JP2014514737A - Ｅｕｖ投影露光装置のための反射光学構成要素を製造する方法及びこのタイプの構成要素 - Google Patents

Abstract

基体（１４）を有する基板（１２）と、基板（１２）上に配置された反射層（２０）とを有し、基板（１２）が光学的に作用する微細構造（１６）を有するＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素（１０）を製造する方法は、微細構造（１６）を基板（１２）内に加工する段階と、微細構造（１６）が基板（１２）内に加工された後に基板（１２）を研磨する段階と、基板（１２）に反射層（２０）を付加する段階とを含む。ＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素は、相応に、微細構造と反射層の間に研磨された面を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、基体を有する基板と基板上に配置された反射層とを有するＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を製造する方法に関する。

本発明は、更に、そのような反射光学構成要素に関する。

反射光学構成要素及びそれを製造する方法は、例えば、ＵＳ ７，１２９，０１０ Ｂ２から公知である。

極紫外（ＥＵＶ）内の波長、典型的には１３．５ｎｍの波長で典型的に作動するＥＵＶ投影露光装置では、反射面が形状精度及びラフネスに関して極めて厳しい要件を満たさなければならないミラーが、ほぼ限定的に使用される。この目的のために、例えば、ＳｉＯ２のようなガラス又は例えばＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）又はＵＬＥ（登録商標）（非常に低い膨張性を有するケイ酸チタンガラス）のようなガラスセラミックで構成されたミラー基板に、通常、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いた測定において面のマイクロラフネスが、典型的には０．２ｎｍ ｒｍｓよりも小さくなるまで超平滑研磨される。

しかし、このタイプの基板材料は、通常は非常に高価であり、例えば、研削、ラップ仕上げ、及び研磨を使用すると、かなりの経費を伴わずには加工することができない。フライス、旋盤製作、又は腐食のような従来の廉価な機械製作法は使用することができない。

更に、ガラス、ガラスセラミック、及びセラミックで構成された基板材料は、例えば、高い放射線パワーの入射に起因して非常に高い熱負荷が光学構成要素内に入力される場合には、十分に適切であるとは言えないという欠点を有する。これは、特に、ＥＵＶ放射線源におけるコレクターミラーとしての反射光学構成要素の適用時の場合である。高い熱入力をもたらす放射線パワーは、ＥＵＶ放射線と共にＥＵＶ放射線源から放出される他の放射線、例えば、赤外線放射線からもたらされる可能性もある。上述の基板材料の場合には、基板の熱伝導率は通常は過度に低く、従って、ミラーは大幅に加熱され、その機能は、反射層の変形及び熱劣化によって損なわれる。

ＥＵＶリソグラフィのための公知の反射光学構成要素の場合には、このタイプの反射光学構成要素に光学的に作用する微細構造を設けることが意図される時に更に別の問題が現れる。ＥＵＶリソグラフィのための反射光学構成要素の場合には、多くの場合に、ミラーから反射されるＥＵＶ放射線を同じく反射されるポンピング放射線、熱放射線、又はＵＶ放射線から分離することができるように、ＥＵＶミラーの面上にそのような光学的に作用する微細構造を設けることが望ましく、又は微細構造を、ＥＵＶ放射線自体に対する均一化効果又は補正効果を有するように設けることができる。

面の微細加工のための従来の方法、例えば、マイクロリソグラフィ、ダイヤモンド旋盤製作、ホログラム製作、又はナノインプリントの適用時には、構造化された面のラフネスは、一般的にＥＵＶミラーに対する要件をもはや満たさない。

冒頭で挙げた文献ＵＳ ７，１２９，０１０ Ｂ２から公知のミラー又はマスクとすることができるＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素は、二酸化珪素で構成されたカバー層がその上に付加されたセラミック又はガラスセラミックで構成された基体を有する基板を有する。カバー層上には反射層が付加される。この公知の反射光学構成要素の場合には、二酸化珪素で構成されたカバー層が研磨されるので、セラミック又はガラスセラミックで構成された基体の面自体は、粗くすることができるという改善が既にもたらされている。マスクとしての構成要素の構成の場合には、外側層が構造化される。

ＵＳ ７，２５９，２５２ Ｂ２は、低い膨張係数を有する材料で構成された基体が設けられ、その面を粗いものとすることができるＥＵＶ投影露光装置のためのミラーの基板を製造する方法を開示している。この文献では、材料としてガラスセラミック、例えば、Ｚｅｒｏｄｕｒが提案されている。基体が研磨された後に、半導体材料で構成されたカバー層が基体に付加される。この手順は、上述の欠点を有する。

ＵＳ ６，４５３，００５ Ｂ２は、超平滑研磨に適するアモルファス層がその上に付加された結晶シリコン、ダイヤモンド、又はＳｉＣで構成されたミラー基板を開示している。

ＵＳ ６，４６９，８２７ Ｂ１は、コンデンサーのミラー内に、回折格子、すなわち、光学的に作用する微細構造が加工されたＥＵＶ投影露光装置のためのコンデンサーシステムを開示している。回折格子は、格子上に反射多層、例えば、交替するシリコン層とモリブデン層とが付加される前に基板上に作成される。この文献には、回折格子が基板上に作成される手段が説明されていない。

ＵＳ ２００８／００４３３２１ Ａ１は、ＳｉＣで構成された基板の複数の円形セグメントに多層コーティングが設けられたＥＵＶ投影露光装置のためのミラーを製造する方法を開示している。個々の基板セグメントの組立ての後に、コーティングは研磨される。多層は、シリコン、炭素、Ｓｉ３Ｎ４、Ｂ４Ｃ、ＳｉＣ、又はクロムで構成することができる。

ＵＳ ２００９／０１５９８０８ Ａ１は、ＥＵＶ投影露光装置のためのミラーを製造する方法を開示している。この方法は、金属基板をその面においてダイヤモンド旋盤製作によって加工する段階を含む。その後に、物理蒸着を用いて中間層が付加され、次に、多層反射コーティングが付加される。基板は、リン酸ニッケルでメッキされたアルミニウムで構成することができる。

