ボートに配置した原料YAP/非晶質粒子をまず空気中で600℃に加熱した後、次の加熱をH/N=3%/97%(v/v)の還元雰囲気にて1400℃(加熱速度は4℃/分)で2時間行った。これらの3つのサンプルは、CeドープされたYAG相への結晶化により、H/N中での1400℃のこの熱処理後に無地の白色原料粒子から黄色に変化した。XRDでも単一のYAG相が示された。得られたYAG粒子の平均粒径(Dave)を、2.31m/gと測定されたBET表面積から求めた。得られたサンプルのDaveは、4.55g/ccのYAP密度に基づき571nmであった。
YAG粒子(64.2g)、最終的なグリーンシートのためのポリマーバインダの主成分としての10.8gのアクリルポリマー水溶液、水性スラリーの脱泡剤としての0.12gの2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールエトキシレート、可塑剤としての1.18gの2−アミノ−2−メチル−1プロパノール、および30.00gのミリQ水を、内径が80mmの8オンス(0.231)ポリプロピレン(PP)厚肉ジャー(Parkway Plastics,Inc.、ニュージャージ州Piscataway)に加えた。
次いで、PPジャーの内容物を、混合物が液状に見えるまで手で振とうした。直径5〜10mmの380gのZrOミル粉砕媒体をPPジャーに加え、PPジャー内の混合物を700シリーズ「ローラ型」ジャーミル(US Stoneware、オハイオ州East Palestine)により約16時間にわたって96rpmでミル粉砕した。その後、さらなる13.7gの同じアクリルポリマー水溶液をPPジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加して、最終的なスラリーに最終的に60体積%のセラミック粒子を含有させた。次いで、この混合物をさらに約4時間にわたってローラ型ジャーミルによりさらにミル粉砕した。全ボールミル粉砕プロセスが終了すると、凝集したセラミック粒子を除去するために、得られたスラリーを、孔径が0.05mmのシリンジ補助金属スクリーンフィルタを通して濾過した。次いで、調整可能フィルム塗布具(Paul N.Gardner Company,Inc.、フロリダ州Pompano Beach)により、スラリーを300mm/分のキャスト速度で、シリコーンでコートされたポリエチレンテレフタレート基材にキャストした。フィルム塗布具のブレードギャップを所望のグリーンシートの厚さに応じて調整した。キャストテープを65℃で少なくとも10分間にわたって乾燥して、最終的に約100μmの厚さのセラミックグリーンシートを得た。
乾燥したグリーンシートを、レザーブレードを使用して約35mm×35mmに切断した。同じ組成を有する5層のグリーンシートをアセンブルした。このアセンブリを、TBH−100H加熱プレス(三庄インダストリー株式会社、日本)を使用して約75℃にて約20MPaで約5分間にわたって積層した。その結果、約35mm×35mm×0.5mmの積層YAG成形体を得た。
次いで、次のICP−MS分析のために、積層成形体の表面を、25WのCOレーザを備えたVLS2.30レーザ打刻・切断システム(Universal Laser System)を使用してレーザ加工して、ノッチをメッシュ状の2.5mm×2.5mmの立方体に打刻した。ノッチを打刻するこの加工により、焼結板をより容易に分離して、所望の場合には焼結後に2mm×2mmのセラミック片を得ることが可能であった。
次の工程として、ポリマーバインダを積層成形体から除去した。脱バインダ処理プロセスの間の積層成形体のたわみ、反り、および屈曲を回避するために、積層成形体を、公称多孔度が40%のAl多孔質被覆板(ESL ElectroScience、ペンシルベニア州King of Prussia)の間に挟んだ。複数のグリーンシートを多孔質Al被覆板の間に交互に積み重ねた。積層成形体を、ST−1700C−445箱形炉(SentroTech Corporation、オハイオ州Brea)を使用して空気中で約2時間にわたって約1200℃に加熱した。加熱および冷却速度は、それぞれ0.7℃/分未満および4.0℃/分未満であった。脱バインダ処理された成形体を、その加熱素子および遮熱材がタングステンおよびモリブデンで構成された高温炉を使用して、10−3Torrの真空下で約5時間にわたって1800℃にて完全に焼結した。この焼結プロセスの加熱速度は、約16.7℃/分(〜400℃)、8.0℃/分(400〜1000℃)、5.0℃(1000〜1400℃)、3.3℃/分(1400〜1500℃)および1.5℃/分(1500〜1800℃)であったのに対して、冷却速度は、焼結の間の亀裂を最小限に抑えるために8.0℃/分であった。真空条件で焼結された、得られたYAGセラミックは、焼結の間に引き起こされる酸素不定比性により、通常は褐色または暗褐色であった。GSL−1700X−80ベンチトップ単一ゾーン管状炉(MTI Corporation)を使用して、4.0℃/分未満の加熱および冷却速度にて、低真空圧力(約20Torr)下で約2時間にわたって1400℃にて再酸化を実施した。
以下に記載するように、積分球、光源、モノクロメータ、光ファイバおよびサンプルホルダなどの必要な光学部品とともに大塚電子MCPD7000マルチチャネル光検出器システム(大阪、日本)を用いてIQE測定を実施した。
上記のように構成された、直径が約11mmのYAG:Ce発光性セラミック素子を、屈折率が約1.45のアクリルレンズを備えた455nmにピーク波長を有する発光ダイオード(LED)に配置した。YAG:Geを備えたLEDを積分球の内部にセットアップした。YAG:Ceセラミック素子をLEDにより照射し、青色LEDおよびYAG:Ceセラミックの光放射をそれぞれ記録した。次に、YAG:Ceセラミック板をLEDから除去し、次いでアクリルレンズを備えた青色LEDの放射を測定した。
図4に示すように、青色LEDのみおよび青色LED/セラミックの組合せとの放射の差の積分によってIQEを計算した。
焼結YAGセラミックの50mgサンプルをICP−MSによって分析して、様々な元素の含有量を求めた。焼結YAG板の表面におけるメッシュ状のノッチを使用して、セラミックサンプルを分割して、2mm×2mmのYAGセラミック片を得た。YAG片を正確に50mg秤量した。予め秤量した坩堝にて50mgの秤量セラミックと3mLの硝酸および1mLの塩酸とを混合し、次いでマイクロ波を使用して温浸したICP−MSサンプルを調製した。セラミックは、このマイクロ波処理後、部分的に溶解されたようであった。冷却後、未温浸のセラミック片を乾燥し、温浸前後に秤量して溶解量を求め、それをICP−MS結果の算出に使用した。既知の濃度のScおよびInを含む十分量の標準溶液を添加し、水で50gに希釈することで、ICPMS分析用の溶液を生成した。次いで、一般的な標準元素、ブランクおよびサンプル溶液をAgilent 7500cx誘導結合型プラズマ質量分析計(ICP−MP)に導入した。サンプル溶液中の約50種の元素の濃度を定量的に求めた。すべての気体、C、SおよびSiは、ICP−MSによって分析することができない。ScおよびInは、いずれも、これらの2種類の元素が標準として利用されたため分析することができなかった。
