JP2019516129A - Ｅｕｖ投影露光装置に使用するためのｅｕｖコレクター - Google Patents

Abstract

ＥＵＶコレクター（２４）は、ＥＵＶ投影露光装置での使用に寄与する。コレクター（２４）は、プラズマ源領域によって放出されたＥＵＶ使用光を案内するように具現化される。コレクター（２４）の全体入射面（３４）は、ＥＵＶ光及びポンプレーザ光の両方から構成されるプラズマ源領域によって放出された放射線（３、３１）による入射に向けて具現化される。全体入射面（３４）の使用光部分（３５）は、ＥＵＶ使用光（３）を案内するように具現化される。全体入射面（３４）の外部光部分（３６）は、使用光（３）のものとはその波長が異なるプラズマ源から反射された外部ポンプレーザ光放射線（３１）によって入射されるように具現化される。使用光部分（３５）及び外部光部分（３６）は合致しない。これは、そのコレクター効率が増大し、かつその生成コストが潜在的に低減されるＥＵＶコレクターをもたらす。レーザ光の反射のためのゾーンは、適切な回折格子構造によって覆われる。【選択図】図４

Description

ドイツ特許出願ＤＥ １０ ２０１６ ２０５ ８９３．２の内容が引用によって本明細書に組み込まれている。

本発明は、ＥＵＶ投影露光装置に使用するためのＥＵＶコレクターに関する。本発明は、更に、そのようなコレクターを含む照明系、そのような照明系を含む光学系、そのような光学系を含む投影露光装置、微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成する方法、この方法によって生成される微細構造化又はナノ構造化構成要素に関する。

冒頭に示したタイプのＥＵＶコレクターは、ＵＳ ２０１３／０３３５８１６ Ａ１及びＵＳ ７ ０８４ ４１２ Ｂ２から公知である。

ＤＥ １０ ２０１６ ２０５ ８９３．２ ＵＳ ２０１３／０３３５８１６ Ａ１ ＵＳ ７ ０８４ ４１２ Ｂ２ ＤＥ １０ ２００９ ０４５ ０９６ Ａ１ ＤＥ １０ ２０１２ ２０２ ６７５ Ａ１

本発明の目的は、改善されたコレクター効率を有するような冒頭に示したタイプのＥＵＶコレクターを開発することである。更に、可能な場合に、ＥＵＶコレクターに対する生成コストは、従来技術と比較して低減しなければならない。

本発明により、この目的は、請求項１に指定の特徴を含むＥＵＶコレクターによって達成される。

外部光放射線は、プラズマ源領域によって反射されてプラズマ源領域内でプラズマを発生させるように機能するポンプ光であると考えられる。特に、外部光放射線は、ポンプ光の放射線成分に関連する。本発明により、コレクターの全体入射面の使用光部分全体は、同じく外部光を抑制するように設計する必要はないことが特定された。特に、コレクター面全体に外部光抑制のための回折格子を設ける必要はない。代わりに、使用光部分に合致するようには具現化されず、かつ外部光放射線を迂回させ、特に外部光放射線によって入射されるという目的を有する全体入射面の外部光部分を具現化することで十分である。これは、コレクター効率と、特にコントローラによって取得することができる使用光スループットとを増大する。この増大した使用光スループットは、コレクターによる外部光抑制の望ましくない低下を伴わずに取得することができる。完全にコレクター面にわたって具現化された回折格子による外部光抑制の不完全性に起因して出現する使用光スループットの望ましくない損失は、回避することが可能である。ＥＵＶコレクターの生成コストも、コレクターの全体入射面の使用光部分全体が同じく外部光抑制に向けて設計されるわけではないことによって低減することができる。外部光部分による迂回は、外部光を外部光トラップまで案内することにより、外部光を異なる外部光使用まで案内することにより、かつ外部光を吸収又は消散させることによって実施することができる。外部光放射線のための回折格子として具現化される外部光部分は、層状格子として具現化することができる。回折格子は、ろう付け格子として具現化することができる。回折格子は、材料切除処理により、又はエッチングにより、特にマスクエッチングによって生成することができる。回折格子の回折効率は、ゼロ次で非常に低いと考えられる。回折格子の抑制、すなわち、ゼロ次の回折効率と高次の回折効率の間の比は、１／１００未満である場合があり、特に、１／１０００である場合がある。

請求項２に記載の広がり比は、特に高いコレクター効率を保証する。外部光部分と使用光部分の間の広がり比は、最大で２５％である場合があり、最大で２０％である場合があり、最大で１５％である場合があり、同じく更に小さい場合がある。