ＵＳ ２００９／０２８９２０５ Ａ１は、回折格子の形態にある微細構造が設けられたＥＵＶコレクターミラーを開示している。このミラーは、基板部分と、基板部分の片側に配置された第１の複合層から形成された基部部分と、基板部分から基部部分の他方の側に配置された第２の複合層内に所定の形状の溝（groove）又は溝（furrow）を形成することによって生成される反射部分とを有する。従って、この公知の光学構成要素の場合には、光学的に作用する微細構造は、反射層が付加された後にこの反射層内に加工される。このＥＵＶコレクターミラーの基板部分は、良好な熱伝導率を有するシリコン又はニッケル化合物から製造することができる。反射層は、交替するシリコン層とモリブデン層とで構成される。その後に光学活性微細構造を反射層内に加工することでは、形状精度及びラフネスから構成される厳しい要件を少なくとも簡単で費用効果が高いように満たすことはできない。

光学的に作用する微細構造を有するＥＵＶ露光装置のための反射光学構成要素を提供し、更に形状精度及びラフネスから構成される厳しい要件を満たすという上述の課題は、従来技術では費用効果が高いようには解決されていない。

ＵＳ ７，１２９，０１０ Ｂ２ ＵＳ ７，２５９，２５２ Ｂ２ ＵＳ ６，４５３，００５ Ｂ２ ＵＳ ６，４６９，８２７ Ｂ１ ＵＳ ２００８／００４３３２１ Ａ１ ＵＳ ２００９／０１５９８０８ Ａ１ ＵＳ ２００９／０２８９２０５ Ａ１

従って、本発明は、光学構成要素に望ましい光学特性を簡単で費用効果が高いように製造可能に与えることができ、その一方、これらの構成要素が形状精度及びラフネスから構成される厳しい要件を満たすことを達成するように、冒頭に示した反射光学構成要素を製造する方法及びこのタイプの光学構成要素を開発するという目的に基づいている。

基体を有する基板と、基板上に配置された反射層とを有し、基板が光学的に作用する微細構造を有するＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を製造するための冒頭に示した方法に関して、本発明が基づく目的は、以下の段階を用いて達成される。

微細構造を基板内に加工する段階。

微細構造が基板内に加工された後に、基板を研磨する段階。

基板が研磨された後に、基板に反射層を付加する段階。

更に、本発明が基づく目的は、基体を有する基板と、基板上に配置された反射層とを含み、基板が光学的に作用する微細構造を有し、微細構造と反射層の間に研磨された面が存在するＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を用いてもたらされる。

反射光学構成要素を製造するための本発明による方法は、従来技術で追い求められた概念、すなわち、研磨後に初めて光学活性微細構造を基板内に加工するか又は更に微細構造を反射層内に加工するものとは異なっている。それとは対照的に、本発明による方法は、微細構造が基板内に加工された後に初めて研磨段階が実施されるという点で差別化される。これは、面のマイクロラフネスから構成される微細構造の要件が、後に基板を研磨することによって満たされるので、最初に基板内に加工される微細構造が、これらの要件を満たさなくてもよいという利点を有する。本発明による方法では、基板が研磨された後に、反射層が基板に付加される。微細構造を加工する段階、研磨する段階、及び反射層を付加する段階を直ぐに続けて実施しなくてもよく、これらの段階中に更に別の段階を挿入することができることは言うまでもない。

それに応じて、本発明による反射光学構成要素は、微細構造と反射層の間に存在する研磨された面を有する。

本発明による光学構成要素は、本発明による方法を用いて費用効果が高くかつ簡単に製造することができ、更に、微細構造自体がマイクロラフネスから構成される要件を既に満たすことを確実にすることに注意を払う必要なく、これらの要件が満たされる。

本方法の１つの好ましい構成では、微細構造は、基体内に直接加工される。

構成要素の対応する構成では、微細構造は、基体に直接存在する。

この場合、光学活性微細構造を加工、すなわち、導入するために基体に１つ又は複数の付加的な層を適用する必要なく、基板全体を一体的に又は１つの部材に具現化することができること、すなわち、基体だけで構成することが有利である。それによって構成要素の製造中のコストの節約がもたらされる。

上述の構成に関して、本発明による方法及び本発明による構成要素では、好ましくは、基体は、金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、シリコン、アルミニウム−シリコン合金、又はニッケルからなる群から選択される材料から製造されるものとする。

この場合、上述の材料は、微細加工のための従来の方法によって加工することができる程に十分に軟質であるので、面を微細加工するための従来の方法によって微細構造を製造することができることだけでなく、この材料選択により、例えば、ダイヤモンド旋盤加工中、又はダイヤモンドフライカット加工中の構造化ツールの磨耗が軽度であることも有利である。これらの材料は、一般的に良好な機械加工性を示している。

上述の材料は、微細構造を導入し、すなわち、加工するのに適する十分な軟質性を特徴とするだけでなく、更に非常に良好な熱伝導特性も有し、従って、反射光学構成要素の作動中の熱負荷入力を良好に消散するか又は均一に分散させることができる。

上述の材料に対する代替として、基体は、好ましくは、ＰＭＭＡ又は他のプラスチックのようなポリマー材料からなる群から選択される材料から製造することができる。

上述の材料よりも更に費用効果が高いこれらの材料も、従来の方法、例えば、スタンプを用いた熱エンボス加工、モールド成形、鋳造、又は構造付き形状内への射出モールド成形によって微細構造を加工するのに適している。

微細構造が基体内に直接加工される上述の構成に対する代替として、微細構造を加工する前に、基体に、好ましくは、基体の材料よりも軟質の材料で構成された構造化層が付加され、かつ微細構造が構造化層内に加工されるという場合も同じく好ましい。

それに応じて本発明による構成要素の場合には、微細構造は、好ましくは、基体の材料よりも軟質の材料で構成された構造化層に存在し、この構造化層は、基体上に配置される。

この場合、微細構造を導入するのにあまり適さない、言い換えれば、硬質及び／又は脆質のいずれかとすることができる材料から基体自体を製造することができることが有利である。この場合、基体は、例えば、石英のようなガラス質材料、又はガラスセラミック（ＵＬＥ、Ｚｅｒｏｄｕｒなど）から製造することができる。一般的に、この構成は、基体自体をあらゆる望ましい材料から製造することを可能にし、この場合、基体には、微細構造を導入するのに適する構造化層が付加され、微細構造は、例えば、上述の従来の微細加工法によって構造化層内に加工される。

取りわけこの構成では、基体は、入力された熱パワーを消散するのに高い熱伝導率を有することに起因して特に適する材料、例えば、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、シリコン、シリコンカーバイド、ＳｉＳｉＣ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＳｉＣ合金のような金属、半導体、又はこれらの複合材料からなる群からの材料から製造することができる。

