JP2014216623A - 電子部品の製造方法及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】 内部の配線抵抗の低減をはかった電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、第1の配線層17上に形成された有機絶縁層18と、有機絶縁層18上に形成された第2の配線層20とを備えた電子部品100の製造方法であって、開口部19b、19cを含む有機絶縁層18の表面を、酸素を含むガスによりプラズマ処理する工程と、開口部19b、19cに露出した第1の配線層17の表面に形成された酸化物層を、ウエットエッチングにより除去する工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】 図11
Description
本発明は電子部品の製造方法に関し、さらに詳しくは、内部の配線抵抗の低減をはかった電子部品の製造方法に関する。
また、本発明は、上記本発明の製造方法により製造された電子部品に関する。
半導体装置等の電子部品においては、有機絶縁層を有し、その有機絶縁層上に配線層が形成された構造を備える場合がある。
例えば、特許文献1(特開2005−129665号公報)には、そのような構造を備えた半導体装置が開示されている。
図16に、特許文献1に開示された半導体装置500を示す。
半導体装置500は、半導体素子(半導体基板)101を備える。
半導体基板101上には、半導体素子電極(第1の配線層)102が形成されている。
また、半導体素子101上には、半導体素子電極102部分を除いて、パッシベーション膜103が形成されている。
半導体素子電極102及びパッシベーション膜103が形成された半導体素子101上には、1層目絶縁層(有機樹脂層)104が形成されている。1層目絶縁層104は開口部を有し、その開口部から半導体素子電極102が露出している。
1層目絶縁層104上には、前記開口部を含めて、薄膜金属層(第2の配線層)105が形成されている。薄膜金属層105は、1層目絶縁層104の開口部において、半導体素子電極102と接続されている。薄膜金属層105上には、厚膜金属層107が形成されている。
1層目絶縁層104上の、薄膜電極層105及び厚膜電極層107が形成されていない部分には、2層目絶縁層110が形成されている。
以上のような構造からなる半導体装置500においては、1層目絶縁層104と薄膜電極層105との密着強度を確保することが重要な課題となっている。薄膜電極層105が1層目絶縁層104から剥がれると、構造的な欠陥となり、内部配線の断線等をまねく恐れがあるからである。
そこで、特許文献1に開示された半導体装置500の製造方法においては、1層目絶縁層104を形成した後、薄膜電極層105を形成する前に、半導体素子電極102が露出した開口部を含めて、1層目絶縁層104の表面を、O2ガスを用いたRIE(Reactive Ion Etching)により表面処理(プラズマ処理)をおこなっている。この方法によれば、1層目絶縁層104の表面が粗化されるとともに酸素終端され、1層目絶縁層104と薄膜電極層105との接合面は、十分な密着強度を備えたものとなる。
本発明の発明者において、上述したO2ガスを用いたRIE表面処理を適用したうえで、図17に示す、内部に誘電体薄膜キャパシタ210を含んだ半導体装置600を作製した。
しかしながら、この半導体装置600は、図18の透過特性図に示すように、高周波帯でのインピーダンスが高く、十分に減衰した透過特性を得ることができなかった。これでは、半導体装置600を、高周波ノイズ除去の目的に使用することができない。
本発明の発明者は、この透過特性の劣化の原因について検討した。
まず、半導体装置600の構造について簡単に説明する。
半導体装置600は、半導体基板201を備える。
半導体基板201上には、誘電体薄膜キャパシタ210が形成されている。
誘電体薄膜キャパシタ210上には、まずSiO2からなる無機絶縁層211が形成され、さらにその上にPBO(ポリベンゾオキサゾール)からなる第1の有機絶縁層212が形成されている。
無機絶縁膜211及び第1の有機絶縁層212を貫通して、誘電体薄膜キャパシタ210に至る開口部215が形成されている。
第1の有機絶縁層212の表面には、Cu/Ti層216と、保護層であるTi層217との積層構造からなる第1の配線層が形成されている。Cu/Ti層216は、無機絶縁膜211、第1の有機絶縁層212を貫通した開口部215内にも形成され、誘電体薄膜キャパシタ210の電極と接続している。
第1の配線層(Cu/Ti層216、Ti層217)が形成された第1の有機絶縁層212上に、PBOからなる第2の有機絶縁層218が形成されている。