得られたサンプル1をIQE測定で評価し、さらに微量元素分析ためのICP−MSにより特徴づけた。ともに他のサンプルと比較するために、得られたIQE値ならびにICP−MSデータも使用した。
(実施例2:発光性セラミックサンプル2の調製および評価)
尿素均一沈殿法を以下のように実施した。塩化イットリウム(YCl)、塩化アンモニウム(AlCl)および塩化セリウム(CeCl)溶液を混合し、濃硫酸(HSO)を添加することによって、イットリウム、アルミニウムおよびセリウムの原液を調製した。3.5928モルのYCl(純度99.9%、VWR)および0.0072モルのCeCl(純度99.9%、Aldrich)を窒素雰囲気下でグローブボックス内に正確に秤量して、水分吸収により最終的な0.2原子%のCeがドープされたイットリウムアルミニウムガーネット(YAG:Ce)粒子のY:Ce:Alの化学量論的混合比に誤差が生じないことを確実にした。激しい加水分解によって引き起こされる瞬間的な水の沸騰を回避するために、ごく少量の両塩化物粉末を、絶えず撹拌しながらそれぞれ3.6Lの脱イオン水に添加した。6.0モルのAlCl(純度>99.9%、Aldrich)も、秤量した窒素雰囲気下のグローブボックス内に正確に秤量し、それを同様にして別個の6.0L脱イオン水に溶解させた。次いで、これらの2つの水溶液を、絶えず撹拌しながら40Lのエルレンマイヤーフラスコにおいて混合した。YCl/CeClおよびAlCl溶液のための2つの容器を脱イオン水で十分にすすぎ、リンス水を合わせて40Lのフラスコに入れ、金属塩化物溶液の定量的な移動および混合を確実にした。次いで、0.4Lの36N濃硫酸(HSO、純度95〜98%、Aldrich)を、絶えず撹拌しながら混合溶液にゆっくり添加して、イットリウム、アルミニウムおよびセリウムの原液を形成した。
その後、約12Lの重炭酸アンモニウム(NHHCO、純度99%、Aldrich)飽和水溶液を、溶液のpHが約4.8になるまで原液に滴加した。この得られた白色沈殿物含有溶液を室温にて終夜連続撹拌した。次いで、水酸化アンモニウム溶液(NHOH、NHとして29〜30%、Aldrich)を、pHが約7.8になるまで混合溶液に滴加した。得られた溶液をさらに約2時間にわたって撹拌した。最後に、溶液を真空濾過により濾過して白色固体を収集した。収集した白色固体を真空濾過により脱イオン水で6回繰り返し洗浄した。次いで、洗浄した白色固体を約120℃で48時間にわたって乾燥して、YAG前駆体粒子を得た。前駆体粒子のBET表面積をBET表面積分析装置(Gemini V、Micrometrics Instrument Corporation、ジョージア州Norcross)によって測定したところ40.3m/gであった。前駆体粒子の非晶質構造をX線回折(XRD)技術によって確認した。YAG:Ce前駆体粒子を約1300°で約2時間にわたって空気中で仮焼して、YAG結晶粒子を得た。YAG結晶粒子のBET表面積を測定したところ、1.7m/gであった。仮焼粒子のYAG結晶構造のみをXRDによって検出した。
上記の尿素均一沈殿法によって合成されたYAG粒子を、実施例1に記載のRF熱プラズマ熱分解により合成されたYAG粒子の代わりに使用したことを除いては、実施例1に記載されているのと同様にしてサンプル2を調製および評価した。
(実施例3:発光性セラミックサンプル3の調製および評価)
54.72gのY粒子(Y粉末3と表記)、BET表面積が5.58+/−0.11m/gの41.26gのAl粒子、BET表面積が5.41+/−0.10m/gの167mgのCeO粒子、最終的なグリーンシートのポリマーバインダの主成分としての16.20gのアクリルポリマー水溶液、水性スラリーの脱泡剤としての0.18gの2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオールエトキシレート、可塑剤としての1.79gの2−アミノ−2−メチル−1プロパノール、および45.00gのミリQ水を、内径が80mmの12オンス(0.341)ポリプロピレン(PP)厚肉ジャー(Parkway Plastics Inc.、ニュージャージ州Piscataway)に加えて水性スラリーを調製したことを除いては、実施例1のサンプル1と同様にしてサンプル3を調製および評価した。このスラリー調製の前に、Y粒子を所望の粒径になるように空気中にて約1400℃で仮焼した。仮焼後、Y粒子のBET表面積を測定したところ、約2.8m/gであった。得られた仮焼Y粒子のDaveは、5.01g/ccのY2O3密度に基づいて428nmであった。直径5〜10mmの570gのZrOミル粉砕媒体をPPジャーに添加した。最初の16時間にわたるボールミル粉砕の後に、さらなる20.70gの同じアクリルポリマー水溶液をPPジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加して、最終的なスラリーに最終的に60体積%のセラミック粒子を含有させた。真空中での1800℃の焼結の終了後に、0.2原子%のCeがドープされたYAGセラミックを得た。
(実施例4〜11:発光性セラミックサンプル4〜11の調製および評価)
それぞれ異なるY粒子(Y粉末4〜11と表記)をY粉末3の代わりに使用したことを除いては、実施例3のサンプル3と同様にしてサンプル4〜11を調製および評価した。表面積を実施例3のY粉末3と同様の値に調整したY粒子4〜11を使用した。
(実施例12:発光性セラミックサンプル12の調製および評価)
実施例2の100ミクロンの厚さのグリーンシートの層および実施例3の100ミクロンの厚さのグリーンシートの3層を、実施例2のグリーンシートを実施例3の3つのグリーンシートの間に挟んで一緒に積層したことを除いては、実施例1のサンプル1と同様にしてサンプル12を調製および評価した。真空中にて1800℃で焼結後、低真空中にて1400℃でアニーリングを行った後にセラミックサンプル12を得た。
(サンプル1〜12の結果)
Figure 2014525480
サンプル1〜12のICP−MSに基づく微量元素を表2に与える。(重量パーセントで提示されている)セラミック純度を除いて表2に与えられているすべての値は、重量百万分率(ppm)である。
Figure 2014525480
Figure 2014525480
検出限界は、サンプルにより変動したため、表2の検出限界は、すべてのICP−MS分析による範囲を示す。NDは、測定された純度が、機器の検出限界未満であると考えられることを示している。サンプル1〜29のいずれにおいても検出されなかったか、またはICP−MSを使用して測定することができなかった元素を表2から除外した。例えば、プルトニウムは、ICP−MSを使用して検出することができなかった。
(実施例13:発光性セラミックサンプル13の調製および評価)