更に、この構成では、基体は、特に低い熱膨張を特徴とする例えば石英、シリコン、シリコンカーバイド、ＳｉＳｉＣ、ＵＬＥ、Ｚｅｒｏｄｕｒのような硬脆質のガラス材料又はセラミック材料のような材料から製造することができる。

この構成の場合にも、金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、銅、金、銀、プラチナ、ＮｉＰ、結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び他の軟質の金属又は材料からなる群から選択される軟質材料が構造化層として付加されるという場合が好ましい。

同じく１つの好ましい構成では、硬化フォトレジスト又はＰＭＭＡのようなポリマー材料からなる群から選択される材料を構造化層として付加することができる。

構造化層を付加する場合には、製造される微細構造の品質、従って、仕上がった反射光学構成要素の光学特性の品質を改善する微細構造を導入するための構造化層の均一な加工を可能にするために、構造化層は、基板のその区域にわたって可能な限り均一でなければならない。

構造化層が、微細構造を導入するために基体に付加される場合には、構造化層を付加する前に、基体に接着促進層を付加することを有利とすることができる。

それに応じて本発明による構成要素の場合には、基体と構造化層の間に接着促進層を存在させることができる。

この手段は、基体の材料が、例えば導電性の欠如に起因して電着のような方法を用いて構造化層を付加するのにそれほど適さない場合、又は基体の材料が、蒸着又はスパッタリングによって構造化層を付加するには、少なくとも構造化層が基体と密接な複合材を形成することができる程には適さない場合に特に有利である。この場合、接着促進層は補助的なものとすることができる。

本方法の更に好ましい構成では、微細構造を導入した後に、微細加工された表面が直接研磨される。

それに応じて本発明による構成要素の場合には、好ましくは、研磨される面は、微細加工される面自体であるものとする。

この手段は、内部に微細構造が加工された材料が、この加工にも関わらず、研磨に適するように十分に硬質である場合に特に適切である。例えば、材料ＮｉＰ、（アモルファス若しくは結晶）シリコン、石英、又は銅の場合にそうであるように、内部に微細構造が加工された材料が研磨にも適する場合には、この手段は、後に研磨されることになる更に別の層を付加する段階を不要にすることができ、それによって光学構成要素の製造中の時間及びコストが節約されるという利点を有する。

上記に対する代替として、本方法の１つの好ましい構成では、研磨の前に、好ましくは、微細加工された面の材料よりも硬質の材料で構成された研磨層が微細構造に付加され、この研磨層が研磨されるものとする。

それに応じて本発明による構成要素の場合には、研磨された面は、微細構造の上に配置され、好ましくは、微細加工された面の材料よりも硬質の材料を含む研磨層の面である。

この場合、研磨層を微細構造の上に直接配置する必要はなく、研磨層と微細構造の間に１つ又は複数の他の層を置くことができる。

この手段の利点は、第１に、内部に微細構造が加工される基体又は構造化層の材料を微細加工に特に良好に適する軟質材料とすることができ、一方、研磨層に対しては、この場合、特に良好に研磨することができ、かつ取りわけ超平滑研磨することができる材料が選択される点である。研磨層の具備は、研磨時間を短縮し、微細構造を可能な最良の方式で得るように研磨層を相応に選択することができるという利点を有する。

好ましくは、研磨層は、アモルファスシリコン、結晶シリコン、若しくは石英のようなガラス質材料、又は例えばＮｉＰ若しくは銅のような金属材料からなる群から選択される材料を含む。

これらの材料は、十分に硬質で密であり、従って、取りわけ、研磨層に対する材料として適している。

本方法の更に好ましい構成では、微細構造は、研磨による材料除去を考慮した構造余裕部を用いて加工される。

この手段は、微細加工された面が、上述の好ましい構成のうちの１つに従って直接研磨される場合に特に有利である。微細構造は、研磨によって望ましくないように変化する可能性がある。この変化は、予想される研磨による微細構造の変化を考慮した構造余裕部を用いて微細構造を加工することによって相殺することができる。

例えば、研磨によって微細構造の深さが浅くなる場合がある。これは、研磨後に構造の深さが最適になるように最初に深めの微細構造を構成することによってバランスを取ることができる。この手順は、研磨工程の局所差のバランスを取るために、光学構成要素上で局所的に異なるように実施することができる。

更に、格子構造としての微細構造の構成の場合には、構造の縁部の形状が、研磨によって不都合に変更される場合があり、例えば、微細構造の構造縁部は、研磨によって丸くなる場合がある。これは、微細構造を加工するときに、微細構造が反対の丸み又は湾曲を伴って加工されるような構造余裕部によって防止することができる。例えば、研磨が、微細構造の縁部の丸めをもたらし、それによって凸曲面が研磨の結果になる場合には、この丸めは、微細構造を加工するときに、微細構造が凹状の丸み又は湾曲を伴って加工されるような構造余裕部によってバランスを取ることができる。

本方法の更に好ましい構成では、本方法の構成に依存して微細構造に直接付加されるか又は研磨層に付加される反射層には、最終層としての保護層が付加される。

それに応じて本発明による構成要素の場合には、反射層上には、最終層としての保護層が存在する。

この手段は、仕上がった反射光学構成要素が、保護層により、取りわけ、機械的影響及び／又は保護層の下に位置する層を侵食する可能性があるガスの影響に対して保護されるという利点を有する。

本発明による構成要素の更に好ましい構成では、微細構造は、波長選択性フィルタ、例えば、回折格子として具現化される。

この構成では、微細構造は、ＥＵＶ放射線からＵＶ放射線又はＩＲ放射線のような望ましくないスペクトル範囲をフィルタ除去するのに適している。

更に好ましい構成では、微細構造は、リブと溝とを交替方式で有する回折格子として実施され、リブの各々及び溝の各々は、構成要素の光入射面に対して実質的に平行な面を有し、リブ及び溝は、構成要素の光軸に対して実質的に平行な側面をそれぞれ有する。

バイナリ格子構造とも呼ぶことができる微細構造のこの構成は、光学構成要素上に入射する電磁放射線の波長又は波長範囲を抑制するための波長選択性フィルタとして有利に適している。例えば、微細加工されたＥＵＶコレクターミラーとしてのこの光学構成要素の使用の場合には、ＥＵＶ放射線を製造するのに使用されるレーザ放射線の波長又は波長範囲を抑制し、赤外線内又は近赤外線内にあって数キロワットの電力を有するこのレーザ放射線をＥＵＶ放射線のビーム経路から確実に分離して消滅させることができるようにすることが望ましい。