請求項３に記載の使用光部分の小部分として具現化される外部光部分は、全体入射面の小部分を構成し、かつ同時にＥＵＶ使用光を案内して外部光放射線によって入射されるように機能する。次に、特に外部光部分の外側の残りの全体入射面は、専らＥＵＶ使用光を案内するように具現化され、かつそこに特に高い反射効率を有することができる。

請求項４に記載のコレクターの構成では、ＥＵＶ使用光の反射損失は最小にされる。

請求項５により、外部光部分は、外部光部分と使用光部分間の分離の場合にＥＵＶ使用光を案内するのに使用されない。そこでは使用光に対する反射効率を考慮する必要はなく、これは、生成コストを低減する。特に、外部光部分の場所では、反射格子の必要はない。

外部光部分は、使用光部分内の開口部として具現化することができる。使用光部分内の開口部としての外部光部分のそのような実施形態は、特に費用効果的なコレクターをもたらす。外部光部分は、次に、外部光放射線のための通過開口部を構成することができる。外部光放射線は、次に、外部光トラップによってこの通過開口部を通過した後で迂回することができる。

使用光部分は、少なくとも２つの別々のコレクター構成要素間で分散させることができ、外部光部分は、少なくとも２つのコレクター構成要素間の隙間として具現化される。少なくとも２つのコレクター構成要素間の隙間として具現化されるそのような外部光部分は、コレクターを設計する時の設計オプションを増大させる。

請求項６により、外部光を吸収する全体入射面の部分としての外部光部分の実施形態は、費用効果的な方式で生成可能であるコレクターを同様にもたらす。外部光部分はまた、全体入射面上の絞りにより、又は全体入射面上の外部光散乱部分により、又は全体入射面上の外部光反射部分によって実現することができる。

請求項７による使用光部分の実施形態は、比較的費用効果的な方式で生成可能であって法線入射（ＮＩ）コレクターとも呼ぶコレクターをもたらす。全体的に、コレクターは、ＮＩコレクターとして具現化することができる。これに代えて、コレクターの少なくとも１つのサブユニットをＮＩユニットとして設計することが可能であり、少なくとも１つの更に別のサブユニットが、次に、４５°よりも大きい入射角を有するＥＵＶ使用光の入射のためのサブユニット（かすめ入射衝突、ＧＩユニット）として同じく具現化される。

請求項８によるポンプ光通過開口部は、プラズマ源領域内へのポンプ光結合を簡素化する。ポンプ光通過開口部は、使用光部分内の開口部として具現化された外部光部分内に具現化することができ、かつ次に例えば外部光通過開口部の一部を形成することができる。

請求項９によるポンプ光衝突ゾーンの領域内の外部光部分は、外部光が、それがＥＵＶコレクター上のその作動中に主として入射する場所に迂回されるので、特に効率的な配置をもたらす。

コレクターの全体入射面又は使用光部分が対称軸に関して回転対称な実施形態を有する限り、外部光部分は、この対称軸に関して非回転対称方式で配置することができる。外部光部分の重心は、次に、全体入射面又は使用光部分との対称軸と交点に対して横方向オフセットを有することができる。

効率的な外部光迂回は、特に、請求項１０に記載の外部光部分の構成に適用される。

請求項１１に記載の照明系、請求項１２に記載の光学系、請求項１３に記載の投影露光装置、請求項１４に記載の生成方法、及び請求項１５に記載の微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、本発明によるコレクターに関して既に上述したものに対応する。

特に、半導体構成要素、例えば、メモリチップは、投影露光装置を用いて生成することができる。

本発明の例示的実施形態を下記で図面に基づいてより詳細に説明する。

ＥＵＶマイクロリソグラフィのための投影露光装置の概略図である。 ＥＵＶコレクターを子午断面に描き、ＥＵＶ使用光をプラズマ源領域から投影露光装置の照明光学ユニットの視野ファセットミラーまで案内するためのＥＵＶコレクターの周囲での投影露光装置の光源の詳細を示す図である。 投影露光装置のＥＵＶ光源のポンプ光源からのポンプ光のビーム案内の概略図である。 図３の視線方向ＩＶから見たＥＵＶコレクターの平面図である。 ＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図４と類似の図に示す図である。 ＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図４と類似の図に示す図である。 ＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図４と類似の図に示す図である。 ＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図５と類似の図に示す図である。 ＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図６と類似の図に示す図である。 ポンプ光のビーム案内を追加で描き、２つの別々のコレクター構成要素を含むＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を子午断面に示す図である。 ポンプ光のビーム案内を含むＥＵＶコレクターの更に別の実施形態を図１０と類似の図に示す図である。

