JP2014225633A5 - - Google Patents
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- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (4)
- 多結晶シリコンのスライス片を混酸を主成分とするエッチング液でエッチングする太陽電池用シリコンウエハーの製造方法であって、
前記スライス片が固定砥粒方式のワイヤーソーでスライスされたスライス片であり、
前記混酸が、化学式ＨＦで表わされるフッ酸、化学式ＨＮＯ３で表わされる硝酸及び化学式Ｈ２ＳＯ４で表わされる硫酸からなり、
前記混酸の組成範囲が、これらの組成を重量％で表わす三角図において、
前記フッ酸が２．８２重量％、前記硝酸が０．１８重量％、前記硫酸が９７重量％である点Ａと、
前記フッ酸が０．１８重量％、前記硝酸が２．８２重量％、前記硫酸が９７重量％である点Ｂと、
前記フッ酸が８．４７重量％、前記硝酸が０．５３重量％、前記硫酸が９１重量％である点Ｃと、
前記フッ酸が０．５３重量％、前記硝酸が８．４７重量％、前記硫酸が９１重量％である点Ｄと
をこの順で結ぶ４本の線分で囲まれた領域内にあり、
前記エッチング液の水の濃度が０〜１０．５重量％であり、
前記固定砥粒方式のワイヤーソーでスライスされた多結晶シリコンのスライス片を前記エッチング液でエッチングすることにより、表面に複数の略椀底形状の凹孔が全面にわたって形成されてなる凹凸を有し、前記凹孔の開口径が２〜１５μｍであり、かつ、各前記凹孔の内壁に開口径が０．１〜１．５μｍの１または複数個の微孔を形成する
太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。 - 前記固定砥粒方式のワイヤーソーに用いるソーワイヤーがレジンボンドソーワイヤーである請求項１に記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。
- 前記エッチングする際のエッチング液の温度が０〜４５℃である請求項１または２に記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。
- 請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法によって、表面に複数の略椀底形状の凹孔が全面にわたって形成されてなる凹凸を有し、前記凹孔の開口径が２〜１５μｍであり、かつ、各前記凹孔の内壁に開口径が０．１〜１．５μｍの１または複数個の微孔が形成された、太陽電池用シリコンウエハー。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014009159A JP5868437B2 (ja) | 2013-04-26 | 2014-01-22 | 太陽電池用シリコンウエハーの製造方法 |
| KR1020157022409A KR20160002683A (ko) | 2013-04-26 | 2014-04-09 | 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
| PCT/JP2014/060349 WO2014175072A1 (ja) | 2013-04-26 | 2014-04-09 | 太陽電池用シリコンウエハー及びその製造方法 |
| CN201480023748.1A CN105144351B (zh) | 2013-04-26 | 2014-04-09 | 太阳能电池用硅晶圆及其制造方法 |
| SG11201508619VA SG11201508619VA (en) | 2013-04-26 | 2014-04-09 | Silicon wafer for solar cells and method for producing same |
| TW103114268A TW201444955A (zh) | 2013-04-26 | 2014-04-18 | 太陽能電池用矽晶圓及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013094163 | 2013-04-26 | ||
| JP2013094163 | 2013-04-26 | ||
| JP2014009159A JP5868437B2 (ja) | 2013-04-26 | 2014-01-22 | 太陽電池用シリコンウエハーの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014225633A JP2014225633A (ja) | 2014-12-04 |
| JP2014225633A5 true JP2014225633A5 (ja) | 2015-07-16 |
| JP5868437B2 JP5868437B2 (ja) | 2016-02-24 |
Family
ID=51791652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014009159A Expired - Fee Related JP5868437B2 (ja) | 2013-04-26 | 2014-01-22 | 太陽電池用シリコンウエハーの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5868437B2 (ja) |
| KR (1) | KR20160002683A (ja) |
| CN (1) | CN105144351B (ja) |
| SG (1) | SG11201508619VA (ja) |
| TW (1) | TW201444955A (ja) |
| WO (1) | WO2014175072A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014232829A (ja) * | 2013-05-30 | 2014-12-11 | 日本化成株式会社 | 太陽電池用シリコンウエハーの製造方法 |
| WO2016098701A1 (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | シャープ株式会社 | 半導体基板の製造方法、光電変換素子の製造方法、半導体基板および光電変換素子 |
| TWI538986B (zh) * | 2015-07-15 | 2016-06-21 | 綠能科技股份有限公司 | 蝕刻液以及矽基板的表面粗糙化的方法 |
| WO2017091572A1 (en) | 2015-11-23 | 2017-06-01 | Entegris, Inc. | Composition and process for selectively etching p-doped polysilicon relative to silicon nitride |