0.2%の代わりに1.0%のCeをドーパントとして使用し、YAGセラミックにおける置換されたYに35%のGdを添加したこと、および水性スラリーの代わりにトルエンベースのスラリーを使用したことを除いては実施例1と同様にして、1.0原子%のCeがドープされ、35%のGdが添加されたYAGセラミック発光性素子を調製した。スラリー調製のための混合の前に、Gd粒子をこのスラリー調製の前に所望の粒径になるように空気中にて約1200℃で仮焼した。仮焼後、Gd粒子のBET表面積を測定したところ、約2.5m/gであった。SSRベースの、1.0原子%のCeがドープされたY/GdAG発光層を9.752gのY粒子、11.466gのAl粒子、0.586gの硝酸セリウム(III)六水和物(1.0原子%のCeドープ濃度に等しい)および8.561gのGd粒子(Gd粉末13と表記)から製造した。ここで、サンプル3のY粉末3は、表1に記載されている最もIQEの高いサンプルによるものであるため、この実施例においてすべての各層に使用された。これらの粒子を高純度Alボールミルジャー(Torrey Hills Technologies,LLC、カリフォルニア州San Diego)に加えた。2.00pph(0.60g)の分散剤(Flowlen G−700、共栄社化学株式会社、日本)、および焼結助剤としての0.50pph(0.15g)のオルトケイ酸テトラエチル(TEOS、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)もミルジャーに添加した。10.0gのトルエンをミルジャーに加え、次いでミルジャーの内容物を、混合物が液状に見えるまで手で撹拌した。直径3mmの30gのZrOミル粉砕媒体をミルジャーに加え、第1の混合工程として、ミルジャー内の混合物を24時間にわたってベンチトップ遊星ボールミル(MTI Corporation、カリフォルニア州Richmond)によりミル粉砕した。
同時に、21.00gのビニルブチラール−ビニルアルコール−酢酸ビニルコポリマー(PVB、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)、10.50gのフタル酸ベンジルn−ブチル(BBP、Alfa Aesar)および10.50gのポリエチレングリコール(PEG、Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)を90gのトルエンに、全体を24時間にわたって撹拌しながら溶解させることによって、ポリマーバインダおよび可塑剤のバインダ溶液を調製した。
以上のように調製した14.14gのバインダ溶液をミルジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加して、最終的なスラリーに7.50pphのPVB、3.75pphのBBPおよび3.75pphのPEGを含有させた。次いで、この混合物をさらに約24時間にわたってベンチトップ遊星ボールミルによりさらにボールミル粉砕した。全ボールミル粉砕プロセスが終了すると、凝集したセラミック粒子を除去するために、得られたスラリーを、孔径が0.05mmのシリンジ補助金属スクリーンフィルタを通して濾過した。次いで、調整可能フィルム塗布具(Paul N.Gardner Company,Inc.、フロリダ州Pompano Beach)により、スラリーを、300mm/分のキャスト速度で、シリコーンでコートしたポリエチレンテレフタレート基材にキャストした。フィルム塗布具のブレードギャップを所望のグリーンシートの厚さに応じて調整した。キャストテープを大気雰囲気で乾燥して、最終的に、YAG発光層のための1.0%Ce/35%Gdがドープされたグリーンシートの約40μmの厚さのセラミックグリーンシートを得た。
また、9.927gのY粒子(Y粉末3と表記)、11.493gのAl粒子および8.581gのGd粒子(Gd2O3粉末13と表記)からSSRベースのY/GdAG内側疑似層(Ceドープされていない)を製造した。これにより、内側疑似層のための35%Gdグリーンシートを得た。フィルム塗布具のブレードギャップを調整して、最終的に、約100μmの厚さの、内側疑似層のセラミックグリーンシートを得た。
また、57.06gのY粒子(Y粉末3と表記)からSSRベースのYAG外側疑似層(いずれのドープもされていない)を製造し、42.94gのAl粒子をZrOボールミルジャー(Torrey Hills Technologies,LLC、カリフォルニア州San Diego)に加えた。2.00pph(2.00g)のFlowlen G−700、および焼結助剤としての0.50pph(0.50g)のTEOSもミルジャーに加えた。33.33gのトルエンをミルジャーに加え、次いでミルジャーの内容物を、混合物が液状に見えるまで手で撹拌した。直径3mmの130gのZrOボールをミルジャーに加えた。全ミル粉砕プロセスの終了後、フィルム塗布具のブレードギャップを調整して、最終的に、約100μmの厚さの、外側疑似層のセラミックグリーンシートを得た。
YAGグリーンシート(CeもGdもドープされていない)を第1の層および最終層とし、35原子%のGdがドープされたYAGグリーンシート(Ceドープされていない)を第2の層および第4の層とし、1.0%のCeおよび35%のGdがドープされたグリーンシートを第3の中間層とする5層を積層および焼結したことを除いては、実施例1と同様にして、積層された層(5層)を作製した。この積層体の構造を図5に示す。このアセンブリを室温にて24MPaで約5時間にわたって積層した後、TBH−100H加熱プレス(三庄インダストリー株式会社、日本)を使用して約85℃にて約16MPaで約5分間にわたって積層した。その結果、約35mm×35mm×0.44mmの積層YAG成形体を得た。
得られたサンプル13のIQEおよびICP−MS分析を実施例1のサンプル1と同様に実施した。
(実施例14〜19:発光性セラミックサンプル14〜19の調製および評価)
種々のGd粒子(それぞれ、Gd粉末14〜19と表記)をGd粒子13の代わりに使用したことを除いては、実施例13のサンプル13と同様にしてサンプル14〜19を調製および評価した。表面積を実施例13のGd粉末13と同様の値に調整したGd粒子14〜19を使用した。
(サンプル13〜19の結果)
サンプル13からサンプル19のIQE値を表3にまとめる。
Figure 2014525480
サンプル13〜サンプル19のICP−MSに基づく微量元素を表4に与える。表4に与えられているすべての値は、百万分率(ppm)である。INTは、当該元素が、他の元素の干渉により分析できなかったことを示す。
Figure 2014525480
Figure 2014525480
(実施例20:発光性セラミックサンプル20の調製および評価)