マイクロリソグラフィのための投影露光装置１は、下記で更に詳細に説明する照明光及び／又は結像光３のための光源２を含む。光源２は、例えば、５ｎｍと３０ｎｍの間、特に５ｎｍと１５ｎｍの間の波長範囲の光を生成するＥＵＶ光源である。下記では、照明光及び／又は結像光３をＥＵＶ使用光とも呼ぶ。

特に、光源２は、１３．５ｎｍの波長を有する光源、又は６．９ｎｍの波長を有する光源とすることができる。他のＥＵＶ波長も可能である。照明光３のビーム経路を図１に非常に概略的に示している。

照明光学ユニット６は、照明光３を光源２から物体平面５の物体視野４まで案内するように機能する。この照明光学ユニットは、図１には非常に概略的にしか示していない視野ファセットミラーＦＦと、照明光３のビーム経路内で下流に配置され、同じく非常に概略的にしか示していない瞳ファセットミラーＰＦとを含む。照明光学ユニットの瞳平面６ａに配置された瞳ファセットミラーＰＦと物体視野４の間には、かすめ入射のための視野形成ミラー６ｂ（ＧＩミラー、かすめ入射ミラー）が配置される。そのようなＧＩミラー６ｂは必須ではない。

視野ファセットミラーＦＦの瞳ファセットミラーＰＦの瞳ファセット（それ程詳細には示していない）は、視野ファセットミラーＦＦの視野ファセット（同じく示していない）を物体視野４内に互いに重なる方式で伝達する伝達光学ユニットの一部である。一方で視野ファセットミラーＦＦに対して、かつ他方で瞳ファセットミラーＰＦに対して従来技術で公知の実施形態を使用することができる。一例として、そのような照明光学ユニットは、ＤＥ １０ ２００９ ０４５ ０９６ Ａ１から公知である。

投影光学ユニット又は結像光学ユニット７を用いて、物体視野４は、像平面９の像視野８内に予め決められた縮小スケールで結像される。この目的に対して使用することができる投影光学ユニットは、例えば、ＤＥ １０ ２０１２ ２０２ ６７５ Ａ１から公知である。

投影露光装置１及び投影光学ユニット７の様々な実施形態の説明を容易にするために、図面内に直交ｘｙｚ座標系を示し、図に例示する構成要素のそれぞれの位置関係は、この座標系から明らかになる。図１では、ｘ方向は、作図面と垂直に、そこに入り込むように延びる。ｙ方向は図１の左に延び、ｚ方向は図１の上方に延びる。物体平面５はｘｙ平面と平行に延びる。

物体視野４及び像視野８は矩形である。これに代えて、物体視野４及び像視野８が曲った又は湾曲した実施形態、すなわち、特に部分リング形状を有することも可能である。物体視野４及び像視野８は、１よりも大きいｘ／ｙアスペクト比を有する。従って、物体視野４は、ｘ方向に長めの物体視野寸法を有し、ｙ方向に短めの物体視野寸法を有する。これらの物体視野寸法は、視野座標ｘ及びｙに沿って延びる。

投影光学ユニット７に対しては、従来技術で公知の例示的実施形態のうちの１つを使用することができる。この場合に結像されるものは、レチクルとも呼び、物体視野４と一致する反射マスク１０のセクションである。レチクル１０はレチクルホルダ１０ａによって担持される。レチクルホルダ１０ａは、レチクル変位ドライブ１０ｂによって変位される。

投影光学ユニット７による結像は、基板ホルダ１２によって担持されたウェーハの形態にある基板１１の面上に実施される。基板ホルダ１２は、ウェーハ変位ドライブ又は基板変位ドライブ１２ａによって変位される。

図１は、レチクル１０と投影光学ユニット７の間でこの投影光学ユニット内に入射する照明光３の光線ビーム１３を示し、更に投影光学ユニット７と基板１１の間で投影光学ユニット７から射出する照明光３の光線ビーム１４を示している。図１では投影光学ユニット７の像視野側開口数（ＮＡ）を正確に再現していない。

投影露光装置１はスキャナタイプのものである。レチクル１０と基板１１の両方が、投影露光装置１の作動中にｙ方向に走査される。基板１１の個々の露光の間にレチクル１０及び基板１１のｙ方向の段階的変位が達成されるステッパタイプの投影露光装置１も可能である。これらの変位は、変位ドライブ１０ｂ及び１２ａの適切な起動によって互いに同期して達成される。