| CN108183067A (zh) * | 2018-01-05 | 2018-06-19 | 苏州同冠微电子有限公司 | 一种半导体晶圆的处理方法 |
| CN111748806B (zh) * | 2020-07-21 | 2022-08-23 | 江苏悦锌达新材料有限公司 | 一种用于聚苯硫醚及其复合材料的粗化液及其制备方法和使用方法 |
| CN112233967B (zh) * | 2020-10-15 | 2024-05-03 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09270400A (ja) | 1996-01-31 | 1997-10-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの製造方法 |
| JP4024934B2 (ja) | 1998-08-10 | 2007-12-19 | 住友電気工業株式会社 | ワイヤーソー及びその製造方法 |
| DE19962136A1 (de) * | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur Rauhätzung von Siliziumsolarzellen |
| WO2002003432A2 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching silicon wafers |
| JP2004063954A (ja) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハのエッチング方法及びこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 |
| JP3870896B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2007-01-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置 |
| JP4231049B2 (ja) | 2003-10-10 | 2009-02-25 | 三益半導体工業株式会社 | ウェーハの粗面処理方法 |
| JP4430488B2 (ja) | 2004-09-02 | 2010-03-10 | シャープ株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP4766880B2 (ja) * | 2005-01-18 | 2011-09-07 | シャープ株式会社 | 結晶シリコンウエハ、結晶シリコン太陽電池、結晶シリコンウエハの製造方法および結晶シリコン太陽電池の製造方法 |
| US8222118B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-07-17 | Intel Corporation | Wafer backside grinding with stress relief |
| SG178834A1 (en) * | 2009-09-21 | 2012-04-27 | Basf Se | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
| DE102010012044A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement |
| JP2011255475A (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Takatori Corp | 固定砥粒ワイヤ |
| JP2012024866A (ja) | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Sumco Corp | ワイヤソー切断スラッジの回収方法およびその装置 |
| KR101657626B1 (ko) * | 2010-10-08 | 2016-09-19 | 주식회사 원익아이피에스 | 태양전지제조방법 및 그 방법에 의하여 제조된 태양전지 |
| US9123840B2 (en) * | 2011-01-27 | 2015-09-01 | Kyocera Corporation | Solar cell element manufacturing method, solar cell element, and solar cell module |
| JP2012169420A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Sumco Corp | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2012222300A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | テクスチャ形成面を有するシリコン基板、およびその製造方法 |
| JP5780856B2 (ja) | 2011-06-30 | 2015-09-16 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2013043268A (ja) | 2011-08-26 | 2013-03-04 | Sharp Corp | 固定砥粒ワイヤおよび半導体基板の製造方法 |
-
2014
- 2014-01-22 JP JP2014009159A patent/JP5868437B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-09 SG SG11201508619VA patent/SG11201508619VA/en unknown
- 2014-04-09 CN CN201480023748.1A patent/CN105144351B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-09 KR KR1020157022409A patent/KR20160002683A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-04-09 WO PCT/JP2014/060349 patent/WO2014175072A1/ja active Application Filing
- 2014-04-18 TW TW103114268A patent/TW201444955A/zh unknown
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