JP2015144158A5 - - Google Patents
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Description
本発明は、シリコン含有膜とシリコン酸化膜が交互に積層された積層膜および前記積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記積層膜をエッチングすることを特徴とする。
Claims (6)
- シリコン含有膜とシリコン酸化膜が交互に積層された積層膜および前記積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
ＮＦ3ガスとＣＨ3Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記積層膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。 - シリコン含有膜とシリコン酸化膜が交互に積層された積層膜および前記積層膜の上方に配置された無機膜をプラズマエッチングするドライエッチング方法において、
ＮＦ 3 ガスとＣＨ 3 Ｆガスの混合ガスを用いて前記無機膜と前記積層膜を一貫してエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項１または請求項２に記載のドライエッチング方法において、
前記シリコン含有膜は、ポリシリコン膜であって、
前記混合ガスにさらにＯ2ガスとＮ2ガスとＨｅガスを混合することを特徴するドライエッチング方法。 - 請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスの流量に対する前記ＮＦ3ガスの流量の割合が４０％ないし７０％の範囲内の値であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、
前記無機膜と前記積層膜が配置された試料に時間変調された高周波電力を供給し、
前記時間変調のデューティー比は、前記試料の面積に対する被エッチング面積の割合であるパターン開口率に基づいて求められていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項５に記載のドライエッチング方法において、
前記時間変調のデューティー比は、５０％ないし９５％の範囲内の値であることを特徴とするドライエッチング方法。
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