構成要素の面が湾曲していない場合には、リブ及び溝は、構成要素の光軸と平行な平面に沿った断面内で矩形のプロフィールを形成する。構成要素の面が凹又は凸に湾曲している場合には、光学構成要素の光入射面に面するリブ及び溝の面は、光学構成要素の湾曲に従って湾曲する。

λが回折格子によって抑制される電磁放射線の波長であり、ｎが奇数の整数である時に、溝の深さｈ（又はリブの高さｈ）は、回折格子の少なくとも１つの部分においてｈ＝ｎ・λ／４という条件を好ましくかつ少なくとも近似的に満たす。

バイナリ格子として構成された微細構造が、溝深さｈ又はリブ高さｈを有する場合には、このバイナリ格子は、放射線入射が構成要素の面に対して垂直である時に、直接反射、すなわち、０次の回折次数において４ｈ及び４ｈ／ｎの波長λを最適に抑制する。バイナリ格子は、この特性に関して他の格子構造形状と比較して最適である。

電磁放射線の非垂直入射の場合には、それに応じて溝深さ又はリブ高さｈは、高めに選択されることになる。

溝深さｈ又はリブ高さｈが回折格子にわたって局所的に変化するという場合は、更に好ましい。

この場合、光学構成要素にわたって変化する入射角を有する放射線を確実に抑制するために、電磁放射線の局所的に異なる入射角を回折格子にわたって局所的に異なるバイナリ格子構造の深さによって考慮することができることが有利である。

好ましくは、リブのリブ幅と溝の溝幅とは、回折格子の少なくとも１つの部分において等しい。

バイナリ格子としての微細構造のこの特に簡単な構成は、抑制される電磁放射線の垂直入射に適している。

しかし、好ましい構成は、回折格子の格子定数、すなわち、隣接するリブ又は隣接する溝の距離が回折格子にわたって局所的に変化するものとする。

回折格子の局所的に異なる格子定数により、回折させられ抑制される電磁放射線、例えば、高い電力を有する赤外線放射線又は近赤外線放射線の入射箇所の、慎重にもたらされる制御を実現することができる。回折させられ抑制される電磁放射線は、ＥＵＶシステム内で消滅させなければならず、この目的のために、回折させられ抑制される電磁放射線は、冷却体上に向けられる。放射線の極めて高い電力に起因して、冷却体の融解をもたらす場合がある、回折させられ抑制される電磁放射線全体の冷却体の非常に小さい局所入射面区域への入射を回避するのに、上述の手段は、回折させられ抑制される電磁放射線を冷却体の入射面上に面積的に分散させることができ、それによって冷却体の破壊を適切で簡単な冷却手段で回避することができるという利点を有する。言い換えれば、回折させられ抑制される電磁放射線は、回折格子の局所的に変化する格子定数によって「拡散」される。

本発明による構成要素は、好ましくは、ＥＵＶ投影露光装置のコレクターミラーである。このコレクターミラーは、傾斜入射、取りわけ、かすめ入射、又は法線入射で作動させることができる。

更に別の利点及び特徴は、以下に続く説明及び添付図面から明らかである。

上述の特徴及び更に以下に説明するものは、それぞれ示す組合せだけではなく、本発明の範囲から逸脱することなく他の組合せで、又はこれらの特徴単独で使用することもできることは言うまでもない。

本発明の例示的な実施形態を図面に示し、以下ではそれを参照してこれらの実施形態をより詳細に説明する。

第１の例示的な実施形態によるＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を示す略断面図である。 図２ａ）から図２ｄ）は、図１の反射光学構成要素を製造する方法を示す図である。 更に別の例示的な実施形態によるＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を示す略断面図である。 図４ａ）から図４ｅ）は、図３の反射光学構成要素を製造する方法を示す図である。 図５ａ）から図５ｅ）は、図２ａ）から図２ｄ）及び図４ａ）から図４ｅ）に対して修正が加えられた図５ｅ）に例示する反射光学構成要素を製造する方法の更に別の例示的な実施形態を示す図である。 更に別の例示的な実施形態によるＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を示す略断面図である。 図６の構成要素の拡大スケールにおける詳細図である。 光学構成要素の製造の中間段階における図６及び図７の光学構成要素の更に別の拡大スケールおける詳細図である。

図１は、一般的な参照符号１０が付与されているＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素を示している。

反射光学構成要素１０は、ＥＵＶ放射線源内に使用されるＥＵＶコレクターミラーとして具現化することができる。しかし、構成要素１０は、ＥＵＶ投影露光装置において投影露光装置の投影レンズ又は照明系内に使用されるミラーとすることができる。構成要素１０は、ミラーアレイ、特にマイクロミラーアレイとして具現化することができる。

一般的に、光学構成要素１０は、光学的に作用する微細構造１６が内部に加工された基体１４を有する基板１２を有する。この場合、光学的に作用する微細構造１６は、略示される回折格子の形態に具現化される。しかし、図１に示す微細構造１６は例示的に過ぎず、光学構成要素１０に特定の光学特性を与えるのに使用することができるあらゆる他の光学的に作用する微細構造を表すとすることができることは理解されるものとする。図示の例示的な実施形態において、微細構造１６は、光学構成要素１０がＥＵＶ投影露光装置に使用される場合に、特定の波長の放射線をフィルタ除去するか、又は特定の波長を有する放射線のみが投影露光装置内に使用される光として伝播することを確実にするための波長選択性フィルタとして機能する。

微細構造１６が設けられた基体１４には、反射層２０が接合される。反射層２０の面２２は、光学構成要素１０の作動中に光又は放射線が印加される面を表している。

図１に記載の例示的な実施形態において、基体１４全体は、例えば、マイクロリソグラフィ、ダイヤモンド旋盤加工、又はフライス、ホログラム加工、又はナノインプリントのような従来の方法によって光学的に作用する微細構造１６を材料内に加工するのに適する材料から製造される。

この場合、基体１４は、全体として金属、金属合金、半導体、又はこれらの材料の化合物から製造することができる。一例として、基体１４は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、シリコン、アルミニウム−シリコン合金、又はニッケルから製造することができる。この場合、重要なことは、基体１４の材料が、第１にこの場合凹状に湾曲した面形状を加工するのに十分に適し、第２に微細構造１６を加工するのに十分に適するということである。