第2の有機絶縁層218を貫通して、第1の配線層(Cu/Ti層216、Ti層217)に至る開口部219が形成されている。
第2の有機絶縁層218の表面には、Cu/Ti層220と、Ti層221との積層構造からなる第2の配線層が形成されている。第2の配線層は、第2の有機絶縁層218を貫通した開口部219内にも形成され、第1の配線層のうちのTi層217と接続している。
第2の配線層のうちのCu/Ti層220の所定の位置上に、Au/Ni層からなる外部電極222が形成されている。
外部電極222を外部に露出させた上で、第2の配線層(Cu/Ti層220、Ti層221)及び第2の有機絶縁層218上にPBOからなる第3の有機絶縁層224が形成され、半導体装置600は完成している。
以上のような構造からなる半導体装置600を作製するにあたっては、第1の有機絶縁層212の表面に第1の配線層(Cu/Ti層216、Ti層217)を形成し、第1の配線層が形成された第1の有機絶縁層212上に第2の有機絶縁層218を形成し、第2の有機絶縁層218に開口部219を形成した後に、開口部219の内部を含めた第2の有機絶縁層218の表面に対し、O2ガスを用いたRIEによる表面処理をおこなっている。第2の有機絶縁層218の表面を粗化するとともに酸素終端し、第2の有機絶縁層218に形成される第2の配線層のCu/Ti層220との密着強度を大きくするためである。
以上の構造からなる従来の半導体装置600は、上述のように、高周波帯でのインピーダンスが高く、十分に減衰した透過特性を得ることができない(図18参照)。本発明の発明者において、減衰した透過特性を得ることができない原因を明らかにするため、種々の実験、検討をおこなった。その結果、半導体装置600の透過特性が劣化した主原因が、O2ガスを用いたRIEによる表面処理の際に、開口部219の底面に露出した第1の配線層のTi層217が酸化してTiOxとなり、抵抗率が増加して抵抗成分が生じたことにあることがわかった。
本発明の発明者において、第1の配線層のTi層217が酸化してTiOxとなることにより、どの程度の抵抗が発生しているのかを明らかにするために、回路シミュレーターを用いて、図19に示す等価回路によりシミュレーションをおこなった。
図19に示す等価回路において、Cは誘電体薄膜キャパシタの容量であり220pFに設定した。L1、L2は、外部電極に接続されるワイヤーのインダクタンスであり、それぞれ1nHに設定した。L3、L4は内部配線のインダクタンスであり、それぞれ30pHに設定した。そして、ESRが、誘電体薄膜キャパシタと直列に挿入された等価直列抵抗である。シミュレーションにおいては、ESRの値を1〜20Ωに変化させた。
図20に、ESRが1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、20Ωの場合の透過特性と反射特性を示す。図17に示す半導体装置600の透過特性は、ESRを20Ωとした場合の透過特性に近似している。半導体装置600においては、O2ガスを用いたRIEによる表面処理の際に、開口部219の底面に露出した第1の配線層のTi層217が酸化してTiOxとなり、20Ω程度のESRが発生しているものと考えられる。
以上のように、従来の半導体装置600においては、O2ガスを用いたRIEによる表面処理により、開口部219の底面に露出した第1の配線層のTi層217が酸化してTiOxとなり、誘電体薄膜キャパシタ210と直列にESRが発生している。その結果、半導体装置600は、高周波帯でのインピーダンスが高く、十分に減衰した透過特性を得ることができないという問題があった。
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものである。その手段として、本発明の電子部品の製造方法は、基板と、第1の配線層と、第1の配線層上に形成された有機絶縁層と、有機絶縁層上に形成された第2の配線層と、を備え、有機絶縁層に形成された開口部を介して、第1の配線層と第2の配線層とが接続された電子部品の製造方法であって、基板を準備する工程と、第1の配線層を形成する工程と、有機絶縁層を形成する工程と、有機絶縁層に、第1の配線層が露出した開口部を形成する工程と、開口部を含む有機絶縁層の表面を、酸素を含むガスによりプラズマ処理する工程と、開口部に露出した第1の配線層の表面に形成された酸化物層を、ウエットエッチングにより除去する工程と、開口部を含む有機絶縁層の表面に、第2の配線層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
基板として、例えば半導体基板を使用することができ、この場合には、製造される電子部品は半導体装置となる。
