JP2014521577A - 大きな粒子径を有する多結晶材料を製造するための装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
本出願は、2011年5月2日に出願された米国特許出願第13/098,989号の利益を主張し、その開示内容全体を参照により明示的に本明細書に組み込むものである。
Claims (30)
- 断熱材に囲まれた高温帯と、
前記高温帯内のるつぼ支持ブロック上のるつぼ枠であって、前記るつぼ支持ブロックと熱的に接触している底板を有するるつぼ枠と、
前記るつぼ枠の底板と熱的に接触している底を有する前記るつぼ枠内のるつぼであって、前記るつぼ支持ブロック、前記るつぼ枠の底板、又は前記るつぼ支持ブロックと前記るつぼ枠の底板の両方が、少なくとも1種類の冷却剤を内部に循環させるように構成された少なくとも1つの空隙を備えるるつぼと
を備える、結晶成長装置。 - 前記るつぼ支持ブロックが、少なくとも1種類の冷却剤を内部に循環させるように構成された少なくとも1つの空隙を備える、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が前記るつぼ枠の底板と接触している、請求項2に記載の結晶成長装置。
- 前記るつぼ枠の底板が、少なくとも1種類の冷却剤を内部に循環させるように構成された少なくとも1つの空隙を備える、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼの底と接触している、請求項4に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼ支持ブロックと接触している、請求項4に記載の結晶成長装置。
- 前記るつぼの底が、前記るつぼ枠の底板と接触している少なくとも1つの空隙を備え、前記空隙が、少なくとも1種類の冷却剤を内部に循環させるように構成された、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記冷却剤を循環させるための入口及び出口を別々に備える、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記出口が、前記冷却剤を前記高温帯内に放出するように構成された、請求項8に記載の結晶成長装置。
- 前記冷却剤が気体である、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記気体の冷却剤がアルゴン又はヘリウムである、請求項10に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼの底に対して中央に配置されている、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼの底と平行な方向に円形の断面形状を有する、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼの底と平行な方向にらせん状の断面形状を形成している、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記らせんが、変化する経路厚さを有する、請求項14に記載の結晶成長装置。
- 前記らせんが、一定の経路厚さを有する、請求項14に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記底及び前記るつぼと垂直な方向に凹形の断面形状を有する、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記空隙が、前記るつぼの底と垂直な方向に凸形の断面形状を有する、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記るつぼが、少なくとも1種類の固体の原料を含み、単結晶種を含まない、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記るつぼがシリコンを含む、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記断熱材が、前記るつぼに対して上下に動く、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記高温帯がさらに、少なくとも1つの発熱体を備える、請求項1に記載の結晶成長装置。
- 前記高温帯が、前記るつぼ上方の上部発熱体と、前記るつぼを囲む少なくとも1つの側面発熱体とを備える、請求項22に記載の結晶成長装置。
- 断熱材に囲まれた高温帯と、
前記高温帯内のるつぼ支持ブロック上のるつぼであって、前記るつぼ支持ブロックと熱的に接触している底を有するるつぼとを備え、
前記るつぼ支持ブロック、前記るつぼの底、又は前記るつぼ支持ブロックと前記るつぼの底の両方が、少なくとも1種類の冷却剤を循環させるように構成された少なくとも1つの空隙を備える、結晶成長装置。 - 前記るつぼが、炭化ケイ素、窒化ケイ素、あるいはシリカと炭化ケイ素との、又は窒化ケイ素との複合材である、請求項24に記載の結晶成長装置。
- 結晶材料を製造する方法であって、
i)結晶成長装置の高温帯内のるつぼ支持ブロック上のるつぼ枠に含まれるるつぼを設置するステップであって、前記るつぼ枠が、前記るつぼ支持ブロックと熱的に接触している底板を有し、前記るつぼが、固体の原料を含み、前記るつぼ枠の底板と熱的に接触している底を有しているステップと、
ii)前記るつぼ内の前記固体の原料を加熱して、液状の原料溶融体を生成するステップと、
iii)前記るつぼ支持ブロック、前記るつぼ枠の底板、又は前記るつぼ支持ブロックと前記るつぼ枠の底板の両方の内部の少なくとも1つの空隙に少なくとも1種類の冷却剤を循環させるステップと、
iv)前記高温帯から熱を除去して、前記結晶材料を生成するステップと
を備える、方法。 - 前記結晶材料が、複数の結晶粒子を有する多結晶シリコンである、請求項26に記載の方法。
- 前記多結晶シリコンの結晶粒子が柱状である、請求項27に記載の方法。
- 前記るつぼが、少なくとも1種類の固体の原料を含み、単結晶種を含まない、請求項26に記載の方法。
- 結晶材料を製造する方法であって、
i)結晶成長装置の高温帯内のるつぼ支持ブロック上にるつぼを設置するステップであって、前記るつぼが、固体の原料を含み、前記るつぼ支持ブロックと熱的に接触している底を有しているステップと、
ii)前記るつぼ内の前記固体の原料を加熱して、液状の原料溶融体を生成するステップと、
iii)前記るつぼ、前記るつぼ支持ブロック、又は前記るつぼと前記るつぼ支持ブロックの両方の内部の少なくとも1つの空隙に少なくとも1種類の冷却剤を循環させるステップと、
iv)前記高温帯から熱を除去して、前記結晶材料を生成するステップと
を備える、方法。
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