JP2006222109A - マルチチップモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 パッケージ封止後でも半導体素子単体のパッケージ封止後に行われる選別試験と同じ試験を行なう事ができ、高信頼性のマルチチップモジュールを得る。
【解決手段】 本発明のマルチチップモジュールは、複数のICベアチップ102,103を実装するチップ実装部100と、チップ実装部100に接続される積層配線基板200とを有するもので、チップ実装部100と積層配線基板200との間にICベアチップの端子のみ配線した実装接続基板300を設けたものである。
また、実装接続基板300は、積層配線基板200と接続するはんだボール302の端子を有する。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明のマルチチップモジュールは、複数のICベアチップ102,103を実装するチップ実装部100と、チップ実装部100に接続される積層配線基板200とを有するもので、チップ実装部100と積層配線基板200との間にICベアチップの端子のみ配線した実装接続基板300を設けたものである。
また、実装接続基板300は、積層配線基板200と接続するはんだボール302の端子を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、ICベアチップを実装したマルチチップモジュールに関する。
半導体素子を実装した機器において、集積度を高め小型化する為の高密度実装技術の一つとしてマルチチップモジュールがある。
従来のマルチチップモジュールの構造を図3に示す。 図において、100はチップ実装部、200は積層配線基板である。
チップ実装部100はICベアチップ102、103とボンディングワイヤ104などからなる。ICベアチップは、ウエハ上の選別テストで良品判定されたものをダイシングしたものである(Known Good Die(KGD)と呼ばれる)。積層配線基板200は、ガラスエポキシ、セラミック、シリコン等の基材上にCu等の導電体部材で配線パターン201を形成したものである。202は、はんだボールの端子である。
ICベアチップ102はボンディングワイヤ104にて積層配線基板200に接続され、ICベアチップ103はバンプ電極接続にて積層配線基板200上にフリップ実装されている。マルチチップモジュールは、実装後に樹脂モールド101でパッケージ封止され、はんだボール202の端子により、ユーザ基板上に実装される。
このように積層配線基板200に複数のICベアチップ102、103、若しくは周辺半導体素子と接続されるにより、機器の小型化を実現できるとともに、配線長による遅延を減少させ、高速アクセスが可能となる。
通常、半導体素子はパッケージ封止後、DC測定、ファンクション測定により良否選別される。DC測定とは入力端子のリーク電流値、出力端子の電流値、電圧値を測定するもので、ファンクションテストは、メモリ容量の書き込み、読み出し特性評価、アクセスタイムの測定、テストパターンによる期待値から論理機能等の測定や動作マージン測定をするものである。
マルチチップモジュール後は試験機のプローブを各端子に接触させても、ICベアチップは他ICベアチップと、若しくは周辺半導体素子間がマルチチップモジュール内で相互接続されている為、複数の回路素子が互いに影響し合い適切な検査結果を得ることができなかった。
この為、ICベアチップを接続する前に各ICベアチップのDC測定、ファンクション測定を行い、良否判定後に各ICベアチップを他ICベアチップと、若しくは周辺半導体素子と接続する必要があった(例えば、特許文献1参照)。
実開平6−6238号公報
従来のマルチチップモジュールの構造を図3に示す。 図において、100はチップ実装部、200は積層配線基板である。
チップ実装部100はICベアチップ102、103とボンディングワイヤ104などからなる。ICベアチップは、ウエハ上の選別テストで良品判定されたものをダイシングしたものである(Known Good Die(KGD)と呼ばれる)。積層配線基板200は、ガラスエポキシ、セラミック、シリコン等の基材上にCu等の導電体部材で配線パターン201を形成したものである。202は、はんだボールの端子である。
ICベアチップ102はボンディングワイヤ104にて積層配線基板200に接続され、ICベアチップ103はバンプ電極接続にて積層配線基板200上にフリップ実装されている。マルチチップモジュールは、実装後に樹脂モールド101でパッケージ封止され、はんだボール202の端子により、ユーザ基板上に実装される。
このように積層配線基板200に複数のICベアチップ102、103、若しくは周辺半導体素子と接続されるにより、機器の小型化を実現できるとともに、配線長による遅延を減少させ、高速アクセスが可能となる。
通常、半導体素子はパッケージ封止後、DC測定、ファンクション測定により良否選別される。DC測定とは入力端子のリーク電流値、出力端子の電流値、電圧値を測定するもので、ファンクションテストは、メモリ容量の書き込み、読み出し特性評価、アクセスタイムの測定、テストパターンによる期待値から論理機能等の測定や動作マージン測定をするものである。
マルチチップモジュール後は試験機のプローブを各端子に接触させても、ICベアチップは他ICベアチップと、若しくは周辺半導体素子間がマルチチップモジュール内で相互接続されている為、複数の回路素子が互いに影響し合い適切な検査結果を得ることができなかった。
この為、ICベアチップを接続する前に各ICベアチップのDC測定、ファンクション測定を行い、良否判定後に各ICベアチップを他ICベアチップと、若しくは周辺半導体素子と接続する必要があった(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、特許文献1によるマルチチップモジュールでは、IC間の配線接続は接続パッド間をワイヤボンディングで接続している為、チップとレジンの接着剥離、ボンディングの接着剥離、ボンディングダメージ、ワイヤー曲がり等によるパッケージ封止時に発生する不良をDC測定、ファンクション測定で選別することができないという問題があった。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、パッケージ封止後に行なう試験と同等の試験が可能で、かつ信頼性の高いマルチチップモジュールを提供することを目的とする。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、パッケージ封止後に行なう試験と同等の試験が可能で、かつ信頼性の高いマルチチップモジュールを提供することを目的とする。