また、本発明の電子部品の製造方法により製造される電子部品は、内部に誘電体薄膜キャパシタを含んでいても良い。
また、第1の配線層は、例えば、Cu層と、そのCu層上に形成された最外層であるTi層とを含む積層構造とし、開口部に露出した第1の配線層の表面に形成された酸化物層を、ウエットエッチングにより除去する工程が、Ti層が酸化して形成された酸化物層を、フッ酸を含有するエッチャントにより除去する工程としても良い。この場合には、Cuがフッ酸によりエッチングされない金属であるため、Cu層のオーバーエッチングによる配線の断線を防止することができる。
また、有機絶縁層は、熱硬化性樹脂であっても良い。熱硬化性樹脂を使用した場合には、熱処理が必要となり、O2ガスを用いたプラズマ処理に加えて、さらに開口部の底面に露出した第1の配線層の酸化が進みやすいため、本発明を適用することによる効果がより大きくなる。
本発明の電子部品は、上述した本発明の電子部品の製造方法により製造されたものである。基板として、例えば半導体基板を使用することができ、この場合には、電子部品は半導体装置となる。また、本発明の電子部品は、内部に誘電体薄膜キャパシタを含んでいても良い。
本発明の電子部品の製造方法によれば、開口部に露出した第1の配線層の表面に形成された酸化物層をエッチングにより除去する工程を含むため、電子部品の内部の配線抵抗の低減をはかることができる。
しかも、エッチングによる酸化物層の除去を、ドライエッチングではなく、ウエットエッチングによりおこなうため、後述する実験例からも分かるように、酸素を含むガスによるプラズマ処理によって向上させた有機絶縁層と第2の配線層との密着強度が低下してしまうことがない。
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
図1〜11に、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法を示す。なお、本実施形態においては、電子部品として、内部に誘電体薄膜キャパシタを備えた半導体装置100を製造する。
まず、図1に示すように、低抵抗のP型のSiからなる半導体基板1を用意し、半導体基板1上に、熱酸化法によりSiO2からなる拡散防止層2を形成する。拡散防止層2の厚みは、例えば700nmとする。
次に、図2に示すように、拡散防止層2上に、チタン酸バリウムストロンチウム((Ba,Sr)TiO3;以下「BST」という)からなる密着層3、Ptからなる下部電極層4、BSTからなる誘電体層5、Ptからなる中間電極層6、BSTからなる誘電体層7、Ptからなる上部電極層8、BSTからなる保護層9を順に形成する。なお、層数はこれには限定されず、中間電極層6と誘電体層7とを省略して層数を減らしても良く、逆に中間電極層6と誘電体層7とを更に追加して層数を増やしても良い。
密着層3は、例えば、拡散防止層2上に、Ba:Sr:Ti=7:3:10のモル比からなるMOD(Metal Organic Decomposition;有機金属分解)原料をスピンコートし、乾燥させた後に、酸素雰囲気中、650℃で30分間、高温昇温熱処理を行なうことにより形成する。密着層3の厚みは、例えば50nmとする。
下部電極層4は、例えば、Ptをスパッタ法により成膜することにより形成する。下部電極層4の厚みは、例えば200nmとする。
誘電体層5は、例えば、Ba:Sr:Ti=7:3:10のモル比からなるMOD原料をスピンコートし、乾燥させた後に、酸素雰囲気中、650℃で10分間、高温昇温熱処理を行なうことにより形成する。誘電体層5の厚みは、例えば100nmとする。
中間電極層6は、下部電極層4と同じ形成方法で、同じ厚みに形成する。
誘電体層7は、誘電体層5と同じ形成方法で、同じ厚みに形成する。
上部電極層8は、下部電極層4や中間電極6と同じ形成方法で、同じ厚みに形成する。
保護層9は、例えば、Ba:Sr:Ti=7:3:10のモル比からなるMOD原料をスピンコートし、乾燥させた後に、酸素雰囲気中、650℃で60分間、高温昇温熱処理を行なうことにより形成する。保護層9の厚みは、例えば100nmとする。
次に、図3に示すように、フォトリソプロセスとイオンミリング法を用いて保護層9と上部電極層8とを加工する。続いて、同じくフォトリソプロセスとイオンミリング法を用いて誘電体層7と中間電極層6とを加工する。更に続いて、同じくフォトリソプロセスとイオンミリング法を用いて誘電体層5と下部電極層4と密着層3を加工する。この結果、半導体基板1上に形成された拡散防止層2上に、誘電体薄膜キャパシタ10が形成される。
続いて、誘電体薄膜キャパシタ10のBSTからなる誘電体層5、7の結晶性を高め、誘電率を向上させるために、酸素雰囲気中、850℃で30分間、熱処理を行なう。