図２は、光源２の詳細を示している。

光源２は、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源である。プラズマを生成するために、錫小滴１５を錫小滴発生器１６が連続的な小滴列として発生させる。錫小滴１５の軌道は、ＥＵＶ使用光３の主ビーム方向１７を横断して延びる。この場合に、錫小滴１５は、錫小滴発生器１６と錫捕捉デバイス１８の間で自由に滴下し、これらの小滴はプラズマ源領域１９を通過する。ＥＵＶ使用光３は、プラズマ源領域１９によって放出される。小滴１５は、プラズマ源領域１９に到達すると、ポンプ光源２１からのポンプ光２０によって入射される。ポンプ光源２１は、例えば、ＣＯ₂レーザの形態にある赤外線レーザ光源とすることができる。異なるＩＲレーザ光源、特に固体レーザ、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザも可能である。

ポンプ光２０は、制御可能な方式で傾斜可能なミラーとすることができるミラー２２を経由し、更に集束レンズ２３を通してプラズマ源領域１９内に伝達される。ＥＵＶ使用光３を放出するプラズマは、プラズマ源領域１９内に到達する錫小滴１５からポンプ光の入射によって発生する。図２は、ＥＵＶ光が下記ではＥＵＶコレクター２４とも呼ぶコレクターミラー２４によって反射される場合のプラズマ源領域１９と視野ファセットミラーＦＦの間のＥＵＶ使用光３のビーム経路を示している。ＥＵＶコレクター２４は、集束レンズ２３によってプラズマ源領域１９に向けて集束されるポンプ光２０に対する中央通過開口部２５を含む。コレクター２４は楕円面ミラーとして具現化され、楕円面フォーカスに配置されたプラズマ源領域１９によって放出されたＥＵＶ使用光３をコレクター２４の他方の楕円面フォーカスに配置されたＥＵＶ使用光３の中間フォーカス２６に伝達する。

視野ファセットミラーＦＦは、ＥＵＶ使用光３のビーム経路内で中間フォーカス２６の下流のＥＵＶ使用光３の遠視野の領域に配置される。

ＥＵＶコレクター２４と、錫小滴発生器１６、錫捕捉デバイス１８、及び集束レンズ２３とすることができる光源２の更に別の構成要素とは、真空ハウジング２７に配置される。真空ハウジング２７は、中間フォーカス２６の領域内に通過開口部２８を含む。真空ハウジング２７は、その中へのポンプ光２０の入射領域内にポンプ光入射窓２９を含む。

図３は、集束レンズ２３と図３には部分的にしか示していない真空ハウジング２７内の通過開口部２８との間のポンプ光２０のビーム経路を示している。集束レンズ２３によって集束されるポンプ光２０は、プラズマ源領域１９内で、その中に進入する錫小滴１５により、更に時に既に発生されたプラズマによってポンプ光成分３１の形態で部分的に反射される。この錫小滴１５は、それによって反射されたポンプ光成分３１をこの小滴自体の中に反射して戻さない形態で存在する。反射されたポンプ光成分３１は、５°と３５°の間の範囲にあるとすることができ、図３に示す例示的実施形態では、約２０°である反射角で錫小滴を離れる。小滴１５によって反射されたポンプ光成分３１は、ポンプ光通過開口部２５に対して偏心したポンプ光衝突ゾーン３２内でＥＵＶコレクター２４上に入射する。ＥＵＶコレクター２４には、ポンプ光２０に対する光回折格子３３が上述のポンプ光衝突ゾーン３２を完全に覆う方式で適用される。

すなわち、プラズマ源領域１９によって放出された放射線による入射に向けて具現化されたコレクター２４の全体入射面３４は、一方で使用光部分３５を含み、他方で外部光部分３６を含む。コレクター２４の全体入射面３４の使用光部分３５は、ＥＵＶ使用光３を案内するように具現化され、図４の実施形態ではコレクター２４の全体入射面３４と一致する。全体入射面３４の外部光部分３６は、外部光放射線による入射、すなわち、特にＥＵＶ使用光３の波長とは異なるポンプ光２０の波長を有する放射線による入射に向けて具現化される。ポンプ光成分３１は、この外部光放射線の例である。図４の実施形態では、外部光部分３６は、回折格子３３の広がりと一致する。

外部光部分３６は使用光部分３５の一部しか覆わないので、使用光部分３５と外部光部分３６は合致しない。外部光部分３６は、使用光部分３５の広がり面積の最大で５０％である広がり面積を有する。この広がりの比は、より小さいもの、例えば、２５％又は１０％とすることができる。

