JP2014207488A - マルチチップ・モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の接地面/層を備えたマルチチップ・モジュール(MCM)を提供する。
【解決手段】MAMの各集積回路(IC)チップは、MCMの基板上にそれぞれ専用の接地面を有している。このMCM構造は、他のチップに影響を及ぼすこと無く、且つ他のチップによる影響を受けること無く、各ICの個別テストを円滑に行えるようにする。このMCM構造は、更に、2つ又はそれ以上のチップの間の相互接続部/接続部のテストも実
施し易くする。
【選択図】図1
【解決手段】MAMの各集積回路(IC)チップは、MCMの基板上にそれぞれ専用の接地面を有している。このMCM構造は、他のチップに影響を及ぼすこと無く、且つ他のチップによる影響を受けること無く、各ICの個別テストを円滑に行えるようにする。このMCM構造は、更に、2つ又はそれ以上のチップの間の相互接続部/接続部のテストも実
施し易くする。
【選択図】図1
Description
本発明は、集積回路に関し、より厳密には複数の接地面を備えた半導体素子、特にマルチチップ・モジュールに関する。
従来の集積回路(IC)パッケージは、「チップ」とも呼ばれる単一の集積回路(IC)ダイを備えている。マルチチップ・モジュール(MCM)は、共通の又は共有の基板上に複数のICチップを備えており、全てのチップは同一の保護パッケージ内に入っている。MCMの個々のICチップは、基板上に形成された金属経路で相互に接続されている。ICチップは、基板上の端子に接続されており、端末は極細配線で従来型のリードフレームに連結される。基板とリードフレームは、保護パッケージ内に封入されている。
従来のMCMの各種ICチップでは、チップによりパワーレベルが異なる場合もある。従って、MCMの各ICは、MCM内の他のICチップに連結されている他のパワー面から分離された専用のパワー面に連結されることになる。これまで開発されてきた技術によれば、全てのICチップはMCM基板の単一の接地面を共用している。
概念的には、MCMのテストは、チップレベル、パッケージレベル、又はシステムレベル(ボードレベル)で行われる。ICメモリチップの様なICを備えたMCMの従来型のテストは、通常はチップレベルで行われる。即ち、各ICチップは、製造されると、MCMに組み込む前に別々にテストされる。従来のテスト方法は、時間がかかり、単純で複雑でない構成要素に制限され、及び/又はテスト用に余分な構成要素を必要とする。パッケージレベルのテストは実施されてこなかった。MCMのシステムレベルでのテストは高価なために実施が困難である。
或る実施形態では、MCMは、ICメモリチップとASICを備えている。ICメモリチップとASICチップは、MCMの一式の入力/出力(I/O)コネクタ(例えば、ピン、パッド、又はボール)を共有している。本発明によれば、或る方法は、ICメモリチップとASICチップに別々にアクセスしてテストする。
本発明の或る態様は、マルチチップ・モジュール(MCM)に関する。MCMは、基板上の第1の集積回路(IC)チップと、第1ICチップに連結された第1接地面と、基板上の第2のICチップと、第2ICチップに連結された第2接地面を備えている。
本発明の別の態様は、マルチチップ・モジュールの基板上の第1及び第2集積回路(IC)チップをテストする方法に関する。各ICには専用の接地面を有している。この方法は、第1のICチップの動作に影響を及ぼすこと無く第1ICチップをテストする段階と、第1ICチップの動作に影響を及ぼすこと無く第2ICチップをテストする段階とを含
んでいる。
んでいる。
本発明の別の態様は、マルチチップ・モジュールの基板上の第1及び第2集積回路(IC)チップをテストする方法に関する。この方法は、第2ICチップの動作に影響を受けること無く第1ICチップをテストする段階と、第1ICチップの動作に影響を受けること無く第2ICチップをテストする段階とを含んでいる。
本発明の別の態様は、マルチチップ・モジュールの基板上の第1及び第2集積回路(IC)チップの間の相互接続をテストする方法に関する。各ICチップには専用の接地面がある。この方法は、第1ICチップに信号を与える段階と、第1ICチップに与えた信号に応えて、電流が第1ICチップから第2ICチップに相互接続部を介して流れるか否か判定する段階を含んでいる。