次に、図4に示すように、誘電体薄膜キャパシタ10が形成された半導体基板1の拡散防止層2上に、同じくSiO2からなる無機絶縁層11を形成する。無機絶縁層11は、保護層と絶縁層の機能を有する。無機絶縁層11は、例えばスパッタ法により形成する。無機絶縁層11の厚みは、例えば1000nmとする。
続いて、同じく図4に示すように、無機絶縁層11上に、感光性のPBO(ポリベンゾオキサゾール)を塗布し、露光し、現像し、例えば、窒素雰囲気中、320℃で硬化し、所望のパターン形状からなる第1の有機絶縁層12を形成する。第1の有機絶縁層12の厚みは、例えば6000nmとする。
次に、図5に示すように、第1の有機絶縁層12をマスクとして、RIE(反応性イオンエッチング)法を用いて、無機絶縁層11と拡散防止層2とを加工し、半導体基板1に至る開口15aを形成する。また、誘電体薄膜キャパシタ10部分の無機絶縁層11と誘電体層5とを加工し、下部電極層4に至る開口15bを形成する。更に、誘電体薄膜キャパシタ10部分の無機絶縁層11と保護層9とを加工し、上部電極層4に至る開口15cを形成する。
次に、図6に示すように、無機絶縁層10及び第1の有機絶縁層12上に、Cu/Ti層16と、保護用のTi層17との積層構造からなる第1の配線層を形成する。第1の配線層は、第1の有機絶縁層12、無機絶縁層11、誘電体層5を貫通して形成された開口部15b内にも形成され、誘電体薄膜キャパシタ10の下部電極層4と接続している。また、別の第1の配線層は、第1の有機絶縁層12、無機絶縁層11、保護層9を貫通して形成された開口部15c内にも形成され、誘電体薄膜キャパシタ10の上部電極層8と接続している。具体的には、第1の配線層であるCu/Ti層16、Ti層17は、例えば、スパッタ装置で、100nmのTi層、1000nmのCu層、100nmのTi層の積層構造を形成し、フォトリソプロセスとウエットエッチングにより、所望のパターン形状に形成する。
なお、図6においては、見やすくするため、下層Ti、上層Cuの2層構造からなるCu/Ti層16を1層に示している。(以降の図面においても、見やすさのために、2層構造の電極を1層に示す場合がある。)
次に、図7に示すように、開口15aの底面に、リフトオフ法を用いて、300nmのAu層からなる基板接続電極13を形成する。
次に、図7に示すように、開口15aの底面に、リフトオフ法を用いて、300nmのAu層からなる基板接続電極13を形成する。
次に、図8に示すように、第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)及び第1の有機絶縁層12上に、感光性のPBOを塗布し、露光し、現像し、所望のパターン形状からなる第2の有機絶縁層18を形成する。第2の有機絶縁層18には、第2の有機絶縁層18を貫通して、基板接続電極13に至る開口部19aと、第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)に至る開口部19bと、同じく第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)に至る開口部19cが形成されている。第2の有機第2の有機絶縁層18の厚みは、例えば6000nmとする。
次に、同じく図8に示す状態で、第2の有機絶縁層18の表面に対し、O2ガスを用いたRIEによる表面処理をおこなう。この処理は、第2の有機絶縁層18の表面を粗化するとともに酸素終端し、第2の有機絶縁層18と、後述する第2の配線層のCu/Ti層20との密着強度を大きくすることを目的としている。続いて、320℃、30分のキュア処理をおこなう。
しかしながら、このO2ガスを用いたRIEによる表面処理により、第2の有機絶縁層18に形成された開口部19b、19cの底面に露出した、第1の配線層の保護層であるTi層17が酸化し、TiOxとなり、抵抗率が増加して抵抗成分(等価直列抵抗;ESR)が発生してしまう。
そこで、本実施形態においては、同じく図8に示す状態で、0.5%のフッ酸を用いて、開口部19b、19cの底面に露出した第1の配線層の表面に形成されたTiOxをウエットエッチングして除去する。
次に、図9に示すように、第2の有機絶縁層18上に、Cu/Ti層20と、保護用のTi層21との積層構造からなる第2の配線層を形成する。第2の配線層は、第2の有機絶縁層18を貫通して形成された開口部19b、19c内にも形成され、第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)と接続している。また、第2の配線層は、開口部19a内にも形成され、基板接続電極13と接続している。具体的には、第2の配線層であるCu/Ti層20、Ti層21は、例えば、スパッタ装置で、100nmのTi層、1000nmのCu層、100nmのTi層の積層構造を形成し、フォトリソプロセスとウエットエッチングにより、所望のパターン形状に形成する。上述したO2ガスを用いたRIEによる表面処理をおこなっているため、第2の配線層のCu/Ti層20は、第2の有機絶縁層18に、大きな密着強度で接合されている。
