JP2020107845A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 絶縁層に、互いに平行に延びる複数の第１の溝を含む第１のパターンと、凸部を取り囲む第２の溝を含む第２のパターンとを形成する工程と、
   前記複数の第１の溝内と前記第２の溝内とに金属層を形成することにより、前記第１のパターン内に互いに平行に延びる複数の配線を形成し、前記第２のパターン内に前記凸部を開口部とするデガスホールを形成する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記複数の配線を、ライン幅及びスペース幅が１μｍ〜５μｍのラインアンドスペースのパターンで形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記金属層の上面を前記絶縁層の上面よりも下方に位置させることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記デガスホールの平面形状は円形であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記第１のパターンと前記第２のパターンとを形成する工程において、前記凸部の内側に第３の溝を形成し、
   前記複数の配線と前記デガスホールとを形成する工程において、前記第３の溝内にも前記金属層を形成することにより、前記第３の溝内にパッドを形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
6. 互いに平行に延びる複数の第１の溝を含む第１のパターンと、凸部を取り囲む第２の溝を含む第２のパターンとを含む絶縁層と、
   前記複数の第１の溝内に形成された配線と、前記第２のパターン内に形成され、前記凸部を開口部とするデガスホールとを含む金属層と、
   を有することを特徴とする配線基板。
7. 前記複数の第１の溝内に形成された配線が、ライン幅及びスペース幅が１μｍ〜５μｍのラインアンドスペースのパターンで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
8. 前記金属層の上面は前記絶縁層の上面よりも下方に位置することを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板。
9. 前記複数の第１の溝内に形成された配線は、
   シード層と、
   前記シード層の上に形成された金属めっき層と、
   を有し、
   前記シード層は、前記複数の第１の溝の底部と接触していることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の配線基板。