31.89gのY粒子(Y粉末3と表記)、BET表面積が5.58+/−0.11m/gの26.78gのAl粒子、5.71gのGd粒子(Gd粉末18と表記、10原子%のGdドープ濃度に等しい)、BET表面積が5.41+/−0.10m/gの217mgのCeO粒子(0.4原子%のCeドープ濃度に等しい)、10.80gのアクリルポリマー水溶液、0.12gの脱泡剤、1.17gの可塑剤、および30.00gのミリQ水を、内径が80mmの8オンス(0.231)PP厚肉ジャー(Parkway Plastics Inc.、ニュージャージ州Piscataway)に加えて水性スラリーを調製したことを除いては、実施例3のサンプル3と同様にしてサンプル20を調製および評価した。ここでサンプル3のY粉末3およびサンプル18のGd粉末18は、表1および3において最もIQEの高いサンプルの1つを示すため、この実施例において使用した。スラリーの調製のための混合の前に、Gd粉末18をこのスラリーの調製の前に所望の粒径になるように空気中にて約1200℃で仮焼した。仮焼後、Gd粒子のBET表面積を測定したところ、約2.0m/gであった。直径5〜10mmの380gのZrOミル粉砕媒体をPPジャーに添加した。最初の16時間にわたるボールミル粉砕の後に、さらなる13.33gの同じアクリルポリマー水溶液をPPジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加して、最終的なスラリーに最終的に60体積%のセラミック粒子を含有させた。真空中での1800℃の焼結の終了後に、0.4原子%のCeおよび10原子%のGdがドープされたYAGセラミックを得た。
(実施例21〜25:発光性セラミックサンプル21〜25の調製および評価)
種々のGd粒子(それぞれ、Gd粉末21〜25と表記)をGd粉末18の代わりに使用したことを除いては、実施例20のサンプル20と同様にしてサンプル21〜サンプル25を調製および評価した。表面積を実施例20のGd粉末18と同様の値に調整したGd粒子21〜25を使用した。
サンプル20からサンプル25のIQE値を表5にまとめる。
Figure 2014525480
サンプル20〜25のICP−MSに基づく微量元素を表6に与える。表6に与えられているすべての値は、百万分率(ppm)である。
Figure 2014525480
Figure 2014525480
(実施例26:発光性セラミックサンプル26の調製および評価)
29.80gのY粒子(Y粉末3と表記)、BET表面積が5.58+/−0.11m/gの26.45gのAl粒子、8.46gのGd粒子(Gd粉末18と表記、15原子%のGdドープ濃度に等しい)、BET表面積が5.41+/−0.10m/gの107mgのCeO粒子(0.2原子%のCeドープ濃度に等しい)、10.80gのアクリルポリマー水溶液、0.12gの脱泡剤、1.16gの可塑剤、および30.00gのミリQ水を、内径が80mmの8オンス(0.231)PP厚肉ジャー(Parkway Plastics Inc.、ニュージャージ州Piscataway)に加えて水性スラリーを調製したことを除いては、実施例20のサンプル20と同様にしてサンプル26を調製および評価した。最初の16時間にわたるボールミル粉砕の後に、さらなる13.11gの同じアクリル水溶液をPPジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加した。真空中での1800℃の焼結の終了後に、0.2原子%のCeおよび15原子%のGdがドープされたYAGセラミックを得た。
(実施例27:発光性セラミックサンプル27の調製および評価)
カルプリット元素としてジルコニアを意図的に添加して、最終的なセラミックのIQEに対するその影響を確認するために、0.5pph(0.32g)のオキシ硝酸ジルコニウム(IV)水和物(Sigma−Aldrich、ミズーリ州St.Louis)を添加したことを除いては、実施例26のサンプル26と同様にしてサンプル27を調製および評価した。
(実施例28:発光性セラミックサンプル28の調製および評価)
実施例26の100ミクロンの厚さのグリーンシートの2層および実施例27の100ミクロンの厚さのグリーンシートの2層を、異なる層を交互にして一緒に積層したことを除いては、実施例26のサンプル26と同様にしてサンプル28を調製および評価した。こうして、サンプル28は、サンプル27の約半分の量のジルコニウムを含む。真空中にて1800℃で焼結後、低真空中にて1400℃でアニーリングを行った後に、最終的にサンプル28を得た。
(実施例29:発光性セラミックサンプル29の調製および評価)
21.59gのY粒子(Y粉末3と表記)、BET表面積が5.58+/−0.11m/gの25.15gのAl粒子、18.78gのGd粒子(Gd粉末18と表記、35原子%のGdドープ濃度に等しい)、BET表面積が5.41+/−0.10m/gの204mgのCeO粒子(0.4原子%のCeドープ濃度に等しい)、10.80gのアクリルポリマー水溶液、0.11gの脱泡剤、1.12gの可塑剤、および30.00gのミリQ水を、内径が80mmの8オンス(0.231)PP厚肉ジャー(Parkway Plastics Inc.、ニュージャージ州Piscataway)に加えて水性スラリーを調製したことを除いては、実施例26のサンプル26と同様にしてサンプル29を調製および評価した。最初の16時間にわたるボールミル粉砕の後に、さらなる12.26gの同じアクリルポリマー水溶液をPPジャー内のセラミック粒子のミル粉砕溶液に添加した。真空中での1800℃の焼結の終了後に、0.4原子%のCeおよび35原子%のGdがドープされたYAGセラミックを得た。
サンプル26〜29のIQE値を表7にまとめる。
Figure 2014525480
サンプル26〜29のICP−MSに基づく微量元素を表8に与える。表8に与えられているすべての値は、百万分率(ppm)である。
Figure 2014525480
Figure 2014525480

Claims (50)

  1. ガーネットホスト材料と;
    発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすのに有効な量のCeドーパントと
    を含む発光性組成物であって、
    (i)該組成物におけるNaの量が約67ppm未満であること、(ii)該組成物におけるMgの量が約23ppm未満であること、または(iii)該組成物におけるFeの量が約21ppm未満であることのうちの少なくとも1つである、発光性組成物。
