JP2013131587A5 - - Google Patents
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本発明は、トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、前記窒化膜形成ステップ後、前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とする。
Claims (8)
- トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、
前記窒化膜形成ステップ後、前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、
前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、
前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - トレンチパターンの最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクによりシリコン基板をプラズマエッチングすることによってトレンチを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングにより窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、
前記マスクを用いて前記シリコン基板をプラズマエッチングする第一のシリコンエッチングステップと、
前記窒化膜形成ステップと前記第一のシリコンエッチングステップを繰り返すことにより所定の深さまで前記シリコン基板をプラズマエッチングした後、前記所定の深さまでプラズマエッチングされたシリコン基板の底面にプラズマエッチングにより酸化膜を形成する酸化膜形成ステップと、
前記酸化膜形成ステップ後のシリコン基板をプラズマエッチングする第二のシリコンエッチングステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記所定の深さは、アスペクト比が１０以上の深さであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記窒化膜形成ステップのプラズマは、Ｎ2ガスを用いたプラズマであり、
前記酸化膜形成ステップのプラズマは、Ｏ2ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項３に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のシリコンエッチングステップのプラズマおよび前記第二のシリコンエッチングステップのプラズマは、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記所定の深さは、アスペクト比が１０以上の深さであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記窒化膜形成ステップのプラズマは、Ｎ 2 ガスを用いたプラズマであり、
前記酸化膜形成ステップのプラズマは、Ｏ 2 ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のシリコンエッチングステップのプラズマおよび前記第二のシリコンエッチングステップのプラズマは、Ｃｌ 2 ガスとＯ 2 ガスとの混合ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
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