JP2014509785A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 集積回路を形成するプロセスであって、
   基板の上に誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層の頂部表面上の複数の平行ルートトラックのためのエリアを画定する工程であって、前記複数の平行ルートトラックが或るピッチ距離を有する、前記工程と、
   第１のリードパターンを含む複数の第１の露光エリアをつくる第１の相互接続パターンを形成する工程であって、前記第１のリードパターンが前記複数の平行ルートトラックのインスタンスに位置する、前記工程と、
   前記複数の第１の露光エリアに複数の第１の相互接続トレンチを形成するために第１のトレンチエッチングプロセスを実行する工程と、
   第２のリードパターンを含む複数の第２の露光エリアをつくる第２の相互接続パターンを形成する工程であって、前記第２のリードパターンが前記複数の平行ルートトラックの前記インスタンスに位置し、前記第２のリードパターンが、前記第１のリードパターンと前記複数の平行ルートトラックの隣接するインスタンスに位置する隣接するリードパターンとの間のスペースの１倍から１と１／２倍の距離だけ前記第１のリードパターンから分離される、前記工程と、
   前記複数の第２の露光エリアに複数の第２の相互接続トレンチを形成するために第２のトレンチエッチングプロセスを実行する工程と、
   前記第１の相互接続トレンチと前記第２の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンとが、ダイポール照明源を有する２つの個別のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
2. 請求項１に記載のプロセスであって、
   前記第１のリードパターンが前記第２のリードパターンに隣接して終端する、プロセス。
3. 請求項１に記載のプロセスであって、
   前記第１のリードパターンが前記第２のリードパターンに隣接して分岐する、プロセス。
4. 請求項１に記載のプロセスであって、
   前記ダイポール照明源が１９３ナノメートル放射を提供し、前記複数の平行ルートトラックの前記ピッチ距離が７５〜８１ナノメートルである、プロセス。
5. 集積回路を形成するプロセスであって、
   基板の上に誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層の頂部表面上の複数の平行ルートトラックを画定する工程であって、前記複数の平行ルートトラックが或るピッチ距離を有する、前記工程と、
   前記複数の平行ルートトラックに前記複数の平行ルートトラックのルートトラックに位置する第１のリードパターンを含む第１の相互接続パターンを形成する工程と、
   前記複数の平行ルートトラックに前記ルートトラックに位置する第２のリードパターンを含む第２の相互接続パターンを形成する工程であって、前記第２のリードパターンが、前記複数の平行ルートトラックの隣接するインスタンスにおける相互接続パターン間のスペースの１倍から１と２分の１倍の距離だけ前記ルートトラックにおいて前記第１のリードパターンから分離される、前記工程と、
   前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンとにより画定されるように前記誘電体層に金属相互接続ラインを形成する工程と、
   を含み、
   前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンとが、前記複数の平行ルートトラックの隣接するインスタンスにおける前記相互接続パターンを分解することが可能なダイポール照明源を有する２つの個別のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
6. 請求項５に記載のプロセスであって、
   前記ダイポール照明源が１９３ナノメートル放射を提供し、前記平行ルートトラックの前記ピッチ距離が７５〜８１ナノメートルである、プロセス。
7. 集積回路を形成するプロセスであって、
   基板の上に誘電体層を形成する工程と、
   前記誘電体層の頂部表面上の複数の平行ルートトラックのためのエリアを画定する工程であって、前記複数の平行ルートトラックが或るピッチ距離を有する、前記工程と、
   前記誘電体層の上に第１の相互接続パターンを形成する工程であって、前記第１の相互接続パターンが、前記平行ルートトラックのインスタンスにおける第１のポイントのインスタンスまで延びる第１の複数のリードパターンをつくる、前記工程と、
   前記第１の相互接続パターンを用いて第１の複数の相互接続トレンチを形成するために第１のトレンチエッチングプロセスを実行する工程と、
   前記誘電体層の上に第２の相互接続パターンを形成する工程であって、前記第２の相互接続パターンが、前記平行ルートトラックの前記インスタンスにおける第２のポイントのインスタンスまで延びる第２の複数のリードパターンをつくり、前記第２のポイントの各インスタンスが、前記平行ルートトラックにおける前記第１の複数の露光エリアと前記第２の複数の露光エリアの隣接する平行のインスタンス間のスペースの１倍から１及び２分の１倍の距離まで前記第１のポイントの対応するインスタンスから横方向に分離される、前記工程と、
   前記第２の相互接続パターンを用いて第２の複数の相互接続トレンチを形成するために第２のトレンチエッチングプロセスを実行する工程と、
   前記第１の複数の相互接続トレンチと前記第２の複数の相互接続トレンチとに金属相互接続ラインを形成する工程と、
   を含み、
   前記金属相互接続ラインが、
   前記平行ルートトラックのインスタンスにおける前記第１のポイントのインスタンスまで延びる第１の複数のラインと、
   前記ルートトラックのインスタンスにおける前記第１のポイントの対応するインスタンスに近接する前記第２のポイントのインスタンスまで延びる第２の複数のラインと、
   を含み、
   前記第１の相互接続パターンと前記第２の相互接続パターンとが、ダイポール照明源を有する２つの個別のフォトリソグラフィプロセスを用いて形成される、プロセス。
8. 請求項１に記載のプロセスであって、
   前記第１の複数のラインのサブセットが前記第１のポイントの前記インスタンスで終端する、プロセス。
9. 請求項１に記載のプロセスであって、
   前記第１の複数のラインのサブセットが前記第１のポイントの前記インスタンスで分岐する、プロセス。
10. 請求項１に記載のプロセスであって、
    前記ダイポール照明源が１９３ナノメートル放射を提供し、複数の前記平行ルートトラックの前記ピッチ距離が７５〜８１ナノメートルである、プロセス。