  2. 該組成物におけるNaの量が約67ppm未満であり、該組成物におけるMgの量が約23ppm未満であり、該組成物におけるFeの量が約21ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  3. 該組成物におけるBの量が約9ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  4. 該組成物におけるPの量が約113ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  5. 該組成物におけるKの量が約54ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  6. 該組成物におけるTiの量が約28ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  7. 該組成物におけるCrの量が約2.7ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  8. 該組成物におけるCuの量が約1.5ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  9. 該組成物におけるZrの量が約1600ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  10. 該組成物におけるSbの量が約18ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  11. 該組成物におけるBaの量が約74ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  12. 該組成物におけるLaの量が約17ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  13. 該組成物におけるSmの量が約1.2ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  14. 該組成物におけるDyの量が約6.9ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  15. 該組成物におけるHoの量が約7.0ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  16. 該組成物におけるPtの量が約2.0ppm未満である、請求項1に記載の組成物。
  17. ガーネットホスト材料が、式A 12
    式中
    Aは、Li、K、Ag、Tl、Ca、Sr、Mn、Co、Cd、Pb、Sc、Y、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Yb、In、BiおよびZrからなる群から選択され、
    は、Li、Ca、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Sc、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Rh、Al、Ga、In、Ti、Zr、Ru、Sn、Nb、Ta、SbおよびTeから選択され、
    は、Li、Co、Zn、Cd、Al、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、V、NbおよびAsからなる群から選択され、
    Xは、OおよびFからなる群から選択される;
    によって表される、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  18. ガーネットホスト材料が、YAl12、(Y1−x,Gd(Al1−y,Ga12、LuAl12、TbAl12およびCaScSi12:式中、xは約0.00から約0.50の範囲であり、yは約0.00から約0.50の範囲である;からなる群から選択される、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  19. ガーネットホスト材料が、YAl12である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  20. Ceドーパントの量が、約0.1原子%から約10原子%の範囲である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  21. 焼結セラミック素子である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  22. 発光性セラミック素子が、約10μmから約1mmの範囲の厚さを有する、1〜16に記載の組成物。
  23. 粉末である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  24. 粉末が、透明マトリックスに分散されている、請求項23に記載の組成物。
  25. ガーネットホスト材料およびCeドーパントの総量が、発光性セラミック素子の少なくとも約90重量%である、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  26. 発光性セラミック素子が、約455nmの波長を有する放射線に曝露されたとき、少なくとも約85%の内部量子効率(IQE)を有する、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  27. 少なくとも約20ppmのCaをさらに含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  28. 少なくとも約24ppmのMoをさらに含む、請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物。
  29. 請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物を青色または紫外放射線に曝露することを含む方法。
  30. 青色または紫外放射線を発するように構成された光源と;
    請求項1〜16のいずれか1項に記載の組成物と
    を含む照明装置であって、該組成物が、青色または紫外放射線の少なくとも一部を受けるように構成されている、照明装置。
  31. ガーネットホスト材料またはその化学量論的前駆体と、Ceドーパントまたはその前駆体とを含む組成物を焼結することを含む、発光性セラミック素子の製造方法であって、
    (i)該組成物におけるNaの量が約67ppm未満であること、(ii)該組成物におけるMgの量が約23ppm未満であること、または(iii)該組成物におけるFeの量が約21ppm未満であることのうちの少なくとも1つである、発光性組成物。
  32. 該組成物におけるBの量が、約9ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  33. 該組成物におけるPの量が約113ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  34. 該組成物におけるKの量が約54ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  35. 該組成物におけるTiの量が約28ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  36. 該組成物におけるCrの量が約2.7ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  37. 該組成物におけるCuの量が約1.5ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  38. 該組成物におけるZrの量が約1600ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  39. 