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1記載の発明は、複数のチップを実装するチップ実装部と、前記チップ実装部に接続される積層配線基板とを有するマルチチップモジュールにおいて、前記チップ実装部と前記積層配線基板との間に前記ベアチップの端子のみ配線した実装接続基板を設けたものである。
請求項2記載の発明は、前記実装接続基板に前記積層配線基板と接続するはんだボールの端子を設けたものである。
請求項1記載の発明は、複数のチップを実装するチップ実装部と、前記チップ実装部に接続される積層配線基板とを有するマルチチップモジュールにおいて、前記チップ実装部と前記積層配線基板との間に前記ベアチップの端子のみ配線した実装接続基板を設けたものである。
請求項2記載の発明は、前記実装接続基板に前記積層配線基板と接続するはんだボールの端子を設けたものである。
請求項1、2に記載の発明によると、複数のICベアチップが実装されたマルチチップモジュールにおいて、各ICベアチップを半導体素子のパッケージ封止後で行なう試験と同じ試験を適切に行なうことができ、マルチチップモジュールの信頼性を向上することができる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図1は、本発明の実施例を示すマルチチップモジュールの断面図である。図において、300は実装接続基板であり、301は配線パターン、302ははんだボールである。
チップ実装部100は、複数のICベアチップ間と、若しくは周辺半導体素子と接続されていない実装モジュールである。実装接続基板300は、ICベアチップ102,103の全パッドが配線パターン301により外部端子のはんだボール302に接続されている。回路素子同士が相互接続されていない為、はんだボール302の端子に試験機のプローブを接触させることにより、各ICベアチップは半導体素子のパッケージ封止後後に実施される選別テストと同じ試験を行なう事が可能となる。
図2は、本発明の実装接続基板300を用いて組立てた最終のマルチチップモジュールを示す断面図である。
最終のマルチチップモジュールは、積層配線基板200に実装接続基板300をはんだボール302の端子で接続されている。さらに、積層配線基板200のはんだボール202の端子によりユーザ基板400に接続されている。
チップ実装部100は、複数のICベアチップ間と、若しくは周辺半導体素子と接続されていない実装モジュールである。実装接続基板300は、ICベアチップ102,103の全パッドが配線パターン301により外部端子のはんだボール302に接続されている。回路素子同士が相互接続されていない為、はんだボール302の端子に試験機のプローブを接触させることにより、各ICベアチップは半導体素子のパッケージ封止後後に実施される選別テストと同じ試験を行なう事が可能となる。
図2は、本発明の実装接続基板300を用いて組立てた最終のマルチチップモジュールを示す断面図である。
最終のマルチチップモジュールは、積層配線基板200に実装接続基板300をはんだボール302の端子で接続されている。さらに、積層配線基板200のはんだボール202の端子によりユーザ基板400に接続されている。
ICベアチップが実装されるマルチチップモジュールにおいて、ICベアチップを実装、パッケージ封止後、半導体素子単体のパッケージ封止後と同じテストがきるようにする技術に関する。
100 チップ実装部
101 樹脂モールド
102 ICベアチップ(ワイヤボンディング接続)
103 ICベアチップ(フリップチップ実装)
104 ボンディングワイヤ
200 積層配線基板
201 配線パターン
202 はんだボール
300 実装接続基板
301 配線パターン
302 はんだボール
400 ユーザ基板
101 樹脂モールド
102 ICベアチップ(ワイヤボンディング接続)
103 ICベアチップ(フリップチップ実装)
104 ボンディングワイヤ
200 積層配線基板
201 配線パターン
202 はんだボール
300 実装接続基板
301 配線パターン
302 はんだボール
400 ユーザ基板
Claims (2)
- 複数のベアチップを実装するチップ実装部と、前記チップ実装部に接続される積層配線基板とを有するマルチチップモジュールにおいて、
前記チップ実装部と前記積層配線基板との間に前記ベアチップの端子のみ配線した実装接続基板を設けたことを特徴とするマルチチップモジュール。 - 前記実装接続基板は、前記積層配線基板と接続するはんだボールの端子を有することを特徴とする請求項1記載のマルチチップモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005031340A JP2006222109A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | マルチチップモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005031340A JP2006222109A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | マルチチップモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222109A true JP2006222109A (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=36984239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005031340A Pending JP2006222109A (ja) | 2005-02-08 | 2005-02-08 | マルチチップモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006222109A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112234026A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-15 | 天津津航计算技术研究所 | 一种3d芯片封装 |
-
2005
- 2005-02-08 JP JP2005031340A patent/JP2006222109A/ja active Pending
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