図４のコレクター２４の実施形態では、外部光部分３６、すなわち、回折格子３３の縁部輪郭は楕円実施形態を有し、ポンプ光通過開口部２５をその円周全体にわたって覆い、他端では全体入射面３４の縁部まで延びる。特に、以下のコレクター実施形態に関して更に説明するように、回折格子３３の縁部輪郭の異なる進路も可能である。

回折格子３３の領域の外側、すなわち、外部光部分３６の外側では、全体入射面３４は、回折格子なしで、特にＥＵＶ使用光に対する無構造反射面として具現化される。

回折格子３３は、層状格子、すなわち、プロファイルトラフがプロファイルピークと同じ広がりを有する直角プロファイル構造を有する格子として具現化される。層状格子としての設計に対する代替として、回折格子３３は、ろう付け回折格子として具現化することができるが、図面にはこれを示していない。

回折格子３３の機能を図３に示している。錫小滴１５によって反射されたポンプ光成分３１は、回折格子３３によって回折される。図３は、＋１次の回折ポンプ光３７及び−１次の回折ポンプ光成分３８のビーム経路を示している。これらの回折ポンプ光成分３７、３８は、使用光通過開口部２８を通過せず、外部光として迂回され、真空ハウジング２７内に取り付けられた吸収体構造３９によって吸収される。これに代えて、吸収体構造３９の領域内で真空ハウジング２７にポンプ光射出開口部を取り付けることができ、この場合に、回折ポンプ光成分３７、３８は、これらのポンプ光射出窓に従った射出の後にターゲットを定めた様式で迂回される。

更に、図３は、０次の回折４０のビーム経路も示している。この０次の回折４０での回折格子３３の回折効率は、±１次３７、３８での回折効率よりも何桁か低い。この場合に、抑制比は、１／１００から最大で１／１０００までにあるとすることができる。従って、使用光通過開口部２８を通過する回折ポンプ光成分は無視することができる程に小さい。

ＥＵＶポンプ光とは異なる波長を有するポンプ光２０を後に外部光とも呼ぶ。ポンプ光波長とは異なり、かつ同時に使用光波長とも異なる波長を有する他の放射線が、コレクター２４を用いて抑制される外部光を構成する可能性もある。

回折格子３３は、材料切除処理又はエッチング法を用いて、特にマスクエッチングによって生成することができる。材料切除法は、制御されてコレクター加工品の回転と同期される方式でフライスツールが回折格子３３の領域内でこの加工品との係合状態に入れられ、そうでなければ再度係合解除される旋削加工法とすることができる。

リソグラフィ法又は材料処理レーザを用いた回折パターンの直接書込によるレーザ材料処理は、回折格子３３を生成するための更に可能な方法である。リソグラフィ法は、回折格子３３の場所でコレクター本体との接触状態に直接入れることによる主構造の局所モールド成形を含むことができる。

図４の実施形態では、外部光部分３６は、使用光部分３５の小部分を構成する。従って、全体入射面３４のこの小部分は、ＥＵＶ使用光３を案内し、かつポンプ光成分３１、すなわち、外部光放射線によって入射されるように同時に機能する。残りの全体入射面３４は、専らＥＵＶ使用光を案内するように具現化される。それによって特に回折格子３３の不完全性に起因する使用光反射損失が回避される。

コレクター２４は、ＥＵＶ使用光３の実質的に垂直な入射のためのミラー（法線入射ミラー、ＮＩミラー）として具現化される。従って、使用光部分３５は、最大で４５°の入射角を有するＥＵＶ使用光３の入射に向けて具現化される。

照明光学ユニット６と共に、コレクター２４は投影露光装置の照明系を構成する。投影光学ユニット７と合わせて、照明系は投影露光装置１の光学系を構成する。

上述した実施形態の代わりに使用することができるＥＵＶコレクター２４の更に別の実施形態を図５に基づいて以下の本文で説明する。図１から図４に記載の実施形態を参照して上記に用いたものに対応する構成要素及び機能は同じ参照記号を有し、再度詳細に解説することはしない。

図５のＥＵＶコレクター２４においても、外部光部分３６は、全体的に丸形のコレクター２４の中央ストライプ部分の形態にある回折格子３３として同じく存在する。このストライプ状回折格子３３に加えて、使用光部分３５は、上側セグメント状使用光領域３５ａと、下側の同じくセグメント状の使用光領域３５ｂとを更に含む。

ストライプ状外部光部分３６は、図５に３２ａ及び３２ｂの場所に破線様式に示す可能な外部光衝突ゾーンを覆う。

上述した実施形態の代わりに使用することができるＥＵＶコレクター２４の更に別の実施形態を図６に基づいて以下の本文で説明する。図１から図５に記載の実施形態を参照して上記に用いたものに対応する構成要素及び機能は同じ参照記号を有し、再度詳細に解説することはしない。