本発明の重要な技術的利点は、当業者には、添付図面、以下の説明及び特許請求の範囲
の内容から、容易に理解頂けるであろう。
の内容から、容易に理解頂けるであろう。
本発明をより完全に理解頂くために、また、この他の特徴及び利点を理解頂くために、添付図面を参照しながら以下説明する。
本発明の実施形態及びそれらの利点は、添付図面の図1から図4を参照することにより良く理解頂けるであろう。各図面において、同等の及び対応する部分には、同じ符号を付している。
本発明は、MCMパッケージ(「パッケージ素子」、「パッケージ半導体素子」、又は「マルチチップ半導体素子」とも呼ばれる)の集積回路(IC)チップ(「ダイ」とも呼ぼれる)の費用対効果に優れたテストに関する必要性を実現する。テストシステム、方法及びMCM構造の他の態様は、2000年9月21日出願の米国特許出願第09/666,208号「マルチチップ半導体パッケージ内でのチップテスト」、2001年9月28日出願の米国特許出願第09/967,389号「集積回路素子のテスト」、2002年11月27日出願の米国特許出願第10/305,635号「パッケージ半導体素子の入力テストモードとアクセシング」、及び2003年6月27日出願の米国特許出願第10/608,613号「半導体素子テスト用のボンディングパッド」に記載されているが、上記特許出願は全て本発明の譲受人に譲渡されており、またこれら出願の内容全体を参考文献として本願に援用している。
本発明の或る実施形態によれば、MCM内の各ICチップには、MCM基板上に各ICチップ専用の接地平面/層がある。各自専用の接地面を備えたICチップでは、MCM内の他のチップに影響を及ぼすこと無く、また他のチップから影響を受けること無く、ICチップ毎に別々にテストを実施し易くなる。各自専用の接地面を備えたICチップでは、顧客は、MCM内の、メモリチップの様なICチップをテストして、MCMを備えた顧客の製品が正しく機能しているか否か判定することができる。各自専用の接地面を備えたICチップでは、更に、MCM内の2つ又はそれ以上のチップの間の相互接続又は接続のテストもやり易くなる。各自専用の接地面を備えたICチップでは、更に、多種多様な用途特定集積回路(ASIC)を、たとえ高インピーダンス入力のないASICであっても、MCMに実装できるようになる。
図1は、本発明によるマルチチップ・モジュール(MCM)100の或る実施形態を示している。MCM100は、「パッケージ素子」、「パッケージ半導体素子」、「マルチチップ半導体素子」、又は「パッケージ型システム(SIP)」とも呼ばれる。MCM100は、114個以上のピンを有する標準的なボールグリッド配列(BGA)又は薄型4重フラットパック(TQFP)としてパッケージ化することができる。しかしながら、他の型式のパッケージングも使用することができる。例えば、パッケージングは、ワイヤボンディング付き又は薄膜基板を採用しているセラミック基部と、シリコン基板又は印刷回路盤(PCB)基板への取付部を有している。パッケージングには、更に、数例を挙げると、シングル・インラインパッケージ(SIP)、デュアル・インラインパッケージ(DIP)、ジグザグ・インラインパッケージ(ZIP)、プラスチックリード式チップキャリア(PLCC)、小型アウトラインパッケージ(SOP)、薄型SOP(TSOP)、フラットパック、及び4重フラットパック(QFP)の様な各種表面実装技術を利用することができるが、各種リード線(例えば、Jリード線、ガルウイングリード線)又はBGAコネクタを利用したものでもよい。
図1に示すように、MCM100は、入力/出力(I/O)コネクタ102A−102N、基板104、及び集積回路(IC)チップ(「ダイ」ともいう)108A−108Cを備えている。各I/Oコネクタ102A−102Nは、I/Oピン、ボール(ボールグリッド配列(BGA)のボール)、又はMCM100に対する信号の送受信に適した他のコネクタを備えている。この様に、MCM100は、プラスチックのボールグリッド配列(PBGA)又は他の適したパッケージングを備えている。基板104は、印刷回路盤(PCB)基板でもよく、そこにICチップ108A−108Cが取り付けられる。