該組成物におけるSbの量が約18ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  40. 該組成物におけるBaの量が約74ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  41. 該組成物におけるLaの量が約17ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  42. 該組成物におけるSmの量が約1.2ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  43. 該組成物におけるDyの量が約6.9ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  44. 該組成物におけるHoの量が約7.0ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  45. 該組成物におけるPtの量が約2.0ppm未満である、請求項31に記載の方法。
  46. 組成物が、
    硝酸イットリウム、酸化イットリウムおよびそれらの組合せからなる群から選択されるガーネットホスト材料の第1の前駆体と、
    酸化アルミニウム、硝酸アルミニウムおよびそれらの組合せからなる群から選択されるガーネットホスト材料の第2の前駆体と
    を含む、請求項31〜45のいずれか1項に記載の方法。
  47. 組成物が、硝酸セリウムまたは酸化セリウムを含む、請求項31〜45のいずれか1項に記載の方法。
  48. 組成物が、YAl12、(Y,Gd)(Al,Ga)12、LuAl12、TbAl12およびCaScSi12からなる群から選択されるガーネットホスト材料を含む、請求項31〜45のいずれか1項に記載の方法。
  49. 該組成物の焼結が、該組成物を約1000℃から約1900℃の範囲の温度で少なくとも約2時間加熱することを含む、請求項31〜45のいずれか1項に記載の方法。
  50. ガーネットホスト材料と;
    発光性組成物が紫外または青色放射線に曝露されると発光をもたらすのに有効な量のCeドーパントと
    を含む発光性組成物であって、
    該組成物におけるNaの量が約67ppm未満であり、
    該組成物におけるMgの量が約23ppm未満であり、
    該組成物におけるFeの量が約21ppm未満であり、
    該組成物におけるBの量が約9ppm未満であり、
    該組成物におけるPの量が約113ppm未満であり、
    該組成物におけるKの量が約54ppm未満であり、
    該組成物におけるTiの量が約28ppm未満であり、
    該組成物におけるCrの量が約2.7ppm未満であり、
    該組成物におけるCuの量が約1.5ppm未満であり、
    該組成物におけるZrの量が約1600ppm未満であり、
    該組成物におけるSbの量が約18ppm未満であり、
    該組成物におけるBaの量が約74ppm未満であり、
    該組成物におけるLaの量が約17ppm未満であり、
    該組成物におけるSmの量が約1.2ppm未満であり、
    該組成物におけるDyの量が約6.9ppm未満であり、
    該組成物におけるHoの量が約7.0ppm未満であり、
    該組成物におけるPtの量が約2.0ppm未満である、発光性組成物。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016121326A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社豊田中央研究所 発光材料
JP2017058550A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 宇部興産株式会社 多結晶セラミックス光変換部材、その製造方法、および発光装置
JP2017536664A (ja) * 2014-11-11 2017-12-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. セラミックガーネットを有する照明装置
WO2018079501A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 日本特殊陶業株式会社 光波長変換部材の製造方法、光波長変換部材、光波長変換部品、及び発光装置
JP2018529201A (ja) * 2015-09-29 2018-10-04 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ セラミックガーネットを備える照明デバイス
JP2018188612A (ja) * 2017-01-31 2018-11-29 日本特殊陶業株式会社 光波長変換部材の製造方法、光波長変換部材、光波長変換部品、及び発光装置
JP2021176962A (ja) * 2016-03-08 2021-11-11 ローレンス・リバモア・ナショナル・セキュリティー・エルエルシー 陽電子放出断層撮影のための透明セラミックガーネットシンチレーター検出器
US11897814B2 (en) 2020-08-07 2024-02-13 Nichia Corporation Rare earth aluminate sintered compact and method for producing rare earth aluminate sintered compact

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI486254B (zh) * 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
JP6393187B2 (ja) 2011-08-16 2018-09-19 日東電工株式会社 蛍光体組成物およびその製造方法
US9447319B2 (en) * 2012-12-14 2016-09-20 Cree, Inc. Yellow phosphor having an increased activator concentration and a method of making a yellow phosphor
CN103943759B (zh) * 2013-01-21 2018-04-27 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括发光含钆材料的物件及其形成工艺
KR101539507B1 (ko) * 2013-12-09 2015-07-30 목포대학교산학협력단 YAG:Ce 형광체 분말의 제조방법
JP2015138168A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 セイコーエプソン株式会社 蛍光発光素子およびプロジェクター
EP3138891B1 (en) 2014-05-01 2019-06-26 Tohoku Techno Arch Co., Ltd. Illuminant and radiation detector