図６のＥＵＶコレクター２４では、ここでもまた、層状回折格子３３として具現化された外部光部分３６が扇状実施形態を有し、全体入射面３４の４分の１、すなわち、９０°の方位角を覆う。

下記では、各場合に互いの代替であるＥＵＶコレクター２４の３つの更に別の実施形態を図７から図９に基づいて記載し、これらの例示的実施形態は、図４から図６に記載のＥＵＶコレクターの代わりに使用することができる。図１から図６に記載の実施形態を参照して上記に用いたものに対応する構成要素及び機能は同じ参照記号を有し、再度詳細に解説することはしない。

図７から図９のＥＵＶコレクター変形では、それぞれの外部光部分４１は、各場合にコレクター２４の全体入射面３４のうちに使用光部分３５とは別個の一部分を構成する。図７から図９のＥＵＶコレクター２４の場合に、外部光部分４１は、各場合にＥＵＶ使用光３を案内するためには使用されない。図７のＥＵＶコレクター２４では、外部光部分４１は、使用光部分３５内の開口部として具現化される。この実施形態では、外部光部分４１は、ポンプ光成分３１、すなわち、外部光放射線に対する通過開口部を構成する。この場合に、ポンプ光成分３１は、ＥＵＶコレクター２４の下流に配置された外部光トラップ（図３に破線に示す外部光トラップ４２を参照されたい）によって迂回又は消散される。

図７の外部光部分４１のこの通過開口部は、図４のＥＵＶコレクター２４の外部光部分３６の回折格子３３の楕円縁部輪郭に対応する楕円内側輪郭を有する。

図８のＥＵＶコレクターの実施形態では、使用光部分３５は、各々がセグメント形態を有し、かつその配置に関して図５のＥＵＶコレクター２４の使用光部分３５ａ、３５ｂに対応する２つの別々のコレクター構成要素２４ａ、２４ｂの間で分散される。

図９のＥＵＶコレクター２４では、外部光部分３６は、それ以外は丸形のＥＵＶコレクター２４内の円形−扇形切欠き部として具現化される。図９の外部光部分４１の配置及び広がりは、図６に記載の外部光部分のものに対応する。

図１０は、一緒に楕円面ミラーを形成する２つのコレクター構成要素２４ａ及び２４ｂを含むＥＵＶコレクター２４の更に別の実施形態を図３と類似の図に示している。図１から図９の実施形態を参照して上記に用いたものに対応する構成要素及び機能は同じ参照記号を有し、再度詳細に解説することはしない。

プラズマ源領域１９内に進入した錫小滴１５をミラー面に近い方のフォーカスに描いている。図８の実施形態と同等な方式で、図１０のＥＵＶコレクター２４の場合の外部光部分４１も、２つのコレクター構成要素２４ａと２４ｂの間の隙間として具現化される。

図１０のＥＵＶコレクター２４の場合に、ポンプ光２０は、ＥＵＶコレクター２４の主光線方向１７に対して、すなわち、プラズマ源領域１９と中間フォーカス２６の間の接続線に対して入射ポンプ光２０と錫小滴１５によって反射されたポンプ光成分３１との間の角度二等分線が主光線方向１７と７０°よりも大きい角度を形成するように内向きに放射される。

コレクター構成要素２４ａ、２４ｂは、一緒にプラズマ源領域１９の周りの大きい立体角度範囲、特にπよりも大きい立体角度範囲、２πよりも大きい立体角度範囲、更に２．５πよりも大きいとすることができる立体角度範囲を覆うような実施形態を有する。

図１１は、上述したＥＵＶコレクター２４の変形のうちの１つの代わりに使用することができるＥＵＶコレクター２４の更に別の実施形態を示している。図１から図１０の実施形態を参照して上記に用いたものに対応する構成要素及び機能は同じ参照記号を有し、再度詳細に解説することはしない。

図１１のＥＵＶコレクター２４では、外部光部分４３は、ＥＵＶコレクター２４の全体入射面３４の吸収部分として具現化される。プラズマ源領域１９内に進入した錫小滴１５から、入射ポンプ光２０のポンプ光成分３１が外部光部分４３に反射され、そこで吸収される。

外部光部分４３は、コレクター２４から熱的に切り離すことができる。次に、コレクター２４の複雑な冷却を省くことが可能である。ＥＵＶコレクター２４の本体は、アルミニウムから製造することができる。この本体に対する代替材料は、銅、銅及び／又はアルミニウムを含有する合金、又は粉末冶金によって生成された銅及び酸化アルミニウムの合金である。