微細構造１６の面２４は、一般的に０．２ｎｍ ｒｍｓよりも小さくなければならないという、マイクロラフネスから構成される要件を満たす研磨された面である。

反射層２０は、例えば、ＥＵＶ用途で通例であるようなモリブデン／シリコン多層である。

更に、基体１４内には、例えば、基板１２、従って、光学構成要素１０を冷却するために冷却媒質が導通される冷却ライン２８が存在する。

図２ａから図２ｄ）を参照して、ここで図１の光学構成要素１０を製造する方法を以下に説明する。

図２ａ）は、基体１４を与える段階を示している。この場合、基体１４は、全体として、上述したように微細構造を導入するのに適する材料から製造される。一例として、基体１４は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、シリコン、アルミニウム−シリコン合金、又はニッケルから製造することができる。冷却ライン２８は、基体１４内に既に設けられている。

図２ｂ）に記載の次の段階では、図２ｂ）に記載の面３０の面形状を得るために、次に、基体１４の面３０が加工される。この目的のために、従来の機械加工処理法を使用することができる。

図２ｃ）に記載の次の段階では、微細構造１６が、基体１４の面３０内に加工される。微細構造１６は、例えば、マイクロリソグラフィ、ダイヤモンド旋盤加工、又はフライス、ホログラム加工、又はナノインプリントのような従来の方法によって加工することができる。この場合、微細構造を前に加工するのに使用される方法が、ＥＵＶミラーとしての構成要素１０の適用に必要なマイクロラフネスを生成する必要はない。

従って、微細構造１６の面２４は、マイクロラフネスから構成される厳しい要件を未だ満たしていない。

マイクロラフネスから構成される厳しい要件を満たすために、微細構造１６の面２４は、研磨、取りわけ超平滑研磨される。面２４の研磨中には、微細構造１６の面構造が基体１４の材料内で可能な限り良好に維持されなければならない。

面２４は、例えば、従来の湿式研磨法を用いて研磨される。

微細構造１６の面２４が研磨された後に、次に、例えば、シリコン／モリブデン多層の形態にある反射層２０が、微細構造１６の研磨された面２４に付加される。

微細構造１６が基体１４の材料内に加工され、次に、微細構造１６の面２４が研磨される、光学構成要素１０の構成は、基体１４の材料が、一方で微細構造１６を導入するのには十分に軟質であるが、その後に、研磨するのには十分に硬質であるものである時に特に有利である。相応に適切である基体１４の材料は、例えば、銅、シリコン、又はニッケルである。

図３は、一般的な参照符号１０ａが付与されているＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素の更に別の例示的な実施形態を示している。

光学構成要素１０ａは、上述の例示的な実施形態の場合と同様に、光学的に作用する微細構造１６ａが内部に加工された基体１４ａを有する基板１２ａを有する。

上述の例示的な実施形態とは対照的に、微細構造１６ａの面２４ａは研磨された面ではなく、微細構造１６ａが設けられた基体１４ａに研磨層１８ａが接合され、更に、研磨層１８ａに反射層２０ａが接合される。

付加的な研磨層１８ａを有する光学構成要素１０ａのこの構成は、基体１４ａの材料の選択において高い柔軟性を可能にする。その理由は、基体１４ａの材料が、この構成では、微細構造１６ａを基体１４ａの材料内に従来の方法によって容易に導入することを可能にするのに適切であることだけが必要であり、必要とされるマイクロラフネスを得るために研磨、取りわけ超平滑研磨するのに適切である必要がないからである。従って、基体１４ａの材料に対して、アルミニウム又は銅のような特に軟質の材料、又は更にＰＭＭＡ及び他のプラスチックのようなポリマー材料を選択することができる。

特に、研磨層１８は、基体１４ａの材料よりも硬質の材料、例えば、石英、アモルファスシリコン、又は結晶シリコンから選択することができるが、他のアモルファス層、結晶層、又は多結晶層を研磨層１８として考えることもできる。銅のような金属又はＮｉＰのような金属化合物も、研磨層１８に対する材料として適切である。研磨層１８ａの材料の適切な選択により、研磨時間を短縮することができる。

次に、図４ａ）から図４ｅ）は、図３の光学構成要素１０ａを製造する方法を示している。

図４ａ）により、最初に基体１４ａが与えられる。この場合、基体１４ａは、全体として、微細構造を導入し、すなわち、加工するのに適する相応に軟質の材料から製造される。一例として、基体１４ａは、既に上述したように、特に軟質の材料から製造することができる。冷却ライン２８ａは、基体１４ａ内に既に設けられている。

図４ｂ）に記載の次の段階では、図４ｂ）に記載の面３０ａの面形状を得るために、次に、基体１４ａの面３０ａが加工される。

図４ｃ）に記載の次の段階では、基体１４ａの面３０ａ内に微細構造１６ａが加工される。材料の軟質性に起因して、微細構造１６ａを導入する工程は、上述したように従来の方法によって実施することができる。

図４ｄ）に記載の次の段階では、微細構造１６ａの面２４ａに研磨層１８ａが付加され、次に、研磨された面２６ａを得るために、研磨層１８ａは研磨、取りわけ超平滑研磨される。

研磨層１８ａは、薄い層厚を伴って付加される。研磨層１８は、例えば、石英層、アモルファス層、又は結晶シリコン層とすることができる。

研磨層１８ａは、微細構造１６ａの面２４ａの面形状が維持されるが、一方、必要とされるマイクロラフネスが得られるように従来の湿式研磨法によって研磨される。一般的に、研磨層１８は、層１８ａが消失する程までには研磨されず、層１８ａは、微細構造１６ａの面２４ａ上に留まり、それによって図４ｅに記載の反射層２０ａの更に別の付加において実際の基板面として機能する。

研磨層１８ａの厚みは、例えば、約０．５μｍから約１００μｍまでの範囲にある。研磨層１８ａは、研磨後の基板１２の区域にわたって連続して存在する。

従って、光学構成要素１０ａの例示的な実施形態において、基体１４ａは、微細構造１６ａを加工する工程に関して最適化され、それに対して研磨層１８ａは、０．２ｎｍ ｒｍｓよりも小さいマイクロラフネスを得るためのその研磨性に関して最適化される。