US9624136B2 (en) * 2014-07-01 2017-04-18 Corning Incorporated Transparent spinel article and tape cast methods for making
US10093856B2 (en) * 2015-06-08 2018-10-09 Nitto Denko Corporation Phosphor ceramic element
KR20170081042A (ko) * 2015-12-31 2017-07-11 주식회사 효성 형광체 투명 세라믹 플레이트의 제조방법
KR102001718B1 (ko) * 2016-11-30 2019-07-18 세종대학교산학협력단 산화물계 형광체
EP3612210A4 (en) 2017-04-19 2021-01-27 Board Of Regents, The University Of Texas System IMMUNE CELLS EXPRESSING MODIFIED ANTIGEN RECEPTORS
CN108803213B (zh) 2017-04-27 2021-03-19 中强光电股份有限公司 波长转换滤光模块以及照明系统
CN110386818A (zh) * 2018-04-23 2019-10-29 中国科学院上海光学精密机械研究所 掺锆铽铝石榴石磁旋光透明陶瓷及其制备方法
JP6881391B2 (ja) * 2018-05-24 2021-06-02 信越化学工業株式会社 焼結用複合酸化物粉末の製造方法及び透明セラミックスの製造方法
EP3831796A4 (en) * 2018-07-27 2022-04-20 Kyocera Corporation ALUMINUM PORCELAIN AND CERAMIC HEATING ELEMENT
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component
CN110204324B (zh) * 2019-05-15 2020-11-20 浙江大学 一种绿色荧光透明陶瓷的制备方法和应用
CN112573905B (zh) * 2020-12-24 2023-01-13 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种阴离子掺杂石榴石闪烁体及其制备方法与应用

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243717A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004161871A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 燒結蛍光体層
JP2004162057A (ja) * 2002-10-25 2004-06-10 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体
JP2005060670A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd ケイ酸塩蛍光体
US20050276995A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-15 Kenichi Kondo Light emitting device
JP2006005367A (ja) * 2004-06-03 2006-01-05 Lumileds Lighting Us Llc 発光デバイスのための発光セラミック
JP2006352085A (ja) * 2005-03-14 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換型半導体発光デバイス
JP2007217202A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tohoku Univ 複合金属酸化物の製造方法
JP2009524914A (ja) * 2006-01-24 2009-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
JP2010509764A (ja) * 2006-11-10 2010-03-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システム
KR20100050552A (ko) * 2007-08-09 2010-05-13 아크조노벨코팅스인터내셔널비.브이. 고형분 함량이 높은 에폭시 코팅 조성물
WO2011097137A1 (en) * 2010-02-04 2011-08-11 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006068130A1 (ja) * 2004-12-21 2006-06-29 Hitachi Metals, Ltd. 蛍光材料およびその製造方法、蛍光材料を用いた放射線検出器、並びにx線ct装置
US7514721B2 (en) 2005-11-29 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent ceramic element for a light emitting device
CN101379164B (zh) * 2006-02-10 2012-11-21 三菱化学株式会社 荧光体及其制造方法、含荧光体的组合物、发光装置、图像显示装置和照明装置
JP5100050B2 (ja) * 2006-07-18 2012-12-19 株式会社日立メディコ 酸化物蛍光体及び放射線検出器及びx線ct装置
EP2049450A1 (en) * 2006-07-26 2009-04-22 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Yag-based ceramic garnet material comprising at least one multi-site element
JP5212115B2 (ja) * 2007-02-02 2013-06-19 日立金属株式会社 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
US7799267B2 (en) 2007-09-14 2010-09-21 The Penn State Research Foundation Method for manufacture of transparent ceramics
US8029595B2 (en) 2008-06-02 2011-10-04 Nitto Denko Corporation Method and apparatus of producing nanoparticles using nebulized droplet