基板104には、複数のボンディングパッド又は端子101A−101N、及びインターコネクタ/トレース/リード線110A−110C、112A−112Cが組み込まれ又は形成されている。コネクタ/トレース/リード線110A−110C、112A−112Cは、ICチップ108A−108Cの間の連絡を接続及び支持するよう機能する。多数のボンディングパッド又は端子101A−101Nが、リード線103A−103Nを介して1つ又は複数のI/Oコネクタ102A−102Nに接続され、こうして、基板104とMCMの外部回路の間の連絡を支持している。
或る実施形態では、図1の少なくとも1つのICチップ108はメモリチップであり、少なくとも1つのチップ108は用途特定集積回路(ASIC)チップである。例えば、或る実施形態では、ICチップ108A、108Cはメモリチップであり、ICチップ108BはASICチップである。ICメモリチップ108A、108C及びASICチップ108Bは、MCM100の同じピン/ボール/パッド102A−102Nの幾つかを共有している。MCM100は、異なる型式のASICの、たとえそれらが高インピーダンス入力パッド又は入力ピンを備えていないASICであっても、その様々な組み合わせを備えている。或る実施形態では、図1内の少なくとも1つのICチップ108は、内蔵型ダイナミツクランダムアクセスメモリ(DRAM)の様な論理内蔵型メモリを備えている。
各ICチップ108A−108Cは、1つ又は複数のボンディングパッド/端子118A−118Cを備えているか又は組み込まれている。ボンディングワイヤ120A−120C又は他の適した接続部が、ICチップ108のボンディングパッド/端子118を基板104のボンディングパッド/端子101に接続している。
概説すると、MCM100は、任意の数のI/Oピン/パッド/ボール、ボンディングパッド、配線、リード線、端子、トレース、接地面、ICチップ、相互接続部/接続部、及びパワー面を備えている。MCM100は、図1に示す構成要素に加えて、又はそれに代えて、他の構成要素(図示せず)を備えていてもよい。或る実施形態では、MCM100は、多重層を有している。
基板104には、多数の導電面106A−106C、114A−114Cが設けられ、又は組み込まれている。或る実施形態では、面106A−106Cは接地面であり、面114A−114Eはパワー面である。別の実施形態では、構造114A−114Cは、接地面であり、構造106A−106Cはパワー面である。図示のように、各ICチップ108は、MCM基板104上に自身専用のパワー面114と自身専用の接地面106を有している。各パワー面114は、対応する接地面106から分離されている。或る実施形態では、各パワー面114は、1.8ボルト、3.3ボルト、又は5ボルトの電圧を有している。或る実施形態では、1つ又は複数の導電面は、例えば、印刷回路板(PCB)上にトレースを形成するために通常使用される加工処理によって、基板104上に形成された多重層として実装することができる。また、同じ又は他の実施形態では、1つ又は複数の導電面は、例えば、何らかの適したボンディング処理で基板に取り付けられた導電性のメッシュ又はストリップとして実装されている。各ICチップ108は、1つ又は複数のパワー面114にボンディング又は他の方法で取り付けられる。同様に、各ICチップ108は、1つ又は複数の接地面106にボンディング又は他の方法で取り付けてもよい。例えば、各チップ108は、当業者には既知の「フリップチップ」取付技法で、1つ又は複数のパワー面114及び/又は1つ又は複数の接地面106に取り付けられる。各チップ108とその関係付けられた接地面及びパワー面は、「チップ構造」を形成しでもよいし、その構成部分を成してもよい。
概説すると、接地面は、本発明の実施形態によれば、MCMの何処にあってもよく、対応するICチップの近くにある必要はない。例えば、接地面106Aは、MCM100の何処にあってもよく、チップ108Aの近くにある必要はない。或る実施形態では、接地面106は、基板の表面に実装されている。別の実施形態では、接地面106は、一部が基板内の表面の下方に実装されている。各接地面106は、I/Oコネクタ102Aの様なMCM100の外部コネクタに接続することができる。