図５ａ）から図５ｅ）は、図２ａ）から図２ｄ）に記載の方法及び図４ａ）から図４ｅ）に記載の方法に対して修正された図５ｅ）に記載の反射光学構成要素１０ｂを製造する方法を示している。

図５ａ）により、ここでもまた、第１の段階は、面３０ｂと、既に内部に加工されている冷却ライン２８ｂとを有する基体１４ｂを与える段階を含む。

基体１４又は１４ａとは対照的に、基体１４ｂは、あらゆる望ましい材料から製造することができ、取りわけ、微細構造１６ｂ（図５ｅを参照されたい）を加工するのに適さないものからも製造することができる。従って、基体１４ｂは、硬質及び／又は脆質の材料で構成することができ、例えば、セラミック又はガラスセラミック（例えば、ＵＬＥ、Ｚｅｒｏｄｕｒ）で構成することができる。しかし、それにも関わらず、基体１４ｂは、基体１４又は１４ａに対する上述の材料のうちの１つから製造することができる。基体１４又は１４ａに対する上述の材料に加えて、適切な材料は、例えば、シリコンカーバイド、ＳｉＳｉＣ、モリブデン、タングステン、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ−ＳｉＣ合金が挙げられる。

図５ｂ）により、最初に、この図では前と同じく凹として示す望ましい面形状を得るために、基体１４ｂの面３０ｂが加工される。

基体１４ｂの材料は、場合によって微細構造１６ｂを製造するには過度に硬質又は脆質であるので、面３０ｂには、上述したように微細構造１６ｂを従来の方法によって加工するのに適する材料で構成された構造化層３２ｂが付加される。従って、構造化層３２ｂは、好ましくは、前と同じく金属、金属合金、半導体、又はこれらの化合物、取りわけ、ＮｉＰ、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナといった金属、アモルファスシリコン、又は石英で構成された層、又は例えば硬化フォトレジスト、ＰＭＭＡなどのようなポリマーで構成された層である。

構造化層３２ｂは、蒸着又はスパッタリング、メッキ又は化学コーティングによって付加することができ、構造化層３２ｂがポリマー材料から製造される場合には、溶射、回転コーティング、又はレジストコーティングによっても付加することができる。

構造化層３２ｂを電気的に付加することが意図されるが、基体１４ｂの材料が導電性を持たないか又は十分な導電性を持たない場合には、基体１４ｂの面３０ｂに構造化層３２ｂを付加する工程の前に例えばアルミニウム、クロムなどで構成された接着促進層を付加することができる。この場合、例えば、構造化層３２ｂは、基体１４ｂに電気的に付加される金属又は金属合金、金属化合物、例えば、ＮｉＰで構成することができる。しかし、構造化層３２ｂが電気的に付加される場合だけでなく、構造化層３２ｂを付加するための他の方法の場合にも、使用される材料に基づいて、接着促進層の事前付加を有利とすることができる。

図５ｃ）により、次に、図２ｃ）又は図４ｃ）を参照して上述したように、微細構造１６ｂが構造化層３２ｂ内に加工される。

その後に、図４ｄ）を参照して上述したように、微細構造１６ｂに研磨層１８ｂを付加することができ、研磨することができ、その後に、反射層２０ｂが付加される。

しかし、上記とは別に、構造化層３２ｂの材料が当該目的に適する場合には、研磨層１８ｂを割愛し、代替的に、光学構成要素１０及びそれを製造する方法を参照して上述したように、構造化層３２ｂの面２４ｂを研磨することができる。構造化層３２ｂが、例えば、ＮｉＰ、銅、又はシリコンから形成される場合には、微細構造１６ｂの面２４ｂを直接研磨することができる。

上述の例示的な実施形態の全てにおいて、反射層２０、２０ａ、又は２０ｂに最終保護層を付加することができる。

図１及び図２ａ）から図２ｄ）に記載の例示的な実施形態、並びに図４ａ）から図４ｅ）に記載の例示的な実施形態において、適切な場合に、基体１４又は１４ａ）は、光学活性微細構造１６と共にモールド成形可能材料、例えば、金属又はポリマーからモールド成形方法でモールド成形することができ、又は基体１４又は１４ａは、微細構造１６又は１６ａと共に射出モールド成形方法で製造することができる。

上述の全ての例示的な実施形態に共通することは、基板１２、１２ａ、又は１２ｂが研磨される前に、微細構造１６、１６ａ、又は１６ｂが、基板１２、１２ａ、１２ｂ内に加工され、微細構造１６、１６ａ、１６ｂが加工された後に、かつ基板１２、１２ａ、又は１２ｂが研磨された後に、反射層２０、２０ａ、又は２０ｂが付加されることである。

図６から図８を参照してＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素１０ｃの更に別の例示的な実施形態を以下に説明する。反射構成要素１０ｃは、図１の光学構成要素１０の構成要素１０ｃの微細構造の構成に関する修正である。

反射光学構成要素１０ｃは、光学的に作用する微細構造１６ｃが内部に加工された基体１４ｃを有する基板１２ｃを有する。基体１４ｃには、反射層２０ｃが接合され、その面２２ｃは、光学構成要素１０ｃの作動中に光又は放射線が印加される光学構成要素１０の面を表している。

基体１４ｃの材料の選択、及び光学構成要素１０ｃの製造に関しては、光学構成要素１０の対応する説明を参照することができ、光学構成要素１０ｃの相違点及び光学構成要素１０に対する光学構成要素１０ｃの製造の相違点のみを以下に説明する。

光学構成要素１０ｃの微細構造１６ｃは、交替方式でリブ４０と溝４２とを有する回折格子の形態に具現化される。

図７は、光学構成要素１０ｃの細部を拡大スケールに示している。微細構造１６ｃのリブ４０の各々は、光学構成要素１０ｃの光入射面２２ｃに対して実質的に平行な面４４を有し、溝４２の各々は、同じく光入射面２２ｃに対して実質的に平行な面４６を有する。この場合、「実質的に平行」は、対応する湾曲を面４４及び４６に与えることにより、例示的な実施形態に示すように、面４４及び４６が光学構成要素１０ｃの曲面２２ｃに適合させられるようなことであると理解されなければならない。そのような光学構成要素が、図示のように凹状に湾曲したものである代わりに平面であるように構成される場合には、微細構造１６ｃは、厳密な意味で矩形プロフィールを有する。