US20100012478A1 (en) 2008-07-17 2010-01-21 Nitto Denko Corporation Thermal treatment for inorganic materials
JP5521412B2 (ja) * 2008-07-31 2014-06-11 日立金属株式会社 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
JP5505782B2 (ja) * 2010-01-27 2014-05-28 日立金属株式会社 蛍光材料およびそれを用いたシンチレータ並びに放射線検出器
WO2011115820A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Garnet-based phosphor ceramic sheets for light emitting device
US9133392B2 (en) * 2010-07-22 2015-09-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Garnet material, method for its manufacturing and radiation-emitting component comprising the garnet material
US8815122B2 (en) * 2010-10-29 2014-08-26 Hitachi Metals, Ltd. Polycrystalline scintillator for detecting soft X-rays
JP6393187B2 (ja) 2011-08-16 2018-09-19 日東電工株式会社 蛍光体組成物およびその製造方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243717A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004162057A (ja) * 2002-10-25 2004-06-10 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体
JP2004161871A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Nichia Chem Ind Ltd 燒結蛍光体層
JP2005060670A (ja) * 2003-07-31 2005-03-10 Sumitomo Chemical Co Ltd ケイ酸塩蛍光体
JP2006005367A (ja) * 2004-06-03 2006-01-05 Lumileds Lighting Us Llc 発光デバイスのための発光セラミック
US20050276995A1 (en) * 2004-06-11 2005-12-15 Kenichi Kondo Light emitting device
JP2006352085A (ja) * 2005-03-14 2006-12-28 Philips Lumileds Lightng Co Llc 波長変換型半導体発光デバイス
JP2009524914A (ja) * 2006-01-24 2009-07-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
JP2007217202A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Tohoku Univ 複合金属酸化物の製造方法
JP2010509764A (ja) * 2006-11-10 2010-03-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ モノリシックセラミック発光変換体を含む照明システム
KR20100050552A (ko) * 2007-08-09 2010-05-13 아크조노벨코팅스인터내셔널비.브이. 고형분 함량이 높은 에폭시 코팅 조성물
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
WO2011097137A1 (en) * 2010-02-04 2011-08-11 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017536664A (ja) * 2014-11-11 2017-12-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. セラミックガーネットを有する照明装置
US10969670B2 (en) 2014-11-11 2021-04-06 Koninklijke Philips N.V. Lighting device with ceramic garnet
JP2016121326A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 株式会社豊田中央研究所 発光材料
JP2017058550A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 宇部興産株式会社 多結晶セラミックス光変換部材、その製造方法、および発光装置
JP2018529201A (ja) * 2015-09-29 2018-10-04 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ セラミックガーネットを備える照明デバイス
JP2021176962A (ja) * 2016-03-08 2021-11-11 ローレンス・リバモア・ナショナル・セキュリティー・エルエルシー 陽電子放出断層撮影のための透明セラミックガーネットシンチレーター検出器
JP7269994B2 (ja) 2016-03-08 2023-05-09 ローレンス・リバモア・ナショナル・セキュリティー・エルエルシー 陽電子放出断層撮影のための透明セラミックガーネットシンチレーター検出器
WO2018079501A1 (ja) * 2016-10-28 2018-05-03 日本特殊陶業株式会社 光波長変換部材の製造方法、光波長変換部材、光波長変換部品、及び発光装置
JP2018188612A (ja) * 2017-01-31 2018-11-29 日本特殊陶業株式会社 光波長変換部材の製造方法、光波長変換部材、光波長変換部品、及び発光装置
US11897814B2 (en) 2020-08-07 2024-02-13 Nichia Corporation Rare earth aluminate sintered compact and method for producing rare earth aluminate sintered compact

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