JP2014231464A - 多結晶シリコン材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多結晶シリコン材料の製造方法であって、多結晶シリコンロッド10を切断または破砕することにより分割して多結晶シリコン塊11を得る分割工程と、多結晶シリコン塊11をふるいにかけ、微粉末12を除去する微粉末除去工程と、微粉末12を除去された多結晶シリコン塊11を水洗する水洗工程とを有する。
【選択図】図1
Description
特許文献1および特許文献2では、酸洗工程で用いられる酸液として、フッ化水素酸と硝酸との混合液が使用されており、この酸液中に多結晶シリコン塊を浸漬させることで、多結晶シリコン表面を溶解して汚染物質や酸化膜を除去する(酸洗)。その後、多結晶シリコン表面に残留した酸液を除去するために、純水によって水洗を行う。
多結晶シリコン塊に付着している導電性の異物としては、シーメンス法などでも使用されているグラファイト電極の破片や、多結晶シリコンロッドを破砕するためのハンマーの破片等が考えられるので、微粉末除去工程の後に導電物検知を行うことにより、導電性異物の混入を確実に防止することができる。
まず、1回目のふるい作業として、図1に示すように、容器20に備えられたポリエチレン製の第1のふるい21上にこの多結晶シリコン塊11を載置し、転動させることにより、所定サイズの多結晶シリコン塊11と微粉末12および小片13とを分ける。ふるい21には、直径8mmの貫通孔21aが複数個、ピッチ(形成間隔)10mm〜16mmで等間隔に設けられており、この貫通孔21aを通過する微粉末12および小片13を、通過しない大きさの多結晶シリコン塊11から取り除くことができる。なお、ふるい21の貫通孔21aの大きさは、製品形状の構成に合わせて任意に設定できる。
なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
11 多結晶シリコン塊
12 微粉末
13 小片
20 容器
21 ふるい(第1のふるい)
21a 貫通孔
22 洗浄かご
30 水洗槽
31 洗浄槽本体
31a 底部
32 内かご
33 オーバーフロー部
40 作業台
41 ふるい(第2のふるい)
41a 貫通孔
42 容器
43 吸引ダクト
44 回収管
50 水切りプレート
51 外枠
52 底板
52a 水切り孔
Claims (5)
- 多結晶シリコンロッドを切断または破砕することにより分割して多結晶シリコン塊を得る分割工程と、
前記多結晶シリコン塊をふるいにかけ、微粉末や小片を除去する微粉末除去工程と、
微粉末を除去された前記多結晶シリコン塊を水洗する水洗工程と、
水洗された前記多結晶シリコン塊を静置し、この多結晶シリコン塊の表面に付着した水滴を除去する水滴除去工程と
を有することを特徴とする多結晶シリコン材料の製造方法。 - 前記水滴除去工程の後に、酸液を用いて前記多結晶シリコン塊を酸洗する酸洗工程を有することを特徴とする請求項1記載の多結晶シリコン材料の製造方法。
- 前記微粉末除去工程の後、前記水洗工程の前に、前記多結晶シリコン塊に付着している導電物を検知する導電物検知工程を有することを特徴とする請求項1または2に記載の多結晶シリコン材料の製造方法。
- 前記微粉末除去工程において、前記微粉末を通過させる貫通孔の形成間隔が異なる2種類の前記ふるいを用いて、前記形成間隔の大きい第1のふるいを用いて1回目のふるい作業を行った後、前記形成間隔の小さい第2のふるいを用いて2回目のふるい作業を行うことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の多結晶シリコン材料の製造方法。
- 前記微粉末除去工程では、前記2回目のふるい作業において、舞い上がる前記微粉末を吸引ダクトで吸引することにより回収することを特徴とする請求項4に記載の多結晶シリコン材料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014231464A true JP2014231464A (ja) | 2014-12-11 |
JP6217140B2 JP6217140B2 (ja) | 2017-10-25 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6217140B2 (ja) |
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