微細構造化又はナノ構造化構成要素を生成するために、投影露光装置１は以下の通りに使用される。最初に、反射マスク１０又はレチクルと基板又はウェーハ１１とが与えられる。続いて、レチクル１０上の構造が、投影露光装置１を用いてウェーハ１１の感光層の上に投影される。次に、ウェーハ１１上の微細構造又はナノ構造及び従って微細構造化構成要素が、感光層を現像することによって生成される。

２４ ＥＵＶコレクター
２５ ポンプ光通過開口部
３２ ポンプ光衝突ゾーン
３３ 回折格子
３６ 外部光部分

冒頭に示したタイプのＥＵＶコレクターは、ＵＳ ２０１３／０３３５８１６ Ａ１及びＵＳ ７ ０８４ ４１２ Ｂ２から公知である。ＪＰ ２０１４ ２３６ １２１ Ａは、複数の溝を備えた凹面を有する基板部品を含むミラーデバイスを開示している。

ＤＥ １０ ２０１６ ２０５ ８９３．２ ＵＳ ２０１３／０３３５８１６ Ａ１ ＵＳ ７ ０８４ ４１２ Ｂ２ ＪＰ ２０１４ ２３６ １２１ Ａ ＤＥ １０ ２００９ ０４５ ０９６ Ａ１ ＤＥ １０ ２０１２ ２０２ ６７５ Ａ１

請求項４に記載のコレクターの構成では、ＥＵＶ使用光の反射損失は最小にされる。
別の態様により、ＥＵＶ投影露光装置に使用するためのＥＵＶコレクターが開示され、
−コレクターは、プラズマ源領域によって放出されたＥＵＶ使用光を案内するように具現化され、
−コレクターの全体入射面が、プラズマ源領域によって放出された放射線による入射に向けて具現化され、
−全体入射面の使用光部分が、ＥＵＶ使用光を案内するように具現化され、
−全体入射面の外部光部分が、使用光のものとはその波長が異なる外部光放射線を迂回させるように具現化され、
−使用光部分及び外部光部分は合致せず、
−外部光部分は、外部光放射線のための回折格子として具現化され、
−外部光部分は、使用光部分とは別である全体入射面の一部分を構成する。

外部光部分は、外部光部分と使用光部分間のそのような分離の場合にＥＵＶ使用光を案内するのに使用されない。そこでは使用光に対する反射効率を考慮する必要はなく、これは、生成コストを低減する。特に、外部光部分の場所では、反射格子の必要はない。

使用光部分は、少なくとも２つの別々のコレクター構成要素間で分散させることができ、外部光部分は、少なくとも２つのコレクター構成要素間の隙間として具現化される。少なくとも２つのコレクター構成要素間の隙間として具現化されるそのような外部光部分は、コレクターを設計する時の設計オプションを増大させる。
別の態様により、ＥＵＣ投影露光装置に使用するためのＥＵＶコレクターが開示され、
−コレクターは、プラズマ源領域によって放出されたＥＵＶ使用光を案内するように具現化され、
−コレクターの全体入射面が、プラズマ源領域によって放出された放射線による入射に向けて具現化され、
−全体入射面の使用光部分が、ＥＵＶ使用光を案内するように具現化され、
−全体入射面の外部光部分が、使用光のものとはその波長が異なる外部光放射線を迂回させるように具現化され、
−使用光部分及び外部光部分は合致せず、
−外部光部分は、外部光放射線のための回折格子として具現化され、
−外部光部分は、外部光を吸収する全体入射面の一部分として具現化される。

外部光を吸収する全体入射面の部分としての外部光部分のそのような実施形態は、費用効果的な方式で生成可能であるコレクターを同様にもたらす。外部光部分はまた、全体入射面上の絞りにより、又は全体入射面上の外部光散乱部分により、又は全体入射面上の外部光反射部分によって実現することができる。

請求項５による使用光部分の実施形態は、比較的費用効果的な方式で生成可能であって法線入射（ＮＩ）コレクターとも呼ぶコレクターをもたらす。全体的に、コレクターは、ＮＩコレクターとして具現化することができる。これに代えて、コレクターの少なくとも１つのサブユニットをＮＩユニットとして設計することが可能であり、少なくとも１つの更に別のサブユニットが、次に、４５°よりも大きい入射角を有するＥＵＶ使用光の入射のためのサブユニット（かすめ入射衝突、ＧＩユニット）として同じく具現化される。