次に、図10に示すように、フォトリソプロセスによりレジストを形成して、第2の配線層の保護用のTi層21を部分的にウエットエッチングにより除去し、露出したCu/Ti層20上に、めっきにより、200nmの下層Ni、100nmの上層Auの2層構造からなる外部電極22を形成する。その後、フォトリソプロセスとウエットエッチングによりCu/Ti層20を所望のパターン形状に形成する。
次に、図11に示すように、外部電極22の表面を外部に露出させた状態で、第2の配線層Cu/Ti層20、Ti層21及び第2の有機絶縁層18上に、PBOからなる第3の有機絶縁層24を形成する。具体的には、第2の有機絶縁層18上に、感光性のPBOを塗布し、露光し、現像し、例えば、窒素雰囲気中、320℃で硬化し、所望のパターン形状からなる第3の有機絶縁層24を形成する。
最後に、同じく図11に示すように、半導体基板1の裏面に、裏面電極25を形成して、本実施形態に係る、内部に誘電体薄膜キャパシタ10を備えた半導体装置100は完成する。なお、裏面電極25は、例えば蒸着により形成された300nmのAu層からなる。
以上の方法により製造された、半導体装置100の構造を簡単に説明する。
半導体装置100は、半導体基板1上に、誘電体薄膜キャパシタ10が形成されている。
薄膜キャパシタ10上には、無機絶縁層11と第1の有機絶縁層12とが形成されている。
無機絶縁層11及び第1の有機絶縁層12の表面には、第1の有機絶縁層12、無機絶縁層11等を貫通して形成された開口部15b、15cの内部を含めて、第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)が形成されている。
更に第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)及び第1の有機絶縁層12の表面には、第2の有機絶縁層18が形成されている。
第2の有機絶縁層18の表面には、第2の有機絶縁層18を貫通して形成された開口部19b、19cの内部を含めて、第2の配線層(Cu/Ti層20、Ti層21)が形成されている。そして、第2の配線層は、開口部19b、19cの底面において、第1の配線層に接続されている。
更に第2の配線層Cu/Ti層20、Ti層21及び第2の有機絶縁層18の表面には、外部電極22の表面を外部に露出させて、第3の有機絶縁層24が形成されている。
以上のような構造からなる半導体装置100の透過特性を測定した。図12に測定結果を示す。図から分かるように、高周波帯においても十分に減衰した透過特性が得られている。したがって、半導体装置100は、高周波ノイズ除去の目的等に使用することができる。なお、高周波帯においても十分に減衰した透過特性を得ることができたのは、上述した製造方法において、開口部19b、19cに露出した第1の配線層の保護用のTi層17に形成された酸化物層(TiOx)を、ウエットエッチングにより除去したことにより、配線抵抗(ESR)の低減をはかることができたことによると考えられる。
以上、本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法、及び電子部品について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更を加えることができる。
例えば、上述した実施形態では、電子部品として、半導体基板を備えた半導体装置100を製造したが、電子部品はこれには限定されず、他の種類のものであっても良い。
また、半導体装置(電子部品)100は、その内部に誘電体薄膜キャパシタ10を備えているが、誘電体薄膜キャパシタは本発明において必須の構成ではなく、誘電体薄膜キャパシタを備えない電子部品であっても良い。
また、第1の有機絶縁層12、第2の有機絶縁層18、第3の有機絶縁層24の材質として、それぞれPBOを使用しているが、有機絶縁層の材質はこれには限定されず、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリベンゾシクロブテン等であっても良い。
また、第1の配線層(Cu/Ti層16、Ti層17)や第2の配線層(Cu/Ti層20、Ti層21)等の層数、材質等も任意であり、上述した内容には限られない
本発明の有効性を確認するために、以下の実験をおこなった。
まず、実施例に係る半導体装置200と、比較例1に係る半導体装置300と、
