JP5035923B2 - 多結晶シリコン洗浄方法 - Google Patents
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2 酸化膜
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- シーメンス法で製造された溶解原料用の多結晶シリコンに対して洗浄処理を行う多結晶シリコン洗浄方法おいて、還元反応炉を開放する前に炉内の多結晶シリコンの表面に清浄な酸化膜を形成し、しかる後に前記還元反応炉から取り出した多結晶シリコンに対してフッ酸液により洗浄処理を行う多結晶シリコン洗浄方法。
- 請求項1に記載の多結晶シリコン洗浄方法において、還元反応炉を開放する前に水蒸気を含む清浄なガスを炉内に導入することにより、多結晶シリコンの表面に清浄な酸化膜を形成する多結晶シリコン洗浄方法。
- 請求項2に記載の多結晶シリコン洗浄方法において、水蒸気を含む清浄なガスは、水蒸気を含み且つ大気より0.3μm以下の微粒子が少ないガスである多結晶シリコン洗浄方法。
- 請求項3に記載の多結晶シリコン洗浄方法において、水蒸気を含み且つ大気より0.3μm以下の微粒子が少ないガスは、HEPAフィルタを通した空気、又は清浄な不活性ガスに水蒸気を混合したガスである多結晶シリコン洗浄方法。
- 請求項1〜4の何れかに記載の多結晶シリコン洗浄方法において、フッ酸液の濃度が10wt%以上である多結晶シリコン洗浄方法。
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