リブ４０及び溝４２の各々は、光学構成要素１０ｃの光軸５２に対して実質的に平行な側面４８、５０を有する。

光学構成要素１０ｃの微細構造１６ｃは、バイナリ格子とも表される。

そのようなバイナリ格子は、摂動電磁放射線、例えば、ＥＵＶ放射線を生成するのに使用され、光学構成要素１０ｃ上に入射する赤外線放射線又は近赤外線放射線の波長又は波長範囲を抑制するのに特に適している。

リブ４０はリブ幅ｗ₁を有し、溝４２は溝幅ｗ₂を有する。リブ幅ｗ₁と溝幅ｗ₂は、回折格子にわたって少なくとも部分毎に等しい。格子定数ｄは、リブ幅ｗ₁と溝幅ｗ₂の和である。

図７では、溝４２の深さ又はリブ４０の高さがｈで符号付けされている。

溝４２の深さ又はリブ４０の高さｈは、それぞれｈ＝ｎ・λ／４という条件を少なくとも近似的に満たし、λは、抑制される電磁放射線の波長であり、ｎは奇数の整数である。

抑制される電磁放射線の垂直入射では、深さｈ又は高さｈは、少なくとも近似的に条件ｈ＝ｎ・λ／４が満たされるように選択され、それに対して抑制される電磁放射線の非垂直入射では、バイナリ格子構造の深さｈ又は高さｈは、相応に高めに選択される。

理想的には、抑制される電磁放射線の局所的に異なる入射角を考慮するために、高さｈ又は深さｈは、回折格子にわたって局所的に変化することができる。

リブ幅ｗ₁と溝幅ｗ₂は、少なくとも部分毎に等しいとすることができるが、局所的に変化することもできる。好ましくは、１つ又はそれよりも多くの冷却体（図示せず）の過度の局所熱負荷を回避するために、抑制され回折させられる電磁放射線をこの冷却体又はこれらの冷却体の異なる入射箇所の上に向けることができるように、抑制される電磁放射線を異なる方向に向けるために、取りわけ、格子定数ｄは、局所的に変化する。

図８は、反射層２０ｃが付加される前の光学構成要素１０ｃの微細構造１６ｃの細部を更に別の拡大したスケールに示している。

実線５４は、反射層２０ｃを付加した後に反射層２０ｃの面２２ｃも輪郭に沿うように研磨工程の後に存在すべきである微細構造１６ｃの理想的な輪郭を描いている。

しかし、研磨工程は、取りわけ微細構造１６ｃの面２４ｃが直接研磨される場合、すなわち、研磨層を予め付加することなく研磨される場合には、微細構造１６ｃの面の材料の除去をもたらす。

微細構造１６ｃが、実線５４に従う「理想的な」輪郭で既に加工され、次に、研磨されることになる場合には、微細構造１６が、研磨後に、例えば、図８に破線５６に示すような輪郭を有するということが発生する可能性がある。取りわけ、バイナリ格子構造の縁部は、破線５６に示すように、望ましくないように丸められる場合がある。従って、予想される材料除去を考慮するために、微細構造１６ｃは、図８に破線５８で例示的に示すような構造余裕部を用いて加工される。線５８に従う構造余裕部は、微細構造が「理想的な」輪郭５４で既に加工されている場合に見込まれる研磨工程の後の輪郭５６と実質的に反対である。微細構造１６ｃが、輪郭５８に従う構造余裕部を用いて加工される場合には、微細構造１６ｃは、研磨後に「理想的な」輪郭５４を有する。

破線５８は、微細構造１６ｃを加工するときの構造余裕部の例に過ぎないことは理解されるものとする。

例えば、構造余裕部は、更に、図８に破線６０に示すように大き目の深さ又は高さｈを伴って溝４２又はリブ４０を加工することによって実施することができる。

最後に、微細構造１６ｃの研磨による予想される材料除去を考慮するために、任意の他の構造余裕部を考慮することができる。

光学構成要素１０ｃを参照して説明した微細構造は、光学構成要素１０ａ又は１０ｂに適用することができ、すなわち、他の例示的な実施形態を参照して上述したように微細構造が直接基体内に加工されるか又は構造化層に加工されるかに関わらず、又は追加的に研磨層が微細構造に付加されるか否かに関わらず適用することができることは理解されるものとする。

Claims (35)