比較例2に係る半導体装置400を製造した。実施例に係る半導体装置200と比較例2に係る半導体装置400は、製造方法は異なるが、構造が同じであるため、両者を共通の図面である図13(A)と、その部分拡大図である図14(A)に示す。また、比較例1に係る半導体装置300を、図13(B)と、その部分拡大図である図14(B)に示す。なお、実施例、比較例1、比較例2に係る半導体装置において、同じ部材には同じ符号を付した。
比較例2に係る半導体装置400を製造した。実施例に係る半導体装置200と比較例2に係る半導体装置400は、製造方法は異なるが、構造が同じであるため、両者を共通の図面である図13(A)と、その部分拡大図である図14(A)に示す。また、比較例1に係る半導体装置300を、図13(B)と、その部分拡大図である図14(B)に示す。なお、実施例、比較例1、比較例2に係る半導体装置において、同じ部材には同じ符号を付した。
図13(A)、図14(A)を参照して、実施例に係る半導体装置200の製造方法について説明する。
まず、Siからなる半導体基板51を用意し、半導体基板51上に、熱酸化法によりSiO2からなる拡散防止層52を形成した。
次に、拡散防止層52上に、BSTからなる45nmの密着層53を形成し、660℃、10分の仮焼を行った。
次に、密着層53上の全面に、スパッタ法により、Ptからなる全面電極層54を形成した。
次に、全面電極層54上に、部分的に、Cu/Ti層56、保護用のTi層57の積層構造からなる第1の配線層を形成した。具体的には、まず、スパッタ法により、全面電極層54上の全面に、100nmのTi層、1000nmのCu層、100nmのTi層を順に形成した。続いて、Ti層を0.5%フッ酸により、Cu層を酢酸と過酸化水素水の混合液によりエッチングし、所望の形状からなる第1の配線層を形成した。
次に、第1の配線層(Cu/Ti層56、Ti層57)が形成された全面電極層54上に、感光性のPBO(ポリベンゾオキサゾール)を塗布し、露光し、現像し、所望のパターン形状からなる第1の有機絶縁層58を形成した。第1の有機絶縁層58の厚みは、例えば6000nmとする。第1の有機絶縁層58は、第1の配線層(Cu/Ti層56、Ti層57)に至る開口部59を備えている。
次に、第1の有機絶縁層58の表面に対し、O2ガスを用いたRIEによる表面処理をおこなった。具体的には、ICP:300W、BIAS:200W、O2流量:20sccmの条件で、30秒間、O2ガスを用いたRIEによる表面処理をおこなった。この処理は、第1の有機絶縁層58の表面を粗化するとともに酸素終端し、第2の有機絶縁層58と、後述する第2の配線層のCu/Ti層60との密着強度を大きくすることを目的としたものである。続いて、320℃、30分のキュア処理をおこなった。
次に、上記O2ガスを用いたRIEによる表面処理により、開口部59の底面に露出した第1の配線層のTi層57が酸化して形成されたTiOxを、ウエットエッチングにより除去した。具体的には、0.5%のフッ酸を用いてTiOxを除去した。
次に、開口部59内を含む第1の有機絶縁層58の表面に、Cu/Ti層60、保護用のTi層61の積層構造からなる第2の配線層を形成した。具体的には、まず、スパッタ法により、100nmのTi層、1000nmのCu層、100nmのTi層を順に形成した。続いて、Ti層を0.5%フッ酸により、Cu層を酢酸と過酸化水素水の混合液によりエッチングし、所望の形状からなる第2の配線層を形成した。
次に、第2の配線層(Cu/Ti層60、Ti層61)が形成された第1の有機絶縁層58上に、感光性のPBOを塗布し、露光し、現像し、例えば、窒素雰囲気中、320℃で硬化し、所望のパターン形状からなる第2の有機絶縁層64を形成した。第2の有機絶縁層64の厚みは、例えば6000nmとする。第2の有機絶縁層64は、第2の有機絶縁層64を貫通し、第1の配線層に至る開口部65を備えており、この時点においては、開口部65の底面には第2の配線層のTi層61が露出している。
最後に、第2の有機絶縁層64の開口部65の底面に露出した第2の配線層のTi層61を0.5%フッ酸によりエッチングして除去し、開口部65の底面に第2の配線層のCu/Ti層60を露出させて、実施例に係る半導体装置200を完成させた。
実施例に係る半導体装置200は、部分拡大図である図14(A)に示すように、第1の配線層と第2の配線層との接続部分からTiOxが除去されている。
次に、図13(B)、図14(B)に示す、比較例1に係る半導体装置300について説明する。
比較例1に係る半導体装置300は、上述した実施例に係る半導体装置200の製造方法から、「開口部59の底面に露出した第1配線層の表面に形成されたTiOxをウエットエッチングにより除去する工程」のみを省略して製造した。