接地面106は、本発明の実施形態によれば、ストリップ又は層の様な、どの様な構成及び形状であってもよい。MCM内の各接地面106の大きさは、当該接地面に関係付けられたチップの電力消費量に応じて変わる。従って、或る実施形態では、電力消費量の多いチップには大きな接地面106が設けられ、電力消費量の少ないチップには小さい接地面106が設けられることになる。各接地面106は、銅、アルミニウム、金又はタングステンの様な金属、又は他の何らかの適した導電性材料で作られている。接地面106、又はその一部は、実質的に固体(例えば、一枚の「シート」)でもよいし、部分的に、複数の相互接続された部分(例えば、グリッド、メッシュ、又は貫通孔を設けた設計)に分割されていてもよい。接地面106は、可撓性があってもよいし、なくともよい(剛体であってもよい)。
図2は、図1のMCM100に実装されるICチップ構造200の1つの実施形態を示している。図2の構造200は、第1導電面202、第2導電面204、第3導電面206、及びICチップ208を備えている。導電面202、204、206は、1つの接地面と、1.8、3.3又は5ボルトの様な2つのパワーレベルを備えた2つのパワー面とを備えている。導電面202、204、206は、適した絶縁層又は非導電層(図示せず)で分離(例えば、電気的に絶縁)されている。図2は、複数のパワー面を有するICチップ構造200を示している。
図3は、図1のMCM100に実装される多重ICチップ構造300の1つの実施形態を示している。図3の構造300は、複数の導電面301、302、304A、304B、306A、306Bと、複数のICチップ308A、308Bを備えている。導電面301、302、304A、304B、306A、306Bは、適した絶縁層又は非導電層(図示せず)で分離(例えば、電気的に絶縁)されている。図3の各ICチップ308には、自身専用の接地面と1つ又は複数のパワー面が設けられている。例えば、チップ308Aは、接地面306Aと3つのパワー面304A、302、301に連結されている。或る実施形態では、パワー面304A、302、301の電圧レベルは、1.8、3.3又は5ボルト(順不同)である。図3は、複数のICチップ308A、308Bが、面302又は面301の様な少なくとも1つのパワー面を共有できることを実証している。チップ308Aは、相互接続部310を介してチップ308Bに連結されている。
図4は、図1のMCM100に実装される多重ICチップ構造400の別の実施形態の側断面図である。図4の構造400は、第1ICチップ401A、第2ICチップ401B、複数の層又は面402A、402B、404、406A、406B、及び基板412を備えている。チップ401A、401B、面402A、402B、404、406A、406B及び基板412は、誘電層又は1層又はそれ以上の絶縁材料又は非導電性材料によって垂直方向に分離されている。或る実施形態では、1つ又は複数の面402A、402B、404、406A、406Bは、基板412の一部に埋め込まれている。
図4のチップ401A、401Bは、1つ又は複数のコネクタ又はリード線又はトレース408を介して連結されている。チップ401A、401Bは、面402A、402B、404、406A、406Bに、コネクタ(例えばビア)410A、410Bを介して接続されている。或る実施形態では、面402A、402B、404はパワー面であり、面406A、406Bは接地面である。面404は、2つのICチップ401A、401Bに共有されているパワー面である。
ここに説明したMCM100と構造は、チップレベル、パッケージレベルも、又はシステムレベルでテストされる。状況次第で、チップ毎に設計された通常のテストルーチンをテストに使用して、欠陥のあるチップを識別し絶縁又は修理できるので、チップレベルでテストするのが望ましい場合もある。
或る実施形態では、テスト装置は、図1のチップ108Bの様な各ICチップに、チップ108A、108Cの様な他のチップとは切り離してアクセスし、テストを実施する。
図1から図4を参照しながらここに説明した接地面は、チップ108B(図1)の様な各チップの個別テストをやり易くしている。例えば、按地面106Bは、試験対象の対応するチップ108Bを、チップ108A、108Cの様な他のチップの動作又は電圧/電流レベルに影響を及ぼすこと無くテストできるようにしている。具体的には、図1のMCM100の各チップ108は、MCM100内の他のチップ108へパワーを供給すること無く、起動し(即ち、パワー供給し)、テストすることができる。同様に、図1から図4を参照しながらここに説明した接地面は、チップ108B(図1)の様な各チップの個別テストを、チップ108A、108Cの様な他のチップの動作又は電圧/電流レベルの影響を受けること無く円滑に実施できるようにしている。例えば、各種個別の接地面により、チップ108同士を完全に分離することができる。
