JP2016004861A5 - - Google Patents

Description

本発明による貫通基板の形成方法は、
基板の第１の面と前記第１の面の反対側の面である第２の面とを貫通させる貫通基板の形成方法であって、ドライエッチングを用いて、前記基板の前記第１の面側から、側面に保護膜が形成された第１の溝を形成する第１の工程と、ドライエッチングを用いて、前記第２の面側から、前記第１の溝と連通する第２の溝を形成する、第２の工程と、を含み、前記第２の工程は、前記第１の溝の側面に前記保護膜が形成された状態で行われることを特徴とする貫通基板の形成方法である。

Claims (12)

1. 基板の第１の面と前記第１の面の反対側の面である第２の面とを貫通させる貫通基板の形成方法であって、
   ドライエッチングを用いて、前記基板の前記第１の面側から、側面に保護膜が形成された第１の溝を形成する、第１の工程と、
   ドライエッチングを用いて、前記第２の面側から、前記第１の溝と連通する第２の溝を形成する、第２の工程と、を含み、
   前記第２の工程は、前記第１の溝の側面に前記保護膜が形成された状態で行われることを特徴とする貫通基板の形成方法。
2. 前記第１の工程は、前記基板をエッチングして溝を形成する溝形成ステップと、前記溝の側面に前記保護膜を形成しながら溝の深さを調整して、前記溝を前記第１の溝として形成する深さ調整ステップとを含む、請求項１に記載の貫通基板の形成方法。
3. 前記深さ調整ステップでは、前記第１の面上へ保護膜を成膜することと、前記ドライエッチングのエッチング方向と交わる方向に形成された保護膜をエッチングすることと、前記基板をエッチングすることとを順番に繰り返す、請求項２に記載の貫通基板の形成方法。
4. 前記第１の工程は、前記深さ調整ステップの後に、前記保護膜の状態を調整する保護膜調整ステップをさらに含む、請求項２または３に記載の貫通基板の形成方法。
5. 前記保護膜調整ステップは、前記第１の面上へ保護膜を成膜することを含む、請求項４に記載の貫通基板の形成方法。
6. 前記保護膜調整ステップは、前記ドライエッチングのエッチング方向と交わる方向に形成された保護膜をエッチングすることをさらに含む、請求項５に記載の貫通基板の形成方法。
7. 前記保護膜調整ステップは、前記保護膜を成膜することと、前記保護膜をエッチングすることとを交互に繰り返す、請求項６に記載の貫通基板の形成方法。
8. 前記保護膜調整ステップは、前記保護膜を成膜することを最後に行う、請求項７に記載の貫通基板の形成方法。
9. 前記保護膜調整ステップは、前記保護膜をエッチングすることを最後に行う、請求項７に記載の貫通基板の形成方法。
10. 前記保護膜調整ステップで成膜する保護膜の厚みは、前記深さ調整ステップで成膜する保護膜の厚みよりも厚い、請求項５ないし９のいずれか１項に記載の貫通基板の形成方法。
11. 前記基板がシリコン単結晶基板である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の貫通基板の形成方法。
12. 前記基板は、液体吐出ヘッド用の基板である、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の貫通基板の形成方法。