比較例1に係る半導体装置300は、部分拡大図である図14(B)に示すように、第1の配線層と第2の配線層との接続部分にTiOx66が残存している。
次に、図13(A)、図14(A)に示す、比較例2に係る半導体装置400について説明する。
比較例2に係る半導体装置400は、上述した実施例に係る半導体装置200の製造方法の工程のうち、「開口部59の底面に露出した第1配線層の表面に形成されたTiOxをウエットエッチングにより除去する工程」を、「開口部59の底面に露出した第1配線層の表面に形成されたTiOxをドライエッチングにより除去する工程」に置き換えた。
以下、ドライエッチングによりTiOxを除去する工程について説明する。
まず、O2ガスを用いたRIEにより有機絶縁層58の表面処理をおこなった後に、窒素雰囲気中、320℃で硬化した。その後、全面電極層(Pt層)54の露出部分をレジストパターン(図示せず)により被覆した。なお、レジストパターンは、TiOxを除去した後に除去する。
次に、開口部59の底面に露出した第1の配線層のTi層57が酸化して形成されたTiOxを、ドライエッチング(CHF3/Ar混合ガスによるRIE)により除去した。より詳しくは、CHF3流量:10sccm、Ar流量:28sccm、ICP:300W、BIAS:200Wの条件で、2分間、RIEをおこなった後、続いて、Ar流量:38sccm、ICP:300W、BIAS:200Wの条件で、20秒間、RIEをおこなった。なお、CHF3ガスは、TiOXのエッチング性を向上させるために用いたものである。また、Arガスのみによる表面処理は、PBO樹脂(第1の有機絶縁層58)表面の密着性を低下させるフッ素終端を除去するためにおこなったものである。
比較例2に係る半導体装置400は、上述したドライエッチングによりTiOxを除去する工程以外の工程は、実施例に係る半導体装置200と同様の方法で製造した。
比較例2に係る半導体装置400も、部分拡大図である図14(A)に示すように、実施例に係る半導体装置200と同様に、第1の配線層と第2の配線層との接続部分からTiOxが除去されている。ただし、実施例に係る半導体装置200の製造方法がウエットエッチングによりTiOxを除去しているのに対し、比較例2に係る半導体装置400の製造方法は、上述のようにドライエッチングによりTiOxを除去している点が異なる。
図13(A)及び(B)に示すように、実施例に係る半導体装置200、比較例1に係る半導体装置300、比較例2に係る半導体装置400について、Ptからなる全面電極層54と、第2の配線層のCu/Ti層60との間の配線抵抗値を測定した。
また、実施例に係る半導体装置200、比較例1に係る半導体装置300、比較例2に係る半導体装置400について、FIBにより加工し、SIM像の観察をおこない、第1の有機絶縁層58からの第2の配線層(Cu/Ti層60)の剥がれの有無を観察した。
配線抵抗の測定結果、及び電極剥がれの有無の観察結果を[表1]に示す。
実施例に係る半導体装置200は、配線抵抗値(ESR)が、透過特性で十分に減衰が得られる1.3Ωであり、しかも第1の有機絶縁層58と第2の配線層との密着強度が大きく電極剥がれはなかった。
比較例1に係る半導体装置300は、配線抵抗値(ESR)が23.6Ωであり、透過特性で十分な減衰が得られない値であった。これは、第1の配線層と第2の配線層との接続部分にTiOx66が残存してしまったことによるものと考えられる。
比較例2に係る半導体装置400は、配線抵抗値(ESR)が、透過特性で十分に減衰が得られる0.9Ωであったが、第1の有機絶縁層58と第2の配線層との密着強度が小さく電極剥がれがみられた。実施例に係る半導体装置200、比較例1に係る半導体装置300とも、O2ガスを用いたRIEによる表面処理により、第1の有機絶縁層58の表面が酸素終端され、第2の有機絶縁層58と第2の配線層のCu/Ti層60との密着強度が大きくなっている(図15参照)。しかしながら、比較例2に係る半導体装置400においては、O2ガスを用いたRIEによる表面処理による第1の有機絶縁層58表面の酸素終端が、ドライエッチングによるTiOxの除去の際に破壊され、第2の配線層との密着強度が低下したものと考えられる。なお、比較例2に係る半導体装置400においては、配線抵抗値は0.9Ωと低抵抗であるため、製造時には電極剥がれは発生しておらず、FIB加工時に電極剥がれが発生したものと考えられる。
以上の結果より、本発明(実施例)によれば、有機絶縁層と第2の配線層との密着強度を低下させることなく、第1の配線層と第2の配線層との接続部分の酸化物層を除去することができ、極めて有効であることが分かった。
1:半導体基板
2:拡散防止層(SiO2)