請求項６によるポンプ光通過開口部は、プラズマ源領域内へのポンプ光結合を簡素化する。ポンプ光通過開口部は、使用光部分内の開口部として具現化された外部光部分内に具現化することができ、かつ次に例えば外部光通過開口部の一部を形成することができる。

請求項７によるポンプ光衝突ゾーンの領域内の外部光部分は、外部光が、それがＥＵＶコレクター上のその作動中に主として入射する場所に迂回されるので、特に効率的な配置をもたらす。

効率的な外部光迂回は、特に、請求項８に記載の外部光部分の構成に適用される。

請求項９に記載の照明系、請求項１０に記載の光学系、請求項１１に記載の投影露光装置、請求項１２に記載の生成方法、及び請求項１３に記載の微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、本発明によるコレクターに関して既に上述したものに対応する。

Claims (15)

1. ＥＵＶ投影露光装置（１）に使用するためのＥＵＶコレクター（２４）であって、
   コレクター（２４）が、プラズマ源領域（１９）によって放出されたＥＵＶ使用光（３）を案内するように具現化され、
   コレクター（２４）の全体入射面（３４）が、前記プラズマ源領域（１９）によって放出された放射線（３，３１）による入射に向けて具現化され、
   前記全体入射面（３４）の使用光部分（３５）が、前記ＥＵＶ使用光（３）を案内するように具現化され、
   前記全体入射面（３４）の外部光部分（３６；４１；４３）が、前記使用光（３）のものとはその波長が異なる外部光放射線（３１）を迂回させるように具現化され、
   前記使用光部分（３５）及び前記外部光部分（３６；４１；４３）は合致せず、
   前記外部光部分（３６）は、前記外部光放射線（３１）のための回折格子（３３）として具現化される、
   ことを特徴とするＥＵＶコレクター（２４）。
2. 前記外部光部分（３６；４１；４３）は、前記使用光部分（３５）の最大で５０％である広がりを有することを特徴とする請求項１に記載のコレクター。
3. 前記外部光部分（３６）は、前記使用光部分（３５）の小部分を構成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコレクター。
4. 前記使用光部分（３５）は、それによって案内される前記ＥＵＶ使用光（３）がその場所で１回よりも多く反射されないような実施形態を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のコレクター。
5. 前記外部光部分（４１）は、前記使用光部分（３５）とは別である前記全体入射面（３４）の一部分を構成することを特徴とする請求項１、請求項２、及び請求項４のいずれか１項に記載のコレクター。
6. 前記外部光部分（４３）は、前記外部光（３１）を吸収する前記全体入射面（３４）の一部分として具現化されることを特徴とする請求項１、請求項２、及び請求項５のいずれか１項に記載のコレクター。
7. 前記使用光部分（３５）の少なくとも１つの領域が、最大で４５°の入射角での前記ＥＵＶ使用光（３）の入射に向けて具現化されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のコレクター。
8. ポンプ光源（２１）からの入射ポンプ光（２０）の通過のためのポンプ光通過開口部（２５）によって特徴付けられる請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のコレクター。
9. 前記外部光部分（３６；４３）は、前記全体入射面（３４）のポンプ光衝突ゾーン（３２）の領域に配置され、該ポンプ光衝突ゾーン（３２）は、プラズマ源領域（１９）に配置されたプラズマ発生材料（１５）からＥＵＶコレクターの作動中にポンプ光（２０）がその中に反射されるゾーンであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のコレクター。
10. 前記外部光部分（３６；４３）は、前記ポンプ光衝突ゾーン（３２）を完全に覆うことを特徴とする請求項９に記載のコレクター。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のＥＵＶコレクター（２４）を含み、
    結像される物体（１０）を配置可能である物体視野（４）をＥＵＶ使用光（３）で照明するための照明光学ユニット（６）を含む、
    ことを特徴とする照明系。
12. 請求項１１に記載の照明系を含み、
    結像される物体（１０）の一部分がその上に結像される基板（１１）を配置可能である像視野（８）の中に物体視野（４）を結像するための投影光学ユニット（７）を含む、
    ことを特徴とする光学系。
13. 請求項１２に記載の光学系を含み、
    ＥＵＶ光源（２）を含む、
    ことを特徴とする投影露光装置。
14. 構造化構成要素を生成する方法であって、
    レチクル（１０）及びウェーハ（１１）を与える段階と、
    請求項１３に記載の投影露光装置を用いて前記レチクル（１０）上の構造を前記ウェーハ（１１）の感光層の上に投影する段階と、
    前記ウェーハ（１１）上に微細構造及び／又はナノ構造を生成する段階と、
    を含むことを特徴とする方法。
15. 請求項１４に記載の方法に従って生成された構造化構成要素。

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