1. 基体（１４；１４ａ；１４ｂ；１４ｃ）を有する基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）と、該基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）上に配置された反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）とを有し、該基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）が光学的に作用する微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ；１６ｃ）を有するＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素（１０；１０ａ；１０ｂ；１０ｃ）を製造する方法であって、
   前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ；１６ｃ）を前記基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）内に加工する段階と、
   前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ；１６ｃ）が前記基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）内に加工された後に該基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）を研磨する段階と、
   前記基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）が研磨された後に該基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）に前記反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）を付加する段階と、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｃ）は、前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）内に直接加工されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）は、金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、シリコン、アルミニウム−シリコン合金、又はニッケルからなる群から選択される材料から製造されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
4. 前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）は、ＰＭＭＡのようなポリマー材料からなる群から選択される材料から製造されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
5. 前記微細構造（１６ｂ）を加工する前に、好ましくは前記基体（１４ｂ）の前記材料よりも軟質の材料で構成された構造化層（３２ｂ）が、該基体（１４ｂ）に付加され、
   前記微細構造（１６ｂ）は、前記構造化層（３２ｂ）内に加工される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、銅、金、銀、プラチナ、ＮｉＰ、アモルファスシリコン、又は結晶シリコンからなる群から選択される材料が、前記構造化層（３２ｂ）として付加されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
7. 硬化フォトレジスト、ＰＭＭＡのようなポリマー材料からなる群から選択される材料が、前記構造化層（３２ｂ）として付加されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
8. 前記構造化層（３２ｂ）を付加する前に、接着促進層が、前記基体（１４ｂ）に付加されることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
9. 前記微細構造（１６；１６ｂ；１６ｃ）を加工した後に、該微細構造（１６；１６ｂ；１６ｃ）の面（２４；２４ｂ；２４ｃ）が、直接研磨されることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
10. 研磨の前に、好ましくは前記微細構造（１６ａ；１６ｂ）の面（２４ａ；２４ｂ）の材料よりも硬質の材料から構成される研磨層（１８ａ；１８ｂ）が、該微細構造（１６ａ；１６ｂ）に付加され、
    前記研磨層（１８ａ；１８ｂ）は、研磨される、
    ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の方法。
11. アモルファス若しくは結晶シリコン若しくは石英のようなガラス質材料から、又は銅若しくはＮｉＰのような金属又は金属化合物からなる群から選択される材料が、前記研磨層（１８ａ；１８ｂ）として付加されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
12. 前記反射層（２０ａ；２０ｂ）は、前記研磨層（１８ａ；１８ｂ）に付加されることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
13. 前記微細構造（１６ｃ）は、前記研磨する段階による材料除去を考慮した構造余裕部を用いて加工されることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 最終層としての保護層が、前記反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）に付加されることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
15. ＥＵＶ投影露光装置のための反射光学構成要素であって、
    基体（１４；１４ａ；１４ｂ；１４ｃ）を有する基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）と、
    前記基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）上に配置された反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）と、
    を含み、
    前記基板（１２；１２ａ；１２ｂ；１２ｃ）は、光学的に作用する微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ；１６ｃ）を有し、
    研磨された面（２４；２６ａ；２４ｂ；２６ｂ；２４ｃ）が、前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ；１６ｃ）と前記反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）の間に存在する、
    ことを特徴とする構成要素。
16. 前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｃ）は、前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）に直接存在することを特徴とする請求項１５に記載の構成要素。
17. 前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）は、金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、シリコン、アルミニウム−シリコン合金、又はニッケルからなる群から選択される材料から製造されることを特徴とする請求項１６に記載の構成要素。
18. 前記基体（１４；１４ａ；１４ｃ）は、ＰＭＭＡのようなポリマー材料からなる群から選択される材料から製造されることを特徴とする請求項１６に記載の構成要素。
19. 前記微細構造（１６ｂ）は、好ましくは前記基体（１４ｂ）の材料よりも軟質の材料で構成された構造化層（３２ｂ）に存在し、該構造化層は、該基体（１４ｂ）上に配置されることを特徴とする請求項１５に記載の構成要素。
20. 前記構造化層（３２ｂ）は、金属、金属合金、半導体、及びこれらの化合物、取りわけ、アルミニウム、銅、金、銀、プラチナ、ＮｉＰ、アモルファスシリコン、結晶シリコン、又は石英からなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項１９に記載の構成要素。
21. 前記構造化層（３２ｂ）は、硬化フォトレジスト又はＰＭＭＡのようなポリマー材料からなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項１９に記載の構成要素。
22. 前記基体（１４ｂ）は、アルミニウム、アルミニウム合金、シリコンカーバイド、ＳｉＳｉＣ、銅、銅合金、シリコン、モリブデン、タングステン、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＣ、Ｓｉ₃Ｎ₄、アルミニウム−シリコン合金、Ａｌ−ＳｉＣ合金、石英、ガラスセラミック、又はＰＭＭＡからなる群から選択される材料から製造されることを特徴とする請求項１９から請求項２１のいずれか１項に記載の構成要素。
23. 接着促進層が、前記基体（１４ｂ）と前記構造化層（３２ｂ）の間に存在することを特徴とする請求項１９から請求項２２のいずれか１項に記載の構成要素。
24. 前記研磨された面（２４；２４ｂ；２４ｃ）は、前記微細構造（１６；１６ｂ；１６ｃ）の面（２４；２４ｂ；２４ｃ）であることを特徴とする請求項１５から請求項２３のいずれか１項に記載の構成要素。
25. 前記研磨された面（２６；２６ｂ）は、前記微細構造（１６ａ，１６ｂ）上に配置されて好ましくは微細構造（１６ａ，１６ｂ）の面（２４ａ；２４ｂ）の材料よりも硬質な材料を含む研磨層（１８ａ；１８ｂ）の面であることを特徴とする請求項１５から請求項２３のいずれか１項に記載の構成要素。
26. 前記研磨層（１８ａ；１８ｂ）は、アモルファスシリコン、結晶シリコン、若しくは石英のようなガラス質材料から、又は銅若しくはＮｉＰのような金属若しくは金属化合物からなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項２５に記載の構成要素。
27. 前記反射層（２０ａ；２０ｂ）は、前記研磨層（１８ａ；１８ｂ）上に配置されることを特徴とする請求項２５又は請求項２６に記載の構成要素。
28. 最終層としての保護層が、前記反射層（２０；２０ａ；２０ｂ；２０ｃ）上に存在することを特徴とする請求項１５から請求項２７のいずれか１項に記載の構成要素。
29. 前記微細構造（１６；１６ａ；１６ｂ）は、波長選択性フィルタ、例えば、回折格子として具現化されることを特徴とする請求項１５から請求項２８のいずれか１項に記載の構成要素。
30. 前記微細構造（１６ｃ）は、リブ（４０）と溝（４２）とを交替方式で有する回折格子として具現化され、
    前記リブ（４０）の各々及び前記溝（４２）の各々が、構成要素（１０ｃ）の光入射面（２２ｃ）に対して実質的に平行な面（４４，４６）を有し、
    前記リブ（４０）及び前記溝（４２）は、構成要素（１０ｃ）の光軸（５２）に対して実質的に平行な側面（４８；５０）をそれぞれ有する、
    ことを特徴とする請求項１５から請求項２９のいずれか１項に記載の構成要素。
31. 前記溝（４２）の深さ（ｈ）が、前記回折格子の少なくとも１つの部分において以下の条件：ｈ＝ｎ・λ／４を少なくとも近似的に満たし、ここで、λは、該回折格子によって抑制される電磁放射線の波長であり、ｎは、奇数の整数であることを特徴とする請求項３０に記載の構成要素。
32. 前記溝（４２）の前記深さ（ｈ）は、前記回折格子にわたって局所的に変化することを特徴とする請求項３１に記載の構成要素。
33. 前記リブ（４０）のリブ幅（ｗ₁）と前記溝（４２）の溝幅（ｗ₂）が、前記回折格子の少なくとも１つの部分で等しいことを特徴とする請求項３０から請求項３２のいずれか１項に記載の構成要素。
34. 格子定数（ｄ）が、前記回折格子にわたって局所的に変化することを特徴とする請求項１５から請求項３３のいずれか１項に記載の構成要素。
35. ＥＵＶ投影露光装置内に使用するためのコレクターミラーとして具現化されることを特徴とする請求項１５から請求項３４のいずれか１項に記載の構成要素。

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