3:密着層(BST)
4:下部電極層4(Pt)
5:誘電体層(BST)
6:中間電極層(Pt)
7:誘電体層(BST)
8:上部電極層(Pt)
9:保護層(BST)
10:誘電体薄膜キャパシタ
11:無機絶縁層(SiO2)
12:第1の有機絶縁層(PBO)
13:基板接続電極(Au層)
15a、15b、15c:開口部
16:Cu/Ti層(第1の配線層下層)
17:Ti層(第1の配線層上層(保護層))
18:第2の有機絶縁層(PBO)
19a、19b、19c:開口部
20:Cu/Ti層(第2の配線層下層)
21:Ti層(第2の配線層上層(保護層))
22:外部電極(Au/Ni層)
24:第3の有機絶縁層
25:裏面電極(Au層)
100:半導体装置(電子部品)
2:拡散防止層(SiO2)
3:密着層(BST)
4:下部電極層4(Pt)
5:誘電体層(BST)
6:中間電極層(Pt)
7:誘電体層(BST)
8:上部電極層(Pt)
9:保護層(BST)
10:誘電体薄膜キャパシタ
11:無機絶縁層(SiO2)
12:第1の有機絶縁層(PBO)
13:基板接続電極(Au層)
15a、15b、15c:開口部
16:Cu/Ti層(第1の配線層下層)
17:Ti層(第1の配線層上層(保護層))
18:第2の有機絶縁層(PBO)
19a、19b、19c:開口部
20:Cu/Ti層(第2の配線層下層)
21:Ti層(第2の配線層上層(保護層))
22:外部電極(Au/Ni層)
24:第3の有機絶縁層
25:裏面電極(Au層)
100:半導体装置(電子部品)
Claims (8)
- 基板と、
第1の配線層と、
前記第1の配線層上に形成された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に形成された第2の配線層と、を備え、
前記有機絶縁層に形成された開口部を介して、前記第1の配線層と前記第2の配線層とが接続された電子部品の製造方法であって、
前記基板を準備する工程と、
前記第1の配線層を形成する工程と、
前記有機絶縁層を形成する工程と、
前記有機絶縁層に、前記第1の配線層が露出した前記開口部を形成する工程と、
前記開口部を含む前記有機絶縁層の表面を、酸素を含むガスによりプラズマ処理する工程と、
前記開口部に露出した前記第1の配線層の表面に形成された酸化物層を、ウエットエッチングにより除去する工程と、
前記開口部を含む前記有機絶縁層の表面に、前記第2の配線層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記基板が半導体基板であり、前記電子部品が半導体装置であることを特徴とする、請求項1に記載された電子部品の製造方法。
- 前記電子部品が内部に誘電体薄膜キャパシタを含むことを特徴とする、請求項1または2に記載された電子部品の製造方法。
- 前記第1の配線層が、Cu層と、当該Cu層上に形成された最外層であるTi層とを含む積層構造からなり、
前記開口部に露出した前記第1の配線層の表面に形成された酸化物層を、ウエットエッチングにより除去する工程が、前記Ti層が酸化して形成された酸化物層を、フッ酸を含有するエッチャントにより除去する工程であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載された電子部品の製造方法。 - 前記有機絶縁層が熱硬化性樹脂からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載された電子部品の製造方法。
- 基板と、
第1の配線層と、
前記第1の配線層上に形成された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に形成された第2の配線層と、を備え、
前記有機絶縁層に形成された開口部を介して、前記第1の配線層と前記第2の配線層とが接続された電子部品であって、
前記第1の配線層と前記第2との配線層との接続が、前記開口部に露出した前記第1の配線層の表面に形成された酸化物層をウエットエッチングにより除去したうえでおこなわれていることを特徴とする電子部品。 - 前記基板が半導体基板であり、前記電子部品が半導体装置であることを特徴とする、請求項6に記載された電子部品。
- 前記電子部品が内部に誘電体薄膜キャパシタを含むことを特徴とする、請求項6または7に記載された電子部品。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2013-04-30 JP JP2013095702A patent/JP2014216623A/ja active Pending
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