上に述べた構造は、更に、例えば、図1のチップ108A、108B、108Cの間の相互接続部110A−110C、112A−112Cの様な、1つ又はそれ以上のチップ間の相互接続部/接続部/トレースのテストもやり易くしている。或る実施形態では、テスト装置は、チップ108に送られた信号に応じて、各相互接続部110又は112での電流変化を調べることにより、相互接続部110A−110C、112A−112Cをテストする。別の実施形態では、装置は、各相互接続部110又は112が電流を通すか否か判定することにより、相互接続部110A−110C、112A−112Cをテストする。相互接続部110又は112が電流を通さない場合、相互接続部は接続が故障していることになる。相互接続部に欠陥のあるMCMは廃棄又は修理される。
以上、説明してきた本発明の実施形態は、単に説明を目的としており限定を課すものではない。従って、当業者には自明のように、本発明の広い態様から逸脱すること無く、様々な変更及び修正を加えることができる。従って、特許請求の範囲は、このような変更及び修正の全てが、本発明の精神及び範囲に当てはまるものとして包含している。
100 マルチチップ・モジュール(MCM)
101A−N、118A−C ボンディングパッド又は端子
102A−N I/Oコネクタ
103A−N リード線
104、412 基板
106A−C、114A−C、202、204、206、301、302、304A−B、306A−B、402A−B、404、406A−B 導電面、接地面又はパワー面
108A−C、208、308、401A−B 集積回路(IC)チップ
110A−C、112A−C、410A−B コネクタ/トレース/リード線
120A−120C ボンディングワイヤ
310 相互接続部
101A−N、118A−C ボンディングパッド又は端子
102A−N I/Oコネクタ
103A−N リード線
104、412 基板
106A−C、114A−C、202、204、206、301、302、304A−B、306A−B、402A−B、404、406A−B 導電面、接地面又はパワー面
108A−C、208、308、401A−B 集積回路(IC)チップ
110A−C、112A−C、410A−B コネクタ/トレース/リード線
120A−120C ボンディングワイヤ
310 相互接続部
Claims (6)
- 基板上の第1集積回路(IC)チップと、
前記第1ICチップに連結された第1接地面と、
前記第1ICチップに連結された第1パワー面と、
前記基板上の第2集積回路(IC)チップと、
前記第2ICチップに連結された第2接地面と、
前記第2ICチップに連結された第2パワー面と、
を備え、
前記第1及び第2接地面は、前記第1ICチップに送られた信号に応じた、前記第1ICチップと前記第2ICチップの間の少なくとも1つの相互接続部の電流の変化に基づく前記相互接続部のテストを実行可能に構成される、
ことを特徴とする、マルチチップ・モジュール。 - 前記第1パワー面は第1電圧レベルを支持し、前記第2パワー面は第2電圧レベルを支持する、
ことを特徴とする、請求項1に記載のマルチチップ・モジュール。 - 前記第1及び第2ICチップの両方に連結された第3パワー面、を更に備える、
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載のマルチチップ・モジュール。 - 前記第1接地面は、前記第1ICチップの性能に応じた形状を有する、
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のマルチチップ・モジュール。 - 前記第1接地面は、前記第1ICチップの消費電力量に応じた面積を有する、
ことを特徴とする、請求項4に記載のマルチチップ・モジュール。 - 前記第1接地面及び前記第1パワー面の面積は、前記第1ICチップの前記基板上での設置面の面積以上であり、
前記第1ICチップの前記設置面は、前記基板上における前記前記第1接地面及び前記第1パワー面に対応する領域に包含される、
ことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載のマルチチップ・モジュール。
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